「Ag in a」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To stabilize a characteristic of a driving TFT by preventing the diffusion of an Ag material due to heat generated in a manufacturing process or light emission, in an optical resonance type organic EL element.例文帳に追加

光共振型有機ＥＬ素子において、製造プロセス中や発光中に生じる熱によるＡｇ材料の拡散を極力防止して、駆動用ＴＦＴの特性の安定化を図る。 - 特許庁

A wiring structure in the semiconductor device is made a laminate structure wherein an insulating layer, the wiring layer which contains at least either Au or Ag as an alloying element and is composed of Al, and an insulating layer are laminated in order from a lower layer.例文帳に追加

半導体装置における配線構造を、下層から順に、絶縁層、添加元素として少なくともＡｕまたはＡｇのいずれか一方を含有するＡｌからなる配線層、絶縁層が、順次積層されてなる積層構造とする。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic composition that is suitable for a laminated chip capacitor in which Cu or Ag is used as an inner conductor, it can be sintered at a temperature of ≤1,000°C and is suitable in the high frequency range.例文帳に追加

内部導体にＣｕやＡｇを使用した、１０００℃以下で焼結可能な高周波領域で好適な積層チップコンデンサに適した誘電体磁器組成物を提供すること。 - 特許庁

The magnetic layer contains Ag in CoCrPtB alloy, and a composition ratio of this magnetic layer is settled in a range of Co_(100-a-b-c-d)Cr_aPt_bB_cAg_d(21≤a+c≤30at%, 6≤b≤20at%, 1≤d≤9at%).例文帳に追加

磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ合金にＡｇを含有し、該磁性層の組成比が、Ｃｏ_（１００−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）Ｃｒ_ａＰｔ_ｂＢ_ｃＡｇ_ｄ（２１≦ａ＋ｃ≦３０ａｔ％、６≦ｂ≦２０ａｔ％、１≦ｄ≦９ａｔ％)の範囲にある。 - 特許庁

A Pd content in the colloidal solution is controlled into 10 to 500 mass ppm, an Ag content into 0.1 to 5 mass ppm, and a content of a protective colloidal agent into 0.02 to 1 mass% each with respect to an amount of Ni in the aqueous solution of the Ni salt.例文帳に追加

Ｎｉ塩水溶液として添加されるＮｉ量に対して、Ｐｄ量を１０〜５００質量ｐｐｍ、Ａｇ量を０．１〜５質量ｐｐｍ保護コロイド剤の添加量を０．０２〜１質量％とする。 - 特許庁

To provide a conductive paste which can form an excellent circuit pattern and does not cause a warp and a deformation in a board by controlling an Ag diffusion into a glass composition of a green sheet during calcination.例文帳に追加

焼成時におけるグリーンシートのガラス成分中へのＡｇ拡散を抑制することで、良好な回路パターンを形成し得ると共に基板に反りや変形をもたらさない導体ペーストを提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst that has enhanced heat resistance of a HC adsorbing catalyst and which is formed in such a manner that an Ag zeolite layer 11 and a Pd catalyst layer are layered on a carrier 10 and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｇゼオライト層１１と、Ｐｄ触媒層１２とが担体１０の上に層状に形成されたＨＣ吸着触媒の耐熱性を高める。 - 特許庁

In the longitudinal direction on a lengthy tabular ceramic substrate 11, a resistor paste such as Ag/Pd alloy is baked at a high temperature and a stripe-shaped exothermic resistor 12 that is made of a thick film having a prescribed resistance value is formed.例文帳に追加

長尺平板状のセラミック基板１１上の長手方向に、Ａｇ／Ｐｄ合金等の抵抗体ペーストを高温で焼成し、所定の抵抗値の厚膜からなる帯状の発熱抵抗体１２を形成する。 - 特許庁

In a laser beam cutting work of such an extremely thin metallic plate as a metal mask, a laser beam L is irradiated from a nozzle 6 of a machining head 3 provided with a condenser lens 4 and an assist gas AG is jetted from the nozzle 6.例文帳に追加

メタルマスクなど極薄金属板のレーザ切断加工では、集光レンズ４を備えた加工ヘッド３のノズル６からレーザ光Ｌを照射するとともにアシストガスＡＧを噴射している。 - 特許庁

By utilizing an Ag-NiO alloy not containing Cd harmful to environment for the movable electrode, the movable electrode with equal or more adhesion resistance, operability as a movable electrode, conductivity and heat conductivity or the like in comparison with the movable electrode consisting of an Ag-CdO alloy, can be obtained.例文帳に追加

可動電極に環境に有害なＣｄを含有しないＡｇ−ＮｉＯ合金を用いることで、環境に有害な物質を含有せず、また、Ａｇ−ＣｄＯ合金からなる可動電極と比較して、耐溶着性、可動電極としての動作性、導電性、熱伝導性等が同等あるいはそれ以上の可動電極を得ることができる。 - 特許庁

The-Ag base alloy film for electromagnetic shielding is formed of an Ag-base alloy containing 0.1 to 2.0 atomic%, in total, of one or more elements selected from the group consisting of Bi, Sc, Y and rare earth elements and has ≤20 nm film thickness and ≤40 nm average grain size at a surface.例文帳に追加

本発明の電磁波シールド用Ａｇ基合金膜は、Ｂｉ，Ｓｃ，Ｙ及び希土類元素よりなる元素群から選ばれる１種または２種以上の元素が合計量で０．１at％以上、２．０at％以下含有されたＡｇ基合金で形成され、膜厚が２０ｎｍ以下で、表面の平均結晶粒径が４０ｎｍ以下とされたものである。 - 特許庁

The Ag-based alloy wiring electrode film for a flat panel display comprises 0.01 to 1.5at% Bi (can comprise one or more kinds selected from the group composed of Cu, Au and Pd by 0.1 to 1.5at% in total), and the remainder substantially composed of Ag.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイ用の配線電極膜であって、Ｂｉを０．０１〜１．５ａｔ％含有し(Ｃｕ、Ａｕ及びＰｄよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１．５ａｔ％含んでいてもよい）、残部実質的にＡｇからなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜。 - 特許庁

To enhance thermal conductivity between a chip and an island via a die mounting material in a semiconductor device produced by bonding a semiconductor chip to an island through a die mounting material consisting of Ag paste.例文帳に追加

半導体チップを、Ａｇペーストよりなるダイマウント材を介してアイランドに接着してなる半導体装置において、ダイマウント材を介したチップ−アイランド間の熱伝導性の向上および当該間の剥離抑制を実現する。 - 特許庁

The resistor paste of an Ag/Pd alloy or the like is baked at a high temperature to form a strip heating resistor 12 formed of a thick film having a predetermined resistor value in the longitudinal direction on a long flat ceramic substrate 11.例文帳に追加

長尺平板状のセラミック基板１１上の長手方向に、Ａｇ／Ｐｄ合金等の抵抗体ペーストを高温で焼成し、所定の抵抗値を有する厚膜からなる帯状の発熱抵抗体１２を形成する。 - 特許庁

To provide a transmission rate control method which can transmit uplink user data at any TTI when a transmission power offset is indicated by a common AG in a system where mobile station performs a transmission using different TTI.例文帳に追加

移動局が異なるＴＴＩを用いて送信を行っているシステムにおいて、共通ＡＧによって送信電力オフセットが指定された場合に、どちらのＴＴＩにおいても、上りユーザデータを送信することができる。 - 特許庁

To provide a reflection enhanced mirror which is free from corrosion of Ag by an oxidation process necessary to deposit a dielectric film layer and which causes no decrease in the reflectance, and to provide a backlight device for a liquid crystal display equipped with a light guide plate having the above reflection enhanced mirror.例文帳に追加

誘電体膜を積層するのに必要な酸化プロセスによりＡｇが腐食せず反射率が低下することのない増反射ミラーを提供する。 - 特許庁

In the case that a SCO (Synchronous Connection-Oriented) link is established between an AG (Audio Gateway) 1 and an HS (Headset) 2 and voice communication is executed, a non-audio detection unit 13 detecting a non-audio area for a prescribed time informs a communication control unit 12 about it.例文帳に追加

ＡＧ１とＨＳ２との間でＳＣＯリンクが確立して、音声通信が実行されているときに、無音検出部１３は所定時間の無音領域を検出すると、通信制御部１２に通知する。 - 特許庁

A multiplier 2 multiplies input signals x by a gain coefficient Ag to control the gain, and an A/D converter 2 converts them to digital output signals z which are averaged by a square-averaging circuit 3 every symbol and stored in a memory 4 one after another.例文帳に追加

入力信号ｘは、乗算器２で利得係数Ａｇが乗算されて利得制御され、Ａ／Ｄ変換器２でデジタル出力信号ｚとなる。 - 特許庁

A prestage catalyst 16, a CO absorbent 18, and an Ag catalyst 20 are successively arranged in an exhaust gas passage 14 from the upstream side to the downstream side in the exhaust gas flowing direction.例文帳に追加

排気通路１４には、排気ガスの流れ方向の上流側から下流側に向けて前段触媒１６、ＣＯ吸着材１８及びＡｇ触媒２０を順次配置する。 - 特許庁

In a dry etching using a mixed gas of SF6/Cl2/O2, oxygen radicals produced in plasma oxidize the surface of an Ag-Pd-Cu film 17 to accelerate etching carried out by fluorine radicals and fluorine ions.例文帳に追加

ＳＦ_6 ／Ｃｌ_2 ／Ｏ_2 ガス系を使ったドライエッチングは、プラズマで生成された酸素ラジカルがＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ膜17の表面を酸化してフッ素ラジカル、フッ素イオンによるエッチングを加速する。 - 特許庁

To provide a method for pretreating a special copper alloy material in which smut generated by chemical polishing or an Ag coating stripped from Cu base can be removed surely in the solder plating process of semiconductor.例文帳に追加

半導体の半田メッキ工程において、化学研磨処理により発生したスマットやＣｕ素地から剥離したＡｇ被膜を確実に除去することの出来る特殊銅合金材の前処理方法を提供する。 - 特許庁

An Ni ultrathin film 12 of ≤10 nm in thickness and ≥1 atomic layer is formed by vacuum deposition method in contact with a semiconductor layer 11 forming a light emitting diode structure, and an Ag electrode 13 is formed thereupon.例文帳に追加

発光ダイオード構造を形成する半導体層１１に接して、厚さが１０ｎｍ以下で１原子層以上のＮｉ超薄膜１２を真空蒸着法などにより形成し、その上にＡｇ電極１３を形成する。 - 特許庁

Here, the internal electrode S+ of a sensor phase and the internal electrodes A+, AG+ arranged in phase to the sensor phase only are formed to be exposed to the outside of the piezoelectric layers, in each of the piezoelectric layers 12 to 14.例文帳に追加

ここで、各圧電層１２〜１４において、センサ相である内部電極Ｓ＋およびそれと同位相に配置されている内部電極Ａ＋、ＡＧ＋とのみが圧電層の外部に露出するように形成されている。 - 特許庁

To obtain a copper alloy excellent in strength, electrical conductivity and bending workability required as those of a copper alloy for electrical and electronic parts such as lead frames, terminals and connectors and further excellent in shearing workability, Ag plating suitability, solder wettability or the like.例文帳に追加

リードフレーム、端子、コネクタ等の電気・電子部品用銅合金として要求される強度、導電率、曲げ加工性に優れ、さらに剪断加工性、Ａｇめっき性、はんだ濡れ性等にも優れた銅合金を得る。 - 特許庁

In the homepage output device 2, the content equivalent to the tag name stored in the storage device 4 is inserted into the ''ag name' of a homepage template so that a homepage can be prepared.例文帳に追加

ホームページ出力装置２では、ホームページ出力部２２により、ホームページテンプレートの「＄タグ名＄」の部分に、記憶装置４に格納した、タグ名に相当した内容を挿入することにより、ホームページを作成する。 - 特許庁

The cations A having a bivalent or univalent oxidation number contained in the acetonated substance or chloride in the mixture layer 14 are Zn^2+, Mg^2+, Cd^2+, Ni^2+, Ca^2+, Li^+, Na^+, Ag^+ or K^+.例文帳に追加

混合物層１４内でアセト化物または塩化物に含まれた酸化数が２価または１価のカチオンＡはＺｎ^２＋、Ｍｇ^２＋、Ｃｄ^２＋、Ｎｉ^２＋、Ｃａ^２＋、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ａｇ^＋、またはＫ^^＋である。 - 特許庁

To provide a laminated electronic component with inductor element assembly high in density and sufficiently suppressed in degradation of the inductor element assembly regardless of use of Ag as a principal component of an internal electrode of an inductor element part.例文帳に追加

インダクタ素子部における内部電極の主成分をＡｇにしても、高密度であり且つインダクタ素体の劣化が十分に抑制されたインダクタ素体を備える積層型電子部品を提供すること。 - 特許庁

To obtain a new barrier layer in which the oxidation of an Ag layer is controlled without spoiling the visible light transmission of a low radiation film, and in addition existing sputtering production equipment can also easily carry out production by low cost, and the low radiation film containing the barrier layer.例文帳に追加

低放射膜の可視光透過性を損ねることなくＡｇ層の酸化を抑制し、なおかつ現行のスパッタ生産設備でも低コストで容易に生産が可能な、新たなバリア層と、該バリア層を含む低放射膜を得ること。 - 特許庁

The second coating film 4 has a first layer in contact with the base material 2 and composed of Ni, and a second layer in contact with the first layer and composed of Ag.例文帳に追加

第２の被膜４は、基材２に接触しかつＮｉで構成された第１の層と、当該第１の層に接触しかつＡｇで構成された第２の層とを有するものである。 - 特許庁

To obtain expected magnetic characteristics generating relatively little reaction product in grain boundary of a baked matter by forming an Ag 100% inner conductor, by sintering a composite type magnetic substance ceramic material at 960°C or lower in atmosphere and making relative permeability not less than 800.例文帳に追加

複合型磁性体磁器材料を９６０℃以下の温度で大気雰囲気で焼結してＡｇ１００％の内部導体を形成でき、かつ比透磁率を８００以上にする。 - 特許庁

Combined addition of Ga+In or Sn+In is applied to a Pd-Ag-Au-Cu-based alloy to lower the melting point of the alloy and regulate a thermal expansion coefficient to <14.9×10^-6K^-1.例文帳に追加

Ｐｄ−Ａｇ−Ａｕ−Ｃｕ系合金にＧａ＋ＩｎもしくはＳｎ＋Ｉｎの複合添加を行うことにより合金の融点を下げ、かつ熱膨張係数が１４．９×１０^−６Ｋ^−１未満とする。 - 特許庁

To obtain a product with high reliability wherein any lead is not included in materials, any tarnish does not occur even if Ag is used as a conductor and the conductor is calcinated in one united body, and any crack, curvature, or foaming does not occur.例文帳に追加

材料に鉛を含まず、導体にＡｇを用いて一体焼成しても変色せず、亀裂や反りあるいは発泡が生じることなく信頼性の高い製品を得る。 - 特許庁

The minute layer 15 is increased in minute density by setting a mean particle size of a conductive particle included in Ag-system conductive paste forming the layer 15 to be 1 μm or less, more preferably 0.5 μm or less.例文帳に追加

緻密層１５は、これを形成するＡｇ系導体ペーストに含まれる導体粒子の平均粒径を１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下とすることで、緻密度が高められている。 - 特許庁

To provide a contact material excellent in durability which is an In-free contact material and capable of being substituted for a conventional Ag-SnO_2-In_2O_3 contact material.例文帳に追加

従来から用いられているＡｇ−ＳｎＯ_２−Ｉｎ_２Ｏ_３接点材料に代替可能なＩｎフリーの接点材料であって、優れた耐久性を有する接点材料を提供する。 - 特許庁

Heating resistors 12, 13 mainly composed of Ag and Pd alloy are formed in parallel to the longitudinal direction of a ceramic substrate 11 in a long flat plate state.例文帳に追加

長尺平板状のセラミック基板１１の長手方向に平行してＡｇとＰｄ合金を主成分とする発熱抵抗体１２，１３を形成する。 - 特許庁

The side surfaces of the separator 8 in the upper and lower step parts are covered with an Ag-plated treating membrane, the side surface of the separator 8 in the middle step part is covered with a base material oxide membrane, a Ni-plated membrane, or an Al diffusion film.例文帳に追加

上下段部のセパレータ８の側面は、Ａｇメッキ処理膜で覆われ、中段部のセパレータ８の側面は、母材の酸化膜、またはＮｉメッキ膜、またはＡｌ拡散被膜で覆われている。 - 特許庁

2) The phase transition type optical information recording medium in which a phase transition recording material consists of Ag, In, Sb and Te and the coupling coordinate of these elements varies with an amorphous state after deposition and a crystalline state after initialization and information erasure.例文帳に追加

２）相変化記録材料は、Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅから成り、これらの元素の結合配位数が、成膜後の非晶状態と、初期化後及び情報消去後の結晶状態とで異なる相変化型光情報記録媒体。 - 特許庁

For example, when the content of Pb in the tin plating film (soldering) of the electrode part of a chip resistor is measured, an X-ray beam with a diameter of 10-100 μm is scanned, to detect the distribution of Sn, Ag and Si contained in the chip resistor.例文帳に追加

例えばチップ抵抗の電極部の錫めっき膜（はんだ）中のＰｂ含有量を測定する場合、直径が１０〜１００μｍのＸ線ビームを走査してチップ抵抗に含まれるＳｎ、Ａｇ及びＳｉの分布を検出する。 - 特許庁

In a stack circuit board, inner conductor patterns 2 and via hole conductors 3, which are formed of the any material of Au, Ag and Cu or the alloy of it, are arranged in a stack body 1 obtained by stacking plural glass ceramic layers 1a-1e.例文帳に追加

複数のガラスセラミック層1a〜1eが積層されて成る積層体1 の内部に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのいずれかの材料またはその合金からなる内部導体パターン2 及びビアホール導体3 を配置して成る積層回路基板である。 - 特許庁

In this invention, an Sn-Ag-Bi based solder which has a great potential for a Pb-free solder is used in the connection with an electrode on the surface of which an Sn-Bi based layer is deposited.例文帳に追加

本発明は、Ｐｂフリーはんだとして有力なＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだを、表面にＳｎ−Ｂｉ系層を施した電極と接続したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an X-ray tube, used to excite elements Ag, Cd, In, Sn, Sb, Te, and I for generating a characteristic line in a desirable energy range.例文帳に追加

本発明は、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＩであるの元素を励起するために使用される、望ましいエネルギー範囲での特徴ラインを発生させるＸ線管を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an oxide superconductor and a method of manufacturing the same to improve a superconducting property and obtain high Jc in the oxide superconductor with an orientational Ag base material used in it.例文帳に追加

配向Ａｇ基材を用いた酸化物超電導導体における超電導特性を改善し、高Ｊｃが得られる酸化物超電導導体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In an Sn-Ag-Cu based solder joint on a Cu electrode, a layer of a Cu_3Sn intermetallic compound is formed directly on the Cu electrode, and, a Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer is formed thereon.例文帳に追加

Ｃｕ電極上のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダ接合部では、Ｃｕ電極の直上にＣｕ_3Ｓｎ金属間化合物の層が形成され、さらにその上にＣｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層が形成される。 - 特許庁

The metal nanoparticle layer PM has a structure wherein metal domains of Au, Ag, Al, etc. are formed as fine nanoparticles at a proper interval in the direction crossing a laminating direction at a right angle.例文帳に追加

金属ナノ粒子層ＰＭは、積層方向と直行する方向に、ナノ微粒子としてＡｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属ドメインを、適当な間隔で形成した構造となっている。 - 特許庁

To provide a sampling method and a sampling facility for sampling efficiently a sample for analyzing a recycling raw material including CU, AU, AG, PT and PD, used in copper smelting.例文帳に追加

銅製錬にて使用する、ＣＵ、ＡＵ、ＡＧ、ＰＴ、ＰＤを含んでいるリサイクル原料の分析のためのサンプルを効率的にサンプリングするためのサンプリング方法及びサンプリング設備を提供する。 - 特許庁