「ふていひせい」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

この条件で形成した画像の画質劣化を認識することにより、不適合品となったトナーボトル２１から偽造品を抽出する。例文帳に追加

The forged product is extracted from the bottle 21 that has been an unmatched product by recognizing the deterioration in image quality of the formed image. - 特許庁

封止材硬化時のＵＶ照射による液晶パネルのＴＦＴ特性劣化を防止し、表示むらをなくし品質の向上を図る。例文帳に追加

To prevent deterioration in TFT characteristics of a liquid crystal panel due to the irradiation of UV rays while hardening a sealing material, to avoid display irregularity and to improve the quality. - 特許庁

すると、前腕部は、非正常可動範囲を測速度軌道Ｆ(ｔ)に則して屈曲動作して、目標到達位置に到達する。例文帳に追加

By doing so, the fore arm undergoes bending movement within an abnormal movable range in accordance with the prediction speed trajectory F(t) and reaches a target attainment position. - 特許庁

液晶表示装置などの平面表示装置に適用できるＴＦＴ用の多結晶シリコンの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of polycrystalline silicon for TFT that can be applied to a flat panel display device, such as a liquid crystal display device. - 特許庁

表示部４は複数の信号線、複数の走査線、画素毎に設けられたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、自発光素子などにより構成されている。例文帳に追加

The display part 4 is comprised of plural signal lines, plural scanning lines, TFTs(thin film transistors) arranged for each pixel, luminous elements, or the like. - 特許庁

画像情報が不定期に送信されてくる状況であっても、効率的に画像形成装置の電力消費を低く抑えること。例文帳に追加

To efficiently reduce the power consumption of an image forming device even in a situation that image information is irregularly transmitted. - 特許庁

ＴＦＴアレイ基板は、画素電極及びＴＦＴの形成領域として規定される画像表示領域（１０ａ）を有し、前記のＴＦＴアレイ基板及び層間絶縁膜の少なくとも一方には、前記画像表示領域の周囲の全部又は一部を囲むように囲い溝（ＧＰ）が掘られている。例文帳に追加

The TFT array substrate has an image display area (10a) defined as the area for forming the pixel electrodes and TFTs, and in at least one of the TFT array substrate and inter-layer insulating film, the groove (GP) is dug surrounding the whole or part of the circumference of the image display area. - 特許庁

ＥＣＵ２は、吸気リフトＬｉｆｔが目標リフトＬｉｆｔ＿ｃｍｄになるように、可変リフト機構７０を駆動し（ステップ１０６）、吸気リフトＬｉｆｔおよび目標リフトＬｉｆｔ＿ｃｍｄのうちの大きい方に基づいて、ソレノイド制御入力Ｉｓｏｌを決定する（ステップ１０７，１０８，１２０〜１２２）。例文帳に追加

The ECU2 drives the variable lift mechanism 70 so that the intake lift Lift becomes a target lift Lift_cmd (step 106), and determines a solenoid control input Isol, based on the intake lift Lift and the target lift Lift_cmd, whichever larger (steps 107, 108, 120 to 122). - 特許庁

十分な弾力性とクッション性を備え、床面との密着性が良好で、優れた防滑性能を有する安全性の高いタフテッドカ−ペット用基布を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a base fabric for tufted carpets having satisfactory resilience and cushioning properties, showing good adhesion to floor faces with high safety because of excellent skidproofness. - 特許庁

画素を構成する絶縁基板ＳＵＢ１上に、該画素を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と同一の半導体膜で、ＴＦＴからなる検出波長域が異なる光を検出する複数の光センサＰＳＥと、光センサＰＳＥの出力に基いて画素の明るさを制御する信号を生成する信号処理回路ＰＳＰを形成する。例文帳に追加

The image display device forms a plurality of light sensors PSE for detecting light whose detection wavelength region is different comprising a thin film transistor (TFT) on the same semiconductor film as the TFT composing pixels on an insulation substrate SUB1 composing the pixels, and a signal processing circuit PSP for generating signals controlling brightness of the pixels based on output of the light sensors PSE. - 特許庁

補正信号生成回路１５は、信号線１１と画素電極４との間で発生する光リーク電流とは逆極性の逆光リーク電流を発生させるための補正信号を、補正信号線１３およびＴＦＴ２を介して画素電極４に供給する例文帳に追加

A correction signal generating circuit 15 supplies a correction signal for generating an inverse optical leakage current which has a polarity opposite to that of an optical leakage current to be generated between the signal line 11 and the corresponding pixel electrode 4 to each pixel electrode 4 via a correction signal line 13 and a corresponding TFT 2. - 特許庁

磁性塗料中の磁性体の再凝集を防止し、塗布適性を向上し、その結果、配向度、表面性、平滑性に優れ、電磁変換特性が良好な磁気記録媒体の工場生産規模での製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a magnetic recording medium having an excellent degree of orientation, surface characteristics and smoothness and good electromagnetic conversion characteristics on a factory production scale as a result of improving coating application suitability by preventing the reaggregation of the magnetic material in a magnetic coating material. - 特許庁

補正用ゲイン発生回路２４、補正用オフセット発生回路３０には、画素位置（例えば水平ライン毎）に対する駆動ＴＦＴのＶ−Ｉ特性に対応するゲイン、しきい値レベルに対応するオフセットについて補正値を発生する。例文帳に追加

In a gain for compensation generation circuit 24 and an offset for compensation generation circuit 30, a compensation value is generated for gain corresponding to V-I characteristics of a driving TFT to pixel positions (for example, every horizontal line) and offset corresponding to threshold levels. - 特許庁

そして、データ伝達経路情報が示すデータ伝達経路にセキュリティ検証用ポリシーに一致するデータ伝達経路があるか否かを探索し、不適経路があった場合には、探索された不適経路を生成する原因となった不適設定を検索し、検索された不適設定を示す不適設定情報を表示する。例文帳に追加

Whether the data transmission passage matched with the security verification policy exists in the data transmission passage indicated by the data transmission passage information or not, is searched, and when an inadequate passage exists, the inadequate setting causing the formation of the searched inadequate passage is searched, and the inadequate setting information indicating the searched inadequate setting, is displayed. - 特許庁

光露光に適したパターンと、不適切なパターンを分離して光露光パターンデータと荷電粒子描画パターンデータを生成するリソグラフィ用パターンデータ生成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming pattern data for lithography which forms light exposure pattern data and a charge particle drawing pattern data by separating a pattern suitable for light exposure and a pattern inadequate for the same. - 特許庁

金融商品取引業者等が、例えば、顧客の財務内容の適切な開示という観点から著しく不適切な商品を組成・提供し、金融市場に対する信頼性を損なうなど公益を著しく侵害していないか。例文帳に追加

Whether the Financial Instruments Business Operator, etc., is undermining public interests significantly by, for example, originating and providing products markedly inappropriate from the viewpoint of appropriate disclosure of financial conditions to customers, thereby damaging confidence in the financial markets?  - 金融庁

多品種の電子部品を基板に実装する場合にも、少ない種類の異方性導電材（ＡＣＦ）テープで対応できるＡＣＦテープの貼着装置および貼着方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an anisotropic conductive film (ACF) tape affixing device capable of performing affixing with a little kinds of ACF tapes even if many kinds of electronic parts are mounted on a board and to provide a method of affixing. - 特許庁

さらにＴＦＴ基板２０１は、動作半導体層２３、３７と同一層に形成され、画素用ＴＦＴ５に入射する光を遮光する遮光用ａ−Ｓｉ膜５１を有している。例文帳に追加

The TFT substrate 201 is further formed in the identical layer as the operating semiconductor layer 23, 37, and has the a-Si film 51 for shielding for shielding the light which enters into the TFT5 for pixel. - 特許庁

マグネシア含有不定形耐火物中のマグネシアの水和反応を適切に抑制し、実機における不定形耐火物の消化による劣化を抑制することを可能にする評価方法を提供する。例文帳に追加

To properly suppress the hydration reaction of magnesia in a magnesia-containing monolithic refractory to suppress the deterioration due to slaking of the monolithic refractory in an actual machine. - 特許庁

また、光電変換素子部の半導体層を厚膜化し、一方、スイッチＴＦＴの半導体層を薄膜化することにより、信号変換素子及びスイッチＴＦＴの性能を共に向上させ、感度向上を達成する。例文帳に追加

Furthermore, performance of both a signal conversion element and the switch TFT is enhanced by making thick the semiconductor layer at the photoelectric conversion part and making thin the semiconductor layer of the switch TFT thus enhancing the sensitivity. - 特許庁

これにより、ＴＦＴ基板１６のスイッチ素子２８子と回路基板５４とを接続する等の製造作業や、ＴＦＴ基板１６及び回路基板５４のメンテナンス作業における作業性が向上する。例文帳に追加

Accordingly, higher workability can be attained, in manufacturing operations, such as connecting of switching elements 28 of the TFT substrate 16 and the circuit substrate 54, and in the maintenance operations of the TFT substrate 16 and the circuit substrate 54. - 特許庁

ＦＴ合成油を更に含む場合の好ましい配合比率は、ＦＴ合成油が２５〜５０容量％更に好ましくは２５〜４５容量％、バイオマス燃料が３０〜４５容量％である。例文帳に追加

The preferable compounding ratio in the case wherein the FT synthetic oil is further contained is such that the content of the FT synthetic oil is 25-50 vol%, further preferably 25-45 vol% while the content of the biomass fuel is 30-45 vol%. - 特許庁

チャイルドセイフティシートに対して乗物シートベルトのストラップを締めるのに必要な力を小さくするチャイルドセイフティシートを提供する。例文帳に追加

To provide a child safety seat capable of reducing necessary force for tightening a strap of a vehicle seat belt to the child safety seat. - 特許庁

簡単な回路構成で、画素ＴＦＴの特性に温度変化、経年変化及び個体ばらつき等が生じた場合であっても、最も適した駆動電圧で画素ＴＦＴを駆動できる表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display device capable of driving a pixel TFT with the most suitable drive voltage, using a simple configuration, even if the pixel TFT has temperature variation, secular change, individual body dispersion, etc., of characteristics. - 特許庁

開示される液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１上のＴＦＴ３２のバックチャネル３４上の段差部分３３を含むＴＦＴ３２の周囲を覆い、かつラビング方向２６の下流側の位置にフォトレジスト膜（感光性樹脂）等から成る障壁１０が形成されている。例文帳に追加

In the liquid crystal display device, a barrier wall consisting of a photoresist film (photosensitive resin) or the like is formed to cover the periphery of a TFT 32 including a step part 33 on the back channel 34 of the TFT 32 on the TFT substrate 1 and is formed in the downstream side of the rubbing direction 26. - 特許庁

本発明は、基板上に複数のＴＦＴ基板領域が配置され、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子に用いられる多面付けＴＦＴ基板であって、ゲート線およびソース線が絶縁されていることを特徴とする多面付けＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成するものである。例文帳に追加

The multiple imposition TFT substrate has a plurality of TFT substrate regions disposed on the substrate and is used for the liquid crystal display elements using the ferroelectric liquid crystal, wherein gate lines and source lines are insulated from each other. - 特許庁

炭化珪素を含有する不定形耐火物の欠点である酸化に伴う耐食性の低下を抑制し、溶銑との接触により粘性の高い皮膜を形成することをもって長寿命な耐火材料を提供する。例文帳に追加

To provide a long-life refractory material made by suppressing the reduction in corrosion resistance due to oxidization which is a disadvantage of the monolithic refractory containing silicon carbide and forming a highly-viscous film when the material is brought into contact with molten iron. - 特許庁

各種ディスプレイの製造工程において、帯電を引き起こし難いとともに、プレートにはり付き難く、しかも配線膜の断線やＴＦＴの形成不良等が発生し難いガラス基板の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a glass substrate which, in a production process of various displays, is hardly electrostatically charged, hardly sticks to a plate, and hardly causes disconnection of a wiring film, poor formation of TFT, and the like. - 特許庁

高開口率化および高精細化のためにＴＦＴ基板側の配線をＢＭとして兼用するＣＦ ｏｎ ＴＦＴ構造において、寄生容量による表示異常を防ぐと共に、電気的接続の信頼性が高いコンタクトホールを形成する。例文帳に追加

To prevent display abnormality from occurring due to parasitic capacitance, and also to form a contact hole highly reliable in electric connection, in a CF on TFT structure using the wiring on a TFT substrate also as BM for a high aperture ratio and high definition. - 特許庁

製造条件の変動などによりＴＦＴの特性が低下しても、常に良好な表示品位とコントラストを維持し、画面内の表示が均一な液晶表示装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To obtain the liquid crystal display device which has a uniform display on its screen by maintaining invariably excellent display quality and contrast even if TFTs deteriorate in characteristic owing to changes of manufacture conditions. - 特許庁

ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。例文帳に追加

A TFT element 1 comprises: a P doped n^+a-Si film 6 formed on an a-Si film 5; and an Si film 7 of less than 1 nm formed on the P doped n^+a-Si film 6. - 特許庁

厚さ２００μｍ以下のプラスチック板で形成されたマザー対向基板２００には、マザーＴＦＴ基板に形成された表示領域３０に対応して表示領域３０が形成されている。例文帳に追加

The display areas 30 are formed corresponding to the display areas 30 formed at the mother TFT substrate in a mother counter substrate 200 formed of plastic having a thickness of 200 μm or smaller. - 特許庁

遺伝性の非家族性大腸癌に関与するヒトＭＳＨ２遺伝子を、ＤＮＡ不適合修復に含まれるＭｕｔＳクラスの遺伝子に対する相同性に基づいて同定した。例文帳に追加

The human MSH2 gene, responsible for hereditary non familial colorectal cancer, was identified by virtue of its homology to the MutS class of genes, which are involved in DNA mismatch repair. - 特許庁

レベルコントローラ６３はフラッシュタンク４１内の水位が基準水位ＮＷＬ以上の場合に第１Ｆ／Ｔ水位制御弁６１の開度を増加させ、さらに水位が上昇して基準高水位ＨＷＬ以上の場合に第２Ｆ／Ｔ水位制御弁７１の開度を増加させる。例文帳に追加

A level controller 63 increases the degree of opening of a first F/T water level control valve 61 in the case the level in the tank 41 is at the reference level NWL or over and increases the degree of opening of a second F/T water level control valve 71 in the case the level further rises to get the reference high level HWL or over. - 特許庁

トロイダル型無段変速機の変速比制御の基準となるステッピングモータのステップ位置に関する学習が完了していない場合にも、不適正なステップ位置を基準として変速比制御が行われる事を防止し、変速比制御の信頼性を確保できる構造を実現する。例文帳に追加

To achieve a structure which prevents performance of speed change ratio control with reference to an improper step position and ensures the reliability of the speed change ratio control, even when learning relating to the step position of a stepping motor which is a reference for speed change ratio control of a toroidal type stepless transmission has not been completed. - 特許庁

本発明では、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板上のＴＦＴ電極において、ソース電極あるいはドレイン電極が、銅を主体とした層と、該銅を主体とした層を被覆する酸化物からなることを特徴とする。例文帳に追加

In a TFT electrode on a TFT substrate constituting the liquid crystal display device, the source electrode or drain electrode is characterized in forming of an oxide covering a layer that is mainly formed of copper. - 特許庁

要求吸入空気量ＧＡＩＲＣＭＤが比較的小さいゲージ圧制御領域では、吸気弁の目標リフト量ＬＦＴＣＭＤが下限リフト量ＬＦＴＭＩＮに設定される。例文帳に追加

A target lift amount LFTCMD of an intake valve is set at the minimum lift amount LFTMIN in a gauge pressure control region having a relatively small required suction air amount GAIRCMD. - 特許庁

本発明の目的は、従来と比較してオフ電流Ｉ_ｏｆｆが低く、ＴＦＴのチャネルの厚みを一定にでき、ソース電極などの断線が生じないＢＣＣ構造のＴＦＴおよびその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a TFT (thin-film transistor) having a BCC structure that is lower in OFF-state current I_off than heretofore and of which channel can be made uniform in thickness, and wherein no disconnection in a source electrode or the like occurs. - 特許庁

ＦＰＤ１５は、光導電膜１８と、バイアス電極層１９と、ＴＦＴ基板２０と、ＴＦＴ基板２０の下に位置する制御基板２１と、ヒートシンク２２と、筐体２５と、排気ファン２６とからなる。例文帳に追加

This FPD 15 includes a photoconductive film 18, a bias electrode layer 19, a TFT substrate 20, a control board 21 located under the TFT substrate 20, heat sinks 22, a casing 25, and an exhaust fan 26. - 特許庁

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上の画像表示領域に、画素電極（９ａ）と、これに接続された画素スイッチング用ＴＦＴ（３０）と、これに対して積層形成された蓄積容量（７０−１）とを備える。例文帳に追加

The optoelectronic device is provided with a pixel electrode (9a), a TFT (30) for pixel switching connected thereto and a storage capacitor (70-1) laminated thereon, in an image display area on a TFT array substrate (10). - 特許庁

ハ．いかなる理由であれ、反社会的勢力であることが判明した場合には資金提供や不適切・異例な取引を行わないこと。例文帳に追加

C. Avoiding providing funds or engaging in inappropriate or unusual transactions for whatever reason if the counterparty has been found to be an anti-social force.  - 金融庁

その他、ＴＦＴの半導体層（１ａ）に対する光遮蔽手段たる溝１２ｃｖ等もまた形成されている。例文帳に追加

Others, such as grooves 12cv etc., which are light shielding means to the semiconductor layers (1a) of the TFTs are also formed. - 特許庁

まず、ＴＦＴ基板１２０の表面に露出した電極パッド１１１に対し、ハンダ噴流法などを用いてハンダバンプ１１２を形成する。例文帳に追加

First, the solder bump 112 is formed on an electrode pad 111 which is exposed on a surface of the TFT substrate 120. - 特許庁

点順次電流サンプルホールド回路１０３１（−１〜−ｎ）において、カスコード接続を行っているサンプリング回路のスイッチングトランジスタとしてのＴＦＴ１２５（−１〜−ｎ），１２６−１（−１〜−ｎ）に、サンプリングトランジスタとしてのＴＦＴ１２１（−１〜−ｎ），１２２（−１〜−ｎ）と逆極性のトランジスタを用いる。例文帳に追加

The TRs of a polarity reverse from the polarity of TFTs 121 (-1 to -n) and 122 (-1 to -n) as sampling TRs are used for TFTs 125 (-1 to -n) and 126-1 (-1 to -n) as switching TRs of cascade connected sampling circuits in point sequential current sample hold circuits 1031 (-1 to -n). - 特許庁

抵抗素子としてのＴＦＴ１０と付加容量Ｃｓとによって遅延回路を構成し、スイッチング素子としてのＴＦＴ５の光リークによるオフ電流の増加を抑制する。例文帳に追加

Increase of the off-current due to the light leakage of the TFT 5 as the switching element is suppressed by constructing a delay circuit with the TFT 10 as the resistive element and the auxiliary capacitor Cs. - 特許庁