「縁原」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、制御手段により、その読取画像データ中で、黒と読み込まれた画素から白と読み込まれた画素に変化して数画素の間に、黒と読み込まれた画素の数が所定値よりも少ないとき、黒から白に変化した画素を原稿１２の主走査方向Ｐ１の端縁１２ａと判別する。例文帳に追加

Then pixels whose level changes from a black level to a white level are discriminated to be an edge 12a in a main scanning direction P1 of the original 12 when the number of pixels whose level is read to be a black level among several pixels changed from pixels read to have a black level into pixels read to have a white level is smaller than a prescribed number in the read data by a control means. - 特許庁

前記課題を解決するための手段は、アンモニア水溶液を貯留する貯留槽と、前記貯留槽の上方に配置され、硝酸ウラニル含有原液を滴下可能な滴下ノズルを有する滴下装置と、前記アンモニア水溶液の液面周縁に設けられたオーバーフロー装置とを備えてなることを特徴とする重ウラン酸アンモニウム粒子製造装置である。例文帳に追加

The apparatus for manufacturing the ammonium diuranate particles is equipped with: a storage tank for storing an aqueous ammonia solution; a dropping device having a dropping nozzle capable of dropping a uranyl nitrate-containing raw liquid, which is arranged at the upper part of the storage tank; and an overflow device provided at the peripheral edge of the liquid surface of the aqueous ammonia solution. - 特許庁

本発明の有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料は、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応性基を有する繰り返し単位と、電磁波もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第２の官能基を生成する第１の官能基を有する繰り返し単位とを、有する高分子化合物（Ａ）、及び活性水素化合物（Ｂ）を含有する。例文帳に追加

The organic thin-film transistor gate insulation layer material contains : a polymer compound (A), having a repeating unit having a group containing fluorine atoms, a repeating unit having a photodimerization reactive group, and a repeating unit having a first functional group which generates a second functional group to react with active hydrogen by the action of electromagnetic waves or heat; and an active hydrogen compound (B). - 特許庁

タングステン配線上部に第二の層間絶縁膜が成膜される前に、該タングステン配線成膜後の工程で負荷される最高温度Ｃ、すなわち６００℃以上の熱履歴をあらかじめ施すことで、タングステン配線の内部に不安定な原子配列が形成されるのを防止し、タングステン配線の応力緩和と緻密化を図る。例文帳に追加

Before forming a second layer insulation film on the upper side of a tungsten wiring, the thermal budget at a maximum temperature C of 600°C or more to be loaded in process steps after forming the tungsten wiring film is applied beforehand, to avoid forming an unstable atomic configuration in the tungsten wiring, thereby relaxing the stress of the tungsten wiring and compacting it. - 特許庁

原稿から読み取られた読み取り画像について，その縁部の画像を無視する枠消し処理を行うモードが設定されたか否かにより，前記読み取り画像の副走査方向におけるいずれの領域を基準領域とするかを設定し，この設定された基準領域の画像濃度に応じて前記読み取り画像を画像形成する際の濃度を調節するよう構成する。例文帳に追加

This image forming apparatus decides an area in the image read from an original to use as the reference in the sub-scanning direction, depending on whether a mode is set to erase the frame to ignore the fringes of the image, and adjusts the image density for forming the image of the read image, on the basis of the reference image density. - 特許庁

半導体ウェハ等にＦＥＴのゲート絶縁膜などを形成するための半導体薄膜成膜装置および成膜方法について、成膜室に供給される原料ガスの量を、過剰に供給することなく、また、供給量を不足させることなく制御し、膜中の欠陥や不純物を生じさせないようにすること。例文帳に追加

To obtain a semiconductor thin film depositing system and method for forming the gate insulating film of an FET, or the like, on a semiconductor wafer, or the like, in which the film is formed while eliminating defects and impurities by controlling the quantity of a material gas being supplied to a film deposition chamber such that the material gas is not supplied excessively nor deficiently. - 特許庁

強度、成形性等の諸特性を犠牲にすることなく、成形品の絶縁特性を向上して優れた耐トラッキング性、耐アーク性を付与することができ、且つ原料中の石油資源の使用量を低減して廃棄物処理問題や石油資源枯渇問題への対策に寄与することができる、ポリブチレンテレフタレート樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polybutylene terephthalate resin composition improving the insulation characteristic of its molded article without sacrificing various characteristics such as strength, molding property, etc., capable of imparting an excellent tracking resistance and arc resistance, and also capable of contributing to counter measures for the problems of waste material treatment and petroleum resource exhaustion by reducing the using amount of the petroleum resource in its raw material. - 特許庁

下記化学式で示されるジグリシジルイソシアヌレート化合物と、同イソシアヌレート化合物以外のエポキシ化合物（エポキシ樹脂）と、硬化剤を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物であり、塗料や接着剤、電気絶縁材、封止剤、プリント配線板用積層板のマトリクス材などの原料として有用である。例文帳に追加

The epoxy resin composition is characterized by including: a diglycidyl isocyanurate compound shown by chemical formula (1); an epoxy compound (epoxy resin) other than the isocyanurate compound; and a curing agent, and is useful as raw materials such as a coating, an adhesive, an electric insulation material, a sealing agent, and a matrix material of a laminated board for a printed wiring board. - 特許庁

各カソード１−ＫＲ、１−ＫＧ、１−ＫＢから複数の電子ビーム１２を取り出して各原色の蛍光体に照射するようにしたインライン方式電子銃において、蛍光面１１の中央部から周縁部に至る広い領域全域に亘って各蛍光体に照射される複数の電子ビーム１２の照射位置を一致させる。例文帳に追加

To radiate plural electron beams to the same position of each phosphor over a wide area from a central part to a peripheral part of a fluorescent screen in an inline type electron gun for radiating the phosphor of each primary color while taking plural electron beams from each cathode. - 特許庁

本発明の液体現像剤の製造方法は、酸性基を有する樹脂と、窒素原子を含有する荷電制御剤Ａとを混練して混練物を得る混練工程と、前記混練物を、シリコーン鎖と塩基性官能基とを有する分散剤を含む絶縁性液体中で粉砕する粉砕工程と、を有することを特徴とする。例文帳に追加

A method for producing a liquid developer comprises a kneading step of kneading a resin having an acidic group and a charge control agent A containing a nitrogen atom to obtain a kneaded product and a pulverizing step of pulverizing the kneaded product in an insulating liquid containing a dispersant having a silicone chain and a basic functional group. - 特許庁

ゲート絶縁膜２４を製造するときに、オゾンガス雰囲気中で、シリコンとIII族元素又はIV族元素とを蒸着し、その際に基板表面に供給されるオゾンの分子数を、基板表面に供給されるシリコンの原子数と同じかそれより多くし、好ましくは５倍以上として行なう半導体装置の製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method of semiconductor devices, when a gate insulating film 24 is to be manufactured, silicon and a group III or IV element are deposited in ozone gas atmosphere, the number of molecules in ozone to be supplied onto a substrate surface is set to the same as the number of atoms in the silicon to be supplied onto the substrate surface or more, or preferably, five times larger than the number of atoms. - 特許庁

マトリックス原料である熱硬化性樹脂にフィラー材として炭素質材料を混合した樹脂組成物を、エンボス加工により表面に凹凸部を有する板状もしくはシート状に成形加工した後、前記エンボス加工品の周縁部もしくはその一部を、打ち抜きもしくは切断することによって得られた成形品を炭化焼成して得られることを特徴とするアモルファスカーボン成形体。例文帳に追加

The amorphous carbon molding is obtained by molding a resin composition in which a thermosetting resin that is a matrix raw material is mixed with a carbonaceous material as a filler into a plate or a sheet having projections and depressions on the surface by embossing, punching or cutting the periphery of the embossed workpiece or a part thereof, and subjecting the resultant molding to carbonization baking. - 特許庁

トランジスタの作製工程において、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁膜、ゲート電極層、酸化アルミニウム膜を順に作成した後、酸化物半導体層および酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、かつ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体層を形成する。例文帳に追加

A manufacturing process for a transistor includes: sequentially forming an oxide semiconductor layer, a source electrode layer, a drain electrode layer, a gate insulation film, a gate electrode layer, and an aluminum oxide film; and performing heat treatment on the oxide semiconductor layer and the aluminum oxide film, thereby removing impurities including hydrogen atoms and forming an oxide semiconductor layer including a region containing oxygen more than the stoichiometric ratio. - 特許庁

シュラウドヘッド構造体組立架台１７は、原子炉建屋１２内に取り外し自在に設けられた基台１８と、基台１８周縁に、上方に延びて配置された複数の支柱２０と、隣接する支柱２０間に固定される足場２１，２２と、基台１８上に設けられ、シュラウドヘッド２を固定する固定台１９とを備える。例文帳に追加

The shroud head structure assembling frame 17 comprises a base 18 removably disposed in the nuclear reactor building 12, a plurality of struts 20 arranged and extended upward on the rim of the base 18, scaffolds 21 and 22 fixed between adjacent struts 20, and a fixing block 19 that is disposed on the base 18 and fixes the shroud head 2. - 特許庁

無機ファイバー、有機ファイバー、金属ファイバーから選択したファイバー基材、摩擦調整材、カシューダスト、その他充填剤、並びにバインダーレジンを原料とする非石綿系摩擦材組成物であって、少なくとも２層からなる摩擦材において、裏板２に接する下層材３の外周縁部が中央部より高くなるように成形する。例文帳に追加

A non-asbestos type friction material composition is formed from a fiber base material selected among inorganic fiber, organic fiber and metal fiber, a friction adjusting material, cashew dust, other fillers, and a binder resin, to provide a friction material of double layer structure, wherein the peripheral edge of the lower layer 3 contacting with a rear plate 2 is shaped as higher than the central part. - 特許庁

また前記隔壁部２５,２５に、上方へ向かうにつれて上部開口部１１ａの内側方向へ傾斜する傾斜壁部２５ａを形成することで、この傾斜壁部２５ａと上部開口部１１ａの開口端縁との間に画成される開口部に注入ノズル３１の注出口より広い注入ポイント３０,３０を画成し、外側領域１７Ａ,１７Ａに対するウレタン原液の好適な注入を図り得るようにする。例文帳に追加

An oblique wall 25a inclined inward of an upper opening 11a toward an upward direction is formed to form casting points 30 wider than a casting port of a casting nozzle 31 in an opening formed between the wall 25a and the opening edge of the upper opening 11a, and a urethane stock solution can be suitably cast in the areas 17A, 17A. - 特許庁

ハロゲン原子を含むエポキシ樹脂硬化物を絶縁層に用いる多層プリント配線板の製造方法であって、層間接続用穴を、層間接続用の穴となる部分の樹脂硬化物を、アルカリ金属化合物、アミド系溶媒、アルコール系溶媒からなるエッチング液により除去する方法であって、かつ、エッチング液を濾過しながら処理を行う多層プリント配線板の製造方法。例文帳に追加

In this manufacture of a multilayer printed wiring board using an epoxy resin curing compound containing halogen atoms for insulating layers, interlayer connecting holes are formed by removing the resin curing compound provided in the portions to be the interlayer connecting holes by using an etching solution consisting of alkali metal compounds, an amide solvent and an alcohol solvent and the etching solution is filtrated during the treatment. - 特許庁

原紙から成るシート２３のとくに容器３０のコーナと対応する部分においてその外周縁よりも外側の領域に罫線加工２４を放射状に施すようにし、しかも押え板１３によって罫線加工２４の罫線の長さ方向の中間の領域まで押えた状態で絞り加工を行なうようにしたものである。例文帳に追加

Especially in parts corresponding to the corners of the container 30 of a sheet 23 made of base paper, ruled line processing 24 is applied radially to an area outside the peripheral fringe of the sheet 23, and contraction processing is done with a part reaching an intermediate area in the lengthwise direction of the ruled line of the ruled line processing 24 pressed by a press plate 13. - 特許庁

パッシベーション膜であるプラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン窒化膜と下地絶縁膜、特に、ＴＥＯＳガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン酸化膜との界面の密着性を向上させ、後工程で界面が剥離することを防止することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for semiconductor devices whereby there is so improved the adhesiveness of the interface between a silicon nitride film of a passivation film formed by a plasma CVD method, and a foundational insulating film of a silicon oxide film formed by a plasma CVD method using especially a TEOS gas as its raw material as to be able to prevent the interface from peeling in post-processes. - 特許庁

水素分離膜の周縁部をシール溶接する際に、溶接金属の垂れ下がり及びそれによる水素分離膜端部の溶接金属幅の減少を抑制し、原料ガスのリークを防止することが可能な水素分離膜モジュール及びその製造方法ならびに水素製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a hydrogen separating membrane module capable of suppressing a weld metal from drooping and suppressing a width of the weld metal in the end parts of the hydrogen separating membrane from reducing in the result of drooping and capable of preventing a raw material gas from leaking when the peripheral edge part of the hydrogen separating membrane is seal-welded, and a method for manufacturing the same and a hydrogen manufacturing apparatus. - 特許庁

電気的絶縁への配慮を最小限に抑えて構成の簡略化を図ると共に、変圧器運転中に切換開閉器の切換動作状態を監視可能として、切換開閉器の故障箇所および故障原因による異常兆候を的確に検出することができる優れた負荷時タップ切換器を提供する。例文帳に追加

To provide a superior at-load tap switch which is simplified in configuration by suppressing consideration into electrical insulation to a minimum, which can monitor the switching operation state of a changeover switch during the operation of a transformer, and thereby which can accurately detect the sign of abnormality of the changeover switch due to defective point, and the cause for the defect. - 特許庁

半導体素子が形成される被処理基板（９）の半導体表面を、所定の周波数の高周波電源（６）によって励振される平行平板型のプラズマ生成装置によって発生させた酸素原子活性種によって酸化することにより、被処理基板（９）に第１の絶縁膜（１８）を形成する工程を有する。例文帳に追加

The forming method comprises a process of oxidizing the semiconductor surface of a substrate (9) to be processed on which a semiconductor element is formed with an oxygen atom active species produced by a plane parallel type plasma generation apparatus excited by a high frequency power supply (6) of a predetermined frequency, and hereby forming a first insulating film (18) on the substrate (9) to be processed. - 特許庁

フェノール性水酸基含有ポリウレタン（Ａ１）と、フェノール性水酸基と反応する官能基を持つ化合物（Ａ２）と、リン原子含有有機フィラー（Ｂ）とを必須成分として含有することを特徴とする、優れた可撓性、低反り性、絶縁信頼性などに加え、より高い耐燃性を、ハロゲン化合物やアンチモン化合物を含まないで達成することができる、新規な硬化性樹脂組成物に関する。例文帳に追加

The new curable resin composition includes, as essential components, a phenolic hydroxy-containing polyurethane (A1), a compound (A2) having a functional group reactive with a phenolic hydroxy group, and a phosphorus-containing organic filler (B), and attains excellent flexibility, low warpage, insulation reliability and higher flame resistance without including halogen compounds and antimony compounds. - 特許庁

作業ガスを充填した真空チャンバにフッ化カリウム（ＫＦ）源を位置させ、絶縁性の窓部の向こう側のチャンバの外側に位置づけさせた高周波アンテナが窓部を通して作業ガスを加熱してＫＦ源を昇華し、カリウムイオン、フッ素イオン、フッ素原子、作業ガスイオンのプラズマを形成する。例文帳に追加

This fluorine generator is constituted so that a potassium fluoride (KF) source is located in a vacuum chamber which is filled with a working gas, a high frequency wave antenna is located at the outside of the chamber across the insulating window to heat the working gas and to sublimate the KF source, and a plasma for a potassium ion, a fluoride ion, a fluorine atom and the working gas are to be formed. - 特許庁

絶縁不良等の原因となる粒径が５μｍを超える無機フィラーを含まず、ＩＣパッケージ用ソルダーレジストに必要な耐熱性、密着性、耐無電解めっき性、電気特性、ＨＡＳＴ耐性、耐湿性、耐クラック性に優れる光硬化性・熱硬化性樹脂組成物及びその成形物を提供する。例文帳に追加

To provide a photosetting/thermosetting resin composition not containing an inorganic filler of >5 μm particle diameter causing an insulation failure, etc., and excellent in heat resistance, adhesion, electroless plating resistance, electrical properties, HAST resistance, moisture resistance and crack resistance necessary for a solder resist for an IC package and to provide a molding of the composition. - 特許庁

一般式：Ｒ^1_xＳｉ（ＯＲ^2 ）_4-x （但し、Ｒ^1 はフェニル基又はビニル基であり、Ｒ^2 はアルキル基であり、ｘは１〜３の整数である。）で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加

A material mainly containing an organic Si compound R^1_xSi(OR^2)_4-x (where R^1 is a phenyl or a vinyl group, R^2 is an alkyl group, and x is an integer of 1-3.) is plasma polymerized or reacted with an oxidizer to form an organic-containing Si oxide interlayer insulation film. - 特許庁

光透過性、耐熱性、有機溶媒溶解性及び絶縁性等が改善された各種の電子材料や光通信用材料として有用なエポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂等の原料（モノマー）である脂環式テトラカルボン酸化合物及びエポキシ脂環式テトラカルボン酸化合物を提供すること。例文帳に追加

To obtain an alicyclic tetracarboxylic acid compound and an epoxyalicyclic tetracarboxylic acid compound which are raw materials (monomers) for epoxy resins, polyamide resins, polyester resins, polyimide resins, and the like, useful as various electronic materials and optical communication materials having improved optical transmission, heat resistance, organic solvent solubility, insulation properties, and the like. - 特許庁

ゲート絶縁膜１０は、第１主面１１１及びその第１主面１１１に対向する第２主面１１２を有する第１の酸窒化膜１１と、第１主面１１１上の、窒素濃度が１×１０^21原子／ｃｍ^3以上の第２の酸窒化膜１２と、第２の酸窒化膜１２上に配置された第３の酸窒化膜１３とを含む。例文帳に追加

A gate insulating film 10 includes a first oxynitride film 11 having a first principal surface 111 and a second principal surface 112 opposed to the first principal surface 111, a second oxynitride film 12 having a nitride concentration of not less than 1×10^21 atoms/cm^3 on the first principal surface 111, and a third oxynitride film 13 arranged on the second oxynitride film 12. - 特許庁

ガラス、石英、プラスチックフィルム、ステンレススチール、高分子系繊維、紙などの絶縁性、又は柔軟性基板上の非晶質半導体層内で、フォノンを非熱平衡状態で局所的に励起させ、不規則位置に存在する原子を規則位置に移動させることにより、非溶融状態で半導体結晶膜を得る。例文帳に追加

The semiconductor crystal film in a semi-molten state is obtained by locally exciting a phonon in a thermal nonequilibrium condition in an amorphous semiconductor layer on the insulating substrate such as a glass, a quartz, a plastic film, a stainless steel, a polymer series fiber, a paper or the like, or the flexible substrate to move the atom existing in an irregular position to a regular position. - 特許庁

表面シリコン原子の再配列によって形成した複数のステップ１１およびテラス１２を有するミスオリエンテーション基板１０を用いて、その基板１０のテラス１２上にエピタキシャル成長させた極薄の結晶質二酸化シリコン膜１５をゲート絶縁膜としてＭＯＳ電界効果型トランジスタを構成する。例文帳に追加

With the use of a mis-orientated wafer 10 with a plurality of steps 11 and terraces 12 formed by rearranged surface silicon atoms, a MOS field-effect transistor is structured with a very thin crystalline silicon dioxide film 15 which is grown epitaxially on the terrace 12 of the wafer 10 as a gate insulating film. - 特許庁

少なくとも一種類の有機基と結合したＳｉ原子を含み、かつ、Ｘ線小角散乱測定によって観測されるスペクトルより求められるシロキサンポリマーの分岐度数値Ａが −２．０＞Ａ＞−２．８、（Ａ値は無次元）であるシロキサンポリマーを含むことを特徴とする半導体装置用絶縁膜形成用塗布液。例文帳に追加

The coating liquid for forming an insulating film for a semiconductor device contains an Si atom combined with at least one kind of organic group, and a siloxane polymer whose branching frequency A found by a spectrum observed by small-angle X-ray scattering is within a range of -2.0>A>-2.8 (A is a dimensionless value). - 特許庁

通気穴４７と吸気口１７との間に遮蔽板５０を設けることで、水滴や飛沫が直接吸気口１７に浸入することがなく、また、本体１内に浸入した水滴を自然蒸発させることで制御ブロック１０の絶縁劣化や故障の原因を低減することができる電磁加熱調理器を提供することが可能になる。例文帳に追加

In the electromagnetic heating cooker, a waterdrop and a splash do not directly enter an intake port 17 by preparing a cover plate 50 between an air vent 47 and the intake port 17, and insulation deterioration of a control block 10 and causes of a malfunction can be reduced by naturally evaporating the waterdrop entering the body 1. - 特許庁

本発明の低誘電率絶縁膜の形成材料は、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン (ＴＭＣＴＳ) の全ての立体異性体分子の中で、Ｓｉ−Ｈ結合を構成する全ての水素原子４個がＳｉ−Ｏ環平面に対して同じ側にある立体異性体が１５％以上１００％以下含まれている。例文帳に追加

In a formation material of a low dielectric constant insulating film of the present invention, stereoisomer of 15 to 100 % with all of four hydrogen atoms constituting Si-H bond existed on the same side to an Si-O annular plane is contained in all of the stereoisomeric molecules of 1, 3, 5, 7-tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS). - 特許庁

分離層形成に必要な酸素雰囲気中で高温熱処理時間を大幅に短縮でき、ドリフト層の不純物濃度プロファイル変動の原因となる酸素を新たに取り込むことなく分離層を形成できる低オン電圧、低スイッチング損失特性を備える逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a reverse blocking insulated-gate bipolar transistor having low ON-voltage and low switching loss characteristics whereby a high temperature heat treatment time under atmosphere of an oxygen required for forming an isolation layer can considerably be reduced, and the isolation layer can be formed without newly bringing in oxygen working as a cause to variations in the impurity concentration profile of a drift layer. - 特許庁

圧電振動子を圧電振動子容器の内部に、圧電素板を片持ちの状態で支持し、気密封止した構成の圧電振動子において、簡単な方法で圧電素板を水平に保持し、圧電素板が、圧電振動子容器の底部の絶縁基板や蓋に接触することを原因とする主振動周波数の変化などの特性の変化を無くし、安定した特性をもった、総合歩留まりの良好な圧電振動子を提供する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric vibrator which has stable characteristics and an excellent total yield by horizontally holding a piezoelectric element plate by a simple method, and eliminating variation in characteristics such as main vibration frequency caused when the piezoelectric element plate comes into contact with the insulating substrate of the bottom of a piezoelectric vibrator container, or a lid as a piezoelectric vibrator which supports a piezoelectric element plate in a piezoelectric vibrator container in a cantilever state. - 特許庁

しかし、ためらいながらも彼の認めたところによれば、このように彼を悩ましている特殊な憂鬱の大部分は、もっと自然で、よりもっと明らかな原因として、——長年のあいだ彼のただ一人の伴侶（はんりょ）であり——この世における最後にして唯一の血縁である——深く愛している妹の、長いあいだの重病を、——またはっきり迫っている死を、——挙げることができるというのであった。例文帳に追加

He admitted, however, although with hesitation, that much of the peculiar gloom which thus afflicted him could be traced to a more natural and far more palpable origin - to the severe and long-continued illness - indeed to the evidently approaching dissolution - of a tenderly beloved sister - his sole companion for long years - his last and only relative on earth.  - Edgar Allan Poe『アッシャー家の崩壊』

東京第は嘉祥3年（850年）に清和天皇が誕生した場所で（母は冬嗣の孫、藤原明子(染殿后)）、その縁から同天皇の産神・産土神と崇められたようで、宗像3神には即位の翌年である貞観元年（859年）に正二位が授けられており（その後従一位に昇進）、同7年（865年）には同じく邸内社であった天石戸開神にも従三位が授けられ、同年4月17日(旧暦)には特に楯・桙・鞍を奉納するほどであったが、『延喜式神名帳』には登載されずに終わった。例文帳に追加

The Tokyo-tei was where Emperor Seiwa (his mother was FUJIWARA no Akira Keiko (Somedono no Kisaki) was born in 850, so it was honored as the Ubugami (birth gods) and the Ubusunagami (guardian deity of one's birthplace), and next year of the emperor's enthronement in 859, Shonii (Senior Second Rank) was given to Munakata Sanjojin (promoted to Juichii (Junior First Rank) later), and in 865, Jusanmi (Junior Third Rank) was also given to Amanoiwatowake no kami, the shrine in the same mansion, and on May 19 of the same year, a shield, a pike, and a saddle were dedicated to the shrine but this dedication was not recorded in "Jinmyocho (the list of deities) of Engishiki" (codes and procedures on national rites and prayers).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

しかし、天皇の后にした娘が男子に恵まれなかった事や刀伊の入寇・平忠常の乱・前九年の役など戦乱が相次ぎ、朝廷内部での絶対的な権勢とは裏腹に内外においてはその政治的基盤を揺るがせる事態が相次ぎ、晩年には藤原氏と縁のない後三条天皇が即位して、摂関家は衰退へ向かい、やがて院政と武士の台頭の時代へと移ることになる。例文帳に追加

However, because the maiden taken by the Emperor as Empress was unable to provide a son and, due to conflicts such as the Toi Invasion, the TAIRA no Tadatsune Rebellion and the Zenkunen War, the absolute power of the Fujiwara clan in the inner circles of the imperial court was eroded at home and abroad and rocked to its political foundations time and again; in its final years, the Fujiwara clan, who kept the position of Sessho and Kanpaku, saw the unrelated Emperor Gosanjo enthroned and as such, and headed towards decline; in time, there was a transition to a period of cloistered government and the ascendance of samurai warriors. - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

シリコン窒化膜２４を含む第１のゲート絶縁膜１６を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１０上にシリコン酸化膜２２を形成する工程と、シリコンとハロゲンとを含む分子を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜２２を熱処理する工程と、ＮＨ_3を含む雰囲気中で、シリコン酸化膜２２を熱処理する工程と、シリコンを含むガスとＮＨ_3とを原料として、シリコン酸化膜２２上にシリコン窒化膜２４を形成する工程とを有している。例文帳に追加

The method also includes a step of forming the silicon nitride film 24 on the silicon oxide film 22, by using a silicon-containing gas and NH3 as raw materials. - 特許庁

半導体粒子を繊維中及び／又は繊維高分子の結晶界面領域もしくは非結晶領域に選択的に分散させてなる、赤外線及び荷電粒子放射特性を有する機能性繊維を使用した機能性製品において、半導体粒子の原料として、室温付近で荷電粒子を発生させる活性化エネルギーレベルが０．１−１．０ｅＶである半導体又は禁制帯を有する半導体を用い、その半導体粒子を絶縁体繊維マトリクスに０．００１−１０ｗｔ％配合して、繊維中及び／又は繊維表面に配列させることにより、生体赤外線及び荷電粒子放射能の大きな繊維を作成した。例文帳に追加

The functional cloth (product) using functional fibers is provided; wherein the functional fibers have infrared rays- and electrically charged particles-radiating characteristics, being obtained by selectively dispersing semiconductive particles in fibers and/or in the crystal interfacial regions or noncrystal regions of a fibrous polymer. - 特許庁

本発明の一態様に係るトランジスタ１００は、導体領域１０ａと表面に原子が結合した半導体領域１０ｂとを有し、チャネルとして機能するグラフェン膜１０と、グラフェン膜１０上にゲート絶縁膜１１を介して形成されたゲート電極１２と、を有し、導体領域１０ａと半導体領域１０ｂが形成するショットキー接合のトンネル電流をスイッチング動作に用いる。例文帳に追加

The transistor 100 in one embodiment includes: a graphene film 10 which has a conductor region 10a and a semiconductor region 10b where atoms are bonded to a surface, and functions as a channel; and a gate electrode 12 formed on the graphene film 10 with a gate insulating film 11 interposed, wherein a tunnel current of a Schottky junction that is formed by the conductor region 10a and semiconductor region 10b is used for switching operation. - 特許庁

少なくとも１種の直鎖状の炭素数４〜８のオレフィンおよび少なくとも１種の分枝状の炭素数４〜８のオレフィンを含有する炭化水素原料と、含有されるゼオライトおよび／またはゼオライト類縁化合物が、酸素８員環以上の細孔を有し、かつ該細孔内に存在し得る最大包摂球の直径（Ｄｉ）が０．６３０ｎｍ未満である触媒とを接触させて、エチレンおよび／またはプロピレンを製造する。例文帳に追加

Ethylene and/or propylene is produced by allowing a hydrogen carbonate material containing at least one linear 4-8C olefin and at least one branched 4-8C olefin to come into contact with a catalyst including zeolite and/or a zeolite analogous compound having pores of at least 8 or more-membered oxygen ring with a diameter (Di) of the largest bounding sphere, which can be present in the pore, of <0.630 nm. - 特許庁

絶縁基板１０上に所定間隔で離隔されたソース電極２０とドレイン電極３０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０との間に数ｎｍ厚さの金属層４０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０に所定電圧を印加して金属層４０の金属原子／イオンの移動によりソース電極２０とドレイン電極３０との間に量子点を形成する段階とを含む。例文帳に追加

This manufacturing method comprises a stage where a source electrode 20 and a drain electrode 30 separated by a specified distance are formed on an insulating substrate 10, a stage where a metal layer 40 of several nm thickness is formed between them, and a stage where a specified voltage is applied to them so that moving of metal atom/ion of the metal layer 40 forms a quantum point between them. - 特許庁

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor. - 特許庁

本発明の多孔質絶縁膜１０は、有機シロキサンを原料とするプラズマＣＶＤによって形成されたものにおいて、第一の電子エネルギのプラズマを用いてプラズマＣＶＤによって形成された第一層１１と、第一層１１の上に第二の電子エネルギのプラズマを用いて前記プラズマＣＶＤによって形成された第二層１２とを備え、第一の電子エネルギが第二の電子エネルギよりも大きい、ことを特徴とする。例文帳に追加

The porous insulating film 10 formed by plasma CVD using organic polysiloxane as a material includes a first layer 11 formed by plasma CVD using plasma with first electronic energy and a second layer 12 formed by the plasma CVD using plasma with second electronic energy on the first layer 11, wherein the first electronic energy is larger than the second electronic energy. - 特許庁