「Ag in a」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The copper alloy has a composition consisting of, by mass ratio, 100 to 1,000 ppm, in total, of Sn, Pb, Fe, Ag, Ni and Zn, further 100 to 650 ppm oxygen and the balance copper with inevitable impurities.例文帳に追加

この銅合金は、質量割合で、Sn,Pb,Fe,Ag,Ni及びZnを合計100ppm以上1000ppm以下含有し、更に、酸素を100ppm以上650ppm以下含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなる。 - 特許庁

The chip for measuring surface plasmon contains the Ag alloy film on a transparent dielectric substrate, and Bi is contained in the Ag alloy film.例文帳に追加

本発明の表面プラズモン測定用チップは、透明誘電体基板の上に、Ａｇ合金膜を備えており、前記Ａｇ合金膜にＢｉを含んでいる。 - 特許庁

The aluminum alloy wire may further contain one or more kinds of additional element selected from among Mg, Si, Cu, Zn, Ni, Mn, Ag, Cr, and Zr in a total amount of 0.005 to 1.0 mass%.例文帳に追加

更に、質量％で、Mg、Si、Cu、Zn、Ni、Mn、Ag、Cr、及びZrから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量％以上1.0質量％以下含有してもよい。 - 特許庁

The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Ag, Mn, Sn, Zn, Cu, Ga, Ge, Li, Mg, Si, Th, Ti, V and Zr in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ag,Mn,Sn,Zn,Cu,Ga,Ge,Li,Mg,Si,Th,Ti,V,Zrから選択される少なくとも１種の元素を0.3〜10.0重量％の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁

The content of high molecular weight multimer in the von-Willebrand factor increases, and has a therapeutic merit as the concentrate of factor VIII:C von-Willebrand-factor having the activity ratio of vWF:Ag to vWF:RCo of more than 1.例文帳に追加

フォンビルブラント因子の高分子量マルチマー含量が増大し、vWF：Agに対するvWF：RCoF活性の比が１より大きいVIII因子：Ｃ含有フォンビルブラント因子の濃縮物として治療的利点を有する。 - 特許庁

To prevent Ag from diffusing into a glass ceramic layer even when an Ag inner conductor and the non-magnetic glass ceramic layer are baked at the same time so as to lay high-density wiring, and to enable parts to be more reduced in size.例文帳に追加

Ａｇ系内層導体を用いて非磁性ガラスセラミック層と同時焼成してもＡｇがガラスセラミック中に拡散せず、そのため高密度配線を施すことができ、より一層部品サイズを小型化できるようにする。 - 特許庁

The above MgCuZn ferrite shows less degradation in magnetic permeability μ, and since it uses the powder having the peak position of particle size distribution at 0.3-1.2 μm range, it is possible to perform a simultaneous calcination with internal electrodes consisting of Ag or Ag alloy.例文帳に追加

以上のＭｇＣｕＺｎフェライトは透磁率μの劣化が少なく、かつ粒度分布のピーク位置が０．３〜１．２μｍの範囲の粉末を用いているのでＡｇまたはＡｇ合金からなる内部電極と同時焼成ができる。 - 特許庁

The method for assembling and inspecting the electronic component comprises a soldering step of soldering an Sn-Ag-Cu alloy not containing Pb in an inert atmosphere having an oxygen concentration of 10,000 ppm or less, and an inspecting step of determining non-defective or defective soldering.例文帳に追加

Ｐｂを含まないSn-Ag-Cu系の合金のはんだ付けを10000ppm以下の酸素濃度を有する不活性雰囲気中で行うはんだ付けステップと、はんだ付けの良否判定を行う検査ステップとを有する。 - 特許庁

On the other hand, a conductor paste employed for the printing of the wiring pattern is an Ag base conductor paste, in which 0.005-0.050 wt.% of Rh is added to the 100 wt.% of Ag base conductor powder.例文帳に追加

また、配線パターンの印刷に用いる導体ペーストは、Ａｇ系導体粉末：１００重量％に対して、Ｒｈを０．００５〜０．０５０重量％添加したＡｇ系導体ペーストを使用する。 - 特許庁

The exhaust gas treatment catalyst is produced by depositing a noble metal on the surface of a conductive oxide mixture in which Ag and/or Au exists in form of a solid solution.例文帳に追加

Ａｇ及び／又はＡｕを固溶した混合導電性酸化物の表面に、貴金属を担持して排ガス浄化触媒を構成する。 - 特許庁

The antimicrobial detergent composition is a water-soluble glass fine powder containing an Ag ion in a form of Ag_2O as an antimicrobial component in a metal oxide such as SiO_2, B_2O_3 and Na_2O.例文帳に追加

SiO_2、B_2O_3、Na_2Oなどの金属酸化物にＡｇイオンを抗菌性成分としてAg_2Oの形態で含む水溶性ガラス微粉末とした抗菌性洗剤組成物。 - 特許庁

To develop a method with which impurities are not dissolved into leaching solution in a large amount together with Ag, in leaching a reduced silver directly into nitric acid.例文帳に追加

還元銀を直接硝酸浸出した場合、Ａｇとともに不純物が大量に浸出液に溶解しない方法を見出す。 - 特許庁

The Ag wiring board includes, on a substrate 11, circuit elements 12 made of a thin film having Ag as a conductor and a resin layer 13 provided at least between two circuit elements 12 adjacent to each other among the elements 12 and with different potentials, in which metal particles 13a with larger ionization inclination than Ag are dispersed in a base resin 13b.例文帳に追加

基板１１上に、Ａｇを導電体とする薄膜からなる回路要素１２と、該回路要素１２のうち隣接し異なる電位となる２つの回路要素１２の間に少なくとも設けられＡｇよりもイオン化傾向の大きな金属粒子１３ａがベース樹脂１３ｂ中に分散された樹脂層１３とを備える。 - 特許庁

It is characterized by that the Ag concentration is relatively low in a lining neighborhood side in the thickness direction in the overlay.例文帳に追加

Ａｇ濃度が前記オーバレイ中の厚さ方向でライニング近傍側が相対的に低いことを特徴とする。 - 特許庁

To solve problems wherein a current pass breaks off because continuity of oxide superconductive layer is damaged, and critical current density becomes smaller due to degradation of flatness by a concave by a crystal grain boundary on the surface of the Ag substrate, in an oxide superconductor tape filament in which the oxide superconductor is formed by means of CVD method on a crystal-oriented Ag or Ag alloy substrate.例文帳に追加

結晶配向したＡｇ或いはＡｇ合金基材上にＣＶＤ法によって酸化物超電導体を成膜する酸化物超電導体テープ線材において、前記Ａｇ基材表面の結晶粒界による凹みによる平坦性の低下によって、酸化物超電導層の連続性が損なわれるために電流パスが途切れて、臨界電流密度が小さくなる問題を解決することにある。 - 特許庁

A reflective film is formed by laminating a base layer, an Ag layer and a protective layer comprising a plurality of layers in this order on a substrate.例文帳に追加

基板上に下地層、Ａｇ層、複数の層からなる保護層を順に積層し、反射膜を形成する。 - 特許庁

In a cathode chamber 7 wherein a cathode 9 of the main electrolysis tank 2 is placed, the Ag2+ in nitric acid solution containing the solved elements is reduced to Ag+.例文帳に追加

主電解槽２の陰極９が設置された陰極室７内で、溶解された元素を含む硝酸溶液中のＡｇ^2+をＡｇ^+ に還元する。 - 特許庁

A recording material used in a recording layer 4 of the phase change optical recording medium 1 includes at least either Ag, In, Sb or Te.例文帳に追加

相変化光記録媒体１の記録層４に使用されている記録材料は少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅのいずれかを含む。 - 特許庁

The metal material contains at least one selected from a group (A) of Ga, In, Pb, Bi, Cd, Mg, Zn, Ag, Au, each element in an amount of 0.01 to 1 mass%.例文帳に追加

（Ａ）Ｇａ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ａｇ，Ａｕの群から選ばれる少なくとも１種を、１種あたり０．０１質量％以上１質量％以下含有する。 - 特許庁

The reflector is formed on a base material, and has a metal oxide layer and a reflection layer consisting of Ag doped with an element having a smaller atomic radius than that of Ag from a side near the base material when seen from a base material side, wherein crystallite size calculated from diffraction peaks originating in Ag by X-ray diffraction measurement using Cu K-alpha beam of the reflector, is 2 to 23 nm.例文帳に追加

基材上に形成される反射体であり、該反射体は、基材側から見て基材に近い側から、金属酸化物層、Ａｇに対して小さい原子半径を有する元素がドープされたＡｇからなる反射層、を有するものであり、該反射体のＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により、Ａｇに由来する回折ピークから算出される結晶子サイズが２〜２３ｎｍであることを特徴とする反謝体。 - 特許庁

To secure a melting point and a brazing property while reducing a weight ratio of Au in a brazing filler of an Au-Ag-Sn alloy.例文帳に追加

Ａｕ−Ａｇ−Ｓｎ合金のろう材を構成するＡｕの重量比を少なくしながら融点及びろう付け性を確保する。 - 特許庁

In the reflection film laminated body, the surface of a substrate is provided with a pure Ag film or a Bi-containing Ag based alloy film as a first layer, and also, the surface of the first layer is provided with an Ag based alloy film comprising Bi and further comprising one or more kinds selected from Au, Pt, Pd and Rh as a second layer.例文帳に追加

本発明の反射膜積層体は、基体上に、第１層として、純Ａｇ膜、またはＢｉを含むＡｇ基合金膜を有し、かつ前記第１層上に、第２層として、ＢｉとＧｅを含有し、さらにＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈの１種以上を含有するＡｇ基合金膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

A dispersion liquid in which particles 2 comprising SnO_2 are dispersed is applied on a substrate 4 formed with a conductive layer 1 comprising Ag, and the particles 2 are adhered to a surface of the substrate 4 and heat-treated for depositing Ag constituting the conductive layer 1 from the particles 2 through the particles 2 to form a fiber 3 comprising Ag.例文帳に追加

Ａｇからなる導電層１を形成した基体４上に、ＳｎＯ_2からなる粒子２を分散させた分散液を塗布し、該粒子２を上記基体４表面に付着させ、加熱処理を施すことにより、導電層１を構成するＡｇを上記粒子２を介して該粒子２より析出させて、Ａｇよりなるファイバー３を形成する。 - 特許庁

The sputtering target material of the Ag alloy comprises 0.1 to 0.7 atom% Si and 0.1 to 1.0 atom% Cu and/or Ge in total, as additional elements, and the balance Ag with unavoidable impurities; has a recrystallized structure dispersing a second phase containing the additional elements in the matrix mainly made of Ag; and has the Vickers hardness of 60 HV or lower.例文帳に追加

添加元素として、Ｓｉを０．１〜０．７原子％、Ｃｕおよび／またはＧｅを合計で０．１〜１．０原子％含有し、残部不可避的不純物およびＡｇからなるスパッタリングターゲット材であって、Ａｇを主体とする基地中に、添加元素を含む第二相が分散した再結晶組織を有し、ビッカース硬さが６０ＨＶ以下であるＡｇ合金スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

To improve storage stability in powder state or in battery state of positive active material of Ag-Bi-(M)-O system (M is a transition metal).例文帳に追加

Ａｇ−Ｂｉ−（Ｍ）−Ｏ系の正極活物質（Ｍは遷移金属）の粉体状態または電池状態での貯蔵安定性を向上させる。 - 特許庁

To provide an electronic part material, in which an Ag-Bi alloy coating film layer having stable quality is formed to a target thickness inexpensively and moreover in high productivity.例文帳に追加

安定した品質のＡｇ−Ｂｉ合金皮膜層を経済的に、しかも生産性よく、目標とする厚みに形成した電子部品材を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring device having contacts improved in insulation deterioration resistance in comparison with conventional contacts made of an Ag-CdO contact material.例文帳に追加

従来のＡｇ−ＣｄＯ接点材料により形成した接点に比べて耐絶縁劣化性が向上した接点を備えた配線器具を提供する。 - 特許庁

It is characterized in building a multilayer film on a substrate by laminating a FePt layer and Ag layer alternately and annealing it.例文帳に追加

基板上にＦｅＰｔ層とＡｇ層とを交互に積層して多層体を形成後、該多層体を焼鈍することを特徴とする。 - 特許庁

In the individual electrodes 213, 214 and the common electrode 215, a principal component is Ag, and a magnetic material, specifically, a Ni metallic particle is contained.例文帳に追加

個別電極２１３、２１４及び共通電極２１５は、Ａｇを主成分とし、磁性材料、具体的にはＮｉ金属粒子を含有する。 - 特許庁

To provide a high-luminance semiconductor light emitting device in which a migration is not generated even when Ag is used for a reflecting wall.例文帳に追加

反射壁にＡｇを使用してもマイグレーションを発生することのない高輝度な半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

As the basic learning value AG(i), a value in a basic learning region i corresponding to a present engine operating condition is used.例文帳に追加

この基本学習値ＡＧ(i)としては現在のエンジン運転状態に対応する基本学習領域ｉの値が用いられる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color selection mechanism body in which wrinkles are not be generated on an electrode element body after a blackening processing, and to prevent an AG swinging.例文帳に追加

黒化処理後に電極素体に皺の発生することのない色選別機構体の製造方法を提供し、ＡＧ揺れを防止する。 - 特許庁

In a gap 12 between the substrate 4 and cap 5, an interface airtight member 9 is disposed which is composed of a Ag nanoparticle paste becoming a bulk after curing.例文帳に追加

基板４とキャップ５との隙間１２に硬化後バルクとなるＡｇナノ粒子ペーストから成る界面気密部材９が配置される。 - 特許庁

A plating bath 11 is supplied with a plating solution of an alkane sulfonic acid in which Ag is dissolved through a jet flow pipe 12.例文帳に追加

めっき槽１１は、Ａｇが溶解したアルカン−スル−フォン酸のめっき液が噴流パイプ１２を介して供給されるものである。 - 特許庁

To provide an oxide superconductor and a method of manufacturing the same, the super conductor excellent in strength and a superconducting property with Ag used mainly as a base material.例文帳に追加

Ａｇを主体とする基材を用い、優れた強度と超電導特性を具備した酸化物超電導導体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A TiOx layer (1≤x≤2), an Ag layer, an Al2O3 layer and a TiO2 layer are stacked in this order on a substance to obtain the high reflectance mirror.例文帳に追加

基板上に、ＴｉＯ_x層（１≦ｘ≦２）、Ａｇ層、Ａｌ_2Ｏ_3層及びＴｉＯ_2層をこの順に積層して高反射ミラーを構成する。 - 特許庁

Alternatively, an SiOx layer (1≤x≤2), a Cr layer, an Ag layer, an Al2O3 layer and a TiO2 layer are stacked in this order on a substrate to obtain the high reflectance mirror.例文帳に追加

また、基板上に、ＳｉＯ_x層（１≦ｘ≦２）、Ｃｒ層、Ａｇ層、Ａｌ_2Ｏ_3層及びＴｉＯ_2層をこの順に積層して高反射ミラーを構成する。 - 特許庁

Ag is employed as the internal electrode of a ceramic laminate comprising ceramic and glass containing Si wherein the ratio (A)/(B) between the Si element concentration (A) within the range of 5 μm from the Ag electrode and the Si element concentration (B) in the range separated by 5 μm or more from the Ag electrode is set at 2 or less.例文帳に追加

上記目的を達成するために、少なくともセラミックとＳｉを含有するガラスとから成るセラミック積層体の内部電極としてＡｇを使用しており、Ａｇ電極からの距離が５μｍ以下の範囲におけるＳｉ元素濃度（Ａ）とＡｇ電極からの距離が５μｍより離れた範囲におけるＳｉ元素濃度（Ｂ）の比である（Ａ）／（Ｂ）が２以下としたものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electronic component which uses a dielectric porcelain, wherein with Ag or Ag alloy used as an internal conductor, the variation in dielectric characteristics due to diffusion of Ag is very slight, while no depletion between the internal conductor and a dielectrics takes place and no drawing of the internal conductor occurs at an external connection conductor part.例文帳に追加

ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体として使用しながらも、Ａｇの拡散による誘電特性のバラツキが極めて少なく、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の外部接続導体部における引き込み発生のない誘電体磁器を用いた電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

An AG value set to an AG register 118 of an AGC circuit 114, which performs auto-gain (AG) control on analog image data photoelectric converted by a photoelectric converting section 44, and an AO value set to an AO register of an AOC circuit 116 for performing auto-offset (AO)control (AOC) are arithmetically operated during powering-off and stored in a nonvolatile memory 110.例文帳に追加

光電変換部４４で光電変換されたアナログ画像データに対してオートゲインコントロールを行うＡＧＣ回路１１４のＡＧレジスタ１１８に設定されるＡＧ値、及びオートオフセットコントロール行うＡＯＣ回路１１６のＡＯレジスタに設定されるＡＯ値を、電源オフ時に演算して、不揮発性メモリ１１０に記憶する。 - 特許庁

In this product comprising a substrate 15 having a glass layer 12, the glass layer 12 has a rich layer 13 containing Ag in a high concentration on the surface side and the Ag concentration of the rich layer 3 is highest on the surface side and is gradually decreased in the depth direction.例文帳に追加

ガラス層１２をもつ基体１５からなる製品において、ガラス層１２は表面側にＡｇを高い濃度で含むリッチ層１３をもち、このリッチ層１３のＡｇの濃度は表面側で最も高く、深さ方向に徐々に減少している。 - 特許庁

The wavelength selective diffraction element 20 is constituted of a material formed by dispersing nano fine particles of Au or Ag in a transparent dielectric body (e.g. SiO_2).例文帳に追加

前記波長選択性回折素子２０は、Ａｕ又はＡｇのナノ微粒子を透明誘電体（例えばＳｉＯ_2）中に分散させた材料より構成する。 - 特許庁

On in PALC, a discharge electrode made of Ag alloy is formed on the glass substrate via a nitride layer.例文帳に追加

または、ＰＡＬＣにおいて、ガラス基板上に窒化物層を介してＡｇ合金からなる放電用電極を形成する。 - 特許庁

In PDP, an address electrode 8 made of Ag alloy is formed on a glass substrate 1 via a nitride layer 11.例文帳に追加

ＰＤＰにおいて、ガラス基板１上に窒化物層１１を介してＡｇ合金からなるアドレス電極８を形成する。 - 特許庁

As a cation species of the zeolite, 1A group elements and 2A group elements in a periodic table or transition metals, Zn, Ag or the like may be included.例文帳に追加

ゼオライトのカチオン種としては周期表の１Ａ族、２Ａ族元素、或いは遷移金属、Ｚｎ、Ａｇなどを含んでもよい。 - 特許庁