その後、短時間露光によってＰＤ３０３に蓄積された電荷は先の転送動作と同様の動作で全て蓄積部３０５に転送される。例文帳に追加

Thereafter, all the charge stored in the PD 303 by the short exposure is transferred to the storage part 305 by an operation similar to the previous transfer operation. - 特許庁

１つの垂直走査回路を、蓄積電荷読み出し用走査と蓄積電荷掃き捨て用走査に兼用し、また、１つのマルチプレクサを蓄積電荷読み出し用信号と蓄積電荷掃き捨て用信号の出力に兼用して、チップ面積の縮小と動作歩留まりの向上を可能とする。例文帳に追加

To use one vertical scanning circuit both for scan for reading stored electric charge and scan for sweeping the stored electric charge, to use one multiplexer for output of a signal for reading the stored electric charges and a signal for sweeping the stored electric charges to reduce chip area and to raise yield. - 特許庁

壁電荷の蓄積の違いによる誤った表示動作をなくして高精細化する。例文帳に追加

To improve the definition of a display by eliminating an erroneous displaying function due to a difference in the storage of wall electric charge. - 特許庁

例えば光電変換素子が飽和状態となった場合であっても、残像が低減するように電荷蓄積部に蓄積された蓄積電荷を確実にリセットして、安定した検出動作を行うことができるようにする。例文帳に追加

To perform a stable detecting operation by surely resetting stored electric charge stored in a charge storage section so as to reduce afterimages even if a photoelectric conversion element is brought into a saturated state, for example. - 特許庁

絶縁層よりなる電荷蓄積層に電荷を蓄積することにより情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置に関し、電荷保持特性を改善して２ビット動作時における蓄積電荷の分離を確実にしうる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that surely separates accumulated charges in a 2-bit operation by improving a charge holding characteristic, regarding the nonvolatile semiconductor memory device for storing information by accumulating charges in a charge accumulation layer made of an insulation layer, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

この注入電荷は、静電的に蓄積された電荷の放電であるので、通常動作の際と異なり量や強さの点で制御されていない。例文帳に追加

Since this injected electric charge is discharged from electrostatically accumulated electric charge, the injected electric charge is not controlled with respect to an amount and intensity unlike in a normal operation. - 特許庁

消去動作は、全面点灯により蓄積された壁電荷の極性を反転させて電位調整動作を有効に実施させる。例文帳に追加

The elimination operation is effectively performed by potential adjustment operation by inverting the polarity of the wall charges stored by the whole screen lighting. - 特許庁

消去動作は、全面点灯により蓄積された壁電荷の極性を反転させて電位調整動作を有効に実施させる。例文帳に追加

In an elimination operation, the polarity of the wall charge accumulated by the whole lighting is reversed, and an electric potential adjusting operation is executed effectively. - 特許庁

この固体撮像装置では、転送トランジスタ２のゲートにオン電位とオフ電位との間の中間電位を印加した状態で、フォトダイオード１で電荷を蓄積する電荷蓄積動作を行う。例文帳に追加

The solid body imaging apparatus performs charge accumulation for accumulating electric charges in a photodiode 1, in a state of an intermediate potential between an on potential and an off potential being applied to the gate of a transfer transistor 2. - 特許庁

１つのシフトレジスタを画素の蓄積電荷読み出し用走査と画素の蓄積電荷掃き捨て用走査に兼用し、チップ面積の縮小と動作歩留まりの向上を可能にした固体撮像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a solid-state imaging device that can use one shift register both as scanning for reading stored charge in pixels and that for sweeping stored charge, and can reduce the chip area and improve the operation yield. - 特許庁

この動作により、入力転送段３１中に蓄積されていた信号電荷に、新たな撮像タイミングで得られた信号電荷が加わるため、入力転送段３１にはこの２つの信号電荷が積算された積分信号電荷が蓄積される。例文帳に追加

As a result of this operation, the signal charges obtained at the new imaging timing are added to the signal charges accumulated in the input transfer stage 31 so that integrated signal charges by integration of the two sets of signal charges are accumulated in the input transfer stage 31. - 特許庁

動作対象トランジスタを動作させるためにオン状態からオフ状態に移行する過渡状態時に蓄積される電源３の蓄積電荷を急峻に放電させるための放電回路１０が形成されている。例文帳に追加

In order to operate an operation object transistor, a discharge circuit 10 is formed to quickly discharge the accumulated charges of power supply 3 accumulated during the transition period where an on-state shirts to an off-state. - 特許庁

ひとつの画素の動作は、フォトダイオード領域１７での信号電荷蓄積→フォトダイオード領域１７に蓄積された信号電荷を電荷保持領域２１に転送→電荷保持領域２１における信号電荷の保持→電荷保持領域２１からフローティングディフュージョン領域１８への信号電荷転送、を基本としている。例文帳に追加

An operation of one pixel is fundamentally a signal charge accumulation in a photodiode area 17, a transferring the signal charge accumulated in the photodiode 17 to the charge holding area 21, a holding the signal charge in the charge holding area 21, and a transferring the signal charge from the charge holding area 21 to the floating diffusion area 18. - 特許庁

ひとつの画素の動作は、フォトダイオード領域１７での信号電荷蓄積→フォトダイオード領域１７に蓄積された信号電荷を電荷保持領域２１に転送→電荷保持領域２１における信号電荷の保持→電荷保持領域２１からフローティングディフュージョン領域１８への信号電荷転送、を基本としている。例文帳に追加

The operation of one pixel is based upon signal charge accumulation in a photodiode 17, the transfer of signal charges accumulated in the photodiode area 17 to the electric charge holding area 21, the holding of the signal charges in the electric charge holding region 21, and signal charge transfer from the electric charging holding region 21 to the floating diffusion region 18 in this order. - 特許庁

電子シャッター動作におけるフォトダイオードから蓄積部への電荷の漏れ込み等の影響を排除する。例文帳に追加

To eliminate such influence as leakage of charges from a photo diode to a memory in an electronic shutter operation. - 特許庁

グローバルシャッタ方式で駆動を行うことで、電荷の蓄積動作を制御するための電位を全画素で共有することができる。例文帳に追加

By performing driving according to a global shutter method, potential for controlling a charge accumulation operation can be shared among all the pixels. - 特許庁

ＥＥＰＲＯＭにおいて、浮遊ゲート電極（ＦＧ）に蓄積された電荷を除去するデータ消去動作に高い電圧が必要となる。例文帳に追加

To solve a disadvantage that a high voltage is required for data deleting operation for eliminating electric charges accumulated on a floating gate (FG) in an EEPROM. - 特許庁

光電変換により画素に蓄積された電荷を掃き出すリフレッシュ動作を行っても自然な動画像が得られるようにする。例文帳に追加

To obtain a natural moving picture in the case of carrying out a refresh operation for sweeping out electric charges stored in pixels through photoelectric conversion. - 特許庁

タイミングｔ６において、シャッタ装置は幕開動作を終了し、撮像素子から蓄積電荷信号が読み出される。例文帳に追加

The shutter completes releasing with a timing t6 and a stored electric charge signal is read from the imaging element. - 特許庁

上記構造により、消去動作において、浮遊ゲートに蓄積された電荷はチャネル形成領域を介して金属配線に引き抜かれる。例文帳に追加

With the above structure, when erasing operation is performed, charges accumulated in the floating gate are extracted to the metal wiring through the channel formation region. - 特許庁

データ記憶用の電荷蓄積絶縁膜を備える半導体記憶装置に関し、リーク電流の低減と好適な消去動作とを両立する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device with a charge storage insulating film for data storage, wherein reduction in leak current and a suitable erasing operation are made compatible. - 特許庁

この暗状態での電荷蓄積動作でＣＣＤイメージセンサから読み出される画像信号を黒レベルとしてメモリに記憶する。例文帳に追加

An image signal read from the CCD image sensor by a charge accumulating operation in such a dark state is stored in a memory as a black level. - 特許庁

さらに、撮像画素から所定時間の電荷蓄積動作ごとに読み出す信号を第１の画素信号として出力し、焦点検出画素での複数回の該電荷蓄積動作により得られる信号を第２の画素信号として出力する信号処理手段１１２を有する。例文帳に追加

The imaging apparatus further includes a signal processing means 112 that outputs, as a first pixel signal, a signal read out from the imaging pixel by a charge accumulating operation performed for a prescribed time, and that outputs, as a second pixel signal, a signal obtained from the focus detecting pixel by the charge accumulating operation performed a plurality of times. - 特許庁

電荷掃出し信号Ａ０１の出力終了と同時に電荷転送信号Ａ０２の出力を開始することにより、垂直転送部への転送動作中にフォトダイオードに蓄積する電荷を検出する。例文帳に追加

By starting the output of the charge transfer signal A02 simultaneously with the termination of the output of the charge sweep-off signal A01, the input device detects the charges accumulated in the photodiode during the transferring operations to the vertical transfer section. - 特許庁

そして、メモリー部９が電荷を一時蓄積するために必要な蓄積電圧Ｖ_ｃｃｄは、出力増幅部７の動作に必要な共通電源電圧Ｖ_ｄｄよりも低く設定されている。例文帳に追加

The accumulation voltage V_ccd that the memory part 9 requires to temporarily accumulate the electric charges is set lower than a common source voltage V_dd. - 特許庁

該制御手段５０は、光電変換素子の電荷蓄積中又は電荷の読み出し前に、該動作機構に第２の動作を行わせるためのアクチュエータ駆動を開始する。例文帳に追加

The control means 50 starts actuator drive for allowing an operation mechanism to perform the second operation during the charge accumulation of the photoelectric conversion element or before reading charges. - 特許庁

検出トランジスタ１１は、チャネルを制御する制御ノードに動作電圧Vinが印加された状態で、例えば負荷トランジスタ１２の抵抗値を変化させたときに、負荷抵抗の変化に従って、電荷蓄積領域１１の蓄積電荷量に応じたタイミングで出力線電位を変化させる。例文帳に追加

When, for example, the resistance value of the load transistor 12 is varied in a state wherein an operating voltage Vin is applied to a control node which controls a channel, the detection transistor 11 varies an output line potential in timing corresponding to an accumulated charge amount in the charge accumulation region 101 according as the load resistance is varied. - 特許庁

電荷蓄積部へのデータの記憶動作によって同一メモリセル内の他の電荷蓄積部に記憶されているデータが変化することを抑制することができる半導体不揮発性メモリ、データ書き込み方法、半導体不揮発性メモリの製造方法、及びデータ書き込みプログラムを提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor memory suppressing data stored in other electric charge accumulating sections in the same memory cell from being changed caused by storing data to the charge accumulating section, and to provide a data writing method, a method of manufacturingthe nonvolatile semiconductor memory, and a data writing program. - 特許庁

被変調両極性電圧９１は、レベルの時間平均がゼロであり、正値の期間にチャネル底面とリボン部材との間の誘電体部材に蓄積される電荷は、負値の期間で打ち消されるので、電荷蓄積が低減され、リボン部材の動作が安定化される。例文帳に追加

Since the modulated bipolar voltage 91 is at the zero level on time average, and electric charges stored in a dielectric member between a channel bottom and the ribbon member for the positive value period is offset for the negative value period, stored electric charge is reduced, and the operation of the ribbon member is stabilized. - 特許庁

非動作状態とするカラー系統についても、感光部に蓄積される電荷がこの感光部から溢れることや、出力アンプ１４８を構成するフローティングディフュージョンに電荷が蓄積され溢れることを防止することができる。例文帳に追加

The image reading apparatus can prevent electric charges stored also in the color system brought into the inactive state from being overflowed from a photosensitive section and prevent electric charges from being stored in floating diffusion configuring an output amplifier 148 and overflowed therefrom. - 特許庁

電源投入時において、全てのセルキャパシタの電荷蓄積ノードには蓄積電荷は存在しない状態からアクセス動作に移行する場合おいても、セルプレート電位が変動しない半導体記憶装置を提供すること例文帳に追加

To provide a semiconductor memory in which a cell plate potential is not varied even in the case that a state is shifted from a state in which accumulated electric charges do not exist in electronic charges accumulating nodes of all capacitors to access operation, when a power source is applied. - 特許庁

しかもＡフィールドのＣＣＤ１０電子シャッターとＢフィールドの絞りユニット１１の全閉動作により、電荷蓄積期間ａと電荷蓄積期間ｂとの時間を等しくすることができるために、両フィールド間の明るさのちらつきも防止できる。例文帳に追加

Even more, since the time of the charge accumulation period (a) and the charge accumulation period (b) can be made equal by the full close action of a CCD 10 electronic shutter of the A field and a diaphragm unit 11 of the B field, the flickering of the brightness between both fields can be prevented. - 特許庁

第１の動作モード（ステップＳ１０６）の際、ＰＤにおける電荷の蓄積動作中に第２の転送用スイッチによってＭＥＭとＦＤとを接続状態とし、第２の動作モード（ステップＡ１０７）の際、ＰＤにおける電荷の蓄積動作中に第２の転送用スイッチによってＭＥＭとＦＤとを分離状態とする。例文帳に追加

In a first operation mode (step S106), the MEM is connected with the FD by a second transfer switch while charges are stored in the PD, and in a second operation mode (step A107), the MEM is disconnected from the FD by the second transfer switch while charges are stored in the PD. - 特許庁

不揮発性メモリ素子１０２は、上記電力が供給された状態では、導通素子として動作し、上記電力が供給されていない状態では、カットオフ素子として動作するとともに、蓄積容量素子１０４の蓄積電荷が所定の電位レベルである場合にそのしきい値が変化する。例文帳に追加

The nonvolatile memory element 102 operates as a conductive element in a state where power is supplied, and operates as a cut-off element in a state where no power is supplied, with its threshold being varied when the stored charges of the storage capacitive element 104 are at a predetermined potential level. - 特許庁

この動作をｎ回繰り返すことで、１フレームのｎ倍の速度でｎ回読み出した信号を画素ごとに加算し、その総和電荷を電荷加算ＣＣＤ２４に蓄積する。例文帳に追加

By repeating this operation for n times, signals read for n times at a rate by n times of one frame are added for each pixel, and the total charges are accumulated in the charge adding CCD 24. - 特許庁

自己収束消去動作を容易にすると共に保持状態の期間におけるメモリデバイスの電荷蓄積層内での電荷保持能力を保持してもいるトンネル誘電体構造を有する不揮発性メモリデバイスの提供。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory device having a tunnel dielectric structure, facilitating a self-focusing and erasing operation and also holding charge retention capability within a charge storage layer of the memory device during a period of a retention state. - 特許庁

電池２による入力電圧が所定の値以下になれば、電圧検出回路１０がそれを検出して、放電回路４０が、電荷蓄積回路３０から電荷の供給を受けて、動作電圧供給回路２０を放電させる。例文帳に追加

When a voltage inputted by a battery 2 becomes equal to or lower than a prescribed value, it is detected by a voltage detecting circuit 10 and a discharging circuit 40 receives the supply of charges from a charge storage circuit 30 and discharges an operating voltage supply circuit 20. - 特許庁

上記不要な電荷の掃き出しを、上記撮像素子104から画像信号を出力する以外の動作時、例えば電荷蓄積期間中のときに行う。例文帳に追加

The sweeping of any unnecessary charge is executed in any operation other than the operation to output a picture signal from the image pickup element 104, for example, during the charge storing period. - 特許庁

電荷設定動作モードにあっては、スイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３がオン、スイッチ回路ＳＷ４がオフとなり、コンデンサＣ１、Ｃ２にバイアス電圧Ｖrefと入力電圧Ｖinとの差電圧に応じた電荷を蓄積する。例文帳に追加

In an electric charge setting operation mode, switch circuits SW1, SW2, and SW3 turn on, a switch circuit SW4 turns off, and electric charge is accumulated in capacitors C1 and C2 according to differential voltage of bias voltage Vref and input voltage Vin. - 特許庁

第２状態では蓄積電極端子（４０２，４０３）を高インピーダンス状態にするから、充電動作から出力動作への遷移期間に充電電荷のリークを生じない。例文帳に追加

Since storage electrode terminals 402, 403 are made to be in high impedance states in the second state, the leakage of charged electric charge is not generated in a transition period from the charging operation to an output operation. - 特許庁

情報記憶キャパシタに蓄積される電荷量を増加させることができ、読み出し書き込み動作の十分な動作マージンを確保可能な半導体記憶装置を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor memory device in which the quantity of electric charges accumulated in an information storage capacitor can be increased and sufficient operation margin of read and write operations can be secured. - 特許庁

小さな大きさ、高い電荷蓄積容量、低い暗電流を有し、低い動作電圧で動作できる固体ＣＭＯＳイメージセンサのピンドフォトダイオードを提供すること。例文帳に追加

To provide a pinned photodiode for a solid CMOS image sensor having a small size, high charge accumulation capacity and a low dark current and allowed to be driven by a low operation voltage. - 特許庁

電荷を蓄積する手段としてＭＩＳトランジスタを用いた半導体メモリ装置において、データの書き込み動作及び読み出し動作の速度を向上できるようにする。例文帳に追加

To improve a speed of writing operation and reading operation of data in a semiconductor memory device using an MIS transistor as a means for storing charge. - 特許庁

光入射終了と判断すると、撮像用受光部１０の各行について電荷蓄積動作を終了させて信号読出し動作を行わせる。例文帳に追加

When the control unit 80 determines that the light incidence is completed, a charge accumulation operation for each row of the light receiving unit 10 for imaging is completed to perform a signal readout operation. - 特許庁