「縁原」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

このため、埃塵の原因となるシート状絶縁体２１からの剥離による粉末や塵埃等の発生を阻止することができる。例文帳に追加

This results in impeding powder, dust, and the like produced by separation from a sheet-like insulator 21, which is the cause of dust. - 特許庁

これにより、現在のスキャナ進行方向Ａが原稿Ｃの縁と平行になり、スキャナ進行方向Ａと正規読取方向Ｂとが一致する。例文帳に追加

Thus, the scanner traveling direction A at present is made in parallel with the edge of an original C to make the scanner traveling direction A be coincident with the regular reading direction B. - 特許庁

画像読取装置において、検出のための余分な時間を必要とせずかつ安価に原稿の端縁位置を検出する。例文帳に追加

To obtain an image reader which can inexpensively detect the position of the end edge of an original, without requiring excess time for the detection. - 特許庁

製品パッドの周縁部にバリを残存させることなく原型パッドを切断することができる発泡樹脂製パッド成形装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a foamed resin pad molding device capable of cutting off a basic pattern pad without leaving burs on the peripheral edge of the pad product. - 特許庁

スフィンゴ脂質の細胞内での挙動を解明するために有用なスフィンゴシン類縁体を合成するために有用な原料を提供する。例文帳に追加

To provide a raw material that is useful for synthesizing sfingosine analogs for elucidating the behavior of sfingo lipid in cells. - 特許庁

電子デバイス材料のマイグレーションの発生箇所を検出し、その発生原因を検討するための絶縁不良の検査装置を提供する。例文帳に追加

To provide an inspection device of insulating failure for detecting a place where the migration of an electronic device material occurs to investigate the occurrence cause of the migration. - 特許庁

ハロゲン元素が導入されることで、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５表面のＨｆ原子やＳｉ原子は終端され、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５とＰｏｌｙＳｉゲート電極６との間に電気的に良好な界面が形成されるようになる。例文帳に追加

The halogen elements are introduced so that Hf atoms or Si atoms on the surface of the HfSiON gate insulating film 5 are terminated, and an electrically satisfactory interface is formed between the HfSiON gate insulating film 5 and the PolySi gate electrode 6. - 特許庁

絶縁膜の成膜方法において、シリコン原子を堆積させる第１ステップと、シリコン原子を窒化する第２ステップとを有するＡＬＤ法を用い、フラットバンド電圧及び界面準位の小さい好適な特性を有する薄い絶縁膜の成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film forming method of a thin insulating film having preferred characteristics with a low flatband voltage and a low interface state by employing an ALD method having a first step for depositing silicon atoms and a second step for nitriding the silicon atoms. - 特許庁

シリコン基板１１上にゲート絶縁膜１２を介してゲート電極を有する半導体装置において、ゲート絶縁膜１２を、酸素原子が窒素原子に分布・混入した１層構造のシリコン酸化窒化膜１７により形成した。例文帳に追加

A semiconductor device is equipped with a gate electrode formed on a silicon substrate 11 through the intermediary of a gate insulating film 12, where the gate insulating film 12 is formed of silicon oxide nitride film of one-layered structure where oxygen atoms are mixed and distributed in nitrogen atoms. - 特許庁

信頼性に優れた窒化シリコン膜の形成方法、ゲート電極からシリコン半導体基板へのホウ素原子の拡散防止が可能なゲート絶縁膜の形成方法、及びゲート電極からシリコン半導体基板へのホウ素原子の拡散防止が可能なゲート絶縁膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a silicon nitride film exhibiting excellent reliability, and a method for forming a gate insulation film in which boron atoms can be prevented from being diffused from the gate electrode into a silicon semiconductor substrate, and a method for forming a gate insulation film. - 特許庁

基板１上の第１の絶縁膜２中に形成された銅配線３と、銅配線３及び第１の絶縁膜２の上に形成されたシリコン炭化窒化膜４を有し、銅配線３内の銅原子とシリコン炭化窒化膜４の構成原子とが微視的に結合する。例文帳に追加

The semiconductor device has the copper wiring 3 formed in a first insulating film 2 on a substrate 1 and a silicon carbonitride film 4 formed on the copper wiring 3 and a first insulating film 2, wherein copper atoms in the copper wiring 3 and constituent atoms of the silicon carbonitride film 4 are microscopically bonded together. - 特許庁

カバー体が目地方向にずれた場合に、自動的に原位置に復帰させることによって、保持受枠の垂直縁とカバー体の端縁との間に大きな隙間が生じたままになることを防止し得る原位置復帰手段を備えた床用目地カバー装置を提供する。例文帳に追加

To provide a joint cover device for a floor, which is equipped with an original-position returning means capable of preventing a large gap from being made and maintained between a vertical edge of a holding retainer frame and an end edge of a cover body, by automatically returning the cover body to an original position, when the cover body is displaced in a joint direction. - 特許庁

先端部がカールした原稿をスキャナ本体２内へ挿入する際、切り欠き部２１を利用してカール部分５が縁１１の下へ入り込むようにすると、原稿のカール部分は縁１１で曲がりを戻されつつ滑ってガイド部材１０の下側にもぐりこむ。例文帳に追加

When inserting the document with the curled tip into a scanner body 2 and a curled portion 5 is inserted beneath the rims 11 by using the cutout part 21, the curled portion of the document slides under the guide member 10 while its bending is restored by the rims 11. - 特許庁

ガラス原料ガスを反応容器７内のガラス微粒子合成用のバーナー５に送る導電体製の原料ガス送給配管１０は、通電手段３５により通電する区間の両端部を、絶縁素材で形成された絶縁性配管４１で形成する。例文帳に追加

As for raw material gas feed piping 10 made of a conductor and feeding a glass raw material gas to a burner 5 for synthesizing glass particulates in a reaction vessel 7, both the edge parts of a section energized by an energizing means 35 are formed of insulating piping 41 each formed of an insulating stock. - 特許庁

原稿８の排出時、その原稿８は、供給トレイ１１の下面のリブ１９の下縁に接触して、その下縁に沿って円滑に案内されながら下方の排出トレイ１２上に載置され、供給トレイ１１の下面に直接接触することが阻止される。例文帳に追加

In ejecting the copy 8, the copy 8 is in contact with the lower edges of the ribs 19, guided smoothly along the lower edges, and placed on the tray 12 on the lower side, without being in contact with the lower surface of the tray 11 directly. - 特許庁

第二ばね部２２によって原稿台１４が保持部３２に接近する方向に付勢されると、原稿台１４の面取りされた縁辺部１０が保持部３２に食い込み、くさび効果によって縁辺部１０は垂直方向に位置決めされる。例文帳に追加

When the original platen 14 is energized in the direction of approaching the holding part 32 by a second spring part 22, the chamfered edge side part 10 of the original platen 14 is gnawed into the holding part 32 and the edge side part 10 is positioned in the vertical direction by a wedge effect. - 特許庁

層間絶縁膜の原料ガスを供給しながら半導体基板２１、２２の表面に原料ガスとは反応しない粒子を吹きかけることにより、粒子２４が分散した層間絶縁膜２３をＣＶＤ法により形成する。例文帳に追加

In this manufacturing method, while a material gas for an interlayer insulation film is supplied, particles which do not react with the material gas are sprayed over the surface of semiconductor substrate 21 and 22, so that an interlayer insulation film 23, on which particles 24 are dispersed, is formed by the CVD method. - 特許庁

超音波走査によって取得された原画像データを用いて辺縁領域を検出し、当該辺縁領域については、血流領域から遠ざかるに従って平滑化されたスムージング画像の割合を高くすると共に、原画像の割合を低くするように、ブレンド処理を実行する。例文帳に追加

An edge region is detected using original image data acquired by ultrasonic scanning and blend processing is executed with respect to the edge region so that the ratio of a smoothing image smoothed as going away from a blood flow region is enhanced and the ratio of an original image becomes low. - 特許庁

圧電性基板１２上から、くし歯状電極部上にかけて形成される絶縁層２１には、ＳｉとＯとを主体とし、一部の結合が水素原子、フッ素原子、あるいは水酸化基（ＯＨ）のいずれか１種以上により置換されてなる化学構造を有する絶縁材料を使用する。例文帳に追加

An insulating material having a chemical structure in which Si and O are used as main elements and one part of bond is substituted by any one kind of a hydrogen atom, a fluorine atom and hydroxy group (OH) for an insulating layer 21 formed from a piezoelectric substrate 12 to an interdigital transducer. - 特許庁

磁気抵抗効果素子１は、磁化固定層１４の上に絶縁層１５が積層され、絶縁層１５の上に自由磁性層１６が積層される構造を有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固定層１４は、上面に酸素原子２原子分の厚さ以下の酸素結合層が形成される。例文帳に追加

The magnetoresistive element 1 includes a structure in which an insulating layer 15 is laminated on a magnetization fixed layer 14 and a free magnetic layer 16 is laminated on the insulating layer 15, the magnetization fixed layer 14 having an oxygen-bonding layer having a thickness of two oxygen atoms or less, formed on its upper surface. - 特許庁

したがって、白シート７の面積を原稿の端縁まで覆うほど大きくしてその白シート７の端縁をスケール９に近接させたとしても、原稿押え部材３を起伏させる場合に、白シート７はスケール本体１１に干渉しても表示デカール１３には干渉しない。例文帳に追加

Consequently, even when the area of the white sheet 7 is made large enough to cover the edge of the original and the edge of the white sheet 7 is made to approach the scale 9, the white sheet 7 interferes with the scale main body 11 but it does not interfere with the display decal 13 when the original pressing cover member 3 is made to rise and tilt. - 特許庁

本発明に係る絶縁粒子付き導電性粒子の製造方法では、リン原子に直接結合された水酸基又はケイ素原子に直接結合された水酸基を表面３ａに有する絶縁粒子３を、導電性粒子２の表面２ａに付着させる。例文帳に追加

In the method of producing conductive particles with insulating particles, insulating particles 3 each having a hydroxyl group bonded directly to a phosphorus atom, or a hydroxyl group bonded directly to a silicon atom on the surface 3a thereof are made to adhere to the surface 2a of the conductive particle 2. - 特許庁

総裁は身延山久遠寺内野日總法主（潮師法縁）、会長は妙厳山本覚寺永倉日侃貫首（潮師法縁）、事務局は現在臨時として小松原鏡忍寺に設置されている。例文帳に追加

The president is Nisso UCHINO (hoen of Cho-shi) the Hoshu of Kuon-ji Temple on Mt. Minobu, and the chairman is Nikkan NAGAKURA (hoen of Cho-shi) the Kanju of Hongaku-ji Temple on Mt. Myogon, and the office is temporarily located in Komatsubara Kyonin-ji Temple at present.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

清水寺の創建については、『群書類従』所収の藤原明衡撰の『清水寺縁起』、永正17年（1520年）制作の『清水寺縁起絵巻』（東京国立博物館蔵）にみえる。例文帳に追加

Concerning the foundation of Kiyomizu-dera Temple, there are descriptions in "Kiyomizu-dera Engi" (The Origin of Kiyomizu-dera Temple) selected by FUJIWARA no Akihira, the owner of "Gunsho ruiju" (Collection of historical documents compiled by Hokiichi HANAWA), and "Kiyomizu-dera Engi Emaki" ('The Picture Scroll of the Origin of Kiyomizu-dera Temple,' now it is owned by Tokyo National Museum) produced in 1520.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

元就の姪（毛利興元の娘）が興景の妻だった縁もありこの養子縁組は平和裏に進み、天文14年（1544年）に隆景は竹原小早川氏の当主となる。例文帳に追加

The adoption proceeded successfully, thanks to a niece of Motonari (a daughter of Okimoto MORI) who married Okikage, and Takakage became the head of the Takehara-Kobayakawa clan in 1544.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

水素終端による撥水性を持つシリコン表面から水素原子を脱離させ、親水化したのち、絶縁膜を堆積する工程を含む絶縁膜の形成方法である。例文帳に追加

A method of forming the insulation film includes a step of depositing the insulation film after desorbing hydrogen atoms from a silicon surface having water repellency through hydrogen termination and making the silicon surface hydrophilic. - 特許庁

構成元素として窒素とシリコンとを含む絶縁膜の形成時に、窒素原子の過度の拡散を抑制し、かつその絶縁膜の窒素濃度を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses excessive diffusion of nitrogen atoms, and improves nitrogen concentrations of an insulating film, when the insulating film including nitrogen and silicon as constituent elements is formed. - 特許庁

本発明の半導体装置１００は、半導体層１０と、半導体層１０の上方に形成され、窒素原子を含む酸化膜からなるゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２の上方に形成されたゲート電極１４とを含む。例文帳に追加

The semiconductor device 100 comprises a semiconductor layer 10, a gate insulation layer 12 consisting of an oxide film containing nitrogen atoms formed on the semiconductor layer 10, and a gate electrode 14 formed on the gate insulation layer 12. - 特許庁

Ａｌ原子を有するコンタクト電極が用いられる場合に、絶縁膜の絶縁信頼性を向上させることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device capable of improving the insulation reliability of an insulating film when a contact electrode containing Al atoms is used. - 特許庁

Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｂ又はＦの少なくとも1種のドープ元素を絶縁被覆中に１〜２０原子パーセントの範囲で含む非晶質の炭素−水素ネットワーク製の電気的絶縁被覆を含む方向性電磁鋼板とする。例文帳に追加

The grain-oriented electromagnetic steel sheet includes the electrically insulating coating made of an amorphous carbon-hydrogen network containing at least one of doping elements Si, O, N, B or F in a range from 1 to 20 atomic percent. - 特許庁

シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成され、酸素及び窒素の少なくとも一方及び重水素原子を含むゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に形成されたゲート電極４とを具備する。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with a silicon substrate 1, the gate insulating film 3 formed on the silicon substrate 1 and containing at least oxygen or nitrogen and deuterium atoms, and a gate electrode 4 formed on the gate insulating film 3. - 特許庁

ワンダリング性能向上等のためにトレッド縁近傍に設ける円周方向の細溝に原因するタイヤノイズやこの細溝外側のリブ外縁部分の破断損傷を抑制することができる。例文帳に追加

To suppress tire noise caused by narrow circumferential grooves provided in the vicinity of a tread edge for enhancing the wandering performance and breakage/damage in a rib outer edge parts on the outside of the narrow grooves. - 特許庁

有機モット絶縁体となる原料を用い、電極の形状や印加電圧を所定の条件とした電解法により、有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造する。例文帳に追加

Using a raw material to obtain an organic Mott insulator, a non-conductive nanowire 24, the organic Mott insulator, is manufactured by an electrolytic method under prescribed conditions of an electrode shape and an applied voltage. - 特許庁

原料をアルミニウムアルコキシド及び酸素とするプラズマＣＶＤ法を適用して下部絶縁層４３及び上部絶縁層４５などを成膜する。例文帳に追加

A plasma CVD method adopting aluminum alkoxide and oxygen as raw materials is applied to film-form a lower part insulating layer 43 and an upper part insulating layer 45. - 特許庁

電荷注入に対する耐性が強く、余剰のフッ素原子による構造破壊もないシリコン絶縁膜を提供し、このようなシリコン絶縁膜を得ることを可能とする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon insulation film, in which the resistance against charge injection is high, without structural failures due to excessive fluorine atoms and to provide, such a silicon insulation film. - 特許庁

高湿度環境下で絶縁材料の静電気による帯電を抑制してＡＦＭ測定を行う原子間力顕微鏡による絶縁材料の表面分析方法である。例文帳に追加

A surface analysis method of an insulation material with an atomic force microscope includes performing AFM measurement by suppressing charging of the insulation material due to static electricity under high humidity environment. - 特許庁

静電容量形レベル測定装置において、液体原料に挿入する電極部分とこれを絶縁支持する絶縁支持部間の気密性を向上させ、液漏れを少なくする。例文帳に追加

To reduce liquid leakage by improving hermeticity between an electrode part to be inserted into liquid material and an insulating support part to insulatingly support the electrode part in a capacitance type level measuring device. - 特許庁

スパークプラグを構成する絶縁碍子の製造工程においては、原料粉末から成形された成形体３０を絶縁碍子に対応する形状に研削加工する。例文帳に追加

In a manufacturing process of the insulator constituting the spark plug, a molded body 30 molded from raw material powder is ground to form a shape corresponding to the insulator. - 特許庁

電子デバイス用基材上に配置された気相堆積に基づく絶縁膜に対して、酸素原子含有ガスを少なくとも含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜を改質する。例文帳に追加

The insulating film formed by a gas-phase deposition provided on a substrate for an electronic device are irradiated with a plasma using a process gas containing at least an oxygen atom containing gas, to be reformed. - 特許庁

トリメトキシシランを原材料としたプラズマＣＶＤ法により最終保護膜及び薄膜抵抗体保護用の絶縁膜としての絶縁膜１７を半導体基板１上全面に堆積させる（Ｃ）。例文帳に追加

An insulation film 17 being a final protection film and the insulation film for the thin film resistor protection is deposited on the entire surface of the semiconductor substrate 1 by a plasma CVD manner using a trimethoxysilane as the base material (C). - 特許庁

低誘電率絶縁膜４中に界面活性剤５を浸透させることによって、クラックの進行の原因となる低誘電率絶縁膜４の水の吸収を防止する。例文帳に追加

The low dielectric constant insulation film 4 is prevented from absorption of water causing progress of cracks, by causing a surface active agent 5 to penetrate into the low dielectric constant insulation film 4. - 特許庁

次に、第１アニール工程において第１絶縁膜４１１をアニールした後、テトラエトキシシラン等のシラン系有機原料を用いたプラズマＣＶＤ法によりシリケートガラスからなる第２絶縁膜４１２を形成する。例文帳に追加

Subsequently, after the first insulating film 411 is annealed in a first annealing step, a second insulating film 412 composed of silicate glass is formed by means of a plasma CVD method by using a silane-based organic material such as tetraethoxysilane. - 特許庁

半絶縁性のためのドーパント及び原料を成長炉１０ｃに供給して、マスク２９を用いて第１の半絶縁埋込層３５上に第２の埋込半導体層３７を成長する。例文帳に追加

A dopant for semi-insulation and a material are supplied to a growth furnace 10c, and the mask 29 is used to grow a second embedded semiconductor layer 37 on the first semi-insulating embedded layer 35. - 特許庁

その方法は映像中の灰階分布の差異により、誤差拡散法の原理を利用して辺縁画素の新たな分配を行うことで、辺縁をより明晰且つ平滑となすことを特徴とする。例文帳に追加

The method can make side edges more distinctive and smoother with newly distributed side edge picture elements by utilizing the principle of the error diffusion method from a difference in gray level distribution in videos. - 特許庁

多孔質層間絶縁膜に形成した配線溝やビアホールなどの凹部表面を介した、層間絶縁膜中への金属原子の拡散を抑制する。例文帳に追加

To suppress the diffusion of metal atoms into a porous interlayer insulating film via the surface of a recessed part such as a wiring groove, a via hole or the like formed in the interlayer insulating film. - 特許庁