「thin- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(132ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic electroluminescent element nipping, between a cathode and an anode, a new aromatic amine derivative having a specific structure and one or plural organic thin film layers including at least a luminescent layer is provided, wherein at least one layer of the organic thin film layers includes the aromatic amine derivative as a separate ingredient or an ingredient of a mixture.例文帳に追加

特定構造を有する新規な芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The display device 100 includes: a display unit 200 having a display element layer 220 and a pixel driving thin film transistor 230 on a first flexible board 210; and a thin film device 300 which is bonded to a first surface of the display unit 200 to drive the display unit 200 and has a display controlling thin film transistor 320 on a second surface.例文帳に追加

ディスプレイ装置１００は、第１フレキシブル基板２１０上に表示素子層２２０及び画素駆動用薄膜トランジスタ２３０を有するディスプレイユニット２００と、ディスプレイユニット２００の第１面上に接合され、当該ディスプレイユニット２００を駆動するデバイスであって、第２面上にディスプレイ制御用薄膜トランジスタ３２０を有する薄膜デバイス３００と、から形成されている。 - 特許庁

By forming a channel dope or gate oxide film 10 with a sidewall formed on the lateral side of an Si thin film layer 3 and a sidewall 700 formed at its upper end as a mask, deformation of the Si thin film and flow out of channel dope ion are prevented to facilitate accurate forming of the Si thin film and the oxide film to provide the SOI transistor of stable characteristic.例文帳に追加

Ｓｉ薄膜層３の側面に形成したサイドウォール８００と上端部に形成したサイドウォール７００をマスクとしてチャネルドープおよびゲート酸化膜１０の形成を行うことにより、Ｓｉ薄膜の変形やチャネルドープイオンの流出を防ぎ、Ｓｉ薄膜や酸化膜の正確な形成を容易にし、安定した特性のＳＯＩトランジスタを提供することができる。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises a common electrode display plate including the common electrode, a thin film transistor display plate placed opposite to the common electrode display plate, and a liquid crystal layer formed between the common electrode display plate and the thin film transistor display plate, wherein the common electrode is formed with thickness producing 5% or less reflectivity of light incident through the thin film transistor display plate.例文帳に追加

共通電極を含む共通電極表示板、前記共通電極表示板に対向している薄膜トランジスタ表示板、前記共通電極表示板及び前記薄膜トランジスタ表示板の間に形成されている液晶層を含み、前記共通電極は、前記薄膜トランジスタ表示板を通じて入射される光の反射率が５％以下の厚さに形成されている。 - 特許庁

A recording thin film 3 is formed between a first electrode 1 and a second electrode 4, and a memory element 10 contains any one from among elements Cu, Ag and Zn with its size as 70 nm or less, at a layer 2 containing at least oxygen and rare earth in the recording thin film 3 that is within or adjacent to the recording thin film 3.例文帳に追加

第１の電極１と第２の電極４との間に記憶用薄膜３が挟まれて構成され、この記憶用薄膜３に少なくとも酸素と希土類元素とを有して成り、記憶用薄膜３内もしくは記憶用薄膜３と接している層２に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれ、素子サイズが７０ｎｍ以下である記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

This presents a manufacturing method for a semiconductor device that has an MOS transistor 10 and a thin film resistance element 30 on one and the same silicon substrate 1, which includes the steps of forming a thin film resistance element 30 on an interlayer insulating film 40 after a top layer electrode 27 has been formed and performing laser annealing treatment on this thin film resistance element 30 to modify its behavior.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０と薄膜抵抗素子３０とを同一のシリコン基板１上に有する半導体装置の製造方法であって、最上層電極２７を形成した後で、層間絶縁膜４０上に薄膜抵抗素子３０を形成する工程と、この薄膜抵抗素子３０にレーザーアニール処理を施してその特性を改質する工程と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the photoelectromotive element includes the stages of: forming a precursor film 102a on a substrate 101; forming a second semiconductor thin film 103 on the precursor film 102a; and forming a first semiconductor thin film 102b by supplying thermal energy using the second semiconductor thin film 103 as a cap layer and then crystallizing the precursor film 102a.例文帳に追加

基板１０１の上に前駆体膜１０２ａを形成する工程と、前駆体膜１０２ａの上に第２の半導体薄膜１０３を形成する工程と、第２の半導体薄膜１０３をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜１０２ａを結晶化して第１の半導体薄膜１０２ｂを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A magnetic thin film 12 as a magnetic body is formed on a non-magnetic substrate 10, and the first spiral flat coil 14a for applying a bias magnetic field to the magnetic thin film 12 or for taking out an induced output and the second spiral flat coil 14b for applying feedback are formed on the same plane through an insulating layer on the magnetic thin film 12.例文帳に追加

非磁性基板１０上に磁性体としての磁性薄膜１２を形成し、その磁性薄膜１２上に絶縁層を介して、磁性薄膜１２に対しバイアス磁界を印加するため又は誘導出力を取り出すための第１の渦巻き型平面コイル１４ａと、帰還を掛けるための第２の渦巻き型平面コイル１４ｂとを同一平面に形成する。 - 特許庁

In an oxide superconductor 20, an alignment control polycrystal intermediate thin film 22 in which a plurality of crystal grains are bonded is formed on an upper face of a tape-like base material 21, a polycrystal quick intermediate thin film 23 is formed on a lower face of the base material 21, and an oxide superconductive layer 24 is formed on an upper face of the thin film 22.例文帳に追加

テープ状の基材２１の上面上に多数の結晶粒が結合されてなる配向制御多結晶中間薄膜２２が形成され、上記基材２１の下面上に多結晶速成中間薄膜２３が形成され、上記配向制御多結晶中間薄膜２２の上面に酸化物超電導層２４が形成されてなる酸化物超電導導体２０。 - 特許庁

A silicon oxide film 40 included in a gate insulating film 50 of a thin film transistor, a silicon film 60 to become a channel layer 61 and a silicon oxide film 70 serving as an etching stopper layer 71 when forming source/drain layers 81a, 81b, are successively formed without exposing these films to the atmosphere.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲート絶縁膜５０に含まれる酸化シリコン膜４０、チャネル層６１となるシリコン膜６０、ソース／ドレイン層８１ａ、８１ｂを形成するときのエッチングストッパ層７１となる酸化シリコン膜７０を、大気に晒すことなく連続して成膜する。 - 特許庁

For the formation of a lower layer wire, a thin pattern is formed using a halftone mask and a wire 50 which is located immediately under a pad 48 and which connects the pad and the lower layer wire and a pad reinforcement wire 52 that connects to the pad are formed so that they are wide using a normal photomask.例文帳に追加

下層配線の形成には、ハーフトーンマスクを用いて細いパターンを形成し、パッド４８直下に位置するパッドと下層配線とを連絡する配線５０と、パッドと接続するパッド補強用配線５２とを、ノーマルフォトマスクを用いて大きい幅で形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the stamper includes a process for forming a metal thin film on a stamper original plate provided with a rugged pattern on a surface layer thereof and a process for forming an electroplating layer by electroplating the stamper original plate in a plating liquid consisting essentially of nickel sulfamate.例文帳に追加

スタンパの製造方法は、凹凸パターンを表層に備えたスタンパ原版に金属薄膜を形成する工程と、このスタンパ原版を用いてスルファミン酸ニッケルを主成分とするメッキ液で電気メッキすることで電気メッキ層を形成する工程とを備える。 - 特許庁

This thin-film magnetic head has an equidistant two-stage structure in which a first turn part of a first conductor layer and a second turn part of a second conductor layer overlap vertically along the ABS, and which has the same front distance from respective front side faces closer to the ABS.例文帳に追加

この薄膜磁気ヘッドは、第１の導体層の第１のターン部と、第２の導体層の第２のターン部とがＡＢＳに沿った上下方向に重なり、かつＡＢＳに近い前側面からＡＢＳまでの前側距離の等しい等距離二段構造を有している。 - 特許庁

Since a length L2 of a silicide layer 20a1 in the structure 4 is as long as to cause a thin wire effect, most (or all) of the current flows not through the silicide layer 20a1 but from an n+ type impurity zone 26a to a p type zone 15a.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ構造体４のシリサイド層２０ａ１の長さＬ２は、細線効果を生じる大きさなので、電流の大部分（または全部）は、シリサイド層２０ａ１を経由することなく、ｎ^+型不純物領域２６ａからｐ型領域１５ａへと流れる。 - 特許庁

A modified layer which is made up by applying a radical reaction process to a modified layer forming-use composition including a radical reactive compound having a polar group and a vinyl group, is disposed on a thin film which is composed of a semiconductor or conductor diamond and formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に設けられる半導体又は導電体ダイヤモンドからなる薄膜上に、極性基とビニル基とを有するラジカル反応性化合物を含む修飾層形成用組成物をラジカル反応させて形成された修飾層を設ける。 - 特許庁

A P channel type thin-film transistor of the inverter circuit has a channel region, a semiconductor layer provided with a plurality of impurity regions of a P type, a gate insulating film disposed on the semiconductor layer, and a gate electrode disposed on the gate insulating film.例文帳に追加

またインバータ回路のＰチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＰ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有する。 - 特許庁

The display device is reduced in uneven display and improved in display quality by reducing the variation in the characteristics of the thin film transistor by improving the degree of crystallization of a semiconductor layer by performing graphoepitaxial growth method in the crystallizing step of the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタを用いた表示装置において、半導体層の結晶化工程に、グラフォエピを用いることによって、結晶化を向上させ、薄膜トランジスタの特性ばらつきを低減し、表示ムラの少ない、表示品質のすぐれた表示装置を提供する。 - 特許庁

This dummy solar battery panel P is formed by laminating a surface plate 10 formed of a transparent material, a decoration layer 20 with a pattern imitating the solar battery with the blue color tone group transparent coloring ink, and a metal thin film layer in order from the surface.例文帳に追加

擬似太陽電池板Ｐを、表面から順に、少なくとも、透明材料からなる表面板１０、青色系色調の透明着色インキによって太陽電池を模した絵柄の装飾層２０、金属薄膜層３０を積層した構成とする。 - 特許庁

A P-channel type thin film transistor in the inverter comprises a semiconductor layer where a channel region and a plurality of P-type impurity regions are formed, a gate insulating film disposed on the semiconductor layer, and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

またインバータ回路のＰチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＰ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有する。 - 特許庁

This packaging material is produced by laminating a film 5 including a thin film layer 8, which is made of a synthetic resin excellent in heat resistance and peeling properties and having the thickness of below 10 μm, onto the surface 3a of a paper board 3 through an adhesive layer 4 made of a general purpose resin 4' such as polypropylene or the like.例文帳に追加

耐熱性および剥離性に優れた合成樹脂よりなる厚さ１０μｍ未満の薄膜層８を含むフィルム５を、ポリプロピレンなどの汎用性の樹脂４’よりなる接着層４を介して板紙３の表面３ａにラミネートしてなる。 - 特許庁

To prevent breakage at a bending portion consisting of one heat resistant resin layer and one conductor layer in a bendable rigid printed wiring board which can be bent at a portion of the rigid printed wiring board where it is made very thin.例文帳に追加

リジットプリント配線板の一部を非常に薄くしたことによって当該部分にて配線板を屈曲可能とせしめた屈曲式リジットプリント配線板において、一層の耐熱性樹脂層と一層の導体層とからなる屈曲部の破断を防止する。 - 特許庁

Such thread may be constituted by combining a part having a protruded part with a part not having the protruded part so as to give a definite signal accompanied by the output difference of signal and a light-reflecting layer can be formed between the ferromagnetic thin film layer and the protruded part and the substrate.例文帳に追加

このようなスレッドは、凸部が有る部分と無い部分とが信号出力差に伴う一定の信号を与えるように組み合わされた構成とすることができ、強磁性剤薄膜層と凸部および基材との間に光反射層を備えることもできる。 - 特許庁

To provide a developing device and an image forming device making rotary driving torque of a developer carrier reducible, in restraining the deterioration of developer and the formation of uneven developer layer thickness by preventing the developer from application of an excessive load at the thin layer forming time.例文帳に追加

薄層形成時に現像剤に過大な負荷をかけないことで、現像剤の劣化及び現像剤薄層の不均一な層厚形成を防止し、現像剤担持体の回転駆動トルクを小さくすることが可能な現像装置及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A thin etching stopper film 18 (silicon nitride film) and an inter-layer insulating film 19 (silicon oxide film) are formed on oxide barrier films 16 and inter-layer insulating films 17 (silicon oxide films), and then, openings larger than the oxide barrier films are formed by dry etching immediately above the oxide barrier films 16.例文帳に追加

酸素バリア膜１６、層間絶縁膜１７（酸化シリコン膜）上に、薄いエッチングストッパー膜１８（窒化シリコン膜）、層間絶縁膜１９（酸化シリコン膜）を形成し、酸素バリア膜１６の直上にそれより大きい開口部をドライエッチングにより形成する。 - 特許庁

A protecting agent 51 (hydrophobic organic compound) for an image carrier having a high effect of preventing toner slipping is supplied from a first protective layer forming device 5 disposed in an upstream side along the rotation direction of a photoreceptor drum 1, and the agent is formed into a thin layer by a cleaning device 4.例文帳に追加

感光体ドラム１の回転方向の上流側に配置された第１の保護層形成装置５からトナーすり抜け防止効果の高い像担持体保護剤５１（疎水性有機化合物）が供給され、クリーニング装置４により薄層化される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an ultra-fine coaxial cable having improved adherence of an insulation-coating layer to a thin-film shield layer and good flex resistance by a very simple method that eliminates disadvantages of the conventional techniques and has a reduced environmental burden.例文帳に追加

本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、非常に簡便で環境負荷の少ない方法で絶縁被覆層と薄膜シールド層の密着性を改善し、優れた耐屈曲性を有する極細同軸線を製造することにある。 - 特許庁

To sample an outermost-layer from the plane direction extending over a wide range, having no dirt, no damage and excellent reproducibility, at the time of forming a thin film sample for a transmission electron microscope, thereby evaluates structure and deposit of the outermost layer.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡用薄膜試料の作成にあたり、汚れや破損のない、広範囲にわたる、再現性の良い、平面方向からの最表層サンプリングを可能にすることであり、また、これによって最表層の組織、析出物評価を可能にすることである。 - 特許庁

A hydrogen ion injection part 151 wherein adjustment is so performed that the peak position of distribution of hydrogen ions is in a BOX layer 152 (buried oxide layer), and a single crystal Si thin film transistor 130 are formed on an SOI substrate 150, and bonding to an insulating substrate 110 is performed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１５０に、水素イオンの分布のピーク位置がＢＯＸ層１５２（埋め込み酸化膜層）内となるように調節した水素イオン注入部１５１と、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１３０とを形成し、絶縁基板１１０に接合させる。 - 特許庁

To provide a thin film transistor manufacturing method which extremely lowers a density of a first metal inducing crystallization to an interface of an amorphous silicon layer, and uniformly and stably controls the density of the first metal and a thickness of a metal catalyst layer.例文帳に追加

本発明は、非晶質シリコーン層の界面に結晶化を誘導する第１金属の濃度を非常に低くでき、第１金属の濃度及び金属触媒層の厚さについて、均一で安定的な制御が可能な薄膜トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

The electromotive layer 3 is mixed with a powder material of an active material containing actinoid system substance to generate radioactive ionization electrons and an activation substance to generate electric energy accompanying oxidation-reduction reaction, and this is coated in a thin-film shape on the cathode electrode layer 2.例文帳に追加

起電層３は放射性の電離電子を発生するアクチノイド系物質を含有する活物質の粉末材と、酸化還元反応を伴う電気エネルギを発生する賦活物質を混合し、これを正極電極層２に薄膜状に被着して構成される。 - 特許庁

A photoelectric conversion element comprises a central electrode formed as a conductive thin wire, organic semiconductor layers laminated on the outer peripheral surface of the central electrode, and an outer buffer layer formed as a transparent conductive adhesive laminated on the outer peripheral surface of the organic semiconductor layer.例文帳に追加

光電変換素子が、導電細線からなる中心電極と、中心電極の外周面に積層した有機半導体層と、有機半導体層の外周面に積層した透明な導電性接着剤からなる外側バッファ層とを備える。 - 特許庁

In this metal pattern forming method, a plating layer with a thickness of 1 μm or smaller is formed on the surface of the silver thin film pattern formed on a support using a neutral or basic copper plating bath and electroplating for a thickness increase is further applied to the surface of the plating layer.例文帳に追加

支持体上に形成された銀薄膜パタン上に中性、あるいは塩基性の銅めっき浴により厚さ１μｍ以下のめっき層を形成した後、さらに厚付のための電解めっきすることを特徴とする金属パタンの形成方法。 - 特許庁

An image forming unit comprises an image carrier, a developer carrier for supplying a developer to the image carrier to develop an electrostatic latent image formed on the surface of the image carrier, and a developer layer regulation member arranged in press contact with the developer carrier to form a thin layer of the developer.例文帳に追加

像担持体と、該像担持体に現像剤を供給し、像担持体の表面に形成された静電潜像を現像する現像剤担持体と、該現像剤担持体に圧接させて配設され、前記現像剤の薄層を形成する現像剤層規制部材とを有する。 - 特許庁

The negative electrode 3 is made of a laminated structure film having an ultra-thin-film MgAg layer 31 having a thickness of not more than 10 nm (preferably, not more than 3.0 nm, and more preferably not more than 2.5 nm) arranged at the side of the organic semiconductor laser active layer 2; and a second transparent conductive film 32.例文帳に追加

陰極３は、有機半導体レーザ活性層２側に配置された厚さ１０ｎｍ未満（好ましくは、３．０ｎｍ以下、さらに好ましくは、２．５ｎｍ以下）の超薄膜ＭｇＡｇ層３１と、第２透明導電膜３２とを有する積層構造膜からなる。 - 特許庁

To provide a thin-film photoelectric conversion device having an improved open end voltage and a fill factor and having high conversion efficiency, which includes a transparent conductive film, a photoelectric conversion unit, a transparent electrode layer and a highly reflective electrode layer.例文帳に追加

透明導電膜、光電変換ユニット、透明電極層、及び高反射電極層を備えた薄膜光電変換装置において、開放端電圧および曲線因子が改善された変換効率の高い薄膜光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

By attaching a conductive film to be connected to a part of a positive electrode of an organic electroluminescent element having, on a substrate, the positive electrode, an organic EL layer, a negative electrode and an insulating protective layer, this thin lighting system capable of uniformly emitting light can be produced with high throughput.例文帳に追加

基板上に、陽極と有機ＥＬ層と陰極と絶縁性保護層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極の一部分と接続するように導電性フィルムを貼り付けることにより、薄型・均一発光な照明装置を高スループットで生産できる。 - 特許庁

A thin-film transistor 10 has a gate insulating layer 4 prepared on a top surface of a substrate 2 such that it covers a gate electrode 3, and a source electrode 5 and a drain electrode 6 respectively prepared on a top surface of the gate insulating layer 4 with a predetermined channel length spacing width.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１０は、基板２の上面には、ゲート電極３を覆うようにしてゲート絶縁層４が設けられ、ゲート絶縁層４の上面には、ソース電極５及びドレイン電極６が所定のチャネル長の離間幅をもって各々設けられている。 - 特許庁

Thus, mechanical strength obtained by providing the reinforcing layer is remarkably enhanced so that generation of a crack on the surface of the reinforcing layer is substantially avoided and reduction of the film thickness of the metal thin film type magnetic recording medium is attained without costing the mechanical strength.例文帳に追加

これにより、強化層設置による機械的強度向上の効果が顕著に現れ、かつ強化層表面にクラックが生じることも実質的に回避でき、機械的強度を低下させることなく金属薄膜型磁気記録媒体の薄膜化を達成できる。 - 特許庁

Characteristically, this heat insulating panel 10 comprises a flat-plate member which is composed of a wooden cement board, and a heat insulating layer which is composed of a thin-film layer provided on at least either the front side or back side of the flat-plate member.例文帳に追加

本発明は、上記課題を解決するため、木質系セメント板からなる平板部材と、前記平板部材の表面または裏面のうち少なくともいずれか一方の面に設けられた薄膜層からなる断熱層とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A first conductive layer 102 in an opening is formed so that a surface roughness at the vicinity of an end section 102b of the opening is larger than that at the vicinity of a central section 102c, or a grain diameter of the thin conductive layer at the vicinity of the end section is larger than that at the vicinity of the central section.例文帳に追加

開口部内における第１導電層１０２の状態は、開口部端部付近１０２ｂよりも中心部付近１０２ｃにおいて表面粗さがより大きい、もしくは導電性は薄膜の粒径がより大きくなるように形成されている。 - 特許庁

A composite semiconductor element has a substrate (11), a planarization layer (14) provided over the substrate (11) and including an organic material as a main material, and a semiconductor thin film (12) including a compound semiconductor element constituting a hall element, for example, and bonded on the planarization layer (14).例文帳に追加

複合半導体素子が、基板（１１）と、基板上（１１）に備えられ有機材料を主材料とする平坦化層（１４）と、例えばホール素子を構成する化合物半導体素子を含み平坦化層（１４）上にボンディングされた半導体薄膜（１２）を有する。 - 特許庁

To provide a laminate which has excellent lamination strength, keeps the lamination strength between a vapor deposition thin film layer and a sealant layer even if various strongly permeable contents containing volatile substances operate, and has high gas-barrier properties.例文帳に追加

優れたラミネート強度を有し、かつ揮発性物質が含まれている各種強浸透性内容物が作用しても蒸着薄膜層とシーラント層間のラミネート強度が低下せず、さらには高度なガスバリア性を有していることを特徴とする積層体を提供する。 - 特許庁

The member 3b is a rotating body capable of holding the developer consisting of at least toner and carrier in a layer state on its surface so as to form the thin layer of the toner T on the toner carrier 3a while coming in contact with or proximately to the toner carrier 3a.例文帳に追加

トナー供給部材３ｂは、トナー担持体３ａに接触あるいは近接してトナー担持体３ａ上にトナーＴの薄層を形成可能に少なくともトナーとキャリアとよりなる現像剤を表面上に層状に保持可能な回転体である。 - 特許庁

To solve such a problem that because UV rays are shielded by a protective film and a dielectric layer on a thin-film transistor array substrate, only the rays incident in a lateral direction enter a sealant and a part of the sealant adjacent to an electronic ink layer cannot be cured completely.例文帳に追加

保護膜および薄膜トランジスタアレイ基板上の誘電層が紫外線を遮蔽するため側面方向から入射してきた光線のみが封止材に入射し電子インク層側壁近傍の一部の封止材を完全に硬化させることができない。 - 特許庁

To effectively remove an amorphous layer without generating deposits again in relation to a sample-forming apparatus for a transmission type electron microscope which removes the amorphous layer generated to the side face of an observation part when forming the thin-filmed observation part by a convergent ion beam apparatus.例文帳に追加

本発明は、集束イオンビーム装置により薄膜化した観察部を作製する際にその側面に生成される非晶質層を除去する透過型電子顕微鏡用試料作製装置に関し、再デポを生じさせないで有効に非晶質層を除去する。 - 特許庁