「よどまりします」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、細かい欠陥を高スループット、高信頼性で検査を行う手段を提供し、そのような装置でマスク検査を行う事によりデバイス製造の歩留りを向上させるデバイス製造方法を提供する事を目的とする。例文帳に追加

To provide a means of carrying out the inspection of a fine defect at a high throughput and high reliability, and a manufacturing method of a device in which the yield of device manufacturing is improved by carrying out mask inspection by such a device. - 特許庁

感度、解像度、密着性に優れ、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂積層体、及びそれを用いたサンドブラスト表面加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin laminate having excellent sensitivity, resolution and adhesion property as a mask material for sand blasting with which a fine pattern can be worked with high yield in a base material to be worked, and to provide a method of sand blast surface working by using the laminate. - 特許庁

半導体基板をエッチングするマスク開口部において、センサ形状と無関係の位置にエッチング開口幅を狭めるマスク補正パターンを形成し、ウエハ外周部に向かって、マスク補正パターンのサイズを調整することにより、ウエハ面内でのエッチングレート差を縮め、歩留まりの向上及び低コスト化を図る。例文帳に追加

A mask correction pattern for narrowing an etching opening width is formed in a position in irrelevance to a sensor shape, in an etching opening part for etching the semiconductor substrate, and the etching difference within the wafer face is narrowed by regulating a size of the mask pattern toward a wafer outer circumferential part to enhance the yield and to reduce the cost. - 特許庁

被処理基体を加工する際に、マスク形状に起因する被処理基体の形状異常の発生を防止でき、被処理基体の形状異常によるデバイスの歩留まり低下を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of semiconductor devices capable of preventing occurrence of shape abnormity of a base to be processed due to a mask shape in the case of processing the base to be processed, and suppressing the degraded yield of the devices due to the shape abnormity of the base to be processed. - 特許庁

また、この拡散反射板を、解像限界以上のサイズのパターンの領域と解像限界未満のパターンの領域とパターンのない領域とを組み合わせたフォトマスク３２を用いて作製することにより、少ない工程で歩留まり良く安価に作製できるようにする。例文帳に追加

Further, the diffusion reflection plate is manufactured by using a photomask 32 prepared by combining a region of pattern of size of resolution limit or more, a region of pattern less than resolution limit and a region having no pattern and, thereby, the liquid crystal display device can be manufactured with a few processes, at a good yield and at a low cost. - 特許庁

確実に二酸化珪素の残留の課題を解消できると共に、反マスクエッチング作業や再除去作業を要しないようにすることができ、研磨制御能力を向上でき、コストを低減させることができとともに、歩留まりをも向上できる化学機械平坦化方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for chemical and mechanical planarization capable of surely eliminating a residue of a silicon dioxide, without requiring reverse mask etching work or re-removing work, improving the grinding control capability, reducing the cost and improving the yield. - 特許庁

歩留まりが高く、製造コストを抑制し、リードタイムを短くできる実装基板の製造方法と、この方法で製造された微細な導電パターンを有する実装基板およびそれを製造するためのマスター基板を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a mounting substrate having a high yield, reduced manufacturing costs, and a short lead time, to provide a mounting substrate having a fine conductive pattern manufactured by the foregoing manufacturing method, and further to provide a master substrate for manufacturing the mounting substrate. - 特許庁

研磨加工中に研磨スラリ中の汚染金属がシリコンウェーハ内に拡散するメカニズムを明らかにして、シリコンウェーハの汚染量を一定レベル以下に低下させるパラメータを明確に定め、半導体デバイスの製造歩留まり向上を確実に行えるようにする。例文帳に追加

To increase the production yield of semiconductor device surely by making clear a mechanism where a contaminant metal in abrasive is diffused into a silicon wafer during a polishing operation thereby determining parameters for lowering the contamination of the silicon wafer down to a predetermined level or below. - 特許庁

研磨加工中に研磨スラリ中の汚染金属がシリコンウェーハ内に拡散するメカニズムを明らかにして、シリコンウェーハの汚染量を一定レベル以下に低下させるパラメータを明確に定め、半導体デバイスの製造歩留まり向上を確実に行えるようにする。例文帳に追加

To surely improve the manufacture yield of a semiconductor device while clarifying a mechanism that a contaminated metal in polishing slurry is diffused in a silicon wafer during polishing work, and clearly deciding a parameter for decreasing the contamination of the silicon wafer to a fixed level or lower. - 特許庁

半導体ヴィアホール加工工程において、ドライエッチング耐性良好、かつ低温において形成可能なマスク材料を使用することにより、ヴィアホール微細化や高歩留まり化を達成させ、高性能な超高周波半導体装置が実現できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device for using a mask material that has excellent dry etching resistance and can be formed at low temperature to achieve a fine via hole and a high yield in a semiconductor via hole-machining process, and achieving a high-performance ultra-high-frequency semiconductor device. - 特許庁

有機層間絶縁膜を有する多層配線構造を備えた半導体装置において、前記有機層間絶縁膜上に、低誘電率の研磨ストッパ膜を形成し、さらに下層配線パターンにディッシングが生じた場合にも上層の配線パターンを歩留まり良く、安定して形成する。例文帳に追加

To form a polishing stopper film with a low dielectric constant on an organic interlayer insulating film of a semiconductor device having a multi-layered wiring structure with the organic interlayer insulating film and to form a wiring pattern of an upper layer stably in a favorable yield even if a lower-layer wire is dished. - 特許庁

しかし、ＳｉＯ_2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。例文帳に追加

This nitride semiconductor structure has a substrate having a growth surface made of the same material and having a projection portion and a recess portion formed thereon; and a nitride semiconductor film grown at least on the projection portion of the growth surface. - 特許庁

磁気記録媒体に磁気転写記録すべきディジタル情報信号に対応した形状パターンが強磁性薄膜の形態で非磁性基体の表面に形成されているマスター情報担体において、磁気記録媒体の信号品質を維持、管理したり歩留まり改善を行う上で必要となるマスター情報担体の製品管理を合理的に行えるようにする。例文帳に追加

To provide a master information carrier on the surface of a nonmagnetic base of which a shape pattern corresponding to a digital information signal to be magnetically transfer-recorded on magnetic recording media is formed in the form of a ferromagnetic thin film and whose production management required to maintain and manage the signal quality of the magnetic recording media and enhance the yield can be rationally performed. - 特許庁

消費者金融大手3社の過払金返還負担額の動向を見ると、平成19年度は3,606億円、20年度は3,700億円、21年度は3,889億円となっておりまして、今ご案内のあったように今般発表されました22年度の第3四半期、4月から12月の決算では約3,010億円になっておりまして、前年同月比プラス5.8％となっておりまして、高止まりの状況が続いていると承知いたしております。例文帳に追加

As for the trend in the amount of reimbursement of overpayment by the three major consumer loan companies, the amount stood at 360.6 billion yen in fiscal 2007, 370 billion yen in fiscal 2008, and 388.9 billion yen in fiscal 2009. According to the recent announcement of the financial results for the period from April to December of 2010, the amount stayed at a high level, at around 301 billion yen, representing an increase of 5.8% compared with the same period of the previous year.  - 金融庁

高アスペクト比のホールを形成するような場合であっても、Ｘｅガスを用いることなく、マスク倒れの発生を抑制することができ、製造コストの上昇を招くことなく歩留まりの向上を図ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma etching method and apparatus capable of improving a production yield with no increase in manufacturing costs by preventing a mask collapse without using Xe gas, even when forming a hole having a high aspect ratio. - 特許庁

透過モードで品位の高いカラー画像を表示でき、かつ、電気光学装置の歩留まりや信頼性の向上を図ることのできる電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、電気光学装置用基板の製造方法、露光マスクを提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate for an electrooptical device capable of displaying a color image of high quality in a transmission mode and enhancing yield and reliability of the electrooptical device and to provide the electrooptical device, electronic equipment, a manufacturing method of the electrooptical device and an exposure mask. - 特許庁

この勢いは今後も継続する見込みであると認識していますが、同時に、原油価格の高止まりや更なる上昇、金利の反転・上昇を背景とした資本フローの変化、流動性の逼迫が新興市場国の資金調達に与える影響、鳥インフルエンザといったリスク要因が存在しており、注意が必要です。例文帳に追加

At the same time, we need to remain vigilant to the possible risks of persistence of or a further increase in high oil prices, the effects on emerging market economies’ financing of reduced liquidity and changes in capital flows reflecting interest rate reversals, as well as the avian flu pandemic.  - 財務省

位相反転マスクに形成される透光領域のパターンの各方向の配列ピッチが異なる場合に、従来の露光波長を使用して、ウエハに形成される透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにし、半導体素子の歩留まり及び信頼性を向上し得る位相反転マスク及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a phase inversion mask which can improve the yield and reliability of a semiconductor element by equalizing the limit sizes of a light transmission pattern formed on a wafer in respective directions by using conventional exposure wavelength when the pattern of a light transmission area formed on the phase inversion mask is different in array pitch with the direction and its manufacturing method. - 特許庁

先般、Ｇ７（七か国財務大臣・中央銀行総裁会議）の会合が開かれまして、色々為替安、通貨安競争について主要なテーマとなったのですけれども、依然日本の円高が高止まりしているような状態ではあるのですけれども、Ｇ７のこの会合の評価をお願いできますでしょうか。例文帳に追加

It turned out that in the G7 (Group of Seven Financial Ministers and Central Bank Governors) meeting that was held recently, the dominating subject was the trend of nations vying to keep their exchange rates or currencies lower, but the Japanese yen still remains at high levels. Can you please give your evaluation of this G7 meeting?  - 金融庁

基本的に、この世界経済の趨勢は今後も継続することが見込まれると認識していますが、いくつかの国でのインフレ圧力の顕現化、地政学的リスクを背景とした原油価格の高止まりや更なる上昇、世界的不均衡の無秩序な調整の可能性などといったリスク要因も引き続き存在しており、注意が必要です。例文帳に追加

I expect this expansion to be sustained but concurrently we must all remain vigilant to the possible risk of rising inflationary expectations in some member countries, a further increase in already high oil prices against the background of ongoing geopolitical uncertainties, and a disorderly unwinding of global imbalances.  - 財務省

液晶表示装置等のアレイ基板及びその製造方法において、マスクパターンと、アレイ基板上に既に形成されたパターンとの位置合わせの精度及び信頼性を向上させることができ、マスクパターンの位置合わせのミスやエラーによる製造歩留まりの低下や製品不良を防止することができるものを提供する。例文帳に追加

To make it possible to improve the accuracy and reliability of the alignment of mask patterns and patterns already formed on an array substrate and to prevent the degradation in a production yield and product defect by the failure and error of the alignment of the mask patterns. - 特許庁

ハードマスク膜による焦点深度のマージンの低下及びアライメントマークの視認性の低下を防ぎ、且つ、セルフアラインドビアの形成を可能とすることにより、配線同士のショートによる歩留まりの低下を防止すると共に、配線同士の絶縁性を高め、その信頼性を向上させるようにする。例文帳に追加

To prevent degradation of a yield due to a short circuit between wires by preventing degradation of a margin of the depth of focus due to a hard mask film and degradation of visibility of an alignment mark, and allowing a self-alignment via to be formed, and to improve an insulation property between wires to improve reliability thereof. - 特許庁

これにより、触媒活性物質の表面積を十分に大きくすることが容易であり、また反応性物質の流路に触媒活性物質を設ける際には、マスキングを行うような必要がなく、マイクロリアクタ１の製造時における製造工程を簡略化すると共に歩留まりを向上することができる。例文帳に追加

As a result, the surface area of the active catalyst can easily be sufficiently enlarged and the active catalyst can be arranged in the flow passage of the reactive substance while dispensing with the masking method so that the manufacturing step of the micro reactor 1 can be simplified and the yield of the micro reactor can be improved. - 特許庁

現像後の解像性及び密着性並びに耐サンドブラスト密着性に優れ、サンドブラスト用のマスク材として被加工基材に微細なパターンを歩留まりよく加工できる感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、被加工基材の表面加工方法及びプラズマディスプレイの背面板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin composition capable of finishing a substrate to be processed for forming a minute pattern with a good yield as a sandblasting mask material with the superior resolution after development, adhesion and sandblasting resistant adhesion, a photosensitive resin laminate, a surface finishing method for a substrate to be processed, and a method for manufacturing a back plate of a plasma display. - 特許庁

基板間の吸着力を検出できるようにすることにより、特に露光中における露光マスクの破壊を事前に防止することができ、ウエハやガラス基板などに対する歩留まりや、スループットの向上を図ることが可能となる基板間の吸着力の検出方法、近接場露光方法及び近接場露光装置を提供する。例文帳に追加

To provide detecting method of attracting power between substrates, method of proximity exposure and device for the proximity exposure which permit the prevention of rupture of an exposure mask previously during exposure especially and the contriving of an yield or a throughput with respect to a wafer, a glass substrate or the like by permitting the detection of the attracting power between substrates. - 特許庁

アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置において、逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する画素部及び端子部を作製する工程数を削減して、具体的にはフォトリソグラフィー工程で使用するフォトマスクの枚数を削減して、電気光学装置の生産性、歩留まりを向上させ、製造コストの低減を実現することを課題とする。例文帳に追加

To reduce manufacturing cost by improving productivity and a yield of an electrooptical device by reducing the number of processes of manufacturing a pixel part having a reverse stagger type thin-film transistor, and a terminal part, and specifically reducing the number of photomasks used in a photolithography process, in an electrooptical device typified by an active matrix type liquid crystal display device. - 特許庁

被充填基板に形成されたスルービア導体の貫通孔に、樹脂ペーストを充填して加熱硬化させた際、被充填基板の表面から盛り上がった樹脂の表面がほぼ平坦になり、研磨除去が容易で、歩留まりが高いプリント配線板の製造方法及びこれに用いるマスクを提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing such a printed wiring board that is easy to be ground and high in yield and a mask therefor, by flatening the surface of a resin protruding over the surface of a substrate to be filled when a through hole of a through via conductor formed in the substrate is filled with a resin paste and it is heated and cured. - 特許庁

導電体１によって機械的な強度を増すことができ、また各電極１２ａ，１３ａを例えばフォトリソグラフィを用いて形成するときには、半導体基板１０に電極材を表面の凹凸を抑えて積層することができて、フォトレジストを前記表面上に沿って略均一に塗布することができ、従来例のような現像むらを抑えて歩留まりを向上させることができる。例文帳に追加

The conductor 1 can increase the mechanical strength, and when the respective electrodes 12a and 13a are formed using, for example, photolithography, the recesses/projections on the surface of electrode materials can be suppressed in lamination on the semiconductor substrate 10, photoresist can be applied approximately uniformly along the surface, and the conventional development unevenness are suppressed to improve the yield. - 特許庁

しかし、ＳｉＯ_2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。例文帳に追加

This nitride semiconductor structure has: a first substrate having a growth surface which consists of the same material and in which a protruded portion and a recessed portion 114 are formed on the growth surface; and a first nitride semiconductor film which is grown on at least the convex portion of the growth surface. - 特許庁

しかし、ＳｉＯ_2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。例文帳に追加

This nitride semiconductor structure is provided with a sapphire substrate having processing structures of a recess portion and a projection portion on its surface in advance; a nitride semiconductor buffer layer formed on at least the projection portion on the substrate; and a nitride semiconductor layer formed on the semiconductor structure having an uneven portion by the sapphire substrate and the nitride semiconductor buffer layer. - 特許庁