「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(135ページ目) - Weblio英語例文検索

The apparatus 20 can continuously perform the formation process of a protective resin layer F using a solvent-soluble type fluororesin F to the light reception surface of the thin-film solar cell sub-module 1, and the formation process of a module adhesive layer by an adhesive resin sealing material J1, or the like onto the protective resin layer F before being reeled up by a take-up shaft R2.例文帳に追加

薄膜太陽電池モジュール製造装置２０は、薄膜太陽電池サブモジュール１の受光面への溶剤可溶型フッ素樹脂Ｆを用いた保護樹脂層Ｆの形成工程と、保護樹脂層Ｆ上への接着性樹脂封止材Ｊ１等によるモジュール接着層の形成工程とを、巻取軸Ｒ２に巻き取られる前に連続的に行うことができる。 - 特許庁

This thin film magnetic head is provided with at least an inductive writing head element including an upper core layer magnetically coupled to an upper magnetic pole for its front end, a lower core layer magnetically coupled to a lower magnetic pole for its front end, a coil conductor inserted between the upper and lower core layers, and a coil insolating layer formed by sandwiching the coil conductor.例文帳に追加

前端部で上部磁極に磁気的に結合している上部コア層と、前端部で下部磁極に磁気的に結合している下部コア層と、上部コア層及び下部コア層間に挿通しているコイル導体と、コイル導体を挟んで形成されたコイル絶縁層とを含むインダクティブ型書込みヘッド素子を少なくとも備えた薄膜磁気ヘッドである。 - 特許庁

In a laminated material wherein an anchor coat layer 2, a deposited thin film layer 3 composed of an inorganic oxide and a gas-barrier coating layer 4 are laminated in turn at least on one face of a base material film 1 composed of a polyamide resin, a surface roughness Rz (ten points average roughness) of a laminated face side of the base material 1 is 0.25 μm or less.例文帳に追加

ポリアミド系樹脂からなるな基材フイルム１の少なくとも一方の面に、アンカーコート層２、無機酸化物からなる蒸着薄膜層３、ガスバリア性被覆層４を順次積層した積層体において、該基材フイルム１の積層面側の表面粗さＲｚ（十点平均粗さ）が０．２５μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.例文帳に追加

支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁

This moisture-proof paper 1 is characterized by disposing a deposited anchor layer 12 comprising an alkyd resin or a polyphenol resin, a deposited thin film layer 14 comprising aluminum or silicon oxide, and an over coat layer 16 comprising a polyester resin or a polymer prepared by laminating the mixture of PVA with the hydrolysate of a silane coupling agent and then polycondensing the laminated product in this order on the coated side of a paper substrate 10.例文帳に追加

紙を基材１０とし、そのコート面に、アルキッド樹脂、ポリフェノール樹脂等でなる蒸着アンカー層１２、アルミニウム、酸化珪素等でなる蒸着薄膜層１４、ポリエステル樹脂、ＰＶＡとシランカップリング剤の加水分解物の混合で積層後重縮合させたもの等でなるオーバーコート層１６が順に設けられた防湿紙１である。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an antireflection film made of a two-layer film of a lower layer as a reflection film and an upper layer as an interference film to an exposure light on the substrate, emitting a pattern inspecting light via the antireflection film in the case of exposing a desired pattern on a photosensitive thin film coating the antireflection film, thereby aligning a photomask with the substrate.例文帳に追加

露光光に対して下層は反射膜であり、上層は干渉膜である二層膜からなる反射防止膜を基板上に形成し、その反射防止膜上に塗布した感光性薄膜に所望のパターンを露光する際に、反射防止膜を介してパターン検出光を照射することにより、ホトマスクと基板とのアライメントを行う。 - 特許庁

A thin film field effect transistor has at least a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, a source electrode and a drain electrode formed on a substrate, wherein a resistive layer is connected electrically between the active layer and at least one of the source electrode and drain electrode.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

This electronic paper manufacturing method has an electronic paper formation process in which a thin film transistor 8 is formed on an electronic paper support film 7 to obtain a driver layer while temporarily fixing the electronic support film 7 on a support plate 6 by a double-sided adhesive tape 5, and further a display layer 9 having an image display function is adhered on the driver layer.例文帳に追加

電子ペーパーの製造方法は、電子ペーパー支持フィルム７を両面粘着テープ５で支持板６に仮固定した状態で、該電子ペーパー支持フィルム７上に薄膜トランジスタ８を形成してドライバ層を得、さらに、該ドライバ層上に画像表示機能を有する表示層９を貼り合わせる電子ペーパー形成工程を有する。 - 特許庁

Using a thin film 50 of crystalline sapphire formed on a substrate 1 as a seed, a single crystal silicon layer 7 is formed from a low melting point metal layer of molten polysilicon through heteroepitaxial growth and the single crystal silicon layer 7 is employed in a top gate type MOSFET of an electrooptic device, e.g. a display section-peripheral drive circuit integrated LCD.例文帳に追加

基板１に形成した結晶性サファイア薄膜５０をシードにして多結晶シリコン等を溶解した低融点金属層からヘテロエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、この単結晶シリコン層７を表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 - 特許庁

To provide a production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell in which formation of a discontinuous layer (insular In film) can be prevented when a pure In film is deposited by sputtering, and oxidation of Ga can preferably be minimized when a CIGS based light absorption layer, or the like, containing Ga is produced.例文帳に追加

スパッタリング法によって純Ｉｎ膜を成膜したときにおける不連続層生成（島状Ｉｎ膜の形成）を防止でき、好ましくはＧａを含むＣＩＧＳ系光吸収層などを製造する場合には、Ｇａの酸化を抑制することが可能な化合物薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法を提供する。 - 特許庁

A thin film for wiring is composed of a double layer structure composing of a Cr film contg. nitrogen element at a lower layer film 2, which is formed by sputtering with using CrN target and pure Ar gas as a sputtering gas, and a Cr film contg. no nitrogen element as an upper layer film 1, which is formed by sputtering with using Cr target and pure Ar gas as a sputtering gas.例文帳に追加

配線用薄膜を、ＣｒＮターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有するＣｒ膜を下層膜２とし、Ｃｒターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有しないＣｒ膜を上層膜１とした二層構造とする。 - 特許庁

In the manufacturing method for the precoated steel sheet, the width of a narrowing layer 13 in a coating part is narrower than the width of the running steel sheet 11 and the trimming allowance 17 is adjusted by means of a side trimmer 8 in accordance with the extent of a variation in a distance between a steel sheet end part and a narrowing layer end part (end part thin layer width 14).例文帳に追加

塗覆部位において幅狭層１３の幅は走行する鋼板１１の幅よりも狭い幅であり、鋼板端部と幅狭層端部との間の距離（端部薄層幅１４）の変動の大きさに応じて、サイドトリマー８によるトリム代１７を調整することを特徴とする塗装鋼板の製造方法及び塗装装置。 - 特許庁

Furthermore, potential energy distribution on the surface is uniformized and stable ultrahigh-speed operation is established, by forming a thin layer 2A, where the conductivity is inverted into a first conductive type (p-type), at the exposed surface part of a second conductivity (n-type) of low-concentration semiconductor layer 2 being exposed by narrowing the light absorbing layer 1.例文帳に追加

さらに、光吸収層１を狭幅化するとにより露出する第二の導電型（ｎ型）の低濃度半導体層２の露出表面部分に、その導電型を第一の導電型（ｐ型）に反転させた薄層２Ａを形成することにより、該表面上におけあるポテンシャルエネルギー分布を均一化し、安定な超高速動作を可能にする。 - 特許庁

This thread 10 for preventing counterfeit is a thread to be used by making a patterned paper with the thread, and has a resin layer 12 having an optical diffraction grating or a hologram pattern 13 formed on a base material 11 composed of a resin film, and a ferromagnetic thin membrane layer 15 attached onto the resin layer 13.例文帳に追加

本発明の偽造防止用スレッド１０は、偽造防止用紙に抄き込んで使用するためのスレッドであって、樹脂フィルムからなる基材１１上に光回折格子またはホログラムパターン１３が形成された樹脂層１２を有し、当該樹脂層上に被着された強磁性材薄膜層１５をさらに備えることを特徴とする。 - 特許庁

The forgery preventing medium 1 is constituted by forming a round pattern and a character pattern with a light absorption layer 4 showing transmissibility to IR rays and an IR absorption layer 5 of approximately the same color as the color of the light absorption layer 4 on the rear surface of the iris multilayered film 3 alternately laminated with two or more kinds of thin films.例文帳に追加

二種またはそれ以上の種類の薄膜が交互に積層された虹彩性多層フィルム３の裏面に、赤外線に対しては透過性を示す光吸収層４と該光吸収層と略同色の赤外線吸収層５とで一つの丸パターンと文字パターンを形成してなる偽造防止媒体１とするものである。 - 特許庁

A recording head includes a lower magnetic pole layer 8, an upper magnetic pole layer 13, a recording gap layer 12 which is formed between the magnetic pole parts of layers 8 and 13 and the thin film coils 10 and 14 which are placed between the layers 8 and 13 and insulated from these layers.例文帳に追加

記録ヘッドは、下部磁極層８および上部磁極層１３と、この下部磁極層８の磁極部分と上部磁極層１３の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層１２と、下部磁極層８および上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル１０，１４とを有している。 - 特許庁

The diamond wire saw has a plated layer 20 covering the outer surface 11 of the metal core wire 10 and dispersedly holds the diamond abrasive grains 30 in the plated layer 20, wherein an entire outer surface of the diamond wire saw, comprising the plated layer 20 and the diamond abrasive grains 30, is covered with a metal thin film 40.例文帳に追加

金属製芯線１０の外表面１１がめっき層２０で被覆されると共に、該めっき層２０にダイヤモンド砥粒３０が分散保持されてなるダイヤモンドワイヤーソーであって、前記めっき層２０及び前記ダイヤモンド砥粒３０とからなるダイヤモンドワイヤーソーの外表面全体を、金属薄膜４０で被覆してあることを特徴とするダイヤモンドワイヤーソーである。 - 特許庁

After forming the sacrifice layer by applying a solution containing a material to be used as the sacrifice layer in a droplet state between element layers and drying it, a solution containing a metal element is applied in a droplet state between the element electrodes, the droplet is dried to form a conductive thin film to be used as an electron emission source, and then the sacrifice layer is removed.例文帳に追加

素子電極間に犠牲層となる材料を含む溶液を液滴状態で付与し、これを乾燥して犠牲層を形成した後に、この素子電極間に金属元素を含む容液の液滴を液滴状態で付与し、この液滴を乾燥して電子放出源となる導電性薄膜を形成し、その後に犠牲層を除去する。 - 特許庁

The facial rubber layer 5 is formed by disposing a reinforcement rubber 5a having a groove width direction center side formed thicker than groove width direction both end sides on the outer peripheral surface of an unvulcanized tire, so that the facial rubber layer 5 at a bottom part of a groove 4 does not become thin, and the crack prevention effect of the groove 4 by the facial rubber layer 5 can be sufficiently obtained.例文帳に追加

未加硫タイヤの外周面に溝幅方向中央側が溝幅方向両端側よりも厚く形成された補強ゴム５ａを配置して表面ゴム層５を形成するようにしたので、溝４の底部の表面ゴム層５が薄くなることがなく、表面ゴム層５による溝４のクラック防止効果を十分に得ることができる。 - 特許庁

The first alignment layer 41 is constituted principally of a polyimide alignment layer which is subjected to rubbing treatment and the second alignment layer 42 is constituted principally of an organic vapor deposition film formed by vapor deposition, to put it concretely, a polymer film formed by depositing an acrylic or a methacrylic liquid crystalline monomer in a thin film form by an ion vapor deposition method.例文帳に追加

第１配向膜層４１は、ラビング処理が施されたポリイミド配向膜を主体として構成され、第２配向膜層４２は蒸着により形成された有機蒸着膜、具体的にはアクリル系若しくはメタクリル系の液晶性モノマーをイオン蒸着法により薄膜形成した高分子膜を主体として構成されている。 - 特許庁

The resin case body is formed by an insert injection molding method or a in-mold injection molding method by inserting a thin film sheet 2 having a conductive layer 3 into a mold and injection molding a resin molded body 1 for a case body preform, wherein the conductive layer 3 is placed via an adhesive layer 4 in the inner face side of the resin molded body 1 for a case body preform.例文帳に追加

導電層３を有する薄膜シート２を金型に挿入して筐体母材用樹脂成形体１を射出成形するインサート射出成形法またはインモールド射出成形法で成形され、筐体母材用樹脂成形体１の内面側に接着層４を介して導電層３が位置している樹脂製筐体。 - 特許庁

To provide a copper coating polyimide substrate or a two-layer plating substrate, capable of developing high temperature stability provided originally by a polyimide film without receiving any affection due to the characteristics of an adhesive layer and, at the same time, capable of preparing the thickness of a copper conductor layer so as to be thin and freely, while being excellent in durability against bending upon being used at the bending part.例文帳に追加

接着剤層の特性による影響を受けずにポリイミドフィルムが本来有している高温安定性を発揮することができ、同時に、銅導体層の厚みを薄くかつ自由に調製することができる２層メッキ基板であって、屈曲部に使用される際に、折曲げに対する耐久性に優れる銅被覆ポリイミド基板を提供する。 - 特許庁

Copper wiring formed on an amorphous silicon layer formed of an amorphous silicon film is provided with a thin-film transistor substrate having a copper alloy layer 107A formed of alloy with copper, as main components, which contains elements in which the generation energy of hydride is negative as first additional elements and second additional elements, and a pure copper layer 107B formed of pure copper on the copper alloy layer.例文帳に追加

非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 - 特許庁

The shield film 20 connected to a conductive member 30 by heating and pressurization includes: a cover film 25 formed of a resin having a melting point higher than the temperature during the heating, and formed at a layer thickness L1 smaller than an average projection length L2 of conductive particles 35 projecting from a conductive adhesive layer 33 in connection; and a metallic thin-film layer 24 and an adhesive layer 23 sequentially laminated on the cover film 25.例文帳に追加

加熱および加圧によって導電部材３０に接続されるシールドフィルム２０は、加熱時の温度よりも融点の高い樹脂により形成され、接続において、導電性接着層３３から突出した導電性粒子３５の平均突出長Ｌ２よりも薄い層厚みＬ１で形成されるカバーフィルム２５と、カバーフィルム２５に順に積層された金属薄膜層２４および接着層２３と、を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing variation in the resistance value of a polycrystalline silicon resistance layer due to the dispersion of hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer by a Ti system metal film, even if a difference occurs in the cover rate of the polycrystalline silicon resistance layer by the Ti system metal film formed above the polycrystalline silicon resistance layer of a thin film resistance element, and to provided the manufacture method.例文帳に追加

薄膜抵抗素子の多結晶シリコン抵抗層上方に形成されたＴｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層のカバー率に差異が生じる場合であっても、Ｔｉ系メタル膜による多結晶シリコン抵抗層からの水素吸収のバラツキに起因する多結晶シリコン抵抗層の抵抗値の変動を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The heating resistor 26 and the circuit resistor 45 are formed through a step of forming a resistor layer on the head substrate 22 by a thin film process and a step of forming an electrode layer having heating resistor electrodes 29 and circuit resistor electrodes 43 in a part of the surface of the resistor layer such that a part of the resistor layer becomes the heating resistor 26 and the circuit resistor 45 for example.例文帳に追加

発熱抵抗体２６および回路抵抗体４５は、たとえばヘッド基板２２上に薄膜プロセスで抵抗体層を形成する工程と、抵抗体層の一部が発熱抵抗体２６および回路抵抗体４５となるように抵抗体層の表面の一部に発熱抵抗電極２９および回路抵抗電極４３を備えた電極層を形成する工程と、によって形成される。 - 特許庁

The organic thin-film solar cell has: a mesh electrode; a conductive high polymer layer formed on at least an opening of the mesh electrode and capable of transporting holes; a photoelectric conversion layer formed on the mesh electrode and the conductive high polymer layer; and an opposite electrode formed on the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

本発明は、メッシュ電極と、少なくとも上記メッシュ電極の開口部に形成され、正孔を輸送しうる導電性高分子層と、上記メッシュ電極および上記導電性高分子層の上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極とを有することを特徴とする有機薄膜太陽電池を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The transparent conductive support which has a first conductive layer composed of a metal thin wire, which is formed in a pattern shape, and a second conductive layer, which is formed covering the first conductive layer and contains an electrically conductive polymer and a hydroxyl-containing nonconductive polymer, formed on a substrate is characterized in having an undercoat layer formed by coating a substrate surface with a silane coupling agent.例文帳に追加

基板上に、パターン状に形成された金属細線からなる第一導電層と、該第一導電層を被覆してなり、かつ導電性ポリマーと水酸基含有非導電性ポリマーを含有する第二導電層とを設けた透明導電性支持体において、該基板表面にシランカップリング剤を塗布することにより形成された下引き層を有していることを特徴とする透明導電性支持体。 - 特許庁

The organic semiconductor thin-film transistor of a bottom gate/bottom contact type comprises a flattening layer 7 formed continuously between a source electrode 5 and a drain electrode 6 for moderating a height-level difference between both electrode ends, wherein the flattening layer 7 has control over crystal orientation, thereby forming an organic semiconductor layer over a predetermined portion of the top of the flattened source electrode, the flattening layer, and the drain electrode.例文帳に追加

ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタであって、ソース電極５とドレーン電極６との間に、両電極端の段差を平坦化するように連続的に設けられた平坦化層７をさらに備え、平坦化層７は、結晶配向規制力を有し、平坦化されたソース電極、平坦化層、およびドレーン電極の上部の所定部分に渡って有機半導体層が形成される。 - 特許庁

The method of continuously forming the conduit comprises the steps of: winding a thin plastic sacrifice layer 17 in an overlapping pattern onto a former 1 for rotating and advancing the conduit, covering the sacrifice layer on the former and forming a conduit 6 while mutually joining the overlapping layer, and removing the sacrifice layer from the inside of the conduit after joining.例文帳に追加

本発明の導管を連続的に製造する方法は、薄いプラスチックの犠牲層１７をオーバーラップするパターンで、導管を回転させ且つ前進させるフォーマ１の周りにつける工程と、オーバーラップしている層を互いに接合しながら、フォーマ上で犠牲層を覆って導管６を形成する工程と、接合後に犠牲層を導管の内側から除去する工程と、を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electronic component capable of eliminating whisker on an Sn-based thin film layer formed on the surface of a terminal 15 and excellent in solderability, in spite of utilizing a lead-free plating material.例文帳に追加

鉛フリーのめっき材料を採用しながら、端子１５の表面に形成したＳｎ系薄膜層にウィスカが発生するのを抑制でき、かつはんだ付け性も良好なる電子部品を得る。 - 特許庁

Further, since the porous films are made directly on the distribution board by a film-forming method, film thickness of the diffusion electrode layer can be freely controlled, fuel battery cells can be made thin, and therefore, a whole device can be made compact.例文帳に追加

また、成膜法により多孔質膜を直接配流板上に形成するため拡散電極層の膜厚を自在に制御でき、燃料電池セルを薄肉化でき、装置全体を小型化できる。 - 特許庁

A metal thin film is formed on an insulation surface, and then the oxide semiconductor layer is stacked.例文帳に追加

また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。 - 特許庁

To film-deposit a thin film for a magnetic recording medium, having superior step coverage and corrosion resistance/wear resistance by an FCVA (filtered cathodic vacuum arc) method even on a magnetic recording layer on which comparatively large surface ruggedness is formed.例文帳に追加

比較的大きい表面凹凸が形成される磁気記録層上であっても、ＦＣＶＡ法により、ステップカバレッジ、および、耐食性・耐摩耗性に優れた磁気記録媒体用薄膜を成膜できる。 - 特許庁

A cleaning device 9 for the intermediate transfer body is provided with a cleaning blade 10 made of a fluorocarbon resin, or the surface of the intermediate transfer body 4 is coated with a thin film surface layer 13 made of a fluorocarbon resin.例文帳に追加

中間転写体クリーニング装置９にフッ素系樹脂からなるクリーニングブレード１０を設けるか、又は中間転写体４表面にフッ素系樹脂からなる薄膜の表層１３を設ける。 - 特許庁

In Fig.2(h), after a sheet 40 is peeled, it is easy to remove the mold material 50 which remains in the form of a thin layer, between right and left separated common leads 12 (separating process).例文帳に追加

シート４０を剥離した後では、図２（ｈ）に示されるように、分離された左右の共通リード１２間に残存する薄い層となったモールド材５０を除去することは容易である（分離工程）。 - 特許庁

The device is made by sticking a pair of TFT(Thin Film Transistor) array substrates (10) and an opposing substrate (20) together with a sealing material (52) such as photo setting resin and sealing a liquid crystal layer (50) in between the both substrates.例文帳に追加

電気光学装置は、一対のＴＦＴアレイ基板（１０）及び対向基板（２０）が光硬化性樹脂等のシール材（５２）で貼り合わされ、両基板間に液晶層（５０）が封入されてなる。 - 特許庁

To provide an electroless plating method for reinforcing a thin film part in a seed layer, surely filling copper or the like into fine recesses having a high aspect ratio, and further improving flatness of a plated film to improve the throughput.例文帳に追加

シード層の薄肉部を補強したり、高アスペクト比の微細窪みの内部に銅等を確実に埋め込むことができ、更にはめっき膜の平坦度を向上させてスループットを向上できるようにする。 - 特許庁

In the storage capacitor 1C, a lower storage capacitor electrode 12, a thin lower storage capacitor film 14, a polysilicon layer 15C, an upper storage capacitor film 16C and an upper storage capacitor electrode 18 are laminated.例文帳に追加

保持容量１Ｃにおいて、下層保持容量電極１２、薄い下層保持容量膜１４、ポリシリコン層１５Ｃ、上層保持容量膜１６Ｃ、上層保持容量電極１８が積層される。 - 特許庁

To provide a method for efficiently forming a liquid thin film on the surfaces of various structures and a method for forming an antifouling hydrophilic layer efficiently on the surface of a heat resistant structure such as a tile.例文帳に追加

各種構造体表面に液体薄膜を効率的に形成する方法及びタイル等の耐熱性構造体表面に防汚性親水層を効率的に形成する方法の提供。 - 特許庁

The pressure sensitive paint thin film sensor of three-layer structure uses a composite pressure sensitive paint with a pressure sensitive coloring matter and a temperature sensitive coloring matter mixed in the pressure sensitive paint on the basis of the above constitution.例文帳に追加

また、本発明の３層構造感圧塗料薄膜センサーは、上記の構成を基礎として感圧塗料には感圧色素と感温色素を混合した複合感圧塗料を用いるものとした。 - 特許庁

In the thin-film manufacturing apparatus, a sensor 50 senses the film thickness of a semiconductor layer whose crystal is grown in a reaction vessel 10, based on the intensity change of the light emitted from a light source 30 and reflected by a substrate 90.例文帳に追加

検出器５０は、光源３０から出射され、基板９０によって反射光の強度変化に基づいて反応容器１０内で結晶成長された半導体層の膜厚を検出する。 - 特許庁

To provide a thin film gas sensor constituted so as not only to suppress the moisture absorption due to a gas sensing layer to keep high sensitivity while suppressing an increase in power consumption to the utmost but also to receive no effect due to environment.例文帳に追加

消費電力の増加を極力抑えつつガス感知層による吸湿を抑止して高い感度を維持するようにして、環境による影響を受けないようにした薄膜ガスセンサを提供する。 - 特許庁

To provide a drying device provided in a revolutionary both side thin-film-coating device capable of remarkably reducing the cost by simplifying the construction of the drying device which must be an upper and lower double layer structure.例文帳に追加

上下二層構造としなければならない乾燥装置の構築を容易にして、飛躍的なコストダウンが図れるなど画期的な両面薄膜塗工装置に設ける乾燥装置を提供すること。 - 特許庁

A process in which 2-3 glass fiber mats are laminated while being impregnated with the synthetic resin is repeated at least three times to form the resin mat layer comprising three or more resin mat thin layers a, b and c.例文帳に追加

この場合、２〜３枚のガラスマットを合成樹脂を含浸させつつ積層する工程を３回以上行って３層以上の樹脂マット薄層ａ，ｂ，ｃからなる樹脂マット層を形成する。 - 特許庁