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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 応力面に関連した英語例文

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応力面の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2988



例文

これにより、これら両曲部6、6への応力集中を緩和して、上記課題を解決する。例文帳に追加

These means alleviate a stress concentration on both of the curve section 6 and solve the problem. - 特許庁

封止体と隔壁との界における熱応力を抑制したハニカムフィルタを提供する。例文帳に追加

To provide a honeycomb filter which suppresses a thermal stress in the interface between a sealing body and a partition wall. - 特許庁

小口径配管内表の引張残留応力を低減させる熱処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a heat-treatment method with which a tensile-residual stress on the surface in a small diameter piping is reduced. - 特許庁

半田収縮応力によるガラス基板のクラック発生を防止できる表波フィルタを提供する。例文帳に追加

To prevent the cracking occurrence of a glass substrate due to soldering shrinkage stress. - 特許庁

例文

平板状部15は、内部15cよりも表部15aの方が残留応力が大きい。例文帳に追加

The surface part 15a of the flat plate-shaped section 15 preferably has a residual stress higher than that the internal part 15c of the flat plate-shaped section 15. - 特許庁


例文

ダンパー部130aには、ダンパー部130aのに沿う圧縮応力が加えられている。例文帳に追加

A compression stress along the surface of the damper portion 130a is applied to the damper portion 130a. - 特許庁

プレグラウトPC緊張材を定着するための応力集中緩和を有する支圧板例文帳に追加

BEARING PLATE HAVING STRESS CONCENTRATION RELAXATION SURFACE FOR ANCHORING PREGROUT PC TENDON - 特許庁

中央領域Cは、その平均表圧縮応力が15〜35MPaである。例文帳に追加

In the central region C, average surface compressive stress is 15 to 35 MPa. - 特許庁

応力吸収部16は断U字溝、又はV字溝等の溝で形成されている。例文帳に追加

The stress-absorbing part 16 is formed by grooves with U-shaped and V-shaped sections or the like. - 特許庁

例文

通路38の出口には、電線の曲げ応力を分散する円弧状曲が形成されている。例文帳に追加

A circular curved face to disperse a bending stress of the electric wire is formed at the exit of the passageway 38. - 特許庁

例文

引っ張り応力のかからないで配線をパタニングすることで、配線の断線を防ぐことができる。例文帳に追加

Disconnection of wiring is prevented by patterning the wiring on the surface where no tensile stress is applied. - 特許庁

に取り付ける防水シートの応力集中を防ぐと共に、施工を容易にする。例文帳に追加

To prevent stress concentration in a waterproof sheet installed to a wall surface and also to offer an installing work which can be performed easily. - 特許庁

半導体チップと外部導出導体との接合界に発生する応力を低減しする。例文帳に追加

To reduce stress that occurs on a bonded interface between a semiconductor chip and an external lead-out conductor. - 特許庁

支持部15a、15bは、被加工物12と応力発生部材13a、13bとの接触に垂直な方向から被加工物及び応力発生部材とを挟み、被加工物12と応力発生部材13a、13bとを接触Sに垂直な方向に押し付けながら支持するものである。例文帳に追加

The support parts 15a, 15b interpose the work and the stress generating members from the direction perpendicular to the contact face between the work 12 and the stress generating members 13a, 13b, and support the work 12 and the stress generating members 13a, 13b while pressing these to the direction perpendicular to the contact face S. - 特許庁

感圧層16の上応力集中用凸部16aを突設し、かつ、前記応力集中用凸部16aに対する加圧で電極層17a,17bを導通するタッチセンサー本体15の表に、応力発光層30を積層一体化した感圧デバイスである。例文帳に追加

In the pressure-sensitive device, a projection 16a for concentrating stress is allowed to project on the upper surface of a pressure-sensitive layer 16, and a stress luminous layer 30 is integrally laminated on a surface of a touch sensor body 15 for allowing electrode layers 17a, 17b to conduct electricity by pressurization to the projection 16a for concentrating stress. - 特許庁

首部とサドル部との境界に形成された応力集中緩和用円弧溝のサドル頂対応位置からの深さと円弧半径の比がサドル頂対応位置に於ける応力と円弧溝の底に於ける応力とを実質的に等しくする値とされる。例文帳に追加

The ratio of the depth from the position corresponding to a saddle top face and the radius of a circular arc of the circular arc groove for reducing stress concentration formed in the boundary between the neck portion and the saddle portion is set to such a value as to substantially equalize the stress at the position corresponding to the saddle top face and the stress at the bottom of the circular arc. - 特許庁

若しくは、前記ミラー堆積膜を共に圧縮応力を持つようにすると共に、表側のミラー堆積膜を裏側のミラー堆積膜よりも厚く堆積する事により、コイル部で発生した応力をミラー堆積膜自体の応力で打ち消す構成とする。例文帳に追加

Alternatively, the stress generated in a coil part is canceled out with the stress of the mirror heaped films themselves by giving a compression stress on the mirror heaped films and heaping the heaped film on the front surface side thicker than the mirror heaped film on the back face side. - 特許庁

スリット2を形成した時点で円周方向の残留応力が開放されると共に、サンプルを採取しようとして応力が付加されても、スリット2を挟む両側の切断が自由界となってその変形により応力を開放する。例文帳に追加

The residual stress in the circumferential direction is released when the slit 2 is formed, and even when a stress is added by sampling, the stress is released by deformation of the cut faces, because the cut faces at both sides, putting the slit 2 between them, becomes free interfaces. - 特許庁

これに加え、両領域21,22の接合を板厚方向に対して所定の角度θを設けて接合することにより、熱応力による低熱膨張領域22と高靭性領域21との接合における熱応力集中を緩和させ、熱応力によるベース20の破損を防止する。例文帳に追加

In addition, the junction surface between the regions 21 and 22 is joined at a specific angle θ to a plate-thickness direction, thus relieving the concentration of thermal stress on the junction surface between the low thermal expansion and high-toughness regions 22 and 21 caused by the thermal stress, and preventing the damage of a base 20 due to the thermal stress. - 特許庁

本発明の強化ガラス基板は、圧縮応力層を有する強化ガラス基板において、板厚が0.7mm以下であり、且つ主表に形成される圧縮応力層の深さDTが、端に形成される圧縮応力層の深さDHより小さいことを特徴とする。例文帳に追加

The tempered glass substrate having a compressive stress layer is characterized by having a plate thickness of 0.7 mm or less and by that the depth DT of the compressive stress layer formed on a main surface is smaller than the depth DH of the compressive stress layer formed on an end surface. - 特許庁

検査対象物表に平行な方向への検査対象物の弾性変形量を高精度に測定し、非破壊・非接触で検査対象物表の残留応力を測定することができる残留応力測定装置及び残留応力測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a residual stress measurement device and a residual stress measuring technique, which measures an amount of elastic deformation of an examined object in a direction parallel to a surface of the examining object with a high degree of accuracy so as to measure residual stress on the surface of the examining object with non-destruction and non-contact. - 特許庁

σ_eqt=(σ_top+σ_btm)/2+(σ_top−σ_btm)/4、但し、σ_eqtは評価応力でσ_topは共有節点位置で、溶接止端部側の金属板表応力、σ_btmはσ_topと反対側の金属板表応力例文帳に追加

Provided that σ_eqt is the evaluation stress, σ_top is the stress of the weld toe side metal plate surface on the shared node position, and σ_btm is the stress of the metal plate surface on the opposite side of σ_top. - 特許庁

各ベルト歯が歯と歯底の接続部に凹円筒状の応力軽減部(23)を有し、前記応力軽減部(23)は前記歯(14)の全外周の1/2の40~60%の外周を持つ歯付ベルト。例文帳に追加

A belt with teeth having a concave and cylindrical stress release (23) at the connecting point, and the fringe of the stress release (23) that is 40-60% of half of entire fringe of the tooth (14) mentioned above.  - 特許庁

下に立体メッシュ設定して、接触圧分布から接触領域の表下に設定した各立体メッシュ要素の剪断応力を求め、さらに応力振幅およびその深さを求める。例文帳に追加

A solid mesh is set under the surface, and a shearing stress at each solid mesh element set under the surface of the contact domain is determined from the contact surface pressure distribution, and further a stress amplitude and its depth are determined. - 特許庁

応力発光材10の発光と太陽電池20の受光(とが対するように、応力発光材10と太陽電池20が配置される。例文帳に追加

The stress-luminescent member 10 and the solar cell 20 are arranged to face a luminescent surface of the stress-luminescent member 10 to a light reception surface of the solar cell 20. - 特許庁

ギアの歯20に表あらわが小さくなった表を設けることにより、最大接触応力を50%以上減少させることができ、同様に、表下のせん断応力も30%減少させることができる。例文帳に追加

By forming the surface having the reduced surface roughness on the teeth 20 of the gear, the maximum contact stress can be reduced as much as 50% or more, and similarly the shearing stress under the surface can be reduced as much as 30%. - 特許庁

この製造方法では基板両に原子層毎同時に堆積され、各層に膜応力があったとしても両で膜応力がバランスするため、大積超薄基板を適用しても基板の反りが起こり難い。例文帳に追加

Since each atomic layer is simultaneously deposited on both substrate surfaces by the above method and film stresses balance on both surfaces even if each layer has a film stress, the substrate hardly causes warpage even when the large area ultrathin substrate is applied. - 特許庁

光偏向器において、固定した際の応力或いは熱応力等により基板の支持部との固定箇所がたとえ変形しても、可動部の反射の平度(精度)の低下を防止することである。例文帳に追加

To prevent deterioration in the flatness (profile irregularity) in a reflection area of a movable part, in an optical deflector, even if the fixing part to the support of a substrate is deformed by stress or thermal stress or the like during the fixing. - 特許庁

クランプ部のガラス基板をガラス基板主表で把持する把持に、ガラス基板における応力集中を緩和する応力緩和材を設ける。例文帳に追加

This apparatus for working is obtained by installing stress relaxing materials for relaxing the stress concentration on the glass substrate surface on the holding surfaces of the clamping parts for holding the glass substrate on the principal surfaces of the glass substrate. - 特許庁

これら円柱表部12、傾斜部13及び縦壁部14の応力緩和作用により、小径筒部1の特定箇所に応力集中することを抑えることができる。例文帳に追加

The concentration of the stress on the special place of the small bore pipe part 1 can be controlled by the stress release actions of these cylindrical surface part 12, slope face part 13 and vertical wall face part 14. - 特許庁

上記基板保持部材において、接触の外周に沿って配され、接触の厚さよりも小さな厚さを有する応力緩和部と、接触に対して応力緩和部の外側に配されたフランジ部とを更に有してもよい。例文帳に追加

The substrate-holding member may further have stress-relaxing parts which are arranged along the outer periphery of the contact surface and has a thickness which is smaller than that of the contact surface, and a flange part arranged outer than the stress-relaxing parts to the contact surface. - 特許庁

その断力増分を、板厚方向に並んだ複数の位置にそれぞれ配分する配分量を決定し(S518)、その配分量で仮応力を補正して応力の最終値を算出する(S519)。例文帳に追加

The distribution quantity of the cross-sectional increment at a plurality of positions lined up in the board thickness direction is determined (S518), and the temporary in-plane stress is corrected with the distribution quantity, and the final value of the in-plane stress is calculated (S519). - 特許庁

トーションバー7がねじられたとき、トーション部20の表部分側により高い応力が発生しても、表部分の硬度が中心部分より低く設定されているので、表部分の応力を低く抑えられる。例文帳に追加

Even when higher stress generates on the surface part side of a torsion part 20 when the torsion bar 7 is twisted, the stress on the surface part is suppressed low because hardness of the surface part is set lower than the central part. - 特許庁

素子形成層の側16bは、応力緩和層の上14cと、この上に形成された絶縁性応力伝達層18を介して電気的に非導通の状態で接続されている。例文帳に追加

A side 16b in the element formation layer is connected to an upper surface 14c of the stress relaxation layer in an electrically non-conductive state via an insulating stress transfer layer 18 formed on the upper surface. - 特許庁

測定対象物の表にX線回折角度が既知の金属の膜を付着させる手段と、測定対象物表にX線を照射して残留応力を測定する手段とからなるX線残留応力測定方法において、測定対象物表に金属膜を付着させた状態でX線により残留応力測定することを特徴とするX線残留応力測定方法。例文帳に追加

An X-ray residual stress measuring method, which comprises a means for depositing a metal film of a known X-ray diffraction angle over a surface of a measured object, and a means for measuring a residual stress by irradiating the measured object surface with X rays, executes the X-ray residual stress measurement as holding the metal film deposit over the measured object surface. - 特許庁

伸縮ブームの断Sの下部応力σLが基本的に圧縮応力であるが、上部応力σUも圧縮応力となるような場合もある作業車の使用に適した伸縮ブームとして、その座屈強度が断下方部のみならず、断上方部においても十分備わった伸縮ブームを提供しようとする。例文帳に追加

To provide an expansion boom suitably used in a working vehicle in which the lower stress σL of the boom section S is fundamentally a compression stress but the upper stress σU may also be a compression stress, equipped with a buckling strength not only in the lower part of the section but also in the upper part sufficiently. - 特許庁

その後、半導体基板1全上に引張応力膜TSL1を形成してから、pチャネル型MISFETQp上の引張応力膜TSL1をドライエッチングで除去し、半導体基板1全上に圧縮応力膜CSL1を形成してからnチャネル型MISFETQn上の圧縮応力膜CSL1をドライエッチングで除去する。例文帳に追加

Then, after the tensile stress film TSL1 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 1, the tensile stress film TSL1 on the p-channel type MISFETQp is removed by dry etching, and after the compressive stress film CSL1 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 1, the compressive stress film CSL1 on the n-channel type MISFETQn is removed by dry etching. - 特許庁

施工を材質改善しかつ施工裏を残留応力改善できるような加熱処理条件を、板材の寸法に応じて決め、施工または施工裏を加熱処理し、施工および施工裏の両の残留応力改善を行なう。例文帳に追加

A heat treatment condition to improve the material quality of a treated face side and to improve residual stresses in a treated back side is determined according to the dimension of a plate, and the treated face side or the treated back side is heated to improve residual stresses in both the treated face side and the treated back side. - 特許庁

鋼板製のプレス成形品の表の部位により相対的に変化する残留応力状の分布を計測する残留応力計測装置を提供する。例文帳に追加

To provide a residual stress measuring apparatus for measuring the two-dimensional distribution of the residual stress relatively varying by the surface part of a press molding made of steel plate. - 特許庁

半導体装置は、ゲート電極5を有する半導体チップ1と、半導体チップ1の表に設けられ、当該表にかかる応力を検出する応力検出用素子7とを備える。例文帳に追加

A semiconductor device comprises a semiconductor chip 1 having a gate electrode 5 and a stress detection element 7 provided on a surface of the semiconductor chip 1 to detect a stress applied to the surface. - 特許庁

外周にショットピーニングによる圧縮残留応力が付与された層6aを有するとともに、内周にもショットピーニングによる圧縮残留応力が付与された層6bを有する無端金属ベルト6。例文帳に追加

This endless metal belt 6 comprises a layer 6a having residual compressive stress imparted by the shot peening in an outer circumferential surface, and also a layer 6b with residual compressive stress imparted by the shot peening in an inner circumferential surface. - 特許庁

応力緩和部材20において金属層16に対向する第1の20aには、その全に亘って複数の応力緩和空間21が設けられている。例文帳に追加

On a first surface 20a that opposes the metal layer 16 in the stress-relaxing member 20, a plurality of stress-relaxing spaces 21 are provided over the entire surface. - 特許庁

半導体基板上に新たな熱歪みや欠陥を発生させることなく半導体基板中の欠陥性表応力を緩和し、結晶欠陥の低減を実現する欠陥性表応力の緩和方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for relieving defective surface stresses in a semiconductor substrate, without newly generating thermal distortion and defects on the semiconductor substrate, and for reducing crystal defects. - 特許庁

組織音響異方性及び応力異方性の双方が混在する材料から表組織音響異方性だけを分離できるようにし、材料の残留応力を高精度で測定できるようにする。例文帳に追加

To separate only surface texture acoustic anisotropy from a material mixed with the surface texture acoustic anisotropy and stress anisotropy, and to precisely measure a residual stress. - 特許庁

そのため加工時には、破線のように支点部13の表側に引張応力σt が、裏側に圧縮応力σc が加わった状態で形成される。例文帳に追加

In working, the formation thus experiences a tensile stress σt applied to the obverse side of the fulcrum portion 13 and a compressive stress σc applied to the reverse side, as shown by broken lines. - 特許庁

水晶振動子6の電極と導通する外部電極8と外部電極4は、それぞれ、ベース2と応力緩和層3の側を経由して応力緩和層3の底に至っている。例文帳に追加

External electrodes 8 and 4 conducting an electrode of the quartz vibrator 6 reach down to the bottom of the stress relief layer 3 respectively along side faces of the base 2 and the stress relief layer 3. - 特許庁

また、前記スリットは、排気ガス流れと略平行な舌部横断方向全に渡って形成され、その最深部で発生する熱応力が、舌部表で発生する熱応力の1/2〜1/3の範囲となる深さとする。例文帳に追加

The slit is formed over the entire surface in a transverse direction of the tongue portion almost parallel to the exhaust gas flow and has a depth in which thermal stress occurring in the deepest portion ranges from 1/2 to 1/3 of thermal stress occurring in the surface of the tongue portion. - 特許庁

すると、TFT基板母材に、yTFTスクライブラインを通ってTFT基板母材の主に直交するに対称な応力応力線118)が誘起される。例文帳に追加

Stress (lines of stress 118) symmetrical with respect to the surface passing through the yTFT scribe line and orthogonal to the principal surface of the TFT substrate preform is induced in the TFT substrate preform. - 特許庁

次に、両端に開けた残留応力穴(3)を窓枠(11)に添って取り付け、次に間の残留応力穴(3)を取り付けると、自然と庇上(4)は凸のアーチになる。例文帳に追加

After that, by attaching the residual-stress hole (3) between them, the top surface (4) of the eaves is spontaneously formed in the convex arch shape. - 特許庁

例文

転動体の転動の圧縮残留応力を、最表が最大で深さ方向に連続的に減少させ、前記圧縮残留応力の最大値を600MPa以上にする。例文帳に追加

Furthermore, a compression residual stress of the raceway of the rolling element is set to the maximum at surface and reduced continuously in depth direction, and the maximum value of the compression residual stress is set to be 600 MPa or more. - 特許庁

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