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bl atとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 鳴く、騒々しくしゃべる

音節blat 発音記号・読み方
/blˈæt(米国英語)/

bl atの
品詞ごとの意味や使い方

bl atの学習レベル

レベル22

研究社 新英和中辞典での「bl at」の意味

blat

音節blat 発音記号・読み方/blˈæt/
動詞 自動詞
(blat・ted; blat・ting) 《主に米国で用いられる

1

ヒツジ子牛が〉鳴く.


他動詞

「bl at」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 152



例文

At this point of time, a SH1 signal is made 'high', a pair of complementary bit lines (BL and /BL) are both short- circuited effectively.例文帳に追加

この時点でSH1信号は「ハイ」になり、相補型ビット線対(BLおよび/BL)をともに効果的に短絡させる。 - 特許庁

A memory cell array 10 includes memory cells MC arranged at an intersection of a word line WL and a bit line pair BL, /BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ10は、ワード線WLとビット線対BL、/BLの交差部に設けられたメモリセルMCを配列してなる。 - 特許庁

The bit line BL and bit line/BL are connected to a sense amplifier 4 at the periphery of a memory cell array of the ferroelectric substance memory.例文帳に追加

強誘電体メモリのセルアレイ周辺では、ビット線BL及びビット線/BLがセンスアンプ4に接続される。 - 特許庁

Thus, a polarity of voltage between BL and PL is inverted to a polarity different from one at the recently made voltage supply to the BL.例文帳に追加

これによって、BL−PL間電圧を、最近に行ったBLへの電圧供給時と異なる極性に反転させる。 - 特許庁

A T3 is turned off and the bit line BL is made a low level, but a level of the BL bar is not varied by a coupling noise at the time.例文帳に追加

T3はオフになって前記ビット線BLはローレベルとなるが、この時カップリングノイズにより、BLバーのレベルは変動しない。 - 特許庁

At this point of time, the bit lines BL, /BL are discharged by giving an equalizing signal EQ of the prescribed pulse width to a reset circuit 20.例文帳に追加

この時点で、リセット回路20に所定パルス幅のイコライズ信号EQを与えることにより、ビット線BL,/BLを放電させる。 - 特許庁

例文

A memory cell array 1 is constituted by arranging memory cells MC at intersection parts of plural bit, lines BL, /BL and plural word lines WL.例文帳に追加

メモリセルアレイ1は、複数本のビット線BL,/BLと複数本のワード線WLの交差部にメモリセルMCを配置して構成される。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る

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EDR日英対訳辞書での「bl at」の意味

blat


Wiktionary英語版での「bl at」の意味

blat

出典:『Wiktionary』 (2026/04/09 19:53 UTC )

発音

語源 2

Borrowed from Russian блат (blat), from Polish blat (cover, umbrella) or Yiddish בלאַט (blat, leaf, list). Doublet of blade.

名詞

blat (uncountable)

  1. The Soviet system of connections and social relationships; one's social or business network (in Russian or Soviet society).
    Synonym: (from Chinese) guanxi
    To open a new business in Russia you need blat.

アナグラム


語源

From Proto-West Germanic *blait, from Proto-Germanic *blaitaz. Cognate with Old High German bleizza (stain, blue, livor).

発音

語形変化

派生語

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「bl at」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 152



例文

Memory cells 3 are arranged at the intersected points between plural word lines WL00, WL01,... and bit lines BLs in a matrix manner.例文帳に追加

メモリセル3は複数のワード線WL00,WL01,…とビット線BLの交点にマトリックス状に配置される。 - 特許庁

A memory cell MC and a dummy memory cell DMC are respectively connected with bit lines BL and /BL at data read, through which a data read current flows.例文帳に追加

データ読出時においては、ビット線BLおよび/BLの一方ずつに、メモリセルMCおよびダミーメモリセルDMCが結合されて、データ読出電流が流される。 - 特許庁

The magnetic memory element MM is disposed above the digit line DL and below the bit line BL at the intersection part of the digit line DL and the bit line BL.例文帳に追加

磁気記憶素子MMは、ディジット線DLとビット線BLとの交差部分において、ディジット線DLの上であってビット線BLの下に配置されている。 - 特許庁

A memory cell array 1 is configured by disposing a memory cell MC including one pair of cross-connected inverters INV1 and INV2 at each intersection of word lines WL and bit lines BL, /BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ1は、一対のインバータINV1、INV2を交差接続してなるメモリセルMCをワード線WLとビット線対BL、/BLとの交点に配列してなる。 - 特許庁

A bit line control circuit (4) controls, at an activated state, the electrical potential of the second bit line (/BL) to the third electrical potential after electrical charges are transmitted to the first bit line (BL) selected.例文帳に追加

ビット線制御回路(4)は、活性状態において、選択された第1ビット線(PL)に電荷が転送された後、第2ビット線(/PL)の電位を第3電位に制御する。 - 特許庁

In a cell transistor TC, a source drain region BL is formed at a part lower than a part of the channel region.例文帳に追加

セルトランジスタTCは、ソース・ドレイン領域BLがチャネル領域の一部よりも下方に形成される。 - 特許庁

At intersections of the bit lines BL and the word lines WL, memory cells MC each constituted of a diode and fuse connected in parallel between the bit lines BL and the word lines WL are arranged.例文帳に追加

ビット線BLとワード線WLの交差する部分に、ビット線BLとワード線WLの間に並列接続されたダイオード及びヒューズから構成されるメモリセルMCが配置される。 - 特許庁

例文

The nonvolatile semiconductor memory device has: word lines WL; bit lines BL; and memory cells MC connected to between both the lines at crossing portions where the word lines WL and the bit lines BL cross.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ワード線WLと、ビット線BLと、ワード線WLとビット線BLの交差部で両配線間に接続されたメモリセルMCとを備える。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る


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