「Ag in a」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The second heat sink 15 is composed of a flaky or powdery heat dissipating material 15a placed in the recess 14, and an Ag solder material 15b filling the gap between the heat dissipating material 15a and the inner surface of the recess 14.例文帳に追加

第２のヒートシンク１５は、例えば凹部１４内に配置された板状又は粉末状の放熱材１５ａと、放熱材１５ａと凹部１４の内面との間隙に埋め込まれたＡｇろう材１５ｂとにより構成する。 - 特許庁

To provide an optical recording medium having a light reflecting layer consisting of Al or an alloy essentially comprising Ag and to provide an optical recording medium excellent for use and in the long-term storage property under high temperature and high humidity conditions.例文帳に追加

ＡｇまたはＡｇを主成分とする合金からなる光反射層を有した光記録媒体において、高温、高湿下での使用や長期保存性に優れた光記録媒体を提供する。 - 特許庁

When sintering, Ag contained in the radiation portion 14 is diffused to the grain boundary of ZnO of the main composition of the varistor element 15 near the interface between a face 14a and 15a.例文帳に追加

また、焼成の際、放熱部１４に含まれるＡｇは、面１４ａと面１５ｂとの界面付近においてバリスタ素体１５の主成分であるＺｎＯの粒界に拡散する。 - 特許庁

The light reflection layer 30 is formed by heating the substrate 10 in a temperature range of, for example, 100°C or higher and less than 400°C; and depositing an Ag alloy on the surface of the p-type contact layer 27.例文帳に追加

光反射層３０は、例えば１００℃以上４００℃未満の範囲内の温度で基板１０を加熱しつつ、Ａｇ合金をｐ型コンタクト層２７の表面に堆積させることにより形成されたものである。 - 特許庁

The adhesive comprises a silicone resin containing phenylheptamethylcyclotetrasiloxane, and/or 2,6-cis-diphenylhexamethylcyclotetrasiloxane, Ag and In.例文帳に追加

本発明は、フェニルヘプタメチルシクロテトラシロキサン及び／又は２，６−シス−ジフェニルヘキサメチルシクロテトラシロキサンを含むシリコンレジンと、Ａｇと、Ｉｎとを含有する接着剤を提供する。 - 特許庁

The amount of Ag added to the oxygen generation layer is set to a value that allows the release of oxygen in an amount equal to or larger than the amount theoretically required for oxidizing the desorbed HC.例文帳に追加

酸素発生層へのＡｇ添加量は、触媒中にＡｇＯ_2の形で存在するＡｇから脱離ＨＣを酸化するために理論上必要な量以上の酸素が放出されるような値に設定されている。 - 特許庁

After a due time, an anode segment 7, to which Ni, Cu, and Ag plating is done in turn onto its Cu base metal, is welded by ultrasonic welding onto anodic portions sectioned by the resist layer, thus making aluminum solid electrolytic capacitor elements.例文帳に追加

しかる後にレジスト層で区切られた陽極部にＣｕ母材にＮｉ、Ｃｕ、Ａｇメッキを順次メッキ処理した陽極片７を超音波溶接にて溶接し、アルミ固体電解コンデンサ素子とする。 - 特許庁

To provide an Al-Cu joined structure in which Ag is used for an insert, the joining strength thereof is equivalent to that of a base metal Al, and the joining characteristic is excellent.例文帳に追加

インサート材としてＡｇを用い、接合強度が母材Ａｌと同等の強度であり、優れた接合特性を示すＡｌ−Ｃｕ接合構造物を提供する。 - 特許庁

The layer 4 is formed on the layer 3 and consists of an eutectic alloy layer containing more than at least one kind of the elements selected from a group consisting of Au, Ag, Si, Ge, Sn, Pb and In.例文帳に追加

金属接合層４は、第２の中間接合層３上に形成され、かつ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＰｂおよびＩｎからなる群から選択される少なくとも１種以上を含む共晶合金からなる。 - 特許庁

The positive electrode active material film is formed of, for example, a lithium phosphate compound in an amorphous state, which contains Li, P, one element M1 selected from Ni, Co, Mn, Au, Ag, and Pd, and O.例文帳に追加

正極活物質膜は、例えば、ＬｉとＰとＮｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄから選ばれる何れかの元素Ｍ１とＯとを含有するアモルファス状態のリチウムリン酸化合物で構成される。 - 特許庁

This scroll type compressor is provided with an overturn preventing mechanism 6 giving gas pressure AG in a direction canceling overturning moment acting on the turning scroll member 3.例文帳に追加

旋回スクロール部材３に加わる転倒モーメントを打ち消す方向のガス圧ＡＧを旋回端板３ａの摺動面３ｃに与える転倒防止機構６を設けた構成を採用した。 - 特許庁

The laminated chip varistor is mainly composed of zinc oxide, wherein a borosilicate zinc-based glass (ZnO-SiC_2-B_2O_3-BaO) and spherical Ag particles of 0.5-6.0 μm in diameter are contained as the glass composition of its external electrode material.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とする積層チップバリスタにおいて、その外部電極材のガラス組成としてホウケイ酸亜鉛系ガラス（ＺｎＯ−ＳｉＯ_2−Ｂ_2Ｏ_3−ＢａＯ）と、０．５〜６．０μｍの球状Ａｇ粒子とを含んでなる。 - 特許庁

(2) In the method for manufacturing the thin Al-Cu joined structure, rolling is performed with the brazed member with Ag used for the insert on the joining surface of the Al member with the Cu member as a starting material.例文帳に追加

（２）Ａｌ部材とＣｕ部材との接合面にＡｇをインサート材として用いたろう付け接合部材を出発素材として、圧延加工を施すことを特徴とする薄型Ａｌ−Ｃｕ接合構造物の製造方法である。 - 特許庁

To provide conductive paste having specific resistance and adhesion strength showing values equal to or almost comparable to those of an electrode formed of elemental Ag and improved in migration-resistance at a low cost.例文帳に追加

Ａｇ単体からなる電極と比べて比抵抗と接着強度が同じか殆ど遜色ない値を示し、かつ、安価に耐マイグレーション性向上を図る。 - 特許庁

Further, because alternate and successive vapor deposition of a Cr layer and an Ag layer in the process of forming the weight portion can be conducted, easy manufacturing can be attained.例文帳に追加

また、重り部を形成する工程内でＣｒの層とＡｇの層を交互に連続して蒸着することができるため、容易に製造することができる。 - 特許庁

The base material may further contain an optional ingredient selected from Sn, Ag, Pb, Fe, Ni, Mn, Si, Al, and Ti within a range of 0.005-3.0 mass% in total.例文帳に追加

母材は、更にＳｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ａｌ及びＴｉから選ばれた任意成分を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。 - 特許庁

The copper alloy wire for the semiconductor contains 0.05 to 5 wt.% of Mn, has the total amount of one or two or more elements selected from Sb, Zr, Ti, Cr, Ag, Au, Cd, In and As of 10 wt.ppm or more, contains the balance being Cu, and has a self diffusion suppression function.例文帳に追加

Ｍｎ０．０５〜５ｗｔ％を含有し、Ｓｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ａｓから選択した１又は２以上の元素の総量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部Ｃｕである自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。 - 特許庁

To provide an improved Sn-Ag-Cu based lead-free solder material which can be suitably used as a joining material in the packaging process of an electronic component.例文帳に追加

電子部品の実装プロセスにおいて接合材料として好適に用いることができる、改善されたＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系鉛フリーはんだ材料を提供する。 - 特許庁

The second layer 24 is formed of at least one material in a group of Au, Ag, lead-free solder, and Pt on the first layer 22.例文帳に追加

第２の層２４は、Ａｕ、Ａｇ、鉛フリーはんだ及びＰｔからなるグループのうち少なくとも１つの材料から、第１の層２２の上に形成されている。 - 特許庁

To solve the problem that, in a LED lamp, there is a separation between a LED chip and a resin in the periphery of the LED chip due to a difference in adhesiveness between the two components when the coefficient of thermal expansion is largely different between Ag paste used for placing the LED chip on a lead frame and the resin for molding.例文帳に追加

ＬＥＤランプにおいて、ＬＥＤチップをリードフレームに載置するするためのＡｇペーストと、樹脂モールドの材料熱膨張係数が大きく異なる場合に、ＬＥＤチップの周囲で、密着性の違いからＬＥＤチップと樹脂との間に剥離が起こる。 - 特許庁

To provide a semiconductor component superior in quality, by suppressing the occurrence of burrs in a layer containing Cu or Ag of a semiconductor element, in a bonded structure bonding the semiconductor element with an electrode by a bonding material which is composed mainly of Bi for solving conventional problems.例文帳に追加

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、Ｂｉを主成分とする接合材料により、半導体素子と電極とを接合した接合構造体において、半導体素子のＣｕあるいはＡｇを含む層のバリ発生を抑制することによって、品質の優れた半導体部品を提供すること。 - 特許庁

In the phase-change type information recording medium, a recording layer 4, consisting of a Ag-In-Sb-Te phase change material and a crystallization acceleration layer 3, consisting of Bi or its compound in contact with at least a part of the recording layer are formed on a substrate 1.例文帳に追加

相変化型情報記録媒体では、基板１上にＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の相変化材料からなる記録層４と、該記録層の少なくとも一部分に接触するＢｉまたはその化合物からなる結晶化促進層３とを設ける。 - 特許庁

To provide a low permittivity ceramic substrate low in relative permittivity, small in loss in a high frequency zone, and small in temperature dependence, enabling low temperature sintering where conductors having high electric conductivity such as Ag, Au and Cu can be simultaneously sintered, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの電気伝導度が高い導体を同時焼成できる低温焼結が可能な、比誘電率が低く高周波帯域での損失が小さく、かつ温度依存性の小さい低誘電率磁器基板およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a piezoelectric ceramic composition for a multilayer piezoelectric element which is suitable for the production of a multilayer piezoelectric element using an internal electrode having an Ag/Pd ratio of 7/3 or higher in a two-component PZT (lead-zirconium-titanate) piezoelectric device in which at least one selected from Nb, Sb and W is substituted for the Ti and Zr sites in PZT.例文帳に追加

ＰＺＴのＴｉ、ＺｒサイトにＮｂ、Ｓｂ、Ｗのうち少なくとも１種を置換した２成分ＰＺＴ圧電磁器において、Ａｇ／Ｐｄ比が７／３以上の内部電極を用いた積層圧電素子の作製に適した積層圧電素子用圧電磁器組成物を提供する。 - 特許庁

In a radio base station NodeB, an AG transmission unit 12 is configured to transmit the same "Zero Grant" a plurality of times to a first mobile station UE#1 as a scheduling target in a current scheduling section before a next scheduling section starts.例文帳に追加

本発明に係る無線基地局ＮｏｄｅＢにおいて、ＡＧ送信部１２は、次のスケジューリング区間が開始する前に、現在のスケジューリング区間におけるスケジューリング対象の第１移動局ＵＥ＃１に対して、複数回、同一の「Ｚｅｒｏ Ｇｒａｎｔ」を送信するように構成されている。 - 特許庁

The thick-film multilayer wiring board is comprised of Ag-based conductors 3 and 6, a thick-film resistor 9 and an insulation layer 7 that are stacked on a ceramic insulation substrate, and a conductor film in a joint with a chip electronic component 12 is made large in thickness, thus suppressing the reduction of connection strength due to a thermal influence.例文帳に追加

セラミック絶縁基板上にＡｇ系導体３，６，厚膜抵抗体９，絶縁層７から成る厚膜多層配線基板において、チップ電子部品１２との接続部の導体膜厚を厚くする構造にて熱影響による接続強度低下を抑制可能とする。 - 特許庁

In the lead-acid storage battery having a cathode grid made of a Pb-Ca alloy, a surface layer 3 containing Ag is formed on the surface of a grid bone of the cathode grid equivalent to 14.3% to 56.5% of a total peripheral length (L) of the grid bone in a cross section of the grid bone of the cathode grid.例文帳に追加

Ｐｂ−Ｃａ合金からなる正極格子を有した鉛蓄電池であり、この正極格子の格子骨２断面における格子骨全周囲長（Ｌ）の１４．３〜５６．５％に相当する正極格子の格子骨表面にＡｇを含む表面層３を形成する。 - 特許庁

To provide a make and break contact stock having smaller consumption compared with the case of the conventional Ag-CdO series and capable of prolonging the service life even in the case of being miniaturized in an alternating current general relay used for a resistance load of about 1 to 20 A in the range of AC 100 to 250 V.例文帳に追加

本発明は、ＡＣ１００V〜２５０Vの範囲で、１〜２０A程度の抵抗負荷に用いられる交流汎用リレーにおいて、従来のＡｇ−ＣｄＯ系のものと比較して、より消耗が少なく、小型化しても長寿命化が図れる開閉接点素材を提供するものである。 - 特許庁

To provide a dental casting alloy containing ≥40% of Au and Ag in total as a base alloy, the alloy enabling the occurrence of cavities to be suppressed even when not containing Zn and enabling a degradation in the mechanical characteristics of a prosthesis material to be prevented, particularly, a dental casting alloy capable of remarkably exhibiting the above actions even if repeated casting is performed.例文帳に追加

ベース合金としてＡｕとＡｇを合計で４０％以上含有する歯科鋳造用合金において、Ｚｎを含有させなくても、鋳巣の発生を抑えることができ、補綴物の機械的特性の劣化を防止できる歯科鋳造用合金を提供する。 - 特許庁

In the sliding alloy for high temperature in which the hard grains composed of Co-based intermetallic compound having 1-35 mass%, are dispersed in a matrix 1 composed of Ni-based alloy or heat-resistant Fe-based alloy, in this matrix, further Ag having 0.1-10 mass% is dispersed.例文帳に追加

Ｎｉ基合金または耐熱Ｆｅ基合金からなるマトリックス１中に、１〜３５質量％のＣｏ基金属間化合物からなる硬質粒子を分散してなる高温用摺動合金において、 前記マトリックス中に、更に、０．１〜１０質量％のＡｇを分散させる。 - 特許庁

The stress releasing layers may be configured of a plastically deformable metal material such as indium (In) or an In-Ag alloy, and the upper and lower sides thereof may be sandwiched by an alloying prevention layer made of a completely unalloyable metal with indium (In), e.g., aluminum (Al).例文帳に追加

応力緩和層を、インジウム（Ｉｎ）あるいはＩｎ−Ａｇ合金などの塑性変形可能な金属材料により構成し、その上側および下側を、インジウム（Ｉｎ）と合金を全く形成しない金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなる合金化防止層で挟んでもよい。 - 特許庁

The transparent electrode film is composed of In-Sn oxide and one kind of metal selected from Al, Mg, Zn, and Li, and an electrode potential V in a state of being immersed in saturated KCl aqueous solution, based on Ag/AgCl reference electrode fulfills a relation: -0.42≤V≤-0.35(V).例文帳に追加

Ｉｎ−Ｓｎ酸化物と、Ａｌ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｌｉから選ばれる少なくとも１種の金属とを含有してなり、２５℃の飽和ＫＣｌ水溶液中に浸漬したときのＡｇ／ＡｇＣｌ参照電極を基準とする電極電位Ｖが、−０．４２≦Ｖ≦−０．３５（Ｖ）を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

In another embodiment, a sintered body comprising the Nb_3Al base alloy of the A15 type structure of a stoichiometric content and one or more kinds of metals selected from In, Sn, Al, Cu, Pb, Au and Ag is filled in the sheath material of the Nb_3Al base superconductive wire rod.例文帳に追加

他の形態では化学量論比組成でＡ１５型構造のＮｂ_３Ａｌ基合金と、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇから選択される１種以上の金属とからなる焼結体をシース材内に充填したＮｂ_３Ａｌ基超伝導線材とする。 - 特許庁

The chamfering 19 reduces the uneven cross-sectional shape of a silver (Ag) (resin-based) layer 16 forming a primary plated electrode layer on the bottom surface of the chip resistor 10 shown in the figure, by reducing the protruded amount of the layer 16 to the outside (particularly, in the downward direction in the figure) without reducing the capacity of the layer 16.例文帳に追加

面取り加工１９は、チップ抵抗１０の図中下面に１次電極メッキ層を形成する銀Ａｇ（樹脂系）層１６の容量を減少させることなく、外方（特に図中下方）への銀Ａｇ（樹脂系）層１６の突出量を減少させ、形状的に凹凸が小さい状態とする。 - 特許庁

The surface silver fixed hydroxy apatite used as a catalyst and a method in which in the presence of the surface silver fixed hydroxyapatite prepared by fixing zero-valent Ag to the surface of hydroxyapatite, a nitrile compound is hydrated to produce a corresponding amide compound are disclosed.例文帳に追加

さらに、触媒として用いられる表面銀固定化ハイドロキシアパタイト、およびハイドロキシアパタイト表面に０価のＡｇを固定化した表面銀固定化ハイドロキシアパタイトの存在下、ニトリル化合物を水和して対応するアミド化合物を製造するアミド化合物の製造方法も開示される。 - 特許庁

To provide a submount which can bond the entire region of the bonding surface of a semiconductor laser chip stably, and can use a substrate in common to an Ag paste type product by taking out the substrate temporarily into the atmosphere at a stage in the fabrication process where an Au layer is formed.例文帳に追加

半導体レーザチップの接合面全域を安定に接合できるとともに、作製プロセスにおいてＡｕ層が形成された段階で基板を大気中に一旦取り出すことでＡｇペーストタイプの製品へ共用することが可能なサブマウントを提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor laser device, a p-side electrode 115, contacting with semiconductor layers group 108-114 of a second conductive type, comprises an Ag layer 115a, a Pd layer 115b and an Au layer 115c in order from a side contacting with the semiconductor layers group 108-114 of the above-mentioned second conductive type.例文帳に追加

この発明の半導体レーザ素子では、上記第２導電型の半導体層群１０８〜１１４に接するｐ側電極１１５は、上記第２導電型の半導体層群１０８〜１１４に接する側から順に、Ａｇ層１１５ａと、Ｐｄ層１１５ｂと、Ａｕ層１１５ｃとを有する。 - 特許庁

An adhesion layer, a reflection layer essentially comprising Ag and a protective layer made of light-transmissive dielectric layer are formed on the surface of a plastic base in the order from the plastic base side, wherein a mixture layer of aluminum oxide and lanthanum oxide is used as the adhesion layer and the layer thickness is in the range of 10 to 120 nm.例文帳に追加

プラスチック基体の表面に、基体側から順に、密着層、Ａｇを主成分とする反射層、透光性誘電体層からなる保護層を形成し、密着層として酸化アルミニウムと酸化ランタンの混合物層を用い、その層厚を１０〜１２０ｎｍの範囲とする。 - 特許庁

A plurality of coil layers (three layers 5, 6 and 7 in Fig. 1) each constituted by forming a nearly one-turn coil pattern 3 made of Ag and a magnetic gap layer 4 made of zirconia (ZrO_2) on a magnetic body 2 made of NiZn ferrite are stacked through via holes 8 and connected in series.例文帳に追加

ＮｉＺｎフェライトからなる磁性体２に、Ａｇからなる略１ターンのコイルパターン３と、ジルコニア（ＺｒＯ_２）からなる磁気ギャップ層４とを形成して構成されるコイル層を複数（図１では５、６、７の３層）ビアホール８を介して積層し直列に接続する。 - 特許庁

The catalyst body comprises a substrate, a hygroscopic coating layer having a hygroscopic property and formed on the substrate, and a catalytic substance such as Pt, Au, Rh, Ag, Pd, Ir, or the like held in the hygroscopic coating layer and catalyzing the reaction of aimed molecules for reaction in the air with other substances.例文帳に追加

基体と、基体上に形成された吸湿性を有する吸湿性コート層と、吸湿性コート層に保持され、気体中に含まれる反応目的分子と他の物質との反応を触媒するＰｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｉｒ等の触媒物質と、を有する触媒体。 - 特許庁

The Ag nanoparticles with a particle diameter of 1 to 20 nm comprising the ammine complex of silver nitrate as a dispersing agent can be obtained by mixing silver nitrate, a reducing agent which does not show reducibility in an organic solvent and alkylamine in an organic solvent.例文帳に追加

硝酸銀のアンミン錯体を分散剤として含有する１〜２０ｎｍの粒子径を有するＡｇナノ粒子は、有機溶媒中で、硝酸銀と有機溶媒中で還元能を示さない還元剤及びアルキルアミンを混合して得ることができる。 - 特許庁

As internal electrodes 6, 7, 8 formed by an Ag/Pd are used in a method for manufacturing the NTC thermistor 1, a redox temperature of the Pd in the internal electrodes 6, 7, 8 is lower than the sintering temperature of the ceramic material to be becoming a ceramic sintered body 3.例文帳に追加

ＮＴＣサーミスタ１の製造方法では、Ａｇ／Ｐｄにより形成された内部電極６，７，８を採用するため、内部電極６，７，８中のＰｄの酸化還元温度が、セラミック焼結体３となるセラミック素体の焼結温度より低くなる。 - 特許庁

This air electrode 5 for the solid electrolyte fuel cell is formed when a layer, in which a stress reducing material 6 consisting of oxide such as TiO_2, noble metal such as Ag and Pt, or an electrolyte material such as YSZ and ceria is contained in lanthanum - cobalt compound oxide, is formed on the surface of a solid electrolyte 4.例文帳に追加

固体電解質４の表面に、ランタン−コバルト複合酸化物中に、例えばＴｉＯ_２などの酸化物や、Ａｇ，Ｐｔなどの貴金属や、ＹＳＺ，セリアなどの電解質材料からなる応力緩和材６を含む層を形成して固体電解質型燃料電池用の空気極５とする。 - 特許庁

A trivalent Fe compound is added to a solution containing hydrogen sulfide to adjust not only the pH of the solution to 3 or less but also ORP (oxidation-reduction potential) to 0 mV (Ag/AgCl electrode reference) or more to fix hydrogen sulfide dissolved in the solution in a sulfur form.例文帳に追加

硫化水素を含む溶液中に３価のＦｅ化合物を添加し、ｐＨを３以下とし、ＯＲＰを０ｍＶ（Ａｇ／ＡｇＣｌ電極基準）以上として、硫化水素と３価のＦｅ化合物を反応させることにより、溶液に溶存する硫化水素を硫黄の形に固定する。 - 特許庁

The solder balls comprise one or two kinds selected from Ag and Cu by 0.5 to 60 mass% in total, and the balance Sn with impurities and are obtained by being solidified in a gas atmosphere, and the solder balls have a solidified structure free from dendrite when being observed at a cross-section including the center of each ball.例文帳に追加

ＡｇおよびＣｕの１種または２種を合計で０．５〜６０質量％含有し、残部がＳｎおよび不純物からなるガス雰囲気で凝固させたはんだボールであって、球の中心を含む断面で観察した際にデンドライトのない凝固組織であるはんだボールである。 - 特許庁