「縁原」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

直接トンネル電流が流れる程度に薄膜化されたゲート絶縁膜におけるゲート電極からのドーパント原子の基板への拡散を防止すると共に、ゲートリーク電流を低減できるようにする。例文帳に追加

To prevent dopant atoms from diffusing in a substrate from a gate electrode on a gate insulating film thinned to a degree that a tunnel current directly flows, and to reduce a gate leak current. - 特許庁

分子中に多環構造を有する弗化炭素化合物を主成分とする原料をプラズマ重合反応させることによって、弗素化アモルファスカーボン膜よりなる層間絶縁膜２０２，２０４を形成する。例文帳に追加

A material principally comprising a carbon fluoride compound having a polycyclic structure in molecule is subjected to plasma polymerization to form interlayer insulation films 202, 204 of fluorinated amorphous carbon film. - 特許庁

その後、感光性絶縁層１２に対して、フォトバイアホールに対応した原画像１４ａが形成された第２フォトフィルム１４を介して、紫外線を露光する。例文帳に追加

The layer 12 is then exposed with UV through a 2nd photo film 14 with a formed original image 14a corresponding to the photo via hole. - 特許庁

コンタクト電極１６は、ゲート絶縁膜１５に接触して隣り合うように基板面１２Ｂ上に設けられており、Ａｌ原子を有する合金を含む。例文帳に追加

A contact electrode 16 is provided on the substrate surface 12B and abutting and contacting with the gate insulating film 15, and contains an alloy having Al atoms. - 特許庁

シロキサン重合体絶縁膜は3.1若しくはそれ以下の誘電率を有し、20％若しくはそれ以下のC原子濃度を有する-SiR_2O-繰り返し構造単位を有する。例文帳に追加

The siloxane polymer insulation film has a dielectric constant of 3.1 or lower, and has a -SiR_2O- repeated structural unit having a concentration of C atoms of 20% of lower. - 特許庁

酸化膜に窒素原子を適切に導入することにより、絶縁膜のリーク電流を抑制し、半導体素子のモビリティを高く維持することができる。例文帳に追加

To suppress the leakage current of an insulating film and maintain the mobility of a semiconductor element at a high level by optimally introducing nitrogen atoms into an oxide film. - 特許庁

ゲート電極を形成する際に、ゲート絶縁膜に金属原子が注入されることを抑制し、ゲートリーク電流の増加や閾値電圧の不安定化等を防止する。例文帳に追加

To prevent metal atoms from being injected into a gate insulating film in forming a gate electrode, and to prevent increase of gate leakage current, destabilization of threshold voltage, and the like. - 特許庁

そして、この段差部の存在によりこの部分での必要以上のコバルト膜（コバルト原子）の供給が無くなり、側壁絶縁膜８下でのコバルトシリサイド膜１１Ｂの異常成長が抑止される。例文帳に追加

Due to the step, no excessive cobalt film (cobalt atom) is required to be supplied at the part, and abnormal growth of a cobalt silicide film 11B is suppressed under the side wall insulating film 8. - 特許庁

原料である環状シロキサンの環の径を大きくすることなく、かつ空孔形成剤を用いることなく、大きな空孔を形成する多孔質層間絶縁膜を提供する。例文帳に追加

To provide a porous interlayer dielectric film forming large holes without enlarging the diameter of a ring of cyclic siloxane used as a raw material and without using a hole forming agent. - 特許庁

シリコンダングリングボンドを、フッ素原子と水酸基とでそれぞれ別々に棲み分けして終端する終端工程を有するシリコン絶縁膜の製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing the silicon insulation film has a termination step of performing termination process separately on the fluorine atom and the hydroxy group. - 特許庁

この超硬質ＰＣＤ材料は、添加剤を含む絶縁性ダイヤモンド粒子原料の層を使用し、複数のダイヤモンド結晶を半導電性表面を含むように変換するよう焼結することにより製作することができる。例文帳に追加

The super hard PCD material can be manufactured by sintering a plurality of diamond crystals to transform to contain semiconductive surfaces with using insulating diamond particle raw material layer containing additives. - 特許庁

酸化膜に窒素原子を導入することにより、絶縁膜のリーク電流を抑制し、かつ基板表面への有機汚染物質の付着を防止する。例文帳に追加

To suppress a leak current of an insulating film and to prevent an organic contaminant from being stuck on the surface of a substrate by introducing nitrogen atoms to an oxide film. - 特許庁

基板上に設けられた感光性絶縁層１２に対して、フォトバイアホールに対応した原画像１３ａが形成された第１フォトフィルム１３を介して、紫外線を露光する。例文帳に追加

A photosensitive insulating layer 12 disposed on a substrate is exposed with UV, through a 1st photo film 13 with a formed original image 13a corresponding to a photo via hole. - 特許庁

製造プロセスに大きな変更を伴わず、酸化物半導体上もしくはゲート絶縁膜上を気相または液相処理を行うだけで、酸素欠損を硫黄やセレン原子が効果的に置換し、電子補足サイトの発生を防止する。例文帳に追加

The missing oxygen can effectively be replaced with sulfur and celenium atoms to prevent generation of electron seizing sites only by conducting a gas phase or liquid phase process on the oxide semiconductor or gate insulating film without large alteration in the manufacturing process. - 特許庁

この後、ソース領域２４及びドレイン領域２６中のフッ素を熱処理により電極層１６の下方で絶縁膜１４と基板１０との界面に拡散させてシリコンのダングリングボンドをフッ素原子で終端させる。例文帳に追加

Thereafter, the dangling bond of silicon is terminated with fluorine atoms by diffusing the fluorine contained in the source and drain regions 24 and 26 to the interface between the insulating film 14 and substrate 10 below the electrode layer 16 by performing heat treatment. - 特許庁

ペクチネータス属菌およびその進化的近縁細菌の存在を検出するためのアッセイにおいて用いることが出来、ビール混濁の原因となる微生物のrRNAもしくはrDNAに優先的に結合する核酸配列を提供すること。例文帳に追加

To obtain a nucleic acid sequence which can be used on an assay for detecting the presence of the genus Pectinatus bacteria and its evolutionary relative bacteria and combines preferentially with the rRNA or rDNA of microorganisms causing beer muddiness. - 特許庁

このオゾン生成装置１は、酸素を含む原料ガスが流れるガス流路３０内に、高電圧が印加される触媒電極１２と、該触媒電極１２に対して電気的に絶縁された触媒金属体１３とを備える。例文帳に追加

The apparatus 1 for producing ozone includes a catalytic electrode 12 to be applied by a high voltage and a catalytic metal 13 electrically insulated to the catalytic electrode 12 provided in a gas flow path 30 through which a raw material gas containing oxygen flows. - 特許庁

界面層および高誘電率絶縁膜下層部への窒素原子の導入を抑制することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置の提供。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can suppress introduction of nitrogen atom to an interface layer and a high-permittivity insulating film lower layer portion, and a substrate processing apparatus. - 特許庁

この半導体層又は絶縁体層１２は、ｎ型にドープされ、数ナノメートル（ｎｍ）以内の厚さで、外部原子又は粒子（通常、陽イオン）からの衝突に対して良好な安定性を有する。例文帳に追加

The semiconductor layer or insulation layer 12 is doped as an n-type, and has a thickness within several nanometers (nm) and excellent stability against collision from an external atom or particle (normally anion). - 特許庁

本発明は、銅原子の拡散を防止でき、且つ良好な層間絶縁性を有する被膜を銅表面に形成することができる半導体装置用の被膜形成剤を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an agent for forming a film for a semiconductor device which can prevent the diffusion of copper atoms and form a film having excellent interlayer insulation on the surface of copper. - 特許庁

有機金属系の原料ガスを半導体基板１上に断続的に供給し、金属酸化膜からなる容量絶縁膜４を下部電極３表面にのみ選択的に堆積する。例文帳に追加

A material gas of organic metal base is intermittently supplied to the surface of the semiconductor substrate 1 for selectively depositing a insulating film 4 of metal oxide film only on the surface of the lower electrode 3. - 特許庁

主に電荷蓄積手段として機能する第２絶縁層の水素原子が拡散することを防止できるため、経時での記録保持特性が向上する。例文帳に追加

Hydrogen atoms of the second insulation layer functioning mainly as a charge storage means can be prevented from diffusion, so that recording holding characteristic in passage of time can be improved. - 特許庁

そして、金属原子が拡散されたゲート絶縁膜３上に導電膜７、８が形成され、当該導電膜７、８を加工することでゲート電極３０、３１が形成される。例文帳に追加

Then conductive films 7, 8 are formed on the gate insulating film 3 in which the metal atoms are diffused, and then processed to form gate electrodes 30, 31. - 特許庁

ゲート絶縁膜１５のうち基板面１２Ｂとゲート電極１７とによって挟まれる部分へは、コンタクト電極１６からＡｌ原子が拡散していない。例文帳に追加

Al atoms do not diffuse from the contact electrode 16 to a part of the gate insulating film 15, the part which is interposed between the substrate surface 12B and the gate electrode 17. - 特許庁

Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にＡｒを含有し、その膜中のＡｒ量がＳｉに対して原子数比で３％以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。例文帳に追加

A film containing Ar in a Si oxide amorphous insulator film wherein a quantity of Ar in the film is 3% or more in an atomicity ratio for Si (Ar/Si≥3 at.%) is prepared. - 特許庁

有機シランガスおよび酸化性ガスを原料としたプラズマＣＶＤにおいて、膜中炭素濃度の低い絶縁膜、その形成方法およびそれを用いた信頼性の高い薄膜トランジスタを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an insulation film having a low carbon concentration therein, a forming method thereof and a high-reliability transistor using the film, in a plasma CVD using an organic silane gas oxidative gas as a raw material. - 特許庁

通電加熱や誘電加熱による成形焼き菓子の加熱成形中に、原料から多量の蒸気が発生して結露することによる絶縁破壊を防止する。例文帳に追加

To prevent insulation breakdown caused by dew condensation of a large amount of vapor produced from ingredients during molding and heating of molded baked snacks by means of resistance heating or dielectric heating. - 特許庁

ＭＩＭキャパシタ構造の絶縁膜の静電破壊の原因となる上部電極膜への電荷蓄積を抑制できるキャパシタ構造の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a capacitor structure which can suppress charge accumulation to an upper electrode film which causes electrostatic discharge damage of an insulating film of an MIM capacitor structure. - 特許庁

メタルゲート形成用等の金属原子が半導体基板、特にゲート絶縁膜に残存することによるゲートリーク電流の増大又はゲート電極の形成材料における仕事関数の変動を防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent an increase in gate leakage current or variation of the work function of a gate electrode forming material caused by metal gate forming and other metal atoms remaining on a semiconductor substrate, especially in a gate insulating film. - 特許庁

電気絶縁性板上に導電体薄膜を設けた基板上に、熱可塑性高分子結合剤、特定の重合性化合物、及び光重合開始剤を含有する光重合層を設けたことを特徴とするプリント配線用原板。例文帳に追加

The master plate for printed wiring has a photopolymerization layer containing a thermoplastic polymer binder, specified polymerizable compounds and photopolymerization initiator on a substrate which is prepared by forming a conductive thin film on an electric insulating plate. - 特許庁

イメージスキャナにより原稿のイメージを取り込みプリンタにより印刷する場合に、プリントアウトにマージンが現れることのない縁なし複写を可能にする。例文帳に追加

To ensure borderless copying which prevents a margin from appearing on a printout when capturing an original by an image scanner and printing it with a printer. - 特許庁

ゲート絶縁膜中へＡｒ原子が打ち込まれることによる信頼性の低下と、膜応力に起因する不良を防止することにより、信頼性の高い薄膜半導体素子を提供する。例文帳に追加

To prevent the reduction of reliability due to the driving of Ar atoms into a gate insulation film and failures due to film stresse, thereby providing a high reliability thin film semiconductor element. - 特許庁

カーボンを含む原料ガスを使って成膜した絶縁膜を有するトランジスタ構造をシリコン基板上に備え、かつ所期のトランジスタ特性を示す半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which has a transistor structure, having an insulating film formed by using a source gas containing carbon on a silicon substrate and exhibits predetermined transistor characteristics. - 特許庁

上記絶縁物の表面に、この表面に存在する原子がエッチングされない程度の微量の正電荷の陽イオンビーム５を照射した後に、電子線３を照射して元素分析を行う。例文帳に追加

The surface of the insulator is irradiated with positive charge cation beam 5 in very small quantities small enough not to etch atoms present on the surface of the insulator and subsequently irradiated with electron beam 3 to analyze the elements of the insulator. - 特許庁

基板１に形成されたトレンチ５の内壁に下地絶縁膜として、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ）Ｓｉ_2 Ｃｌ_6 を含む原料ガスを用いた化学気相堆積法によりシリコン窒化膜（ＨＣＤ−シリコン窒化膜）７を形成する。例文帳に追加

A silicon nitride film (HCD-silicon nitride film) 7 is formed on the inwall of a trench 5 formed on a substrate 1 as a ground insulating film by chemical vapor deposition, using a material gas containing hexachloro-disilane (HCD) Si_2Cl_6. - 特許庁

高誘電率絶縁膜２の膜中に単原子層レベルないしは1ｎｍ以下の膜厚を有する、シリコン酸化膜３ａないしはシリコン酸窒化膜３ｂを挿入してもよい。例文帳に追加

The silicon oxide film 3a or the silicon oxynitride film 3b having the film thickness of the monoatomic layer level or 1 nm or less can be inserted in the film of the high dielectric constant insulated film 2 as well. - 特許庁

半導体層と絶縁膜との界面（チャネル領域と酸化膜８との界面）から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値が１×１０^21ｃｍ^-3以上である。例文帳に追加

The maximum value of nitrogen atom concentration in a region within 10 nm from an interface between the semiconductor layer and the insulating film (interface between a channel region and the oxide film 8) is 1×10^21 cm^-3 or over. - 特許庁

ガラスパネル２の周縁に形成した金型のキャビティにポリウレタン原料を射出して、ポリウレタンの発泡体からなる樹脂成形材３をガラスパネル２と一体成形する。例文帳に追加

The polyurethane raw material is injected to a cavity of a mold formed at a peripheral edge of the glass panel 2, so that a resin molding 3 made of a polyurethane foamed material is integrally molded with the glass panel 2. - 特許庁

この構成により、ステンレス鋼部材１０の応力腐食割れが原因で起こる加熱装置５の絶縁劣化が無くなり、長期間使用しても加熱装置５としての機能を維持することができる。例文帳に追加

With this constitution, deterioration in the insulation of the heating apparatus 5 caused by the stress corrosion crackings of the stainless steel member 10 is eliminated, and the functions of the heating apparatus 5 can be maintained even when the apparatus is used over a long period. - 特許庁

第１スライダ４が、原稿を走査する際にハーネス１６の一端を引っ張ることにより、ハーネス１６と絶縁部材１７との接触長さが変化する。例文帳に追加

The first slider 4 pulls one end of the harness 16 when scanning the original, thereby changing the contact length of the harness 16 and the insulation member 17. - 特許庁

上刃２を下刃３へ向けて駆動し、双方間におけるテープを両側縁から中心に向かいシザーズ方式と同様の原理で等速度で切断する。例文帳に追加

The upper cutter 2 is driven toward the lower cuter 3 to cut the tape located therebetween, while running at an equal speed from both side edges toward the center in a way similar to a scissors system. - 特許庁

原子層蒸着による絶縁膜の形成において、充分な残留炭素の除去が可能でかつ過剰に酸素リッチな膜質が狭持されることのない成膜が可能な方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for forming an insulating film by atomic layer deposition in which residual carbon can be removed sufficiently and an oxygen rich film is not formed excessively. - 特許庁

コモンコンタクト部において層間絶縁膜の膜厚がばらついても、基板ごとの基板間隔のばらつきをなくし、かつ導電スペーサが原因となる接触不良の発生を減少する例文帳に追加

To eliminate variance in the substrate gap for every substrate pair even when the film thickness of an interlayer insulating film varies in a common contact segment, and to decrease contact failure caused by a conductive spacer. - 特許庁

また、本発明の遺伝子のフラグメントをプローブとして用いることによって、従来近縁種との区別が困難であったB.gibsoni 原虫感染の診断がより特異的に実施し得る。例文帳に追加

Using a fragment of the gene as a probe permits more specifically diagnosing the protozoan disease by B. gibsoni that has been hardly distinguishable from related species so far. - 特許庁

差込接続アダプタの開口部から異物や塵埃などが入り絶縁不良や接続不良を生じる原因を防止したプラグイン回路遮断器回路遮断器を得る。例文帳に追加

To obtain a plug-in circuit breaker preventing insulation failure or connection failure caused by foreign matters or dust infiltrating through openings of a plug-in connection adapter. - 特許庁