「縁原」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

原稿の用紙サイズを自動認識して適切な読取範囲を自動設定するとともに、読取画像に発生する原稿周縁部の黒化領域を自動的に除去できる画像編集装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image editing device which automatically recognizes the size of paper of an original to automatically set an appropriate read range and also automatically eliminates the black area of an original peripheral part which is generated in a read image. - 特許庁

凹形状２４ｂの縁である凸条部２４ｄ、２４ｅが搬送される原稿の背面を支持して読取位置１６０の原稿の背面に空間を形成する。例文帳に追加

A space is formed to a rear side of the document at the read position 160 by supporting the rear side of the carried document by projections 24d, 24e being edges of the recess 24b. - 特許庁

ＩＣ封止材料、電気絶縁材料等に用いられるエポキシ樹脂の原料、エポキシ樹脂の硬化剤、液晶熱硬化性モノマーの原料として有用なビフェノール誘導体を提供すること。例文帳に追加

To obtain a new compound useful as a raw material for epoxy resins used as an IC sealing material, electrical insulating material and the like by reacting a biphenol with a dihalogenoalkane in the presence of a basic material and a solvent. - 特許庁

搬送される原稿の正面側の側縁部分に形成されるループ量が所定値に達したことをループ量検出部が検出すると、ループの形成を中止して、レジストローラ対による原稿の搬送を開始する。例文帳に追加

If a loop amount detection part detects that a loop amount formed at a side edge part on a front side of the conveyed manuscript has reached a predetermined value, the loop formation is stopped, and conveyance of the manuscript by the pair of the resist rollers is started. - 特許庁

ゲート絶縁膜５は、チャネル領域４の直上の部分が誘電率の高い金属酸化物からなる第１のゲート絶縁膜５ａにより形成され、それ以外の部分は金属原子濃度が低い第２のゲート絶縁膜５ｂにより形成される。例文帳に追加

For the gate insulating film 5, the section right above the channel region 4 is made of the first gate insulating film 5a consisting of a metallic oxide high in permittivity, and other sections are made of second insulating film 5b low in concentration of metallic atoms. - 特許庁

スピンコーター法、ミストデポジション法、またはＣＶＤ法により、各種基板の表面に、高品質、高純度のリチウムを含む絶縁膜、あるいはリチウムシリケートを含む絶縁膜を成膜するための絶縁膜成膜用原料、及びそれを用いた成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a material for forming an insulation film containing high quality and high purity lithium or an insulation film containing lithium silicate on a surface of various substrates by spin coating method, mist deposition method or CVD method and to provide a film forming method using the same. - 特許庁

層間絶縁膜２における第１配線層１の配線間スペースＰ１を密にすることによって、層間絶縁膜２における第１配線層１の総量を増加させ、撓みの原因となる硬度の低い層間絶縁膜２の総量を低減させている。例文帳に追加

The inter-wiring space P1 of a first wiring layer 1 in the interlayer insulating film 2 is narrowed, so that the first wiring layer 1 in the interlayer insulating film 2 is increased in total amount, and the interlayer insulating film 2 which is low in hardness to cause deflection is reduced in total amount. - 特許庁

絶縁体である基板が有するトレンチ内にメッキ法により金属、特に銅を埋め込む際のシード層になるとともに、金属原子の絶縁膜へのマイグレーションを防止するバリア層の役割をも果たし、かつ、絶縁体との密着性に優れた金属膜を簡易に形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for easily depositing a metallic film made into a seed layer upon burying metal, particularly copper into a trench in a substrate as an insulator by a plating process, further playing a roll as a barrier layer for preventing the migration of metal atoms to an insulation film and also having excellent adhesion with the insulator. - 特許庁

孝謙上皇と淳仁天皇の時代の759年(天平宝字3年)11月16日、藤原氏と縁が深く（仲麻呂の祖父藤原不比等は淡海公、父藤原武智麻呂は近江守）仲麻呂も近江国守であったことから、近江国に保良宮の造営が開始された。例文帳に追加

On December 13, 759, in the period of retired Empress Koken and Emperor Junnin, construction of Horanomiya was started in Omi Province because it was deeply related to the Fujiwara clan (Nakamaro's grandfather FUJIWARA no Fuhito's posthumous title was Tankaiko [Tankai means Omi], and his father FUJIWARA no Muchimaro was an Omi no kami [governor of Omi Province]) and Nakamaro himself was an Omi no kuni no kami (governor of Omi Province).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

側板原紙１１と底板原紙とからなる紙容器の製造方法において、まず、容器の内面側に第１フィルム２１が、容器の外面側に第２フィルム２２が形成され、対向する側縁１４ａ及び１４ｂを有する扇形の側板原紙１１を準備する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the paper container comprising side plate base paper 11 and bottom plate base paper, a first film 21 is formed on the inner surface side of the container and a second film 22 is formed on the outer surface side of the container, and sectorial side plate base paper 11 having opposed side edges 14a and 14b is prepared first. - 特許庁

有機金属錯体原料１ａ、１ｂを気化させて基板２上に膜を堆積させる有機金属化学気相成長装置３において、有機金属錯体原料１ａ，１ｂ乃至気化した該有機金属錯体原料が接触する部分の全部又は一部を絶縁材料４により形成している。例文帳に追加

In the organometal chemical vapor deposition apparatus 3 for depositing a film on a substrate 2 by evaporating raw materials 1a and 1b of an organometallic complex, all or one part of the portion contacting with the raw materials 1a and 1b of the organometallic complex or the vaporized raw materials of the organometallic complex are formed of a insulating material 4. - 特許庁

掃除する箇所と接触する原反部２と原反部２の周縁部に設けられた伸縮自在な伸縮自在部３と原反部２の中央付近に設けた吸込部４からなり掃除機の延長管先端部５に取り付けゴミや埃を掻き出し掻き取る事が可能である。例文帳に追加

The nozzle cap can be attached on the distal end part 5 of an extension tube of the cleaner to scrape out and away rubbish and dust. - 特許庁

このウエハＷに貼り付けられた原シートは、カッターユニットによってウエハＷの周縁に沿って切断された後、加熱接着部２４で加熱プレートを原シートの上から直接押し当てられながら、この原シートを加熱して基板に接着シートが接着される。例文帳に追加

The original sheet pasted to the wafer W is cut along the circumferential edge of the wafer W by means of a cutter unit and applied directly with a heating plate from above at a thermal bonding section 24 so that the original sheet is heated and the adhesive sheet is bonded to a substrate. - 特許庁

基体の上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口を形成する工程と、前記絶縁膜の前記開口の内壁面に埋込層原材料を吸着させる工程と、前記吸着させた前記埋込層原材料を加熱して埋込層を形成する工程と、前記開口を導電性材料により充填する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of forming an insulating film on a substrate, providing an opening to the insulating film, enabling the inner wall of the opening bored in the insulating layer to attract the buried layer material, forming a buried layer by heating the buried layer material attracted to the inner wall of the opening, and filling the opening with conductive material. - 特許庁

ゲート電極を形成した半導体基板上に、コンタクト層と、金属配線と、層間絶縁膜とを備える半導体装置であって、層間絶縁膜は、水素原子を含む原料ガスを用いて、バイアス印加したプラズマＣＶＤにより金属配線上に形成し、金属配線および層間絶縁膜の下層にシリコン酸窒化膜を有することを特徴とする。例文帳に追加

In a semiconductor device including a contact layer, a metal interconnection and an interlayer insulating film on a semiconductor substrate having a gate electrode formed thereon, the interlayer insulating film is formed on the metal interconnection by bias-applied plasma CVD using source gas containing hydrogen atoms, and a silicon oxynitride film is provided in the underlayer of the metal interconnection and the interlayer insulating film. - 特許庁

負電荷原子発生装置は、負電荷原子に対して伝導性を有する固体電解質層と；前記固体電解質層を挟むように配置された第１及び第２の電極と；前記第１の電極の上に形成された絶縁層と、当該絶縁層上に形成された引出電極とを有する負電荷原子引出部とを備える。例文帳に追加

The negatively charged atom generator comprises a negatively charged atom extraction part consisting of a solid electrolyte layer having the property of conducting negatively charged atoms, first and second electrodes arranged with the solid electrolyte layer held therebetween, an insulating layer formed on the first electrode and an extraction electrode formed on the insulating layer. - 特許庁

電気機器のコイル用電線として用いられる絶縁電線１であって、導体２と、導体２の外周に、珪素原子、チタン原子、アルミニウム原子のいずれかを有する改質剤化合物を含む燃料ガスで炎処理を施すことにより形成された改質皮膜３と、改質皮膜３の外周に、エナメル樹脂塗料を塗布、焼付けして形成された絶縁皮膜４とを有するものである。例文帳に追加

The insulated wire 1 to be used as a coil wire of an electric unit is provided with a conductor 2, a reforming film 3 formed on the outer circumference of the conductor 2 by carrying out a flame treatment by a fuel gas containing a reforming agent compound having either of silicon atoms, titanium atoms, and aluminum atoms, and an insulation film 4 formed by applying and baking an enamel plastic paint on the outer circumference of the reforming film 3. - 特許庁

半導体化剤を含有したチタン酸ストロンチウム系の粒界絶縁型半導体セラミックスを作製するにあたり、結晶粒界を電気的に絶縁している成分及び半導体化剤をそれぞれ除いた組成でのチタン原子の割合を化学量論比よりも多くし、かつ、ストロンチウム原子の２０〜８０％をカルシウム原子で置換することによって解決した。例文帳に追加

At the time of manufacturing the strontium titanate-based grain-boundary-insulated semiconductor ceramic containing a semiconducting agent, the rate of titanium atoms in a composition from which a component electrically insulating crystal grain boundaries and the semiconducting agent are removed is made larger than the stoichiometric ratio of the composition and, in addition, the 20-80% of strontium atoms is replaced with calcium atoms. - 特許庁

半導体化剤を含有したチタン酸ストロンチウム系の粒界絶縁型半導体セラミックスを作製するにあたり、結晶粒界を電気的に絶縁している成分及び半導体化剤をそれぞれ除いた組成でのチタン原子の割合を化学量論比よりも多くし、かつ、ストロンチウム原子の１０％以下をマグネシウム原子で置換することによって解決した。例文帳に追加

The strontium titanate-based grain-boundary-insulated semiconductor ceramic containing a semiconducting agent is manufactured in a state where the rate of titanium atoms in a composition from which a component electrically insulating crystal grain boundaries and the semiconducting agent are removed is made larger than the stoichiometric ratio of the composition and, in addition, the ≤10% of strontium atoms is replaced with magnesium atoms. - 特許庁

ここで、第２の絶縁膜形成の際、成膜装置内への第２の絶縁膜の成膜原料の供給、成膜装置内に供給された前記成膜原料のパージ、成膜原料を酸化させる酸化剤の供給、酸化剤をパージ、還元ガスプラズマの発生により生成した活性種の供給、過剰の活性種をパージの６工程からなるサイクルを繰り返し行う。例文帳に追加

Here, when forming the second insulating film, a cycle is repeated that consists of six steps, the six steps of supplying to a deposition system deposition materials for the second insulating film, purging the deposition materials supplied into the deposition system, supplying oxidizer for oxidizing the deposition materials, purging the oxidizer, supplying active species produced by generating a reduced gas plasma, and purging excessive active species. - 特許庁

本発明は、シリコン（００１）基板上に形成され、前記シリコン（００１）基板の方線方向に結晶面又は軸が配向した単結晶もしくは多結晶の金属酸化物の絶縁層と、前記シリコン（００１）基板と絶縁層との界面に前記シリコン（００１）基板のシリコン原子と前記金属酸化物の金属原子の両方に結合する１原子層の窒素層とを備える半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device comprises the single crystal or polycrystal metal oxide insulating layer which is formed on the silicon substrate (001) and in which a crystal plane or axis is oriented in the normal direction of the substrate (001), and a nitride layer of a monoatomic layer coupled to both a silicon atom of the substrate (001) and a metal atom of the metal oxide in an interface between the substrate and the insulating layer. - 特許庁

本発明の絶縁膜の形成方法は、基材の上にポリシロキサン系絶縁膜を形成する工程と、前記ポリシロキサン系絶縁膜の上に、ポリカルボシラン系絶縁膜を形成する工程と、 前記ポリカルボシラン系絶縁膜の上に、有機系絶縁膜を形成する工程と、を含む絶縁膜の形成方法であって、 前記ポリシロキサン系絶縁膜は、 下記一般式（１）〜（３）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を加水分解縮合して形成され、 Ｒ_aＳｉ（ＯＲ^1）_4-a ・・・・・（１）（式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機基、Ｒ^1は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。） Ｓｉ（ＯＲ^2）_4 ・・・・・（２）・・・（式中、Ｒ^2は１価の有機基を示す。） Ｒ^3_b（Ｒ^4Ｏ）_3-bＳｉ−（Ｒ^7）_d−Ｓｉ（ＯＲ^5）_3-cＲ^6_c ・・・（３）〔式中、Ｒ^3〜Ｒ^6は同一または異なり、それぞれ１価の有機基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ^7は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。例文帳に追加

The method for forming the insulating film contains steps of forming a polysiloxane series insulating film of a substrate, forming a polycarbosilane series insulating film on the polysiloxane series insulating film, and forming an organic series insulating film on the polycarbosilane series insulating film. - 特許庁

半導体装置における絶縁膜を成膜する方法であって、プラズマＣＶＤ法によって、絶縁膜の原料となるガスとしてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）と、酸化ガスとして亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）とを用い、室温から２５０℃までの基板温度にて絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の成膜方法とする。例文帳に追加

In the method of forming an insulating film in a semiconductor device, TMS as a material gas of the insulating film and nitrous oxide (N_2O) as an oxide gas are used, to form the insulating film at a substrate temperature ranging from room teperature up to 250°C by plasma CVD method. - 特許庁

切り出し領域決定部９３は、原画像における領域の向かい合う縁のうちの一方の縁から全体重心までの距離と、その領域の向かい合う縁のうちの他方の縁から全体重心までの距離との比率が、例えば黄金比などの美感を起こさせる値になるようにその領域を決定する。例文帳に追加

An extraction area determination part 93 determines an area in an original image so that the ratio of the distance between one of edges which are included in the area and face each other and the whole gravity center, and the distance between the other edge and the whole gravity center becomes a value that generates the sense of beauty, such as a golden ratio. - 特許庁

基板１１と絶縁層１２との間に、絶縁性材料からなる反応防止層１３を設けることにより、磁気抵抗効果型ヘッド１０の製造工程において基板１１上に下地層としての絶縁層１２を形成する際に、絶縁層１２に含まれている酸素原子が基板１１内に侵入するのを防ぐことができる。例文帳に追加

When depositing the insulating layer 12 as an underlayer on the substrate 11 during the manufacturing process of the magnetoresistive effect type head 10, oxygen atoms contained in the insulating layer 12 are prevented from entering the substrate 11 by arranging the reaction preventive layer 13 made of an insulating material between the substrate 11 and the insulating layer 12. - 特許庁

清原家には、清衡の異父異母兄になる武貞の長子清原真衡、清衡、異父弟になる清原家衡があったうえに、吉彦秀武が清原武則の従兄弟にして娘婿であるなど複雑な血縁関係で結ばれた一族が存在しており、ややもすると血族の間で内紛が起こり易い状態にあった。例文帳に追加

The Kiyohara family had KIYOHARA no Sanehira, who was the first son of Takesada and Kiyohira's older brother-in-law, Kiyohira, and KIYOHARA no Iehira, who was Kiyohira's younger maternal half-brother, as well as KIMIKO no Hidetake, who was a cousin and son-in-law of KIYOHARA no Takenori, and thus this complex kinship relationship might easily cause a dispute between the family members.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

使用する硬化性絶縁膜用樹脂組成物が、少なくとも塩素原子及び臭素原子を含まない体質顔料（ａ１）と塩素原子及び臭素原子を含まない顔料（ａ２）とを含む顔料（Ａ）を含有して着色されていることを特徴するテープキャリアパッケージ用柔軟性配線板の製造方法。例文帳に追加

In the method of manufacturing a flexible wiring board for tape carrier package, the resin composition for a curable insulating film is colored while containing a pigment (A) which contains at least an extender (a1) not containing chlorine atom and bromine atom, and a pigment (a2) not containing chlorine atom and bromine atom. - 特許庁

酸化物半導体用ターゲットに含まれる複数種の原子の原子量の違いを利用し、原子量の小さい亜鉛を優先的に酸化物絶縁膜に堆積させ、亜鉛を含む種結晶を形成すると共に、種結晶上に原子量の大きいスズ、インジウム等を結晶成長させつつ堆積させることで、複数の工程を経ずとも、結晶性酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。例文帳に追加

A crystalline oxide semiconductor film is formed without plural steps by preferentially depositing zinc having a smaller atomic weight on an oxide insulating film to form a seed crystal containing zinc as well as growing crystal of tin, indium and the like having a larger atomic weight on the seed crystal by use of difference in atomic weight between plural kinds of atoms included in a target for the oxide semiconductor film. - 特許庁

全面画像モードで全画面の複写画像を要求した場合に、原稿の周囲の縁部の画像を緩和した見苦しくない複写画像を得ることができ、しかも原稿の周囲の縁部に存在する必要な情報が欠落したり、欠落しているのではないかという不安感を抱くことのない画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming device by which a copied image that does not look awful is obtained by relaxing images on edge parts around an original, and there is no omission of necessary information existing at the edge parts around the original and no anxiety that the necessary information is omitted when the copied image of full page is requested in a full page image mode. - 特許庁

これにより、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１１を有し、ゲート絶縁膜１１は、上面のダングリングボンドがほぼ全体的に窒素原子で終端されており、シリコン基板１０と接する下面のダングリングボンドがほぼ全体的にフッ素原子で終端された半導体装置を得る。例文帳に追加

Thereby, the semiconductor device, which has a silicon substrate 10 and the gate insulating film 11 formed on the silicon substrate 10, is obtained, wherein in the gate insulating film 11, almost all the dangling bonds in the upper surface are terminated with nitrogen atom, and substantially over the entire the dangling bonds in the lower surface which are contact with the silicon substrate 10 are terminated with fluorine atom. - 特許庁

半導体素子における層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜のプラズマＣＶＤ法による形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより、原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜の形成を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor element comprises the steps of introducing a material gas between facing electrodes under a pressure near atmospheric pressure, in the case of forming the interlayer insulating film and/or the passivation film of the element, applying a pulse-like electric field between the opposed electrodes, thereby generating the glow discharge plasma in the material gas, and forming the interlayer insulating film and/or the passivation film. - 特許庁

シリコン基板と、前記シリコン基板の一主面側に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に積層して形成されたゲート電極と、ひ素およびリンを含有する拡散層とを備え、ひ素の最高濃度部の濃度とリンの最高濃度部の濃度がともに1026原子/m3以上1027原子/m3以下であり、なおかつリンの最高濃度部の前記シリコン基板表面からの深さがひ素の最高濃度部の深さ以下であるようにする。例文帳に追加

Both the concentration of arsenic at a maximum concentration portion and that of phosphorus at a maximum concentration portion are at least 1026 atom/m^3 and up to 1027 atom/m^3, and the depth of the maximum concentration portion of phosphorus from the surface of the silicon substrate is up to that of the maximum concentration portion of arsenic. - 特許庁

有機モット絶縁体となる原料を用い、電極の形状や印加電圧を所定の条件とした電解法により，有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造する，この方法によれば微細な非導電性ナノワイヤーを効果的に得られる。例文帳に追加

The nonconductive nanowire as an organic Mott insulator is manufactured by an electrolytic method using a source material which becomes an organic Motto insulator and controlling an electrode shape and an application voltage according to predetermined conditions. - 特許庁

当該製造方法では、γ線を照射した原料を、所望の形状に加工してポリテトラフルオロエチレン絶縁体を得る工程が行われることが好ましく、前記ポリテトラフルオロエチレン絶縁体を焼成する工程がさらに行われることがより好ましい。例文帳に追加

In the manufacturing method, a process of providing the polytetrafluoroethylene insulator is preferably executed by processing the material irradiated with the γ-ray into a desired shape, and a process of baking the polytetrafluoroethylene insulator is preferably further executed. - 特許庁

基板上に導体回路と樹脂絶縁層とが順次形成され、これら導体回路がバイアホールを介して接続された多層プリント配線板であって、上記樹脂絶縁層は、Ｐ原子含有エポキシ樹脂を含むことを特徴とする多層プリント配線板。例文帳に追加

In the multilayered printed wiring board, with which conductor circuits and resin insulating layers are formed successively on a substrate and these conductor circuits are connected via the via hole, each of the resin insulating layers contains P atom containing epoxy resins. - 特許庁

この結果、触媒層２が絶縁基板１及びサポート層３に挟み込まれているが、カーボン原料はサポート層３を透過して触媒層２まで到達するので、グラファイト１１が絶縁基板１と触媒層２との間に成長する。例文帳に追加

Consequently, although the catalyst layer 2 is sandwiched between the insulating substrate 1 and support layer 3, a carbon material is transmitted through the support layer 3 to reach the catalyst layer 2, and graphite 11 is therefore grown between the insulating substrate 1 and catalyst layer 2. - 特許庁

絶縁膜処理装置３４では，処理容器内を水分を含まない乾燥雰囲気に維持しながら，クリプトンガスからプラズマを生成し，当該プラズマを基板Ｗの表面に衝突させて，ＣＦ絶縁膜の表面に露出しているフッ素原子を離脱させる。例文帳に追加

The insulating film processing device 34 while forming a water-free dry atmosphere in a processing container produces plasma from krypton gas and causes the plasma to collide against the surface of the substrate W to remove fluorine atoms exposed in the surface of the CF insulating film. - 特許庁

原子力発電所に使用される絶縁電線において、導体の絶縁層が、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等のエンジニアリングプラスチックにヒンダードアミン０．１〜５質量部添加して成るものである。例文帳に追加

This is an insulated wire used in a nuclear power plant, and the insulating layer of a conductor is formed by adding hindered amine 0.1-5 parts by mass to an engineering plastics such as polyether-ether ketone resin, polyether ketone resin, polyphenylene-sulfide resin, and polyether-sulfone resin. - 特許庁

配線中に絶縁物からなる複数の膜が形成されており、前記絶縁物からなる複数の膜はいずれも前記配線を幅方向に横切って電流導通時に原子もしくは空孔の障壁となる障壁部を構成するものである半導体装置である。例文帳に追加

A plurality of films composed of a insulator are formed in wiring to traverse the wiring in the width direction thus constituting the barrier of atoms or holes at the time of conducting a current. - 特許庁

半導体領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成される半導体装置の製造方法において、前記ゲート絶縁膜を原子層蒸着法により膜中にフッ素を含有する金属酸化膜またはフッ素を含有する金属シリケート膜で形成することを特徴とする。例文帳に追加

In a semiconductor device manufacturing method for forming a gate insulating film between a semiconductor region and a gate electrode, the gate insulating film is formed of a metal oxide film, containing fluorine in the film or a metal silicate film containing fluorine by atomic layer deposition. - 特許庁

本発明の一形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板（１１）上にＣＶＤ法にて酸化物絶縁膜（２０）を形成する際に、前記酸化物絶縁膜の原料ガスとＨ_２とを同時に前記半導体基板に供給する。例文帳に追加

In one embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device, when forming an oxide insulating film (20) on a semiconductor substrate (11) by a CVD method, the material gas of the oxide insulating film and H_2 are simultaneously supplied to the semiconductor substrate. - 特許庁

また、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板に形成した半導体素子を有する半導体装置の製造方法において、前記半導体素子の絶縁膜として窒素及びリンを主成分とする絶縁膜を、窒素を含むガス及びリンを含むガスを原料として気相反応により形成する。例文帳に追加

In a manufacturing method of a semiconductor device which has a semiconductor element formed on a III-V compound semiconductor substrate, an insulating film whose main component is nitrogen and phosphorus is formed as an insulating film of the semiconductor element by applying gas containing nitrogen and gas containing phosphorus to material by using gas phase reaction. - 特許庁

免疫クロマト試験片当接部３１は、観測用ウィンドウ２５を形成する縁部のうちの免疫クロマト試験片１０における抗原又は抗体の移動方向に対して平行となる２つの縁部２５ａから免疫クロマト試験片１０に略直交するように延設される。例文帳に追加

Setting part 31 to the immunochromatographic test piece is extended nearly diagonal from two rims 25a which is parallel to the moving direction of the antigen or the antibody at immunochromatographic test piece 10 inside the rims which forms observation window 25. - 特許庁

原料としてのＧａＡｓ（固体）８に炭素（固体）９を添加して半絶縁性ガリウム砒素単結晶を成長させることにより、炭素９から常に炭素分子がＧａＡｓ（融液）８中に取り込まれて半絶縁性ガリウム砒素単結晶の炭素濃度が増加する。例文帳に追加

Carbon molecules are always taken in GaAS (melt) 8 from carbon (solid) 9, and the carbon concentration in the semi-insulative gallium arsenide single crystal increases by growing the the semi-insulative gallium arsenide single crystal by adding carbon(solid) 9 to GaAS (solid) 8 being a raw material. - 特許庁

半導体装置１００は、６員環構造の環状シロキサンを原料とする絶縁膜１１と、絶縁膜１１に形成された配線溝１２と、配線溝１２に金属膜（配線メタル）１５が埋め込まれて構成される配線１０と、を有する。例文帳に追加

A semiconductor device 100 comprises: an insulating film 11 made from a six-membered cyclic siloxane; a wiring groove 12 formed in the insulating film 11; and a wiring line 10 composed of the wiring groove 12 embedded with a metal film (wiring metal) 15. - 特許庁