「パターンの分離」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。例文帳に追加

In dry etching using a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, introduction defects in growth in the silicon substrate 10, which cause conical-pattern defects, are removed by digging a surface part of a separation groove forming region of the silicon substrate 10 at overetching. - 特許庁

発生する電磁ノイズのレベルが相対的に大きな回路ブロック１１ｃに接続されたグランド配線パターン２１ｂと、発生する電磁ノイズのレベルが相対的に小さな各回路ブロック１１ａ，１１ｂに接続されたグランド配線パターン２１ａとを、グランド配線パターン２１ｃによって接続することで高周波的に分離する。例文帳に追加

Separation is made in terms of high frequency, by connecting a ground wiring pattern 21b connected to a circuit block 11c of which the level of generated electromagnetic noise is relatively large to a ground wiring pattern 21a connected to respective circuit blocks 11a, 11b of which generated electromagnetic noise is relatively small via a ground wiring pattern 21c. - 特許庁

まず、透明板状体３（被検査物体）に適するストライプパターンとして、透明板状体の表面による反射像と透明板状体の裏面による反射像とが、撮像によって得られた画像信号では分離するように設定された明暗のパターンを有するストライプパターン１を決定する。例文帳に追加

A stripe pattern 1 having light and shade patterns set such that a reflected image by a surface of a transparent tabular body and a reflected image by a rear face of the transparent tabular body are separated in an image signal acquired by imaging is determined as a stripe pattern suiting the transparent tabular body 3 (an object to be inspected). - 特許庁

複数の画素領域を備える基板と、前記基板上の各画素領域に配置されて互いに分離されている第１パターン及び前記各第１パターンを互いに接続する第２パターンを有する第１電極と、前記第１電極上に位置する電気泳動フィルム及び前記電気泳動フィルム上に位置する第２電極とを備える。例文帳に追加

The electrophoresis display device includes a substrate having a plurality of pixel regions, a first electrode having first patterns which are arranged in the respective pixel regions on the substrate and separated from one another and second patterns connecting the first patterns to one another, an electrophoresis film disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the electrophoresis film. - 特許庁

層間絶縁膜分離帯１２に、半導体基板２から最上層の層間絶縁膜４３に到る全範囲に、埋め込み層ダミーパターン６１１〜６３１を接続孔ダミーパターン４１０１〜４３０１内に密着せしめる耐蝕性の密着層ダミーパターン５１１〜５３１を形成し、水分に対するバリアとする。例文帳に追加

Corrosion-proof close-contact type dummy patterns 511 to 531 for assuring close contact of the embedded layer dummy patterns 611 to 631 to the total range to the interlayer insulation film 43 of the upper most layer from the semiconductor substrate 2 in the connection hole dummy patterns 4101 to 4301 are formed in the interlayer insulation film isolating band 12 as the barrier with respect to moisture. - 特許庁

画像データを２色データに分離する画像処理装置において、変倍された画像の色ずれを補正する場合、ＣＰＵ１１４が、操作部１１５で指定された倍率に応じて色ずれ補正パターン部２０８に格納されている色ずれ補正パターンから色ずれ補正に用いられる色ずれ補正パターンを選択する。例文帳に追加

In the case of correcting color slurring of a magnified image in the image processor that separates image data into 2-color data, a CPU 114 selects a color slurring correction pattern used for color slurring correction from color slurring correction patterns stored in a color slurring correction pattern section 208 depending on the magnification designated by an operation section 115. - 特許庁

基板分離用絶縁膜２によって半導体基板１から分離した能動領域となる半導体層３上に、支柱状の主ゲート電極６と梁状導電体パターン７からなるＴ字状のゲート電極を設けるとともに、梁状導電体パターン７の直下のゲート絶縁膜の膜厚を主ゲート電極６の直下のゲート絶縁膜４の膜厚より厚くする。例文帳に追加

T-shaped gate electrode composed of a prop-like main gate electrode 6 and a beam-like conductor pattern 7 is provided on a semiconductor layer 3 to be isolated by a substrate isolating insulation film 2 from a semiconductor substrate 1 to form active regions, and the gate insulation film just beneath the beam-like conductor pattern 7 is made thicker than the gate insulation film 4 just beneath the main gate electrode 6. - 特許庁

半導体材料の構造分離方法は、少なくとも一つの高架線（elevated line）を含む半導体材料のパターンを設けるステップと、前記パターン内に前記少なくとも一つの高架線を少なくとも含むデバイス領域を画成するステップと、前記デバイス領域の外側の前記半導体材料の導電性を変化させ、前記デバイス領域を電気的に分離するステップとを含む。例文帳に追加

A method of isolating structures of a semiconductor material comprises a step of providing a pattern of the semiconductor material including at least one elevated line; a step of defining device regions which at least include at least one elevated line in the pattern; and a step of modifying the conductive properties of the semiconductor material outside the device regions so as to electrically isolate the device regions. - 特許庁

一実施の形態による半導体装置は、基板上に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜により前記基板上に区画された素子領域およびダミーパターン領域と、前記素子領域内の前記基板上に形成された第１のエピタキシャル結晶層と、前記ダミーパターン領域内の前記基板上に形成された第２のエピタキシャル結晶層と、を有する。例文帳に追加

A semiconductor device comprises: an element isolation insulating film formed on a substrate; an element region and a dummy pattern region on the substrate that are partitioned by the element isolation insulating film; a first epitaxial crystal layer formed on the substrate in the element region; and a second epitaxial crystal layer formed on the substrate in the dummy pattern region. - 特許庁

非磁性基板の少なくとも一方の表面に、物理的に分離した磁気記録トラック及びサーボ信号パターンを形成してなるディスクリートトラック型の磁気記録媒体において、磁気記録トラック及びサーボ信号パターン部を物理的に分離することを目的とする非磁性部がＳｉを含む非磁性合金から形成する。例文帳に追加

In the discrete track type magnetic recording medium wherein a magnetic recording track and a servo signal pattern which are physically separated are formed on at least one surface of a non-magnetic substrate, a non-magnetic part aiming to physically separate the magnetic recording track and the servo signal pattern is made of a non-magnetic alloy including Si. - 特許庁

本発明に係る光制御装置１，２１，３１，４１，５１は、光源２と、光源２からの光を光色に基づいて２種類の光に分離する色分離手段４，４２，４３，５２と、色分離手段４，４２，４３，５２により分離された２種類の光の透過パターンを制御する光制御手段６，４４，５７とを備えていることを特徴とする。例文帳に追加

Light control devices 1, 21, 31, 41 and 51 are equipped with a light source 2, color separating means 4, 42, 43 and 52 to separate light from the light source 2 to two kinds of light based on light colors, and light control means 6, 44 and 57 to control transmission patterns of two kinds of light separated by the color separating means 4, 42, 43 and 52. - 特許庁

そして、柱状部を有する半導体堆積層１５０を形成する工程において、チップの境界領域に所定パターンの分離用半導体層１３０を形成し、埋込み絶縁層１２０を形成する工程において、分離用半導体層１３０の少なくとも上面を露出させ、かつ、チップを形成する工程において、分離用半導体層１３０を用いて前記分離が行われる。例文帳に追加

In a step of forming the semiconductor deposition layer 150 having the columnar parts, a predetermined pattern of isolating semiconductor layer 130 is formed in a boundary region of the chip; in a step of forming the embedded insulating layer 120, at least the upper surface of the isolating semiconductor layer 130 is exposed; and in a step of forming the chip, the isolation semiconductor layer 130 is used to realize this isolation. - 特許庁

リアルタイムの分析結果で、ＭＳスペクトル上のスペクトルパターンが変化し、夾雑成分の濃度上昇が観察されたときに、試料の導入経路を切り替え、もう一方の導入配管に設けておいた分離部で夾雑成分を分離した上で、イオン源に導入する。例文帳に追加

The spectrum pattern on an MS spectrum is changed by a real time analyzing result: when a rise in the concentration of an impurity component is observed the sample introducing route is changed over and the impurity component is separated by separation part provided on one introducing piping to introduce the sample gas into the ion source. - 特許庁

レーザー光源１から発したレーザービームを照射して所定のパターンを描写するレーザー光による描写装置１３において、前記レーザー光源１から発したレーザービームを分離させて複数の分離ビームとする分散光学機構２と、前記各分離ビームごとに設けられ、各分離ビームの照射方向を変えて照射することにより前記所定のパターンを描写する照射位置調整機構８とを備えている。例文帳に追加

A laser lithographic device 13, which irradiates a laser beam emitted from a laser light source 1, to draw a prescribed pattern is provided with a separating optical mechanism 2 for separating the laser beam, emitted from the laser light source, into a plurality separated beams and radiation position adjustment mechanisms 8 which are provided for the separated beams respectively and irradiate the separated beams, while changing their irradiation directions to draw the prescribed pattern. - 特許庁

ナノメートル領域での相分離を示す高分子薄膜による配向型極微細パターン化平膜（特許文献１）を利用して、その膜内における相分離構造の配向に依存した物質拡散特性を特徴とする異方性イオン伝導材料の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an anisotropic ion conductive material characterized by substance dispersion characteristics depending on the orientation of a phase separation structure in a membrane by utilizing an orientation type extremely finely patterned flat membrane (patent reference 1) by a polymer thin membrane showing the phase separation in a nano meter zone. - 特許庁

半導体基板上であって絶縁ゲート電界効果トランジスタの形成される素子活性領域が溝素子分離領域で囲繞され、絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の溝素子分離領域を跨る領域で上記ゲート電極パターンの寸法が太くなっている。例文帳に追加

On a semiconductor substrate, an element active region, where an insulated gate field effect transistor is formed, is enclosed with a channel element isolation region, with the gate electrode pattern being thicker in the region striding the channel element separation region of the gate electrode of the insulating gate field effect transistor. - 特許庁

信号源の数が多い場合や、固定ＰＲＩ以外の複雑なＰＲＩのパターンを有する信号源が存在する場合にも、信号源のＰＲＩを正確に推定し、精度よくパルス列を分離させるパルス列分離装置を得る。例文帳に追加

To obtain a pulse train separating device for accurately separating a pulse train by accurately estimating the PRI of a signal source, when the number of signal sources is large and when a signal source having the pattern of a complicated PRI except for a fixed PRI(pulse-repeating interval) exists. - 特許庁

低コストで簡便な方法により、従来技術よりも大面積（数μｍ〜１００μｍオーダー）でナノスケールの周期的パターンを有する、ナノ相分離構造体の製造方法、及びそれにより得られるナノ相分離構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a nanophase separated structure having a nanoscale periodical pattern of an area (of the order of several to 100 μm) larger than that attained by a conventional technique at low cost by a simple method and to provide a nanophase separated structure obtained thereby. - 特許庁

絶縁膜１３上に形成されたマイクロレンズ材料膜に、第１のフォトマスクを介して第１の露光処理を行うことにより、マイクロレンズとなるべき各部分が分離溝１７により分離された第１のレンズパターン２４を形成する。例文帳に追加

A first exposure process is conducted on a microlens material film formed on an insulation film 13 via a first photo mask to form a first lens pattern 24 wherein individual portions that will become microlenses are divided by division recesses 17. - 特許庁

更に、分離装置６４によりマスクベルト５１とガラス板５６と分離し、孔５３内の硬化済み紫外線硬化ペースト５５をガラス板５６上に転写する転写工程とを施して、このガラス板５６上にパターンとしての液晶パネル用スペーサを形成するようにした。例文帳に追加

The method further comprises a transfer step of transferring the cured paste 55 in the hole 53 onto the plate 56 by separating the belt 51 from the plate 56 by a separating unit 64, thereby forming a spacer for a liquid crystal panel as the pattern on the plate 56. - 特許庁

折り返し回路構成体部分は、分離体１ａと１ｂの間に一体的に連続して形成され、分離部１３ａと１３ｂが延在する方向と交差する方向に折り返された回路パターン層１３の折り返し部１３ｄと１３ｅを有する。例文帳に追加

The folded circuit constituent body portion is formed integrally continuously between the separated bodies 1a, 1b, and has folded parts 13d, 13e of the circuit pattern layer 13 folded in a direction which crosses to the direction wherein the separated parts 13a and 13b extend. - 特許庁

第一の基板１１と第二の基板１４とを、誘電体膜１５とフッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２との境界で分離し、フッ素含有の第一の紫外線硬化性樹脂１２に凹凸パターンを転写する。例文帳に追加

The first substrate 11 and the second substrate 14 are separated from each other at the boundary between the dielectric film 15 and the first ultraviolet curing resin 12 containing fluorine, and the uneven pattern is transferred to the first ultraviolet curing resin 12 containing fluorine. - 特許庁

素子分離膜が形成された基板表面の平坦化を図るために設けるダミーパターンによって、素子形成領域が素子分離膜から受ける応力効果を低減できるようにし、また、応力効果を積極的に制御して素子の動作特性を向上できるようにする。例文帳に追加

To enable to reduce a stress effect undergoing from an element isolation film by an element formation region by a dummy pattern provided to flatten the front surface of a substrate in which the element isolation film is formed, and to enable to improve the operating characteristic of the element by controlling positively the stress effect. - 特許庁

濃度ヒストグラムでは、エッジが除去されることにより、配線パターンに対応する濃度分布と基板本体に対応する濃度分布との間の濃度帯において画素の頻度が０となり、２つの濃度分布が明確に分離される。例文帳に追加

In the density histogram, the frequency of a pixel becomes zero in a density band between a density distribution corresponding to a wiring pattern and a density distribution corresponding to a substrate body, since the edge is removed, whereby the two density distributions are separated clearly. - 特許庁

トレンチ素子分離領域の上部における溝の端縁部の近傍が基板上面より落ち込むのを防止するとともに、レジストパターンにおける形成可能な開口幅以下の幅の溝を形成する。例文帳に追加

To prevent a groove near the terminal edge part thereof from being dropped rather than the upper surface of a substrate at the upper part of a trench element isolating region and to form the groove of width narrower than opening width formable in a resist pattern. - 特許庁

ＩＰＧゲルとＳＤＳ−ポリアクリルアミドゲルとを接続する際のゲル間の反発や変形による二次元電気泳動の分離パターンの再現性の低下の問題を解決する。例文帳に追加

To solve a problem of a decrease in reproducibility of a separation pattern of two-dimensional electrophoresis due to repulsion between or deformation of an IPG gel and an SDS-polyacrylamide gel when the gells are connected. - 特許庁

この時、開口部とこれに隣接する活性領域との間の距離を選択された開口部の下の素子分離膜パターンの幅によって変えるように形成する。例文帳に追加

On this occasion, the formation is carried out so that the distance between the opening and the neighboring active region can be varied by the width of the element isolation film pattern under the selected opening. - 特許庁

表面エネルギーパターンの手助けなしに印刷材料の第１および第２の領域を分離するマイクロメータおよびサブマイクロメータの寸法の臨界形状を形成することのできる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a critical geometry in a micrometer size and a submicrometer size separating a first and a second regions of a print material without assistance of a surface energy pattern. - 特許庁

この製造方法は、磁気記録パターンの形成を、磁性層とオゾンとの反応により磁性層の磁気特性を部分的に非磁性化等により磁気特性を低下させ、その低下させた領域により磁性層を分離する方法である。例文帳に追加

The method includes a step of forming the magnetically isolated magnetic recording pattern by reacting part of a magnetic layer formed on the nonmagnetic substrate with ozone and reducing the magnetic characteristics of a region of the magnetic layer. - 特許庁

各信号の送信出力はそれぞれ異なるホッピング・パターンにより電力ホッピングしているので、各信号の受信電力間で所望の関係が満足されるので、信号を分離することができる。例文帳に追加

Since power hopping is performed by respectively different hopping patterns for the transmission output of the respective signals, a desired relation is satisfied between the reception power of the respective signals and thus the signals are separated. - 特許庁

ＤＴＲディスク上の分離されたトラック・レコーディング（ＤＴＲ）のトラック・パターンの中心をスピンドル・ハブの中心へ位置合わせし、偏心を最小にするために、まずＤＴＲディスクをスピンドル・ハブへの取り付ける。例文帳に追加

The method includes aligning a discrete track recording (DTR) track pattern center on a DTR disk with a rotational center of a spindle hub and mounting the DTR disk on the spindle hub to minimize eccentricity. - 特許庁

複数の第二アクティブダミーパターン１１は、分離領域１０内に第二のピッチで第三の方向と第三の方向と異なる第四の方向に配置されている。例文帳に追加

A plurality of second active dummy patterns 11 are arranged in a third direction and a fourth direction different from the third direction at a second pitch in the isolated region 10. - 特許庁

複数の第一アクティブダミーパターン１１は、分離領域１０内に第一のピッチで第一の方向と第一の方向と異なる第二の方向に配置されている。例文帳に追加

A plurality of first active dummy patterns 11 are arranged in a first direction and in a second direction different from the first direction at a first pitch in an isolated region 10. - 特許庁

レジストパターン露光時の分離マージン不足の解消と同時にドライエッチング加工の局所ばらつきを解消し、工程数の増大及び煩雑化を抑えたビットコンタクトの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a bit contact which settles an issue of insufficient separation margin on resist pattern exposure as well as local variations in dry-etching process to suppress increase in the number of steps and laboriousness. - 特許庁

本発明の回路装置の製造方法では、導電箔４０の表面に第1の分離溝４１を設けて、形成予定の導電パターンを凸状に形成する。例文帳に追加

In the method for manufacturing the circuit device, a first isolation trench 41 is formed on the surface of a conductive foil 40, and the conductive pattern to be formed is formed in a projected shape. - 特許庁

また、スタック型のメモリセルの場合も含めて、分離部１０の自己整合形成のマスクとなる第３ゲート電極５ａ形成用の導体膜パターンは、チャネルに対して合わせずれ無しに形成される。例文帳に追加

Further, the pattern of the conductive film for forming the third gate electrode 5a, serving as a mask for forming the isolation part 10 to be self-aligned, is formed without a misalignment with respect to a channel, inclusive of a case of a stack-type memory cell as well. - 特許庁

分離された端面の波打ちや回路パターンの引裂けが生じにくく、信頼性の高いＴＡＢ用テープキャリアを効率よく製造することのできる、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a tape carrier for TAB which hardly generates wave in a separated end face or tear in a circuit pattern, and which is capable of efficiently manufacturing the highly reliable tape carrier for TAB. - 特許庁

偏光分離素子において、紫外線によるパターン露光後の透明相に含まれるカルボン酸の揮発を抑制し、この透明相の凹みの発生を防止、あるいは抑制できること。例文帳に追加

To obtain a polarized separating element capable of suppressing the evaporation of carboxylic acid contained in a transparent phase obtained after exposing a pattern to ultraviolet rays and preventing or suppressing the generation of dents on the transparent phase. - 特許庁

半導体基板ＳＵＢ１の主面に素子分離領域２１が形成され、素子分離領域２１で規定された活性領域にｎ型ウエルＮＷ２が形成され、ｎ型ウエルＮＷ２上に絶縁膜２２ａを介してシリコン膜パターンＳＰ１が形成されている。例文帳に追加

An element isolation region 21 is formed on a main surface of a semiconductor substrate SUB1, a n-type well NW2 is formed in an active region defined by the element isolation region 21, and a silicon film pattern SP1 is formed on the n-type well NW2 through an insulating film 22a. - 特許庁

マスクを通して基板への任意のパターンでの成膜を可能とする基板保持具を、基板ホルダーとマスクホルダーとの分離が容易で、かつ基板に対しマスクを正確かつ再現性よく配置できるようにする。例文帳に追加

To facilitate the separation between a substrate holder and a mask holder in a substrate holding tool capable of film deposition in an optional pattern to a substrate through a mask, and to correctly arrange the mask to the substrate with high reproducibility. - 特許庁

たとえば分離サーボ・バンドのパターンは、他のサーボ・バンドに対して、横方向に反転しているなどの異なる方位角配向の検出可能遷移を有する。例文帳に追加

For example, a pattern of the separated servo band has the detectable transition of a different azimuth orientation such as inversion in the horizontal direction for the other servo band. - 特許庁

配線パターン１５はバンプ２１と接続する部分を越えてＩＣ実装領域Ｊの内部へ延びる延在部分１５ｂを有し、それらの延在部分１５ｂは少なくとも２つの群に分離して形成される。例文帳に追加

The wiring pattern 15 is provided with extended parts 15b passing the part connected with the bump 21 and extending to the inside of an IC mounted region J and the extended parts 15b are formed while being separated into at least two groups. - 特許庁

マスター担体の凹領域に対応する磁気記録媒体の保磁力が低い部分の磁化反転領域を減少させ、磁化パターンの分離度を向上し、高品質な磁気転写を可能とする。例文帳に追加

To provide high-quality magnetic transfer by reducing the magnetization reversal area of a low-coercive-force portion of a magnetic recording medium corresponding to a concave area of a master carrier and thereby improving the degree of separation of a magnetization pattern. - 特許庁

配線用板材５０はコイル２０の信号出力端子２３と接続される側から各々のコンデンサ４０，４１に対応して各々分離した状態で信号用配線パターン３３，３４に延設されている。例文帳に追加

A wiring plate 50 is extended to the signal wiring patterns 33, 34 in a state of being separated from each other corresponding to the respective capacitors 40, 41 from the side to be connected to a signal output terminal 23 of the coil 20. - 特許庁

このため、本来必要であって、当該引出し電極及び分離層の一方を形成するための各工程（例えば、レジスト形成、その開口パターン形成、イオン注入等）が省略できる。例文帳に追加

Thus, respective originally required processes for forming one of the extraction electrode and the isolation layer (resist formation, its opening pattern formation and ion implantation, etc., for instance) can be omitted. - 特許庁