「Ag in a」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

This information recording medium of surface light incident type has a feature that a granular structural reflective layer containing a metal selected from among Ag, Au, Al and Cu, and a magneto-optical recording layer are provided in this order at least on one surface of a supporting body.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、及びＣｕから選択される金属を含むグラニュラー構造の反射層、光磁気記録層をこの順に有することを特徴とする表面光入射型情報記録媒体、及び上記表面光入射型情報記録媒体にレーザー光を照射して情報を記録再生する情報記録再生方法。 - 特許庁

A porous silicon particle includes a continuous hole and a three-dimensional mesh structure, characterized in that the hole penetrates the porous silicon particle and that a single body or an alloy of one or more of a conductive element Cu, Ni, Sn, Zn, Ag, or C is included within the hole.例文帳に追加

連続する空孔を有し、三次元網目構造を有する多孔質シリコン粒子であって、前記空孔が、前記多孔質シリコン粒子を貫通し、前記空孔内に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃのいずれか１つ以上の導電性元素の単体又は合金を有することを特徴とする多孔質シリコン粒子である。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition having good adhesiveness to a metal such as Ag, Au, Pd and Ni, exhibiting good reflow resistance, and having good flame retardancy without reducing reliability in moldability, moisture resistance and characteristics when left in a high temperature condition and the like, and to provide an electronic component device equipped with an element sealed therewith.例文帳に追加

Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ及びＮｉのような金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性や耐湿性、高温放置特性等の信頼性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus, capable of partly peeling plating films of Au, Ag, etc., off within areas which are not required for plating, except the required areas for plating on lead frames connected in series at a specified pitch as in a tape and allowing the positions therefor to be easily adjusted.例文帳に追加

一定ピッチで配置されて一つの帯状に連なった状態に形成されたリードフレームのメッキを必要とする範囲内のＡｕ，Ａｇなどのメッキ被膜を剥離することなくメッキを必要としない範囲のＡｕ，Ａｇなどのメッキ被膜を部分的に剥離することができ、しかもそのための位置調整を簡単に行うことができる装置を提供する。 - 特許庁

In an organic EL element composed by sequentially forming, on a substrate, a lower electrode, the organic EL layer, the buffer layer and an upper electrode, this organic EL element is provided by including, in the buffer layer, the phthalocyanine compound doped with at least one kind of metal selected from among Au, Pt, Pd and Ag.例文帳に追加

基板上に下部電極、有機ＥＬ層、バッファ層、及び上部電極が順次形成された有機ＥＬ素子において、前記バッファ層がＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、及びＡｇから選択される少なくとも１種の金属をドーピングしたフタロシアニン化合物を含有させることにより、上記有機ＥＬ素子を得る。 - 特許庁

A hydrogen absorbing body preferably includes at least one metal selected from the group consisting of Cu, Ni, Zn, Ti, Zr, Al, Fe, Sn, In, Pt, Pd, Au and Ag, in addition to a hydrogen absorbing material, and the hydrogen absorbing composite includes an inorganic porous material which covers the partial or whole surface of the hydrogen absorbing body.例文帳に追加

水素吸蔵材料に加えて、好ましくはＣｕとＮｉとＺｎとＴｉとＺｒとＡｌとＦｅとＳｎとＩｎとＰｔとＰｄとＡｕとＡｇとからなる一群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有してなる水素吸蔵体及び、この水素吸蔵体の表面の一部又は全部を覆うように無機多孔質体を含んでなる水素吸蔵複合体を提供する。 - 特許庁

To construct a system for eliminating trace iodine from organic acid which endures a long time industrial use, by effectively inhibiting elution of aluminum from zeolite skeleton and suppressing deterioration of strength of the zeolite in adsorbing and eliminating iodine contained in the organic acid such as acetic acid, etc., by using the zeolite carrying Ag, etc.例文帳に追加

酢酸等の有機酸中に含まれるヨウ素を、銀等を担持したゼオライトを用いて吸着除去するに際し、ゼオライト骨格からアルミニウムが溶出するのを有効に阻止し、これによりゼオライトの強度劣化を抑えることで、長期間の工業的使用にも耐えうる有機酸からの微量ヨウ素除去システムを構築する。 - 特許庁

The metal ball for the wiring substrate is constituted of 20 to 80 mass% of a sum of Ag and/or Cu and the balance Bi with inevitable impurities, and is solidified in a spherical shape of 0.03 to 0.5 mm in particle size, roundness of the metal ball being ≤5% of the particle size.例文帳に追加

本発明は、Ａｇおよび／またはＣｕを合計で２０質量％以上８０質量％以下含み、残部Ｂｉおよび不可避的不純物からなり、粒径が０．０３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の球状に凝固されてなる配線基板用金属球であって、該金属球の真円度が粒径の５％以下である、配線基板用金属球である。 - 特許庁

Then a layer M which contains a metal element M (at least one selected from the group consisting of Al, Ga, In, Sn, Pb, Bi, Zn and Ag) is deposited on a surface of the sintered magnet body, and an RH layer containing a heavy rare-earth element RH (at least one selected from the group consisting of Dy, Ho and Tb) is deposited on the layer M.例文帳に追加

次に、焼結磁石体の表面に金属元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、およびＡｇからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するＭ層を堆積した後、重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｈｏ、およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するＲＨ層をＭ層上に堆積する。 - 特許庁

To provide a supported body of composite particles that includes composite particles comprising Ni in an oxidized state and at least one transition element selected from the group consisting of Ni, Pd, Pt, Ru, Au, Ag and Cu, and a support capable of stably supporting the composite particles, and maintains high reactivity as a catalyst for a long period of time.例文帳に追加

酸化状態のＮｉと、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕからなる群より選択される少なくとも１種の遷移元素とを含有する複合粒子と、その複合粒子を安定に担持する担体と、を含み、触媒として長期間にわたり高い反応性を維持する複合粒子担持物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing Fe erosion of soldering equipment member coated with Fe and Fe-based alloy in the case of using a soldering member coated with the Fe and Fe-based alloy and subjecting the same to soldering with a lead-free solder alloy of an Sn-Ag-Cu system composed of Sn as a principal component.例文帳に追加

本発明の課題は、ＦｅおよびＦｅ系合金を被覆したはんだ付け部材を用いてＳｎを主成分としたＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだ合金をはんだ付けをする際に、ＦｅおよびＦｅ系合金被覆したはんだ付け機器部材のＦｅ喰われ防止方法およびＦｅ喰われ防止はんだを提供する。 - 特許庁

A semiconductor module having a semiconductor element and electrodes connected together through a bonding layer made of an Ag-based or Cu-based material is characterized in that a thin film of the same kind as the bonding layer is formed on an interface between the semiconductor element and bonding layer and an interface between the bonding layer and electrodes, the thin film having thickness of 1 to 200 nm.例文帳に追加

半導体素子と電極がＡｇ系またはＣｕ系材で構成された接合層を介して接続された半導体モジュールであって、半導体素子と前記接合層との界面、及び前記接合層と前記電極との界面に前記接合層と同種の薄膜が形成し、かつ前記薄膜の厚さが１乃至２００ｎｍであることを特徴とする。 - 特許庁

Disclosed herein is a conductive paste for use in formation of an electrode on a semiconductor substrate, which contains a conductive powder consisting of at least one species selected from Ag, Cu and Ni, a halide, and an organic vehicle, the content of the halide being 0.45 to 15.38% by volume relative to 100% by volume of the conductive powder.例文帳に追加

本発明の導電性ペーストは、半導体基板上に電極を形成するための導電性ペーストであって、Ａｇ，ＣｕおよびＮｉのうち少なくとも１種からなる導電性粉末と、ハロゲン化物と、有機ビヒクルと、を含有し、前記ハロゲン化物の含有量は、前記導電性粉末１００体積％に対して０．４５〜１５．３８体積％であることを特徴とする。 - 特許庁

In the circuit board, at least a metal circuit layer principally comprising Cu out of the metal circuit layer and a heat dissipation layer is bonded onto a ceramic substrate through a solder material comprising 6.0-60% of Sn, 2.0-9.5% of at least one kind of Ti, Nb, Hf and Zr, and the remainder of Cu and not containing Ag.例文帳に追加

本回路基板はセラミック基板上にＣｕを主成分とした金属回路層及び放熱層のうちの少なくとも金属回路層がろう材によって各々接合されており、上記ろう材は、６．０〜６０％のＳｎ、２．０〜９．５％のＴｉ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＺｒのうちの少なくとも１種、及び残部Ｃｕとからなり、Ａｇを含有しない。 - 特許庁

A catalyst for oxidative decomposition of ammonia or amines and a catalyst for selective reduction of nitrogen oxides containing a manganate doped with at least one kind of metal or metal ion selected from a group consisting of Pt, Pd, Rh, Ir, Au, Ag, Ti, Zr, Al, V, Mo, W, Cr, Co, Ni, Zn, In and La are used for removing nitrogen oxide.例文帳に追加

Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＬａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属または金属イオンがドープされたマンガン酸塩を含むアンモニアないしアミンの酸化分解触媒、窒素酸化物の選択還元触媒。 - 特許庁

The sealing material for the low-temperature operating solid oxide fuel cell which operates in the range of 650-800°C, is characterized in that it is made of a metal brazing material containing at least one type of metal selected from the group consisting of Ag, Cu, Ti, Ni, Au and Al or containing their metal brazing materials and ceramics.例文帳に追加

６５０〜８００℃の範囲で作動する低温作動の固体酸化物形燃料電池用シール材であって、該シール材がＡｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ及びＡｌのうち少なくとも１種の金属を含む金属ろう材からなるか、または、それら金属ろう材とセラミックスを含むシール材からなることを特徴とする低温作動固体酸化物形燃料電池用シール材。 - 特許庁

The skin lotion or the cosmetic comprises the potassium-based alkali reduced water as the raw material water which is obtained by using a three-chamber type electrolytic cell, putting KCl as an electrolytic auxiliary in an intermediate chamber and electrolyzing pure water, has pH about 10-12 in formation and about -500 to -900 mV (vs. Ag/AgCl) ORP (oxidation-reduction potential).例文帳に追加

３室型電解槽を用いて、中間室に電解助剤としてＫＣｌを入れて、純水を電気分解して得られたカリウム系アルカリ性還元水であって、生成時におけるｐＨが１０〜１２程度であり、且つＯＲＰ（酸化還元電位）が−５００〜−９００ｍＶ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）程度のカリウム系アルカリ性還元水を、化粧水または化粧品の原料水とする。 - 特許庁

The laminated ceramic substrate is obtained by laminating a ceramic green sheet where an electrode layer is formed of Ag on a dielectric layer made of a glass ceramic material obtained by mixing glass containing at least Si and Ca with alumina, and characterized in that the dielectric layer having been burnt contains an anorthite (CaAl_2Si_2O_8) crystal phase and its crystal particle size is ≤84 nm.例文帳に追加

少なくともＳｉ及びＣａを含むガラスとアルミナを混合したガラスセラミック材料からなる誘電体層の上に、Ａｇからなる電極層を形成したセラミックグリーンシートを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板であり、焼成後の誘電体層がアノーサイト（ＣａＡｌ_2Ｓｉ_2Ｏ_8）結晶相を含有し、かつその結晶粒サイズが８４ｎｍ以下であることを特徴としている。 - 特許庁

In the electronic component package, the ceramic base member 11 and the metallic lid member 12 are airtightly sealed by seam welding for continuously performing spot welding by a pair of welding rollers 14 through a metalized layer 13 of the welding member, a Cu plating layer 21, and an Ag plating layer 22 of laminated plating layers.例文帳に追加

セラミックベース部材１１と金属製リッド部材１２とが溶接部材であるメタライズ層１３と積層めっきのＣｕめっき層２１およびＡｇめっき層２２の介在により一対の溶接ローラ１４により連続的にスポット溶接するシーム溶接で気密封着した電子部品用パッケージである。 - 特許庁

The catalyst is characterized by drying and sintering catalyst precursor dispersion characterized by including (A) carbon nanotubes carrying at least one noble metal particle or a noble metal oxide particle selected from the group comprising Ag, Ru, Rh, Pd, In, Os, Ir, and Pt and (B) a hydrated inorganic oxide.例文帳に追加

（Ａ）Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＰｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の貴金属粒子又は貴金属酸化物粒子を担持させたカーボンナノチューブ及び（Ｂ）無機酸化物水和物を含むことを特徴とする触媒前駆体分散液を乾燥・焼成したことを特徴とする触媒。 - 特許庁

A controller 50 controls the rate of cesium Cs to be mixed in a metal electrode 30 being formed by controlling the temperature of the dispenser Ds, at the time of generating plasma by exciting the argon gas by using the energy of the high frequency power to generate plasma and depositing silver Ag atoms sputtered from a target material 305 as the metal electrode 30 by the generated plasma.例文帳に追加

制御器５０は、高周波電力のエネルギーを用いてアルゴンガスを励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマによりターゲット材３０５から叩き出された銀Ａｇ原子をメタル電極３０として成膜する際、ディスペンサＤｓの温度を制御することにより成膜中のメタル電極３０に混入させるセシウムＣｓの割合を制御する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing photosensitive glass paste which can suppress shrinks in sintering, dispersion of conductor components including Ag, and gelation, and can surely forming, for example, a glass layer with via holes having predetermined precise shape and dimensions disposed at the predetermined positions and a multiplayer wiring circuit board using this paste.例文帳に追加

焼結収縮や、Ａｇなどの導体成分の拡散、ゲル化などを抑制することが可能で、例えば、所定の形状精度、寸法精度を有するビアホールが所定の位置に配設されたガラス層などを確実に形成することが可能な、感光性ガラスペースト及びそれを用いた多層配線回路板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The base station 100 has: a detection section 126 for detecting whether the uplink-direction user data received from a radio terminal 10 have been abandoned; and a scheduling section 120a for transmitting an AG or RG instructing reduction in an SG assigned to the radio terminal, when the abandonment of the uplink-direction user data is detected by the detection section 126.例文帳に追加

基地局１００は、無線端末１０から受信した上り方向ユーザデータの破棄が生じたか否かを検出する検出部１２６と、検出部１２６によって上り方向ユーザデータの破棄が検出された場合に、無線端末に割り当てられているＳＧの減少を指示するＡＧ又はＲＧを無線端末に送信するスケジューリング部１２０ａとを有する。 - 特許庁

To enable lead terminals to be effectively utilized independently of whether a semiconductor element is mounted on the lead terminals on which the semiconductor element can be mounted, in a lead frame whose surface is provided with an Ag-plated element mounting region where the semiconductor element is mounted and a wire bonding region where bonding wires are connected.例文帳に追加

Ａｇメッキが施された半導体素子の素子搭載領域と、ボンディングワイヤが接続されるワイヤ接続領域とを表面に有するリードフレームにおいて、半導体素子が搭載可能なリード端子に対して半導体素子の搭載の有無にかかわらず、当該リード端子を有効に活用できるようにする。 - 特許庁

A connector terminal of the present invention includes a ruthenium layer formed on conductive substrate entirely or partially, and a surface metal layer made of at least one of the metals selected from the group consisting of Au, Ag, Pd, Rh, Co, Ni, In and Sn, or made of an alloy consisting at least one of the metals selected from the group, which is formed on the ruthenium layer entirely or partially.例文帳に追加

本発明のコネクタ端子は、導電性基体上の全面または部分にルテニウム層が形成されており、該ルテニウム層上の全面または部分にＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属またはこれらの金属を少なくとも１種含む合金からなる表面金属層が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

In an Nb3 Al superconductor having a metallic Nb layer 2 on the periphery of an Nb3 Al superconducting core 1 and a stabilizing layer 3 on the periphery of the metallic Nb layer 2, an intermediate film 4 made of a simple substance of Ni, Sn, Ag, Au, Pd, Pt, or an alloy of these is provided between the metallic Nb layer 2 and the stabilizing layer 3.例文帳に追加

Ｎｂ_3 Ａｌ超電導芯線１の外周に金属Ｎｂ層２を有すると共に、その金属Ｎｂ層２の外周に安定化層３を有するＮｂ_3 Ａｌ超電導線において、上記金属Ｎｂ層２と安定化層３との間に、Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ単体あるいはこれらの合金よりなる中間膜４を備える。 - 特許庁

In this biosensor for detecting the interaction between substances based on surface plasmon resonance, the substrate has a metal thin film including ≥90 mol% and less than 99.95 mol% of Ag as a first metal element, and ≥0.05 mol% and less than 10 mol% of at least one of Au, Pt, Cu, Bi, Nd, Ti or Sb as a second metal element.例文帳に追加

表面プラズモン共鳴に基づいて物質間の相互作用を検出するバイオセンサーにおいて、前記基板が、第一の金属元素としてのＡｇを９０モル％以上９９．９５モル％未満と、第二の金属元素としてのＡｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｓｂから選ばれる少なくとも１種を０．０５モル％以上１０モル％未満と、を含む金属薄膜を備えたバイオセンサー。 - 特許庁

The external connection terminal FB is formed such that part thereof is electrically connected to a pad part 12P exposed from the outermost insulating layer 14 on an electronic component mounting surface side of a wiring board body, and an air gap AG is held between the insulating layer 14 and itself in a part for connecting the electrode terminal 21 of the electronic component 20 thereto.例文帳に追加

この外部接続端子ＦＢは、その一部分が、配線基板本体の電子部品実装面側の最外層の絶縁層１４から露出するパッド部１２Ｐに電気的に接続され、電子部品２０の電極端子２１が接続される部分において当該絶縁層１４との間に空隙ＡＧを保つように形成されている。 - 特許庁

The synthesis gas production catalyst is used to produce a synthesis gas containing carbon monoxide and hydrogen as main components from a material gas containing 1-5C hydrocarbons and oxygen, and is characterized in that at least one second metal selected from the group of rhodium (Rh), cobalt (Co), zinc (Zn), molybdenum (Mo), and silver (Ag) is carried by a carrier containing magnesia.例文帳に追加

炭素数１〜５の炭化水素と酸素を含む原料ガスから、一酸化炭素と水素を主成分とする合成ガスを製造する際に使用される合成ガス製造用触媒であって、マグネシアを含む担体上に、ロジウム（Ｒｈ）と、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、モリブデン（Ｍｏ）および銀（Ａｇ）からなる群より選択される少なくとも１種の第２金属とを担持したことを特徴とする触媒。 - 特許庁

In the storage element 10, a memory layer 4 and an ion source layer 3 are sandwiched between a first electrode 2 and a second electrode 6 wherein the ion source layer 3 contains an element selected from Cu, Ag and Zn, an element selected from Te, S and Se, and boron (or rare earth element and silicon).例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に、記憶層４及びイオン源層３が挟まれて構成され、イオン源層３に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素と、Ｔｅ，Ｓ，Ｓｅから選ばれるいずれかの元素とが含まれ、さらに、ホウ素（又は、希土類元素及びシリコン）が含有されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

By using ZnS:Ag, Cl phosphors which have a very large phosphor quantity to particle beam and can be easily detected, as it is, a newly found phenomenon that the phosphor lifetime in a wavelength region with short wavelength being short is used to improve the counting characteristics, whereby high-counting rate measurements of particle beam are realized.例文帳に追加

ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ蛍光体が、粒子線に対する蛍光量が非常に大きく検出が容易に行うことが可能であることをそのまま利用し、新しく見つけ出した波長が短い波長領域の蛍光寿命が短い現象を利用して計数特性を改善し、粒子線の高計数率測定を実現する。 - 特許庁

The conductive covering material comprises a lower layer region 2 made of one element selected from the group IV-X elements of the periodic table or an alloy predominantly composed of the element, an intermediate layer region 3 made of a Cu-Sn intermetallic compound, and an upper layer region 4 made of an Sn alloy containing an Ag-Sn intermetallic compound that are formed in this order on the surface of a base 1.例文帳に追加

基材１の表面に、周期律表４〜１０族に属する元素のいずれか１種またはその元素を主成分とする合金から成る下層領域２と、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物から成る中間層領域３と、Ａｇ−Ｓｎ金属間化合物を含有するＳｎ合金から成る上層領域４とがこの順序で形成されている導電性被覆材料。 - 特許庁

In the substrate 10 for the power module where the circuit layer 12 composed of aluminum or an aluminum alloy is arranged on one surface of an insulating layer 11, a metal film 30 is formed on one surface of the circuit layer 12 by a cold spray method, and the metal film is composed of one kind of Ni, Cu, and Ag.例文帳に追加

絶縁層１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面に、コールドスプレー法によって形成された金属被膜３０が形成されており、金属被膜がＮｉ、Ｃｕ、Ａｇのいずれか一種からなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a reflector for vehicle lighting fixtures provided with a novel laminated reflection film, in which aggregation of an Ag film is suppressed and which has various properties required for reflectors for vehicle lighting fixtures, that is, excellent durability of light resistance, heat cycle resistance, moisture resistance, and sulfur resistance, as well as high reflectance.例文帳に追加

Ａｇ膜の凝集が抑えられ、車両灯具用反射板に要求される種々の諸特性、すなわち、高い反射率を有することは勿論のこと、耐光性、耐熱サイクル性、耐湿性、耐硫化性について優れた耐久性を兼ね備えた、新規な積層反射膜を備えた車両灯具用反射板を提供する。 - 特許庁

This ornament consists of a metallic material having a composition essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 5.0% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 5.0% in total.例文帳に追加

本発明に係る装飾品は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなるものである。 - 特許庁

Or, the silicon material is produced by forming amorphous silicon by ion beam sputtering at ≤450°C on a compd. clathrate crystal expressed by BaxRySi46-y (wherein x is 1 to 8, y is 1 to 6, and R is Ag or Au) and heating the amorphous silicon in vacuum or inert atmosphere at a temp. over 450°C and ≤1300°C to epitaxially grow.例文帳に追加

(3)Ｂａ_xＲ_yＳｉ_46-y（ここで、ｘ＝1〜8、ｙ＝1〜6、ＲはＡｇまたはＡｕ）の化合物クラスレート結晶の上に、450℃以下の温度にてイオンビームスパッタリング法でアモルファスシリコンを成膜した後、真空または不活性雰囲気中にて、450℃超1300℃以下の温度に加熱してエピタキシャル成長させる上記(2)のシリコン材料の製造方法。 - 特許庁

The golf club is provided with a structural member consisting of a metallic material essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 4.9% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 4.9% in total.例文帳に追加

本発明に係るゴルフクラブは、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上４．９ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上４．９ｗｔ％以下含有する金属材料からなる構成部材を具備するものである。 - 特許庁

This silver coin consists of a metallic material having a composition essentially consisting of Ag, containing 0.1 to 5.0% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 5.0% in total.例文帳に追加

本発明に係る銀コインは、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなるものである。 - 特許庁

Both outer parts 40a, 40a of the support member 40 in contact with the piezoelectric resonator 10 are made of a vibration propagation suppression material to suppress propagation of vibration from the piezoelectric resonator 10 to the substrate 32 via the support member 40 and the other part 40b is made of a urethane group conductive material that is an urethane group synthetic resin including Ag.例文帳に追加

保持部材４０は、圧電共振子１０に接する部分の両方の外側部分４０ａ、４０ａが、圧電共振子１０から保持部材４０を介して基板３２への振動の伝播を抑制するための振動伝播抑制材料で形成され、他の部分４０ｂが、ウレタン系合成樹脂にＡｇを含有したウレタン系導電材料で形成される。 - 特許庁

This musical instrument consists of a metallic material having a composition essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 5.0% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu Ta, Cr, Ti Co and Si by 0.1 to 5.0% in total.例文帳に追加

本発明に係る楽器は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなるものである。 - 特許庁

This ornament consists of a metallic material having a composition essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 5.0% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 5.0% in total.例文帳に追加

本発明に係る宝飾品は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなるものである。 - 特許庁

In the treatment method for colored wastewater, one or more kinds of bacteria selected from Citrobacter amalonaticus, Morganella morganii, and Enterococcus casseliflavas are added to colored wastewater to discolor colored wastewater under conditions of pH 7.0-9.5, a temperature of 20-45°C and a redox potential (Ag/AgCl electrode standard) of -30--550 mV.例文帳に追加

着色廃水に、シトロバクター・アマロナティカス、モルガネラ・モルガニ及びエンテロコツカス・カセリフラバスから選択される一種以上の細菌を添加し、ｐＨ７．０〜９．５、温度２０〜４５℃、酸化還元電位（Ａｇ／ＡｇＣｌ電極基準）−３０〜−５５０ｍＶの条件で脱色することを特徴とする着色廃水の処理方法を開示する。 - 特許庁

The metallic optical element 1 has a maximum shape error PV of the optical surface 2 of ≤5μm, has a surface roughness Ra of ≤20 nm, contains either one of Al, Cu, Ni, Ag, Zn, Sn, Fe and Ti by 97 mol% or more and has impurities and inevitable impurities besides the same in which the maximum particle size of the impurities is adjusted to 500μm or less.例文帳に追加

本発明による金属製光学素子１は、光学面２の最大形状誤差ＰＶが５μm以下、表面あらさＲaが２０nm以下であって、アルミニウム，銅，ニッケル，銀，亜鉛，錫，鉄，チタンの何れか１つを９７モル％以上含み、それ以外の不純物および不可避不純物の最大粒径が５００μm以下に調整されている。 - 特許庁

The lead frame 30 is provided with a surface equipped with an Ag-plated element mounting region 32 where the semiconductor element 60 can be mounted and a wire connecting region 35 to which the bonding wires 70 are connected, and the element mounting region 32 and the wire connecting region 35 are both provided to the lead terminal 34a where the semiconductor element 60 can be mounted in the lead frame 30.例文帳に追加

半導体素子６０が搭載可能な領域であってＡｇメッキが施された素子搭載領域３２と、ボンディングワイヤ７０が接続されるワイヤ接続領域３５とを表面に有するリードフレーム３０において、このリードフレーム３０のうち半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａには、素子搭載領域３２とワイヤ接続領域３５との両方が設けられている。 - 特許庁

1,1,2,2,3,3,4-Heptafluorocyclopentane is produced by the hydrogenation of 1-chloroheptafluorocyclopentene in the presence of a hydrogenation catalyst where a group VIII metal is mixed with at least one kind selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Te, Zn, Cr, Mo, Tl, Sn, Bi and Pb.例文帳に追加

１−クロロヘプタフルオロシクロペンテンを周期律表第ＶＩＩＩ族金属に銀、銅、金、テルル、亜鉛、クロム、モリブデン、タリウム、錫、ビスマス、鉛から成る群から選ばれる少なくとも１種の金属を添加してなる水素化触媒の存在下に水素化して１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを製造する。 - 特許庁