「縁原」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

関ヶ原の合戦後直ちに離縁された。例文帳に追加

She divorced soon after the Battle of Sekigahara.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

不退寺　在原業平所縁の寺例文帳に追加

Futai-ji Temple: A temple associated with ARIWARA no Narihira  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

原料粉末3は、絶縁層を具える軟磁性粉末である。例文帳に追加

The raw material powder 3 is soft magnetic powder having insulator layers. - 特許庁

原稿積載装置１４０は、原稿が積載される原稿載置台１２０と、原稿載置台上の原稿の縁に対して接離して原稿の縁を整合する原稿幅規制部材１２２ａ，１２２ｂ及び原稿後端規制部材を備えている。例文帳に追加

A document loading device 140 includes a document loading tray 120 for loading a document, document width regulating members 122a and 122b and a document rear end regulating member for registering the edge of the document by contacting-separating to the edge of the document on the document loading tray. - 特許庁

絶縁膜の上にＨｆを含むガス(45)を供給して、絶縁膜の上にＨｆ原子(41)を堆積させる。例文帳に追加

The gas (45) containing Hf is supplied onto the insulating film to deposit Hf atoms (41) on the insulating film. - 特許庁

当初、藤原為経の妻となり藤原隆信を生むが、夫の出家の際に離縁となった。例文帳に追加

In her first marriage with FUJIWARA no Tametsune, she gave birth to FUJIWARA no Takanobu, but she divorced when her husband became a priest.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

次に、窒素原子、水素原子を含む絶縁膜２０６でアルミ配線層を被覆する。例文帳に追加

Next, the aluminum wiring layer is coated with an insulating film 206 containing nitrogen and hydrogen atoms. - 特許庁

墜落した飛行機の残骸は三原山の火口の縁で発見された.例文帳に追加

The wreckage of the plane was sighted on the lip [rim] of the crater of Mt. Mihara.  - 研究社 新和英中辞典

藤原兼輔の末裔であり、紫式部の遠縁に当たる。例文帳に追加

He was a descendant of FUJIWARA no Kanesuke and a distant relative of Murasaki Shikibu.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

絶縁層１２は、窒素原子を含む酸化シリコンからなる。例文帳に追加

The insulation layer 12 is composed of silicon oxide containing nitrogen atoms. - 特許庁

立体規則性の高いリン原子修飾ヌクレオチド類縁体の製造法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF HIGHLY STEREOREGULAR PHOSPHORUS ATOM-MODIFIED NUCLEOTIDE ANALOGUE - 特許庁

第１の絶縁性水素バリア膜と第２の絶縁性水素バリア膜は、互いの組成比が異なる窒化シリコンよりなり、第２の絶縁性水素バリア膜のシリコン原子数に対する窒素原子数の比の値は、第１の絶縁性水素バリア膜のシリコン原子数に対する窒素原子数の比の値よりも小さい。例文帳に追加

The first insulation hydrogen barrier film and the second insulation hydrogen barrier film comprise nitride silicon with different composition ratios, and the value ratio of the number of nitrogen atoms to the number of silicon atoms of the second insulation hydrogen barrier film is smaller than that to the first insulation hydrogen barrier film. - 特許庁

抗原としてＩＰ−１０類縁体を用いて製造された抗体。例文帳に追加

An antibody produced using the IP-10 analog as an antigen. - 特許庁

原子間力顕微鏡による絶縁材料の表面分析方法例文帳に追加

SURFACE ANALYSIS METHOD OF INSULATION MATERIAL WITH ATOMIC FORCE MICROSCOPE - 特許庁

高誘電性の絶縁同軸ケーブルを用いた原子炉出力監視装置例文帳に追加

NUCLEAR REACTOR POWER MONITOR USING HIGHLY DIELECTRIC INSULATED COAXIAL CABLE - 特許庁

絶縁体である孔版原紙が適切に切断されたか否かを判定する。例文帳に追加

To determine whether stencil original paper, which is an insulator, is cut appropriately or not. - 特許庁

プラテン３０５の下部端縁に原稿支持溝３３０を設けた。例文帳に追加

A source support groove 330 is provided in the lower edge of the platen 305. - 特許庁

液体有機原料の気化方法及び絶縁膜の成長方法例文帳に追加

METHOD OF VAPORIZING LIQUID ORGANIC MATERIAL AND METHOD OF GROWING INSULATION FILM - 特許庁

非石油由来の原料からなり、電圧機器の絶縁構成に必要とされる絶縁性能に優れた絶縁性高分子材料組成物を得る。例文帳に追加

To obtain an insulating polymer material composition comprising a nonpetroleum-derived raw material with excellent insulation performance needed for insulated structure in voltage equipment. - 特許庁

互いに交差し、絶縁膜を介して前記絶縁膜上を配線するブリッジ配線の導通不良の原因の絶縁膜のしみ上がりを防ぐ。例文帳に追加

To prevent bleeding-up of an insulating film inducing a conductive failure of bridge wirings mutually intersecting to wire over the insulating film via the insulating film. - 特許庁

原稿載置台にラフに積載された原稿の内、自重による原稿同士の挟圧力の小さい上部の原稿に原稿幅規制部材１２２ａ，１２２ｂ及び原稿後端規制部材を対向させて、原稿の縁を整合することができる。例文帳に追加

The document width regulating members 122a and 122b and the document rear end regulating member are opposed to an upper document small in the interposing pressure of the mutual documents by dead weight among the documents roughly loaded on the document loading tray, and the edge of the document can be registered. - 特許庁

層間絶縁膜の形成方法、層間絶縁膜形成用の前駆体溶液、層間絶縁膜形成用のＣＶＤ原料、及びシロキサンオリゴマー形成用原料例文帳に追加

METHOD OF FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, PRECURSOR SOLUTION FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, CVD MATERIAL FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, AND MATERIAL FOR FORMING SILOXANE OLIGOMER - 特許庁

ポリフェニレンを含む絶縁膜形成用組成物であって、形成した絶縁膜中における前記ポリフェニレンの炭素原子数（Ｃ）および酸素原子数（Ｏ）が、Ｏ／（Ｃ＋Ｏ）≧０．０５０の関係を満たす、絶縁膜形成用組成物。例文帳に追加

This composition for forming an insulating film is that containing polyphenylene in which the number (C) of carbon atoms and number (O) of oxygen atoms of the polyphenylene in the formed insulating film satisfy the equation: O/(C+O)≥0.050. - 特許庁

ポリシリコン膜４とゲート絶縁膜５との界面には、シリコン原子を含み、当該シリコン原子のダングリングボンドが窒素原子あるいはＯＮ基で終端された絶縁層９が存在している。例文帳に追加

An insulating layer 9 which includes a silicon atom and in which dangling bond of the silicon atom is terminated by a nitrogen atom or an ON group exists in an interface of the polysilicon film 4 and the gate insulating film 5. - 特許庁

層間絶縁膜の形成方法は、酸素原子を含有しない有機シリコン化合物、及び酸素原子を含有する有機シリコン化合物を原料として用いて、プラズマＣＶＤ法により、基板上に層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加

The forming method for the interlayer insulating film uses the oxygen atom-containing and non oxygen atom-containing organic silicon compounds as raw materials, and forms the interlayer insulating film on a substrate by employing the plasma CVD method. - 特許庁

原稿位置情報を取得したシステム制御部８は、その情報に基づいて原稿の縁の位置を検出し、検出した原稿縁に相当するアドレスを“１”に書き換える。例文帳に追加

Based on that information, the system control part 8 which acquires the original position information, detects the position of the edge of the original and rewrites an address corresponding to the detected original edge to '1'. - 特許庁

フィルムと透過原稿照明ユニットを収納する透過原稿ホルダーの穴の縁の上部に対応する位置に、穴の縁よりも横に突出した部分を透過原稿照明ユニットに設ける。例文帳に追加

A part of a transparent original holder laterally projected from the edge of a hole is provided to a transparent original illumination unit at a position corresponding to an upper part of the edge of the hole of the transparent original holder for containing the film and the transparent original illumination unit. - 特許庁

原稿の端縁付近に文字やごみ等の黒の画素で読み込まれる点が多少あったとしても、原稿の端縁を正確に判別して検出することができる原稿サイズ検出装置を提供する。例文帳に追加

To provide the original size detector that accurately discriminates and detects edges of an original even when there are more or less points read by black pixels such as characters or dust around edges of the original. - 特許庁

刺繍機において、原反を縫製枠６に張り付けるにあたり、原反の後側縁を縫製枠６の後枠６ｂに保持し、原反の前側縁を後枠６ｂと平行に延びる保持枠１５に保持する。例文帳に追加

The rear side edge of the whole cloth is held by the rear frame 6b of a sewing frame 6 and the front side edge of the whole cloth is held by a holding frame 15 extending parallel to the rear frame 6b, when attaching the whole cloth on the sewing frame 6 in the embroidery machine. - 特許庁

形成した絶縁膜の絶縁性低下の原因となるハロゲン等の不純物を含まず、且つ、導体層との密着性を確保するための絶縁膜表面の粗化に起因する絶縁膜の絶縁性低下を招くことなく薄膜化の要求に応えることのできる、絶縁性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain the subject composition containing no impurities including halogens, causing no insulation drop of the insulation films therefrom, and useful for insulation films for build-up circuit boards by including an alicyclic epoxy resin, an epoxy curing agent, and a polybutadiene compound, etc. - 特許庁

異なる窒素原子密度を有するゲート絶縁膜の形成に際し、窒素原子密度の低いゲート絶縁膜を形成する領域で、窒素原子密度の高いゲート絶縁膜を確実に剥離することができる、MISFETを有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, having a metal insulator field effect transistor(MISFET) where a gate insulating film having high nitrogen atomic density can be surely peeled in a region, on which a gate insulating film having low nitrogen atomic density is to be formed, when gate insulating films having different nitrogen atomic densities are formed. - 特許庁

窒化物半導体層の成長方法は、基板上にIII族原料ＧａＣｌを連続的又は断続的に供給するとともに、窒素原料ＮＨ_３と半絶縁性を付与する半絶縁性ドーパント原料Ｃｐ_２Ｆｅとを交互に供給して基板上に半絶縁性窒化物半導体層を成長させる。例文帳に追加

This method for growing the nitride semiconductor layer comprises: supplying GaCl of group III raw material continuously or intermittently on a substrate; and also supplying NH_3 of nitrogen raw material and Cp_2Fe of semi-insulating dopant raw material imparting semi-insulating property alternately to grow the semi-insulating nitride semiconductor layer on the substrate. - 特許庁

このような処理によって、原稿縁に相当する個所のアドレスが“１”に書きかえられ、オペレータによって指定された閉領域図形は“原稿縁閉領域”から“通常閉領域”となり、原稿縁閉領域を検出することが可能となる。例文帳に追加

With such a processing, the address at a part corresponding to the original edge is rewritten to '1', the closed area graphic designated by an operator is changed from 'original edge closed area' to 'ordinary closed area' and the original edge closed area can be detected. - 特許庁

金属原子を含んだ絶縁破壊耐性の高いゲート絶縁膜構造を持つ半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which has the structure of an insulating film high in resistance to insulation breakage including metallic atoms. - 特許庁

環状シロキサンを含むＣＶＤ用絶縁膜原料組成物およびそれを用いた絶縁膜の形成方法例文帳に追加

INSULATING FILM RAW MATERIAL COMPOSITION FOR CVD INCLUDING CYCLIC SILOXANE AND METHOD FOR FORMING INSULATING FILM USING THE SAME - 特許庁

Ｃｕ原子の絶縁膜への拡散を防止できるＴａＳｉＮのバリア膜を、絶縁膜上にカバレッジ良く成膜する方法を提供する。例文帳に追加

To provide depositing method of a barrier film of AsSiN capable of preventing the diffusion of Cu atom into an insulating film on the insulating film with good coverage. - 特許庁

画像形成装置は、原稿の縁部Mf,Mr,Msから所定幅の範囲の縁画像を、完全に消去せずに、緩和する。例文帳に追加

The image forming device relaxes an edge image in a range with prescribed width from the edge parts Mf, Mr, Ms of the original without completely deleting them. - 特許庁

絶縁ワッシャー原反から絶縁ワッシャーの打抜き、挿入機への搬送を一貫して安定良く行うこと。例文帳に追加

To consistently stably perform the process of punching insulation washers from a material sheet, and to convey them to an inserter. - 特許庁

次に、第１のゲート絶縁膜１３Ｂ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｂを窒素プラズマに暴露することにより、窒素原子をさらに導入された第１のゲート絶縁膜１３Ｃ及び第２のゲート絶縁膜１５Ｃを形成する。例文帳に追加

The method also comprises steps of exposing the first film 13B and the second film 15B to nitrogen plasma, and thereby forming a first gate insulating film 13C and a second gate insulating film 15C in which the nitrogen atom is further introduced. - 特許庁

絶縁層の剥ぎ取り時の断線や絶縁層除去不良の原因となる導体と絶縁層の接着力が低減されている絶縁電線、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an insulation wire reduced in adhesive force of a conductor to an insulating layer inducing wire disconnection and defective removal of the insulating layer in peeling the insulating layer and a method of manufacturing the same. - 特許庁

絶縁層の剥ぎ取り時の断線や絶縁層除去不良の原因となる導体と絶縁層の接着力が低減されている絶縁電線、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an insulating wire reduced in adhesive force of a conductor to an insulating layer inducing wire disconnection and defective removal of the insulating layer in peeling the insulating layer and a method of manufacturing the same. - 特許庁

資定には男子がなく、柳原家の分家の町家（公家）の町資将の子の柳原淳光を養子縁組として相続させた。例文帳に追加

As Sukesada had no sons, he adopted Atsumitsu YANAGIWARA and appointed him successor to the position of head of the family; Atsumitsu was a son of Sukemasa MACHI of the Machi family, a branch family of the Yanagiwara family who were kuge (court nobles).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

こうすることによって，ＣＦ絶縁膜の表面にフッ素原子がなくなり，フッ素原子と水分子との反応が防止される。例文帳に追加

Consequently, no fluorine atom is left on the surface of the CF insulating film to prevent fluorine atoms from reacting with water molecules. - 特許庁

この微粒子６は、シリコン原子と酸素原子の結合を含み且つ空孔を有しており、低誘電率絶縁膜形成用材料となる。例文帳に追加

The particulates 6 include bonds of silicon atoms with oxygen atoms and has pores and is used for a material for forming a low-dielectric constant insulation film. - 特許庁

バイオマス由来の原料からなるパウダー状の絶縁性高分子材料組成物であって、前記原料はポリブチレンサクシネートである。例文帳に追加

This powdery insulating polymer material composition consists of a raw material derived from a biomass, and the raw material is a polybutylene succinate. - 特許庁