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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > upper-stepの意味・解説 > upper-stepに関連した英語例文

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upper-stepの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1660



例文

When it is determined that assignment of an instruction part is requested in step S51 and memory usage of the instruction part of an assignment target program exceeds an upper limit in step S52, a memory area used by the instruction part of the assignment target program is released in step S53 and memory of the instruction part is assigned in step S54.例文帳に追加

ステップS51において、命令部分の割り当てが要求されたと判定され、ステップS52において、割当対象プログラムの命令部分のメモリ使用量が上限を超えると判定された場合、ステップS53において、割当対象プログラムの命令部分が使用しているメモリ領域が解放され、ステップS54において、命令部分のメモリの割り当てが行われる。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a lower electrode 202; a step for forming a colossal magnetoresistance (CMR) memory film 204 arranged on the lower electrode 202, a step for forming a memory-stable semiconductor buffer layer 206 (normally, a metal oxide) arranged on the memory film 204, and a step for forming an upper electrode 208 arranged on the semiconductor buffer layer 206.例文帳に追加

下部電極202を形成するステップ、下部電極202の上に配置される巨大磁気抵抗(CMR)メモリ膜204を形成するステップ、メモリ膜204の上に配置されるメモリ安定半導体バッファ層206(通常、金属酸化物)を形成するステップ、および半導体バッファ層206の上に配置される上部電極208を形成するステップを包含する。 - 特許庁

The method of manufacturing image sensor includes a step of forming a photo sensitive film for forming a microlens on a color filter, a step of forming a pattern having a predetermined depth from upper plane by exposing the photosensitive film, a step of forming a backup microlens by heat treating the photosensitive film, and a step of forming a microlens by etching the backup microlens.例文帳に追加

実施例に係るイメージセンサの製造方法は、カラーフィルタ層の上にマイクロレンズ形成のための感光膜を形成するステップと、前記感光膜に露光を行って、上部面から所定深さを有するパターンを形成するステップと、前記感光膜に熱処理を行って、予備マイクロレンズを形成するステップと、前記予備マイクロレンズにエッチングを行って、マイクロレンズを形成するステップとを備える。 - 特許庁

The bearing housing 10 is contiguous concentrically on the upper side of a second circumferential step surface B fitted in the fixing hole 21, and has a first circumferential step surface A fitted in the insertion hole 31 wherein the plate thickness t_1 in a free state of the paper printed wiring board 30 is thicker than the step height h_1 of the first circumferential step surface A in the axial direction.例文帳に追加

軸受ハウジング10は、取付孔21が嵌る第2の周回段差面Bの上側で同心的に隣接して当該第2の周回段差面Bよりも大径であり、挿入孔31が嵌る第1の周回段差面Aを有し、紙製印刷配線基板30のうち自由状態の板厚t_1は第1の周回段差面Aの軸方向の段差高さh_1より厚い。 - 特許庁

例文

The manufacturing method of a capacitor comprises a step for forming a lower electrode 35 of a capacitor on a semiconductor substrate 31 by using an electrochemical deposition method, a step for carrying out wet cleaning for removing impurities on a surface of the lower electrode, a step for forming a dielectric layer 40 on the lower electrode, and a step for forming an upper electrode 41 on the dielectric layer.例文帳に追加

キャパシタの製造方法は、半導体基板31上に電気化学蒸着法を用いてキャパシタの下部電極35を形成するステップと、前記下部電極の表面の不純物を除去するため湿式洗浄するステップと、前記下部電極上に誘電体層40を形成するステップと、前記誘電体層上に上部電極41を形成するステップとを含む。 - 特許庁


例文

The method is constituted of a step of forming a storage-node electrode on a semiconductor substrate, a step of forming a dielectric film composed of a cycle silicon nitride film (cycle Si_3N_4 or SiO_xN_y) on the surface of the storage-node electrode, and a step of forming an upper electrode on the dielectric film.例文帳に追加

半導体ウェハ上にストレージノード電極を形成する段階と、前記ストレージノード電極の表面上にサイクルシリコン窒化膜(サイクルSi_3N_4またはSiO_xN_y)で構成された誘電体膜を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含んで構成される。 - 特許庁

A method of forming an integrated circuit structure includes: a step of providing a wafer having a silicon substrate; a step of forming a plurality of shallow trench isolation (STI) areas in the silicon substrate; and a step of forming a recess by removing an upper part of the silicon substrate between both sides of the plurality of the STI areas.例文帳に追加

集積回路構造の形成方法は、シリコン基板を有するウェハを提供するステップ;シリコン基板中に、複数のシャロートレンチアイソレーション(STI)領域を形成するステップ;複数のSTI領域の両側間のシリコン基板の上部分を除去することにより、凹部を形成するステップ、からなる。 - 特許庁

When output voltage V_out of a power supply voltage supply device is lower than the calculated power supply voltage V_M (Step S4→Yes), if the power supply voltage V_M is not higher than output upper limit voltage V_MAX(Step S5→No), the output voltage V_out is increased up to the power supply voltage V_M (Step S10).例文帳に追加

そして、電源電圧供給装置の出力電圧V_outが、算出した電源電圧V_Mより低いとき(ステップS4→Yes)、電源電圧V_Mが出力上限電圧V_MAX以下であれば(ステップS5→No)、出力電圧V_outを電源電圧V_Mまで昇圧する(ステップS10)。 - 特許庁

This method for manufacturing the capacitor of the semiconductor element includes a step for depositing a rubidium film for a lower part electrode onto a semiconductor substrate, a step for forming a TaON film having a high dielectric constant on the rubidium film, and a step for forming an upper part electrode on the TaON film.例文帳に追加

半導体基板上に下部電極用ルビジウム膜を蒸着するステップ、前記ルビジウム膜上に高誘電率を有するTaON膜を形成するステップ及び前記TaON膜上に上部電極を形成するステップを含んでなることを特徴とする半導体素子のキャパシタ製造方法。 - 特許庁

例文

A splitting-groove resist-printing step for printing a resist for splitting grooves is provided between a development step and the wet-etching step in the photolithographic process for forming the thin-film resistance-member layer, so that the resist can cover a thin-film upper-electrode layer, resistance-member film-applied portions, and a photoresist, positioned within the splitting grooves.例文帳に追加

薄膜抵抗体層を形成するフォトリソプロセス工程における現像工程とウェットエッチング工程との間に、分割溝内に位置する薄膜上面電極層、抵抗体着膜部、フォトレジストを覆うように分割溝用レジストを印刷する分割溝用レジスト印刷工程を設けたものである。 - 特許庁

例文

Further, the method for manufacturing the mask comprises a step of forming the transfer pattern on an upper single-crystal silicon wafer of the substrate for the mask, a step of forming an opening at a lower single- crystal silicon wafer, and a step of removing a silicon oxide film of the opening, at least after both the previous steps.例文帳に追加

更に、上記転写マスク用基板の上部単結晶シリコンウェハに転写パターンを形成する工程と、下部単結晶シリコンウェハに開口部を形成する工程とを有し、少なくともこの両工程の後に、開口部の該シリコン酸化膜を除去する工程を含むこととした転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

In an electronic endoscope apparatus provided with the electronic shutter function, in the case that charge storage time et exceeds an upper limit setting value ET1 (step S204, Yes) and the state continues for one or more seconds (step S206, Yes), a diaphragm is withdrawn from an optical path so as to increase the light quantity (step S207).例文帳に追加

電子シャッタ機能を有する電子内視鏡装置において、電荷蓄積時間etが上限設定値ET1より大きく(ステップS204、Yes)、連続して1秒以上その状態が続いている場合(ステップS206、Yes)、光量増大のために絞りを光路から退避させる(ステップS207)。 - 特許庁

The step for introducing at least one of fluorine and nitrogen may be followed by a step for forming a second insulation film 15 on the first insulation film 2 locate in the trench 1a, and a step for forming a sidewall covering the upper part of sidewall of the trench 1a by etching back the second insulation film 15.例文帳に追加

フッ素及び窒素の少なくとも一方を導入する工程の後に、溝1a内に位置する第1の絶縁膜2上に、第2の絶縁膜15を形成する工程と、第2の絶縁膜15をエッチバックすることにより、溝1aの側壁の上部を覆うサイドウォールを形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

Then, a touch panel operation, whose trace draws a segment goes from a photographed image to the album, is performed so that the photographed image displayed on the upper step part is transferred to the album displayed on the lower step part, the reproducing apparatus 1 executes processing for registering the photographed image in the album on the lower step part.例文帳に追加

そして、上段部に表示された撮像画像を下段部に表示されたアルバムに移動させるように、その軌跡が撮影画像からアルバムに至る線分を描くようなタッチパネル操作が行われると、再生装置1は、上段部の撮影画像を下段部のアルバムに登録する処理を実行する。 - 特許庁

The method of manufacturing the asymmetrical area memory cell includes a step of forming a lower electrode 102 having a certain area, a step of forming a CMR memory film 106 having an asymmetrical area on the lower electrode, and a step of forming an upper electrode 110 having an area narrower than the lower electrode area.例文帳に追加

本発明の方法は、ある面積を有する下部電極102を形成する工程と、下部電極の上に、非対称面積を有するCMRメモリ膜106を形成する工程と、CMR膜の上に、下部電極面積よりも狭い面積を有する上部電極110を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

To provide a revolving work machine which can decrease the height of a step, which can secure the supporting strength of upper and lower supporting brackets for supporting a working device, even if the height of the step is decreased, and which can keep the deformation and stress value of a vertical rib low, even if the height of the step is decreased.例文帳に追加

ステップの高さを低くすることができ、且つステップの高さを低くしても作業装置を支持する上下の支持ブラケットの支持強度を確保でき、しかもステップの高さを低くしたものであっても、縦リブの変形量と応力値を小さく抑えることができる旋回作業機を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing wiring board includes a sticking step 25 of sticking a supporting film 23 coated with an adhesive 24 to the lower surface of a screen 21 having wiring patterns formed of through holes 22, and a packing step of packing the conductive paste 26 in the through holes 22 from the upper surface of the screen 21 after the sticking step 25.例文帳に追加

貫通孔22で形成された配線パターンを有するスクリーン21と、このスクリーン21の下面に接着剤24が塗布された支持フィルム23を貼り付ける貼り付け工程25と、この貼り付け工程25の後でスクリーン21の上面から貫通孔22に導電ペースト26を充填する充填工程とを有している。 - 特許庁

The pattern forming method comprises: a step of forming a coating to be etched; a step of forming a plurality of mask patterns on an upper layer of the coating by corresponding to regions being desirable to be left as a plurality of patterns; and a step of forming patterns of the coatings by performing etching treatment by using a plurality of mask patterns as masks.例文帳に追加

本発明に係るパターン形成方法は、被エッチング膜を成膜する工程と、複数のパターンとして残したい領域に対応して被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより被エッチング膜のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor element includes a step of successively laminating a polysilicon film and an oxide film on a silicon carbide wafer; a step of forming a trench on the silicon carbide wafer by reactive ion etching using these films as a partially open masking material to have the polysilicon film retreated to expose an upper end corner of the trench; and a step of rounding the upper end corner by etching.例文帳に追加

炭化珪素ウェハー上にポリシリコン膜と酸化膜を順次積層する工程と、これらの膜を一部が開口したマスク材として反応性イオンエッチングにより炭化珪素ウェハーにトレンチを形成し、ポリシリコン膜を後退させて前記トレンチの上端コーナーを露出させる工程と、エッチングにより前記上端コーナーを丸める工程と、を有する炭化珪素半導体素子の製造方法とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the probe with a field-effect transistor channel structure comprises a first step of producing the field-effect transistor, a second step of preparing to grow up the carbon nanotube on one upper section edge of a gate electrode of the field-effect transistor, and a third step of forming the carbon nanotube on the one upper section edge of the gate electrode of the prepared field-effect transistor.例文帳に追加

このために本発明は、電界効果トランジスタを製造する第1段階と;前記電界効果トランジスタのゲート電極上部一端に炭素ナノチューブを成長させるために準備する第2段階と;前記準備された電界効果トランジスタのゲート電極上部一端に炭素ナノチューブを生成する第3段階とを含む電界効果トランジスタチャンネル構造を持つ探針の製造方法を提供する。 - 特許庁

The step-up circuit that raises an inputted voltage and outputs the raised voltage is made up of an input voltage limiting circuit that regulates the upper limit of an outputted voltage, and the step-up circuit that raises the input voltage by fixed times using a capacitor.例文帳に追加

入力された電圧を昇圧して出力する昇圧回路において、出力される電圧の上限を規定する入力電圧制限回路と、コンデンサを使って入力電圧を固定倍率に昇圧する昇圧回路から構成する。 - 特許庁

A step is formed at the height of an upper resistor 37 up to 65% of the radius R of a measuring chamber A from the center, and a portion of the step near the center 37b is higher by 4-25% of the chamber height T than a portion near the periphery 37a.例文帳に追加

また、上抵抗器37の高さに、計量室Aの半径Rに対して中心から65%以下のところまでに、外周寄り37aより中心寄り37bの方が、計量室の高さTの4〜25%高い段差を設ける。 - 特許庁

In a first dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the upper layer resist 13 as a mask and in a first ashing step, ashing is applied to an area exposed with a weak beam up to the glass substrate 1 with the intermediate layer 12 as a mask.例文帳に追加

第1のドライエッチング工程で、上層レジスト13をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第1のアッシング工程で、上記中間層12をマスクにして弱いビームで露光された領域を硝子基板1までアッシングする。 - 特許庁

The reproducing apparatus is provided with an image display device with a touch panel, displays a photographed image to be a candidate for registering on an upper step part of its display part to be freely scrolled and an album to be a candidate for registration destination on a lower step part to be freely scrolled.例文帳に追加

この発明の再生装置は、タッチパネル付画像表示装置を備えており、その表示部の上段部に登録する候補となる撮像画像をスクロール自在に表示し、下段部に、登録先の候補となるアルバムをスクロール自在に表示する。 - 特許庁

After the jackpot conditions, probability variation games are continued to an upper limit under a predetermined condition, and when the number of continued games reaches a predetermined number (step S471), a game having a reduced time is forcibly added after the jackpot condition (step S475).例文帳に追加

これら大当り状態後、所定条件下で確率変動遊技を上限回数まで継続させ、その継続回数が所定回数に達すると(ステップS471)、当該大当り状態後に時短遊技が強制的に付加される(ステップS475)。 - 特許庁

A registering means A for controlling a longitudinal position is provided to the reversely-tapered component 8 positioned on an upper step, and a sliding operating means B for transferring in a reciprocative manner the tapered component 6 longitudinally is provided to the tapered component 6 positioned on a lower step.例文帳に追加

上段に位置する先太状テーパ部材8には、長手方向の位置を規制する位置決め手段Aを設け、下段に位置する先細状テーパ部材6には、これを長手方向において往復的に移動するスライド作動手段Bを設ける。 - 特許庁

Preferably, this carbon dioxide underground storage treatment is provided with a step for dissolving a cation forming material in the injection water and a step for injecting the injection water, in which the cation forming material is dissolved, to a part above the injection position at the upper part of the deep aquifer.例文帳に追加

好ましくは、注入水に陽イオン形成材を溶解する段階と、陽イオン形成材が溶解された注入水を前記深部帯水層の上部でそれまでの注入位置より上方に注入する段階が設けられる。 - 特許庁

A projecting part 101c projecting to the outer peripheral side is formed at the upper part of the fitting part fork part, and an engaging step part 101d is formed of step difference between the projecting part 101c and its lower part of the fitting part fork part 101b.例文帳に追加

このカン股部101bの上部には、外周側に突出した張出部101cが形成され、カン股部101bにおける、張出部101cとその下方部分との間の段差によって係合段部101dが構成されている。 - 特許庁

This stopper layer performs a role of an etching stopper when etching back the unnecessary embedded layer at the upper part of the trench (step S20), and hence a step between the stopper layer and the field oxide film is reduced after the etching to improve the flatness of an element isolation region.例文帳に追加

このストッパ層はトレンチ上部の不要な埋め込み層をエッチングバックする際に(工程S20)エッチングストッパの役割を果たすので、エッチング後にストッパ層とフィールド酸化膜との段差が少なくなり素子分離領域の平坦性が向上する。 - 特許庁

By fitting the projecting step part 651 projecting over the top face of the lower scanning lens 65 to the recessed step part 652 of the upper scanning lens 65, the relative positional relation between two scanning lenses 65 and 65 in the main scanning coping direction is defined.例文帳に追加

下層のレンズ65の上面に突出する凸状段部651の部分が上層の走査レンズ65の凹状段部652に嵌合されることにより、2枚の走査レンズ65、65の主走査対応方向の相対的な位置関係が規定される。 - 特許庁

In the vehicular step mounted on a vehicle body, a resin-made step board 22 is set in an arch-shaped section so as to constitute a swollen part 30 on its upper surface 22a, and a lattice-shaped rib 32 is integrated with its lower surface 22b.例文帳に追加

車体に取り付けられる車両用ステップであって、樹脂製のステップボード22が、その上面22aに膨出部30を構成するようにアーチ状の断面形状に設定され、かつ、その下面22bに格子状のリブ32が一体に成形されている。 - 特許庁

A game machine is constituted such that the Pachinko game balls can move to ball rolling portion 103, 104, 113, 123 from the upper step to the lower step in series by arranging the ball rolling portions 103, 104, 113, 123 of vertical plurality of steps extending in a right and left direction in the stage 101.例文帳に追加

ステージ101には、左右方向に延在する上下複数段の球転動部103,104,113,123を設けて、上段から下段の球転動部103,104,113,123へパチンコ球が順次移動し得るよう構成する。 - 特許庁

In the gas-receiving region 60, a gas-disturbing portion 8 is formed with inclusion of walls 9, 9, 23b which change step by step in the height for the upper surface of the bank member 23, as it advances toward the down-stream side of the flow of the raw material gas G.例文帳に追加

ガス受入領域60には、原料ガスGの流れ方向下流側に進むにつれて、堤部材23の上面23aに対する高さが段階的に変化する壁9,9,23bを有するガス乱し部8が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor element with a two-step continuous wet etching step by using different etching solutions for providing an insulating margin between contacts that are self-aligned with a lower conductive layer and an upper conductive layer.例文帳に追加

下部導電層と下部導電層によって自己整列されるコンタクト間の絶縁マージンを確保するために相異なる蝕刻液を使用した2段階の連続的な湿式蝕刻工程を用いる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a holding storage count value is equal to or larger than an upper limit value (step S502;Yes), by reading the numerical data from the random number value register corresponding to a start winning port that a game ball has passed through, the random number latch flag is turned to an off state (step S512).例文帳に追加

保留記憶カウント値が上限値以上であれば(ステップS502;Yes)、遊技球が通過した始動入賞口に対応する乱数値レジスタから数値データを読み出すことにより、乱数ラッチフラグをオフ状態にする(ステップS512)。 - 特許庁

In the PC floor board 1, the tendons 6 are disposed to the concrete board 3 on the upper step side and the concrete board 4 on the lower step side in the concrete board 2 having a stepped shape respectively, and anchorage devices 8 are mounted at end sections on the stepped section 7 sides of the tendons 6.例文帳に追加

PC床板1は、段差状のコンクリート板2における上段側のコンクリート板3と下段側のコンクリート板4とに、それぞれ引張材6が配設され、該引張材6の段差部7側における端部に定着具8を設けてなる。 - 特許庁

The volume of a recognized voice is measured (step S9), and it is decided (step S12) whether the measured volume is equal to or higher than upper limit volume (80) set in a parameter setting table or lower than lower limit volume (20) in the same.例文帳に追加

認識した音声の音量を測定し(ステップS9)、この測定した音量がパラメータ設定テーブルに記憶されている上限音量(80)以上であるか否か(ステップS10)、下限音量(20)未満であるか否か(ステップS12)を判断する。 - 特許庁

In this case, the method is characterized by holding the upper and lower substrates with electrostatic action in a reduced pressure atmosphere in the first sticking step, pressurizing the atmosphere to specified pressure and subsequently holding them with vacuum suction in the positional deviation correction after the sticking step.例文帳に追加

このとき、最初の貼り合わせ時には上下基盤を減圧雰囲気中で静電力で保持し、貼り合わせ後の位置ずれ修正時には、雰囲気を所定の圧力まで上昇後、真空吸着力で保持することを特徴とする。 - 特許庁

Thus, in a state of contacting an abutting part 26 arranged in a vehicle lower part of the step part 24 in a surface with the side outer panel 12, a clearance forming part 30 arranged in a vehicle upper part of the step part 24 forms a clearance 32 between the side outer panel 12 and itself.例文帳に追加

このため、段部24の車両下方に設けられた当接部26をサイドアウタパネル12に面接触させた状態で、段部24の車両上方に設けられた隙間形成部30は、サイドアウタパネル12との間に隙間32が形成される。 - 特許庁

The side ditch block 3 is equipped with a recessed step section 5 extended over the overall length in the longitudinal direction in the upper end section of the outside, at the same time, opened upward and sideways and drain holes 6 and 6 communicating with the recessed step section 5 and the waterway S.例文帳に追加

また、側溝ブロック3は、その外方上端部において、その長手方向全長に渡って延びるとともに上方および側方に開放された凹段部5と、その凹段部5と水路Sとを連通する排水孔6、6を備える。 - 特許庁

When the cases 11 are vertically stacked in a step of case assembling in factory, the protrusion 26 of the upper side case is mounted on the pedestal 22 of the lower side case.例文帳に追加

工場でのケース組み付け行程において、ケース11を上下に積み重ねた際には、下側のケースの台座部22に上側のケースの突出部26が載置される。 - 特許庁

The contact side upright piece 41 is pressed by a jig with a step so as to rotate about near the upper end of the upright piece 42 temporarily fixed to a spool.例文帳に追加

スプールに仮固定された直立片部42の上端近傍を回動中心とするように接点側直立片部41を段差を有する治具8を用いて押し込む。 - 特許庁

To reduce the manufacturing cost of a combine harvester by arranging a simple step at a part of a machine body so as to make an operator get on the upper side of the machine body.例文帳に追加

本発明では、機体の一部に簡単なステップを設けることで機体の上側に搭乗できるようにして、コンバインの製造コストを低減することを課題とする。 - 特許庁

On a base metal 14 of the CPM pad conditioner 10, a step 15 is disposed on a surface acting on the CPM pad to form upper stage sections 11 and a lower stage section 12.例文帳に追加

CMPパッドコンディショナー10の台金14には、CMPパッドに作用する面に段差15を設けて上段部11と下段部12とが形成されている。 - 特許庁

In an upper magnetic pole 17, a nearly vertically changing step is provided in the width direction at the connecting part between the intermediate part 17b and the tip end part 17c which defines the track width.例文帳に追加

上部磁極17における、中間部17bとトラック幅を規定する先端部17cとの連結部に、ほぼ直角に変化する幅方向の段差を設ける。 - 特許庁

To suppress the generation of at a step at the end face of a conductive plug in the upper region of a capacitance element in a semiconductor device including a memory and a logic.例文帳に追加

メモリ部とロジック部とを含む半導体装置において、容量素子の上部の領域において、導電プラグの終端面における段差の発生を抑制する。 - 特許庁

In the sintering step, the upper surface 22 of a placing plate 21 for placing a work 11 formed of a pressed powder body is molded to the approximately same parallelism as that set for the Oldham ring.例文帳に追加

焼結工程の載置板21における圧粉体からなるワーク11を載置する上面22を、オルダムリングに設定される平面度とほぼ同じ平面度に形成する。 - 特許庁

To attain smooth ventilation and prevention of spreading of an internal accident, while ensuring independence and separation of each chamber related to an upper/lower step breaker chamber, cable chamber, and a bus bar chamber partitioned in a panel.例文帳に追加

盤内に区画した上下段のしゃ断器室,ケーブル室,母線室に対し、各室の独立,離隔を確保しつつ、円滑な換気,内部事故の拡大防止を図る。 - 特許庁

First, a plurality of hollow piles 1 excepting an upper end pile 1a (hollow pile at the uppermost step) are sunk and provided by connecting them mutually in soil cement 2 while forming the soil cement 2.例文帳に追加

最初に、ソイルセメント2を形成しつつ、上端杭1a(最上段の中空杭)を除く複数の中空杭1をソイルセメント2内に互いに接続しながら沈設する。 - 特許庁

例文

This is a step 21 to load and unload a cargo on and from roof carriers arranged at a plural number of upper and lower points of specified positions of a vehicle body and installed on a roof.例文帳に追加

車両ボデーの所定位置15の上下の複数箇所に配設されてルーフ2に取付けられたルーフキャリア3に荷物を積み下しするためのステップ21である。 - 特許庁




  
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