To provide a wafer to manufacture a crystal vibrator where process control for an etching process is facilitated.例文帳に追加

エッチング工程の工程管理の容易な水晶振動子を製造するためのウエハーの提供。 - 特許庁

PROCESS MODULE CONTROL DEVICE AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER SPINNER SYSTEM例文帳に追加

半導体ウェ—ハスピナシステムのプロセスモジュ—ル制御装置及びその方法 - 特許庁

Wafer transfer information for the wafer transfer module and process control information for the processing module are transmitted through a wafer transfer control and a process control provided to discrete computers and a communication means such as a serial communication, a parallel communication, or TCP/IP module.例文帳に追加

ウェーハ搬送モジュールのウェーハ搬送情報とプロセス・モジュールのプロセス制御情報の伝達は、それぞれ独立のコンピュータに設けられたウェーハ搬送制御部とプロセス制御部を、シリアル通信、パラレル通信あるいはＴＣＰ／ＩＰのいずれかの通信手段によって行う。 - 特許庁

A method for lithography process control may include measuring (22) at least one property of a resist disposed upon a wafer during a lithography process (16).例文帳に追加

リソグラフィ・プロセス（１６）中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも１つの特性を測定する（２２）ことを含むことができる。 - 特許庁

A monitoring wafer for process control used in a semiconductor manufacturing process has a double structure where a wafer host material comprising SiC is coated with a black colored SiC film.例文帳に追加

半導体製造工程で用いられるプロセス管理用のモニタウェハであって、ＳｉＣにより形成されたウェハ母材に黒色ＳｉＣ膜をコーティングした二重構造を持つ構造とした。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing device which can suppress the generation of dust formed by rubbing and improve the yield of a formed semiconductor device by holding a wafer vertically and without shifting the wafer when transferring and transporting the wafer in order to allow the wafer to be subjected to a batch process, and its control method.例文帳に追加

ウェーハをバッチ処理するために移載、搬送する際に、ウェーハを垂直に且つ位置ずれなく保持することにより、擦れダストの発生を抑え、形成される半導体装置の歩留りの向上が可能な半導体製造装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁

To determine exposure conditions so as to control a film thickness distribution in a wafer surface and variance in size corresponding to etching process change.例文帳に追加

ウエハ面内の膜厚分布およびエッチングプロセス変動に応じた寸法のバラツキを制御できるように露光条件を決定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can improve operability when APC (Advanced Process Control) is performed by the unit of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハ単位でＡＰＣを行う場合の運用性を向上可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method performing process control without enlargement of chip area or the like in a single-wafer treatment.例文帳に追加

枚葉式処理においてチップ面積の増大等を伴わずに工程管理を行う方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method, which can be used for routine process control, of simply evaluating the quality of a polycrystalline silicon wafer.例文帳に追加

日常的な工程管理に利用可能な、多結晶シリコンウェーハの品質を簡便に評価する方法を提供すること。 - 特許庁

More specifically, a storage section 850 stores a target value as a control value in applying etching process to a wafer W.例文帳に追加

具体的には、記憶部８５０は、ウエハＷにエッチング処理を施すときの制御値となる目標値を記憶する。 - 特許庁

To provide a thermoelectric wafer chuck which is applied to a semiconductor process for performing rapid, dynamic and multi-zone temperature control with respect to a wafer.例文帳に追加

熱電ウェハチャックは、ウェハに対して迅速かつ動的に多領域の温度制御を行う半導体工程に適用する熱電ウェハチャックを提供する。 - 特許庁

The integrating apparatus includes a plurality of processing modules that process a wafer, a negative pressure transfer device and a positive pressure transfer device which transfer the wafer to the plurality of processing modules, and a control system which controls them.例文帳に追加

インテグレート装置はウエハを処理する複数の処理モジュールと、ウエハを複数の処理モジュールに搬送する負圧移載装置および正圧移載装置と、これらを制御する制御システムとを備えている。 - 特許庁

During this cleaning process, the discharging fluid control lable of charging is supplied to the semiconductor wafer W and charges are removed from the front surface side of the semiconductor wafer W at the time of cleaning.例文帳に追加

この洗浄処理工程中において、帯電量が制御可能な帯電された除電用流体を半導体ウエハＷに供給して、洗浄処理工程の際に半導体ウエハＷの表面側に帯電する電荷を除去する。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of silicon device which can control the unevenness of the stress applied to a silicon wafer at the time of partition and prevent the abnormal cracking of the silicon wafer, and to provide a manufacturing method of a liquid jet head.例文帳に追加

分割時にシリコンウェハにかかる応力のばらつきを抑え、シリコンウェハの異常な割れを防ぐことができるシリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate heating and transporting process apparatus for transporting a wafer while heating it and for independently performing pressure control and temperature control on a vacuum chamber, which is formed in combination with each process chamber.例文帳に追加

ウエハーを加熱したまま搬送することができるとともに、各プロセス処理室と組み合わされて形成した真空室を独立して圧力制御及び温度制御するための基板加熱搬送プロセス処理装置を提供する。 - 特許庁

During the 25 times of the process recipe control, the period of time from the stop of the supply of a chemical solution to the wafer to the start of the next process recipe control is measured by a timer.例文帳に追加

２５回のプロセスレシピ制御中に、タイマにより、ウエハへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer etching method and apparatus which can improve the uniformity of planarity of each semiconductor wafer within one batch, and control fluctuation in amount of etching process for the entire surface of each wafer, in order to enhance nanotopography.例文帳に追加

１バッチ内での各半導体ウェーハの平坦度の均一化が図れ、しかも各ウェーハの面全体のエッチング量のバラつきを抑え、ナノトポグラフィーが高まる半導体ウェーハのエッチング方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus providing a stable processing result even when variation exists in a process by adding a process model expressing a variation in a state of a process processor to a control loop in Run-to-Run control for changing a processing condition in each wafer treatment.例文帳に追加

ウエハ処理毎に処理条件を変更するRun-to-Run制御において、制御ループにプロセス処理装置の状態の変動を表すプロセスモデルを付加することによりプロセスに変動が存在する場合においても、安定な処理結果を得ることのできるプラズマ処理装置の提供。 - 特許庁

To provide an optical control element with high productivity and its manufacturing method by preventing a thin plate and an electrode on the thin plate from being broken in a polishing process for a substrate, a wafer heating process, and further a substrate cutting process etc., when the optical control element using the substrate which is made thin is manufactured.例文帳に追加

薄板化された基板を利用した光制御素子の製造時に、基板の研磨工程やウェハ加熱工程、さらには基板切断工程などにおいて、薄板や薄板上の電極が破損することを防止し、生産性の高い光制御素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To control the frequency characteristics of an on-chip antenna, produced on an Si semiconductor substrate having an inevitable parasitic capacitance together with an integrated circuit, freely to a desired value after wafer process manufacturing process.例文帳に追加

寄生容量が回避できないＳｉ半導体基板上に集積回路と一緒に製造するオンチップアンテナにおいて、その周波数特性をウエハプロセス製造工程後に自在に所望値へ制御する。 - 特許庁

Since the present invention collects the information of the wafer carrier in the buffer in the reader unit control part and the buffer control part, the information regarding the wafer carrier loaded on the buffer during a semiconductor process can be managed effectively.例文帳に追加

本発明は、バッファ内のウエハキャリアの情報を、リーダーユニット制御部、バッファ制御部自体で収集するため、半導体工程中にバッファに積載されたウエハキャリアに関する情報を效率的に管理することができる。 - 特許庁

To control the movement of a wafer table, while the interference with a push-up unit of a sheet holding ring is surely prevented by a simple control process.例文帳に追加

シート保持リングの突き上げユニットに対する干渉を簡単な制御処理によって確実に阻止しながらウェハテーブルの移動を制御することのできる移動制御方法および移動制御装置を提供する。 - 特許庁

A laser 23 is irradiated on a substrate 1 where a pattern or a film is formed, and variations among chips of reflected light levels fluctuating by fluctuation of process conditions is obtained in a chip group within a wafer, and this fluctuation is monitored within the wafer or among wafers, and thus control over the process conditions in a semiconductor manufacturing can be achieved.例文帳に追加

パターンあるいは成膜が形成された基板１上にレーザ２３を照射し、プロセス条件の変動により変動する反射光レベルのチップ間でのばらつきをウエハ内のチップ群内で求め、この変動をウエハ内あるいはウエハ間で監視することで半導体製造上のプロセス条件の管理を達成できる。 - 特許庁

This system includes a tool 11, a computer 12 connected thereto, an endpoint detection control unit a data base, and a supervisor for monitoring the step and the overall wafer process.例文帳に追加

このシステムはツールおよびそれに接続されたコンピュータと、終点検出制御装置と、データベースと、当該ステップとウエハ処理全体を監視するスーパーバイザとを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer which can keep high visibility of an ID mark and enables consistent production control of a manufacturing process of a semiconductor device, and its manufacturing method.例文帳に追加

ＩＤマークの高い視認性を維持でき、半導体装置の製造工程の一貫した生産管理が可能となる半導体ウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To early find a wafer of element isolation level difference abnormality and to control a polishing amount in a CMP process to an appropriate size by a simple configuration and with good accuracy.例文帳に追加

素子分離段差異常ウェハの早期発見を可能とし、ＣＭＰ工程における研磨量を簡便な構成でしかも精度良く適切な大きさに制御する。 - 特許庁

To perform edge relief process at high work efficiency and low cost, to control the relief width of an oxide film at high precision, and to make the relief width constant across the circumferential direction of a semiconductor wafer.例文帳に追加

作業効率が高く低コストでエッジレリーフ工程を行えるようにするとともに、酸化膜のレリーフ幅を高精度に制御し、さらに半導体ウェーハの周方向にわたってレリーフ幅を均一にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and method in which more appropriate wafer temperature control for a reduced time is realized particularly in a multi-chamber process.例文帳に追加

特にマルチチャンバプロセスに、より好適でより時間短縮可能な基板温度制御を実現する半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing environment for a wafer manufacturing process and an SPC environment for setting control limits and obtaining the measurement data of production runs.例文帳に追加

本発明は、ウェーハ製造プロセスのための製造環境（１１０）、並びに制御限界を設定すると共に生産ランの測定データを取得するＳＰＣ環境（１１２）を提供する。 - 特許庁

To determine an exposure condition to control the variations of the dimensions in an optional direction and at an optional position corresponding to the variations in a film thickness distribution on the surface of a wafer and an etching process.例文帳に追加

ウエハ面内の膜厚分布およびエッチングプロセス変動に応じた任意の方向と位置における寸法のバラツキを制御できるように露光条件を決定する。 - 特許庁

The chemical solution staying in the nozzle, etc. is discarded by the pre-dispensing operation, and therefore, the degraded chemical solution is prevented from being supplied to the wafer after the process recipe control is started again.例文帳に追加

プリディスペンス動作により、ノズルなどに溜まった薬液が廃棄されるので、プロセスレシピ制御の再開後に、劣化した薬液がウエハに供給されることを防止できる。 - 特許庁

The equipment can attain the wafer process performance by way of keeping a non-contact gap between a retainer and a grindstone, with a means to control the gap within the limited range, and by specifying the retainer compression at 3000 kg/cm2 or higher.例文帳に追加

リテーナと砥石面を非接触に保つとともにそのギャップを一定範囲内に制御する手段を備えることと，リテーナの圧縮強度を３０００ｋｇ／cm^2以上とすることにより達成できる。 - 特許庁

The variation of light emitting intensity (light output) between individual wafers produced by epitaxial growing is uniformized within a fixed range by the control of individual wafer process.例文帳に追加

エピタキシャル成長させて製作した個々のウエハー間の発光強度（光出力）のバラツキを、個々のウエハープロセスの制御により一定の範囲に均一化することを特徴とする発光ダイオード(ＬＥＤ)の製造方法。 - 特許庁

The control unit 4 modifies wafer transfer conditions, such as changes in the threshold of vacuum pressure, addition of internal retrying process, change in the vacuum pressure, etc, based on the warpage information regarding the wafers.例文帳に追加

制御部４はこのウエハの反り情報に基づいて、真空圧のしきい値の変更、内部リトライの追加、真空圧の変更等のウエハの搬送条件を変更する。 - 特許庁

To provide a low noise amplifier that maintains low noise in a CMOS wafer process while decreasing the number of externally mounted components and has a high added value as a gain control function.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＯＳのウェハープロセスで外付部品点数を減らしつつ低雑音性を維持し、さらに利得制御機能という高付加価値のある低雑音増幅器を提供すること。 - 特許庁

Image subtraction methods are used to detect wafer defects, which are reported to a main computer 50 to aid in statistical process control, particularly for manufacturing equipment.例文帳に追加

ウェーハの欠陥を検出するために、画像を比較する方法が使用され、こうした欠陥は、統計的な工程制御、特に製造設備を支援するために、メインコンピュータ５０に報告される。 - 特許庁

To control the manufacturing process of a semiconductor device on the basis of an obtained dimension, in such a way that by using ellipsometry, a workpiece dimension measuring process is included to find the dimension of the pattern formed on a wafer in transverse direction in in non-contact and non-destruction at high speed.例文帳に追加

エリプソメトリを使い、ウェハ上に形成されたパターンの横方向への寸法を、非接触かつ非破壊に、しかも高速に求める加工物寸法測定工程を含み、求められた寸法にもとづいて半導体装置の製造プロセスを制御する。 - 特許庁

To control a manufacturing process of a semiconductor device based on a dimension determined by a processed-object dimension measurement process for measuring side dimensions of a pattern formed on a wafer in a non-contact and non-destructive manner at a high speed by using ellipsometry.例文帳に追加

エリプソメトリを使い、ウェハ上に形成されたパターンの横方向への寸法を、非接触かつ非破壊に、しかも高速に求める加工物寸法測定工程を含み、求められた寸法にもとづいて半導体装置の製造プロセスを制御する。 - 特許庁

The control section 50 calculates the flow volume of the processed gas based on the processed result processing the semiconductor wafer W on the process condition and the gas film thickness-flow volume relational model, controls the flow adjustment portion 21-25, and processes the semiconductor wafer W while changing the flow volume of processed gas into the calculated flow volume of processed gas.例文帳に追加

制御部５０は、プロセス条件で半導体ウエハＷを処理した処理結果と、膜厚流量関係モデルとに基づいて、処理ガスの流量を算出し、流量調整部２１〜２５を制御して、処理ガスの流量を算出した処理ガスの流量に変更して半導体ウエハＷを処理する。 - 特許庁

To uniformly control residual stress or residual distortion in a wafer surface where the crystal of a semiconductor layer is grown while preventing the misregistration of the semiconductor layer in a semiconductor manufacturing process and its contamination, deterioration, deformation, etc. in a thermal treatment step.例文帳に追加

半導体装置製造プロセスにおける半導体層の位置ずれ及び熱処理工程での汚染、変質又は変形等を防止しながら、半導体層を結晶成長させたウェハ面内において残留応力又は残留歪みを均一に緩和できるようにする。 - 特許庁

To provide a silicon wafer which maintains high strength by allowing the control of an oxygen concentration profile with a margin in a distance from a surface when being laminated, and can suppress the generation of an oxygen donor during a device manufacturing process.例文帳に追加

シリコンウェーハの貼り合わせを行う際に、表面からの距離にマージンを持たせて酸素濃度のプロファイルを制御でき、高いシリコンウェーハの強度を維持し、かつ、デバイス製造工程中の酸素ドナーの発生を抑制できるシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

The control computer 202 further displays a composed die image constituted by arranging a monitor image for each grid registered in the monitor image DB 216, which has the same type name as the wafer 204 and is associated with the same process name in conformation to the position of each grid.例文帳に追加

また、制御用コンピュータ２０２は、モニタ画像ＤＢ２１６に登録されている升目ごとの、ウェーハ２０４と同じ品種名で同じ工程名に対応付けられたモニタ画像を、それぞれの升目の位置に対応させて配置して構成した合成ダイ画像を表示装置２０６に表示する。 - 特許庁

A control means 300 controls to heat the wafer 200 of a substrate under process in a chamber every lamp zone 101-104 corresponding to division-controlled lamp 111, based on the measured temperatures of substrate measuring optical fiber type radiation thermometers 401-404.例文帳に追加

チャンバ内に収容される被処理基板であるウェハ２００は、制御手段３００によって、分割制御されるランプ１１１に対応したランプゾーン１０１〜１０４毎に、被処理基板測定用光ファイバ式放射温度計４０１〜４０４の測定温度に基づいて加熱制御される。 - 特許庁