「パターンの分離」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

基板上に自己組織化単分子膜とポリマー膜を積層する工程と、エネルギー線を照射することにより前記ポリマー膜と前記自己組織化単分子膜を化学結合させ、ポリマー表面層を前記自己組織化単分子膜上に形成する工程と、相分離構造のパターンを有するポリマーアロイを前記ポリマー表面層上に形成する工程と、を含むパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

The pattern formation method includes the steps of: laminating a self-assembled monolayer and a polymer film on a substrate; chemically bonding the polymer film to the self-assembled monolayer with an irradiation of an energy ray, thereby forming a polymer surface layer on the self-assembled monolayer; and forming a polymer alloy having a pattern of a phase-separated structure on the polymer surface layer. - 特許庁

非磁性体基板と、前記非磁性体基板上に互いに分離するようにパターン化して形成された磁気記録層および磁気記録層のパターン間に埋め込まれた非磁性体と、前記磁気記録層および非磁性体上に形成された金属膜と、前記金属膜上に形成されたカーボン保護膜とを有することを特徴とする磁気記録媒体。例文帳に追加

The magnetic recording medium has a non-magnetic substrate, magnetic recording layers patterned and formed to separate from each other on the non-magnetic substrate, non-magnetic materials embedded between the patterns of the magnetic recording layers, metallic films formed on the magnetic recording layers and the non-magnetic materials and carbon protective films formed on the metallic films. - 特許庁

マルチドメイン構造の残留磁化状態のマスター担体との密着時のズレに伴うマスター担体の凹領域に対応する磁気記録媒体の初期磁化方向と逆方向への反転現象を抑制し、転写パターンの分離度を向上し、高品質な磁気転写を可能とする。例文帳に追加

To achieve high quality magnetic transfer by suppressing an inversion phenomenon to a direction reverse to an initial magnetization direction of a magnetic recording medium corresponding to an uneven area of a master carrier accompanying a deviation when adhering to the master carrier in a residual magnetization state of a multi-domain structure, and by improving a degree of separation of a transfer pattern. - 特許庁

ディザ信号を動作クロックの周波数の１／１６〜１／８の周波数でそのパターンを変化させるものとしてあるため、ディザ信号によるノイズ成分の周波数が低下し、後段において信号とディザ信号成分との分離を容易にすることが可能となる。例文帳に追加

Since the pattern of the dither signal is changed by a frequency of 1/16-1/8 of the frequency of an operation clock, the frequency of a noise component by the dither signal is lowered and the signal and the dither signal component can easily be separated at a post-stage. - 特許庁

データを挟んで連続する複数のプリアンブル内の分離パターンの再生信号からそれぞれチャネル推定演算の結果として求められた複数のチャネル行列をもとに、そのデータの区間内で可変のチャネル行列を推定し、この可変のチャネル行列を用いて、１ユニット分の再生信号からトラックごとの再生信号を分離する処理を行う。例文帳に追加

From the reproduced signals of separation patterns in a plurality of preambles consecutive across data, based on a plurality of channel matrixes obtained as a result of channel estimation calculation, a variable channel matrix is estimated within the section of the data and, by using this variable channel matrix, the reproduced signal is separated from the reproduced signal of one unit for each track. - 特許庁

制御部１２８により最大レベルの画像信号を抽出することで１の蛍光体色の画像が分離されるとともに、その画像信号の位置と蛍光体の配列関係とから他のレベルの画像信号を抽出することで他の蛍光体色の画像が分離され、各蛍光体色のテストパターンの画像を用いてミスコンバージェンス量が算出される。例文帳に追加

A control section 128 extracts an image signal with a maximum level to separate an image in one fluorescent color, extracts an image signal of other level depending on the position of the image signal and the arrangement relation of fluorescence to separate an image in other fluorescent color, and by using the image of the test pattern of each fluorescent color a missed convergence amount is calculated. - 特許庁

この測定処理によって得られた回折線強度の方位分布又は回折パターンの数値化データを用い、特定の結晶相と特定の格子面指数によって生じている回折線の強度成分を、数値処理によってそれ以外の背景強度成分から分離する。例文帳に追加

An intensity component of a diffraction line generated by a specific crystal phase and a specific lattice plane index is separated from other background intensity components by numerical processing by using numerical data of the azimuth distribution of the diffraction line intensity acquired by the measurement processing or a diffraction pattern. - 特許庁

分離絶縁膜１４の下のＳＯＩ層１３にまで達する第１のコンタクト４５ａと、活性領域２１の上面まで達する第１のコンタクト４２ａとを、それぞれ異なるパターンのマスクを用いた別々のエッチング工程により形成する。例文帳に追加

A first contact 45a which reaches an SOI layer 13 below an isolation insulation film 14 and a first contact 42a which reaches the top face of the active region 21 are formed by separate etching processes which each use a mask of a different pattern. - 特許庁

メモリセルの周辺回路のトランジスタ（Ｔｒ）のパターン面積を増大させずに、このＴｒの素子領域の素子分離領域１０７と対向する面にＭＯＳ構造を形成させること無く、メモリセルとこのＴｒを並行して製造する。例文帳に追加

To manufacture a memory cell and a transistor(Tr) of the peripheral circuit of the memory cell in parallel without forming an MOS structure on the surface opposed to an element separation region 107 in the element region of the Tr, with no increase in the pattern area of the Tr. - 特許庁

層状材料から作られた二次元のウェブ材料であって、該二次元のウェブ材料は、不織材料と第１の分離領域と第２の分離領域とを含み、それらが、反転した多辺形の形状のパターンを形成し、かつ、該二次元の層状材料が、機械方向への伸張の間に０．２未満のポアソン比を有するように互いに対して配列されている、二次元のウェブ材料。例文帳に追加

The two-dimensional web material made of the layer material contains a non-woven material and first and second discrete regions, which are arranged relative to one another in such a way that they form a pattern in the form of inverted polygons and that the two-dimensional layer material has a Poisson's ratio of <0.2 during expansion in the machine direction. - 特許庁

素子分離領域の酸化膜厚を減少させず、またゲート材料のパターンニングの際にゲート材料の表面に高低差が生じることなく異なるしきい値電圧を有する複数のＭＯＳＦＥＴを同一の半導体基板上に形成する。例文帳に追加

To form a plurality of MOSFETs having different threshold voltages on the same semiconductor substrate, without reducing the thickness of the oxide film at element isolating regions or forming a difference in height on the surface of a gate material in patterning the gate material. - 特許庁

多数の金型を利用し大面積のパターンを均一に形成して、多数の金型を順次に分離させて金型と絶縁層間の離形問題を防止するためのインプリント法を利用した印刷回路基板の製造方法に関する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a printed circuit board using an imprint method for uniformly forming a pattern of a large area by using a plurality of molds, sequentially separating a plurality of the molds and preventing releasing problem between the mold and an insulating layer. - 特許庁

抵抗ゾーンは、第１及び第２のパターン間に延びる複数の分離した抵抗性通路を含んでおり、抵抗性通路は、抵抗ゾーンの残りの部分よりも相対的に低い電気抵抗値を有する１または複数の材料を含んでいる。例文帳に追加

The resistive zone includes a plurality of discrete resistive pathways that extend between the first and second patterns, and the resistive pathways include one or more materials that have a relatively lower electrical resistivity value than the remainder of the resistive zone. - 特許庁

強磁性領域及び反強磁性領域の境界が狭くかつ強磁性から反強磁性への変化あるいは反強磁性から強磁性への変化が急峻であり、高密度化及び磁気ビット間の磁気分離が可能であり、表面性の劣化を抑制することができるパターンド媒体を提供すること。例文帳に追加

To provide a patterned medium which has narrow boundaries between the ferromagnetic domains and the antiferromagnetic domains and a steep transition from the ferromagnetism to the antiferromagnetism and vice versa, can make high density recording and magnetic separation between magnetic bits and also reduce the surface property degradation. - 特許庁

パッド酸化膜、犠牲酸化膜等のエッチング除去時に半導体基板に形成した素子分離パターンの側壁部がエッチングされて窪みが形成されるのを抑制してＳＴＩ技術の課題を解決し、逆狭チャネル効果を生じないトランジスタの形成を可能にする。例文帳に追加

To fabricate a transistor in which reverse short channel effect does not take place by suppressing formation of a recess through etching of the sidewall part of an isolation pattern formed on a semiconductor pattern when a pad oxide film, a sacrifice oxide film, and the like, are removed by etching thereby solving the problem in an STI(shallow trench isolation) technology. - 特許庁

高電圧半導体装置の活性領域を形成するためのフォトレジストパターンをアラインするためのアラインメントマークの製造工程の数を減少させ、後続に素子分離膜を形成するときに発生する不良を事前に除去して製造工程が容易である。例文帳に追加

The number of manufacturing processes for the alignment marks for aligning the photo resist pattern for forming the active region of the high voltage semiconductor device is reduced, and failure generated when an element separating film is subsequently formed is removed in advance, so that the manufacturing processes are made easier. - 特許庁

裏面照射型の固体撮像装置において、受光部側と回路側との素子分離層を所定のマスクパターンを介した酸素イオン注入と、その後の熱処理によって半導体基板中に酸化膜を形成することにより実現する。例文帳に追加

In solid state image pickup device of rear surface irradiation type, an element isolation layer between a light receiving part side and a circuit side is realized by forming an oxide film in a semiconductor substrate through oxygen ion implantation by way of a predetermined mask pattern and a thermal treatment thereafter. - 特許庁

メモリセルトランジスタの素子分離絶縁膜をメモリセル一つおきに、消去ゲート電極の下にのみ形成したフローティングゲート型半導体記憶装置において、フローティングゲート電極やコントロールゲート電極パターン形成時のフォーカスマージンの確保を容易にする。例文帳に追加

To easily ensure a focus margin, when forming a floating gate electrode pattern and a control gate electrode pattern in a floating gate type semiconductor memory device, in which an element isolation insulating film of a memory cell transistor is formed every other memory cell only under an erasing gate electrode. - 特許庁

硬貨表面画像の２値化処理に際して生じるパターンの分離や結合といった変形を簡単な処理で防止し、硬貨の正為、金種等の識別を確実に行うことのできる硬貨識別方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide coin discriminating method and device capable of reliably discriminating the truth/falsehood of a coin and its denomination by preventing, with simple processing, deformation such as the separation and the connection of patterns which takes place in the case of performing binarization processing of the pictures of the front surface of the coin. - 特許庁

素子分離膜の損失を防止し、フィンアクティブ領域パターンのチャネルとして機能する３つの面が開放されても、オフ漏れ特性が低下することなく電流駆動能力を向上させることができるＦｉｎＦＥＴの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a FinFET which can prevent loss of an element isolation film and improve current driving capability without causing deterioration of off-leakage characteristic, even if three faces working as a channel of a fin active region pattern are released. - 特許庁

続いて、ＣＨＦ_3 を含むエッチングガスの酸素流量を調節することにより、第１及び第２のマスクパターン１６Ｂ、２０Ｂのエッチング速度と素子分離保護膜２１のエッチング速度との比を５対１程度として、制御ゲート電極１５Ｂ及びコンタクト電極１９Ｂを露出する。例文帳に追加

Then, by adjusting the flow rate of the oxygen of an etching gas including CHF3, the ratio of the etching rate of first and second mask patterns 16B and 20B to that of the element isolation protection film 21 is set to approximately 5:1, and a control gate electrode 15B and a contact electrode 19B are exposed. - 特許庁

インプリント方法が開示され、一実施例において、パターン・フィーチャと低減された厚みのエリアとを備えるンプリント可能な媒体にインプリントを形成するために、基板上のインプリント可能な媒体にテンプレートを接触させることと、テンプレートをインプリントされた媒体から分離することと、テンプレートをインプリントされた媒体から分離した後に、パターン・フィーチャにエッチ抵抗材料の層を備えることとを含む。例文帳に追加

A method includes forming an imprint on a medium to be imprinted, having a pattern feature and a decreased thickness area, making a template contact the medium to be imprinted on a substrate, separating the template from an imprinted medium, and after the template has been separated from the imprinted medium, providing a layer of an etching resistance material in a pattern feature. - 特許庁

簡便な方法により、共振器端面と素子分離面との間のテラス状の水平面を確実になくして、良好なファーフィールドパターンを得ることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor laser device, capable of obtaining an excellent far field pattern by definitely forming a terracing horizontal plane between a resonator end face and a device isolation face, using a simple method. - 特許庁

メモリセルと周辺トランジスタが積層ゲート構造を持つ不揮発性半導体メモリにおいて、浮遊ゲート層をパターンニングする際に素子分離用絶縁膜の側面での浮遊ゲート層のエッチング残りを抑え、ゲート同士のショートを防ぐ。例文帳に追加

To restrain an un-etched part from being left on a floating gate layer at the side of an element isolation insulating film when the floating gate layer is patterned so as to prevent a short circuit from occurring between gates, in a nonvolatile semiconductor memory equipped with memory cells and peripheral transistors having a laminated gate structure. - 特許庁

少なくとも１つのパターンを有するマスター基板を準備する段階と、前記少なくとも１つのパターンを覆うように前記マスター基板上にレジン層を配置する段階と、真空環境下で分離用基板を前記レジン層に接着する段階と、前記レジン層を硬化させる段階と、前記レジン層を前記マスター基板から分離する段階と、を備えたことを特徴とするソフトモールドの形成方法にある。例文帳に追加

The method of manufacturing the soft mold comprises a stage of preparing a master substrate having at least one pattern, a stage of arranging a resin layer on the master substrate so as to cover at least one pattern, a stage of attaching a substrate for separation to the resin layer in a vacuum environment, a stage of stiffening the resin layer, and a stage of separating the resin layer from the master substrate. - 特許庁

このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域におけるゲート長がアクティブ領域Ｌの中央部におけるゲート長よりも大きく、全体としてＨ形の平面パターンで構成されている。例文帳に追加

The gate electrode 9a whose gate length in a boundary region between the active region L and element isolating trench 2 is greater than that in the central part of the active region L is constituted of an H-shaped plane pattern as a whole. - 特許庁

このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域におけるゲート長がアクティブ領域Ｌの中央部におけるゲート長よりも大きく、全体としてＨ形の平面パターンで構成されている。例文帳に追加

The gate electrode 9a is composed of an H-shaped plane pattern as a whole, whose gate length in the border region of the active region L and element isolation groove 2 is larger than that in the center section of the active region L. - 特許庁

照明系と結像系の光路の分離に無偏光ビームスプリッタ２００を用い、偏光子１４とλ／４板１７を組み合わせて円偏光照明することで試料１上のパターンの方位によらないＭＴＦ特性を得る。例文帳に追加

A non-polarizing beam splitter 200 is used in the separation of the light paths of an illumination system and an image forming system and a polarizer 14 and a λ/4 plate 17 are combined to perform circular polarization illumination to obtain MTF characteristics not relying on the azimuth of the pattern on the sample 1. - 特許庁

配線パターン形状の形状のばらつきに拘わらず、表面が平坦で良好な膜質のめっき膜を容易に形成でき、しかも老化しためっき液と新鮮なめっき液を互いに分離することで、めっき液の管理が容易なめっき装置及びめっき方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plating apparatus where a plating film having a flat surface and satisfactory film quality can be easily formed regardless of variation in the shape of a wiring pattern and the management of the plating liquid can be easily performed by mutually separating an aged plating liquid and a fresh plating liquid, and to provide a plating method. - 特許庁

所定周期において、コア顧客の負荷パターンのピーク時点から所定周期の半分離れた時点にピークを有する候補顧客を最優先にし、コア顧客のピーク時点に近付くにしたがって優先順位が下がるようにして優先順位を決定し、候補顧客をソートする。例文帳に追加

Candidate customers are sorted by priorities given so that, in a given period, the candidate customer who has the peak at the point separated by half the given period from the peak point of the load pattern of a core customer is given the highest priority, and the priority is reduced as it becomes closer to the peak point of the core customer. - 特許庁

下りデータ送信制御部６ｂは、多重分離装置４からのＡＴＭセルの同報セル識別情報に基づいてＡＴＭセルを複製して下りデータ分配パターンテーブル６ａからの情報に基づいてＡＴＭセルを基地局１０〜１３、２０〜２３、３０〜３３のいずれかに分配する。例文帳に追加

The outgoing data distribution transmission control section copies the ATM cell on the basis of broadcasting cell identification information of the ATM cell from the demultiplexer 4 and distributes the ATM cell to one of the base stations 10-13, 20-23, and 30-33 on the basis of the information from the outgoing data distribution pattern table. - 特許庁

サンドブラスト加工において、サンドブラスト装置内に混入したり、研磨材に混入した研磨材より粒径の大きな細長い形状の異物を完全に分離することにより異物が加工するパターンの間に詰まって加工できない問題や基板へのダメージを最小限に抑える。例文帳に追加

To overcome such a problem that foreign matter is put fast between patterns being processed to result in an impossibility to proceed and also suppress damage to a base board to possible minimum by separating perfectly the foreign matter of a thin and long shape having a greater particle size than a abrasive material having intruded into the sandblasting device or included in the abrasive material in the sandblasting process. - 特許庁

フィルム６は離型層４によりマスター型８から容易に分離され、マスター型８の表面の凹凸のパターンがフィルム６に適切に転写され、導電性ペーストに対して剥離性の高い離型層４を有する転写型１が得られる。例文帳に追加

The film 6 is easily separated from the master mold 8 by the release layer 4, and an uneven pattern on the surface of the master mold 8 is appropriately transferred on the film 6 to obtain a transfer mold 1 with the release layer 4 having high releasing properties to the electrically conductive paste. - 特許庁

各機能グループとして分離されたＡグループ１、Ｂグループ２、Ｃグループ３、Ｄグループ４中の回路部品は、それぞれ対応して設けられている第１層のグランドパターンに接続され、かつスルーホールを通して第３層の電源層に接続されている。例文帳に追加

Circuits in A-group 1, B-group 2, C-group 3 and a D-group 4 separated as each function group are respectively connected with the ground patterns of first layers provided corresponding to them, and connected with a third layer through via holes. - 特許庁

ＭＩＭキャパシタの誘電膜を形成する方法であって、ＭＩＭキャパシタの誘電膜３３ａ上にパッシベーション膜４１ａを形成する段階と、ＭＩＭキャパシタの誘電膜３３ａが上部フォトレジストパターンと直接接触しないように分離させる段階と、を含む。例文帳に追加

The method of forming a dielectric film of an MIM capacitor includes a step for forming a passivation film 41a on a dielectric film 33a of the MIM capacitor, and a step in which the dielectric film 33a of the MIM capacitor is separated from an upper photoresist pattern not to directly contact it. - 特許庁

意味的に分離した複数の領域を持つ数字列を、前記複数の領域毎に分割してそれぞれ持つ音声認識辞書と、複数の音声認識辞書を入力音声パターンに応じて連結して認識する連続音声認識手段とを備える。例文帳に追加

The method is provided with voice recognition dictionaries storing numerical strings having a plurality of areas separated semantically by dividing the numerical strings for every plurality of ranges, respectively, and a continuous speech recognition means to recognize the plurality of voice recognition dictionaries by connecting them according to an inputted voice pattern. - 特許庁

これにより、光検出上では、ＢＤ用対物レンズ１１７を経由した反射光とＨＤ/ＤＶＤ/ＣＤ用対物レンズ１１８を経由した反射光の収束位置が分離され、一方の反射光が他方の反射光を受光するセンサーパターンに入射することはない。例文帳に追加

Thus, the focusing points of the return light passed through the objective lens 117 for the BD and of the return light passed through the objective lens 118 for the HD/DVD/CD are separated for optical detection, and one of the return light does not enter the sensor pattern receiving the other return light. - 特許庁

これにより、光検出上では、ＢＤ用対物レンズ１１６を経由した反射光とＨＤ/ＤＶＤ/ＣＤ用対物レンズ１１７を経由した反射光の収束位置が分離され、一方の反射光が他方の反射光を受光するセンサーパターンに入射することはない。例文帳に追加

Thus, the focusing points of the return light passed through the objective lens 116 for the BD and of the return light passed through the objective lens 117 for the HD/DVD/CD are separated for optical detection, and one of the return light does not enter the sensor pattern receiving the other return light. - 特許庁

電力変換機器の指令装置が計画サーバにおいて計算された、分離系統の周波数が急峻な変化を生じないような、時刻と出力上限値で構成される復帰パターン情報を受信し、電力変換装置の出力上限値を指令する。例文帳に追加

A command device of an electric power conversion apparatus receives return pattern information, which is calculated by a plan server and constituted of time and output upper limit without any sudden change in a frequency of a separate system, and commands the output upper limit of the power conversion system. - 特許庁

半導体デバイスの層間絶縁膜や素子分離工程における、凹凸パターンのサイズが異なる絶縁膜層を持つ半導体基板を高度に平坦化できる半導体基板研磨組成物、半導体基板の研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing composition for a semiconductor substrate and a method for polishing the semiconductor substrate, with and by which the semiconductor substrate having an insulating film layer wherein recess and projection patterns are different in size can be planarized at high level in an interlayer insulating film and element separating process for a semiconductor device. - 特許庁

このループアンテナは、２枚に分離した基板５０、５２と、基板５０、５２の端縁部に形成された複数のランド５３、５５と、基板５０、５２上に形成されたパターン間を電気的に接続するフレキシブル基板５１により構成されている。例文帳に追加

The loop antenna comprises a board split into two sheets 50, 52, a plurality of lands 53, 55 formed on the end edges of the sheets 50, 52, and a flexile board 51 for electrically interconnecting patterns formed on the sheets 50, 52. - 特許庁

また、例えば、液晶パネル部１２０１と受信部本体１２０３とを分離して構成する場合、それぞれのいずれかの構成機材部にアンテナパターンとなるエレメント２３，２４と２５，２６とを備えさせ、ダイバシティアンテナとして機能させることも可能である。例文帳に追加

Moreover, for example, in the case that a liquid crystal panel part 1201 and a reception section main body 1203 are configured separately, elements 23, 24, and 25, 26 acting like antenna patterns are provided respectively on any of the configuration members so that they act like a diversity antenna. - 特許庁

互いに分離された複数の磁性体ストライプにより磁性体ストライプ状パターンを形成し、複数の磁性体ストライプ状配列シートを積層し、各層の磁性体ストライプを互いに交差させることにより、ＲＦＩＤ磁性シートを構成する。例文帳に追加

A plurality of mutually separated magnetic substance stripes form the magnetic substance striped pattern, and a plurality of magnetic substance striped array sheets are laminated having magnetic substance stripes of respective layers orthogonally to each other to constitute an RFID magnetic sheet. - 特許庁

第１トランジスタＴｒ１と非導通領域と第２トランジスタＴｒ２と非導通領域の順序が繰り返されるパターンで、分離領域２０内に複数個の第１トランジスタＴｒ１と複数個の第２トランジスタＴｒ２が配置されている。例文帳に追加

The plurality of first transistors Tr1 and the plurality of second transistors Tr2 are provided in the isolation region 20, in such a pattern that the first transistor Tr1, a non-conductive region, the second transistor Tr2 and a non-conductive region are repeated in this order. - 特許庁

ディスクリートトラック媒体またはパターン媒体の記録層として好適である磁気的に分離された複数の記録層を有し、隣接する記録層間が非磁性材料で埋め込まれた表面平坦性に優れた磁気記録媒体を容易に製造できる磁気記録媒体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium by which the magnetic recording medium having a plurality of magnetically separated recording layers suitable for a recording layer of a discrete track medium or a pattern medium, having the space between neighboring magnetic layers filled with a nonmagnetic material, and excellent in surface smoothness, is easily manufactured. - 特許庁