「BL as」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This memory is provided with bit lines BL, word lines WL disposed so as to cross the bit lines BL and storage means connected between the bit lines BL and the word lines WL.例文帳に追加

このメモリは、ビット線ＢＬと、ビット線ＢＬと交差するように配置されたワード線ＷＬと、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとの間に接続された記憶手段とを備えている。 - 特許庁

To provide an optical klystron wherein its residual BL product is so reduced as to relax a burden applied to its corrective coil.例文帳に追加

残存するＢＬ積を減らして、補正コイルへの負担を緩和した光クライストロンを提供する。 - 特許庁

Thereby, the bit line BL bar is fixed to a VDD level keeping the T4 as it is.例文帳に追加

これによって、Ｔ４をオンのままにしてビット線ＢＬバーをＶＤＤレベルに固定する。 - 特許庁

At least one of a shroud Sh and a hub HU of the impeller 4 is formed so as to form a surface between blades BL which are disposed adjacently to each other as an inclining surface, and thereby, it is constituted in a step shape so as to contract a separation region of air.例文帳に追加

インペラ(4) のシュラウド(SH)とハブ(HU)の少なくとも一方を、隣り合うブレード(BL)の間が傾斜面になるように形成して、階段状に構成することにより、空気の剥離領域を小さくする。 - 特許庁

A switch means is provided between a bit line BL to which a memory cell is connected and a local bit line LBL to allow separation coupling, the BL is considered as VDL/2 precharge, and the LBL is considered as VDL precharge.例文帳に追加

メモリセルの接続されるビット線ＢＬとローカルビット線ＬＢＬの間にスイッチ手段を設け分離結合できるようにし、ＢＬをＶＤＬ／２プリチャージとし、ＬＢＬをＶＤＬプリチャージとする。 - 特許庁

When one of the potentials BL and BLN falls below the circuit threshold of a sense amplifier, reading data is established, and the established reading data is output as a sense amplifier output signal SAOUT.例文帳に追加

電位BL,BLNの一方がセンスアンプ148の回路閾値以下に低下すると読出データが確定し、確定した読出データがセンスアンプ出力信号SAOUTとして出力される。 - 特許庁

As higher voltage than conventional voltage can be applied between the dummy bit lines DBL0, DBL1 and adjacent bit lines BL,/BL, capability of detecting defect is improved.例文帳に追加

ダミービット線ＤＢＬ０，ＤＢＬ１とそれに隣接するビット線ＢＬ，／ＢＬとの間に従来よりも大きな電圧を印加することができるので、不良検出能力が高くなる。 - 特許庁

In the bit line pair BLP, the bit lines BL and /BL are formed using different metallic wiring layers so as to hold a magnetic tunnel junction part MTJ in a vertical direction.例文帳に追加

ビット線対ＢＬＰは、ビット線ＢＬおよび／ＢＬは、異なる金属配線層を用いて、磁気トンネル接合部ＭＴＪを上下方向に挟むように形成される。 - 特許庁

In this sense amplifier 10, as it is enough that only one of the load transistor 4 is provided on the bit line BL, parasitic capacity and parasitic resistance of the bit line BL is reduced compared to conventional one and high speed read operation can be realized.例文帳に追加

このセンスアンプ１０では、ビット線ＢＬに負荷トランジスタ４を一個設けるだけで良いため、従来のものに比べ、ビット線ＢＬの寄生容量，寄生抵抗を低減し、高速な読み出し動作を実現できる。 - 特許庁

When the load of the car is kept in balance with the weight of a counterweight (not shown) (in a BL state), the dual axis acceleration sensor 15 is disposed at the apex on the rotating surface of the pulley 14 as a BL position.例文帳に追加

２軸加速度センサ１５は、かご荷重が釣合おもり（図示せず）の重量と釣り合う負荷（ＢＬ状態）であるときに、プーリ１４の回転面の垂直中心線上の最頂点に、ＢＬ位置として配置されている。 - 特許庁

In data writing, data write currents ±Iw to be supplied to a bit line pair BLP are supplied as reciprocating currents flowing in different directions in bit lines BL and /BL, respectively in a selected memory cell column.例文帳に追加

データ書込時において、ビット線対ＢＬＰに供給されるデータ書込電流±Ｉｗは、選択されたメモリセル列において、ビット線ＢＬおよび／ＢＬをそれぞれ異なる方向に流れる往復電流として供給される。 - 特許庁

The building information display DI includes, for example, a building BL name, and is displayed in a domain of the windshield WS close to the building BL as a view from the driver DR.例文帳に追加

建物情報表示ＤＩは、例えば建物ＢＬの名称を含み、運転者ＤＲから見て建物ＢＬの近傍となるウインドシールドＷＳの領域に表示される。 - 特許庁

Web strand (Bl and Br) are opened as wide as a given amount (X) parallel by coiling onto diverting means (5l, 6l, 5r and 6r).例文帳に追加

ウェブストランド（Ｂｌ，Ｂｒ）は、逸らせ手段（５ｌ，６ｌ，５ｒ，６ｒ）に巻き付くことによって所定の拡開量（Ｘ）だけ互いに平行に拡開させる。 - 特許庁

A force factor correcting means 10a corrects the level of an input signal as if a force factor Bl can be turned to be a target value A.例文帳に追加

力係数補正手段１０ａは、あたかも力係数Ｂｌが目標値Ａとなるように入力信号のレベルを補正する。 - 特許庁

A selector 21 connects a bit line BL selected as a source to a writing stop discriminating circuit 22 at the time of writing of data.例文帳に追加

データ書き込み時に、セレクタ２１は、ソースとして選択したビット線ＢＬを書込停止判定回路２２に接続する。 - 特許庁

Furthermore, a dummy bit line DBL is also provided which is connected to almost the same constituent elements as those connected to a normal bit line BL.例文帳に追加

さらに、ノーマルビットラインＢＬに連結される構成要素とほとんど同じ構成要素に連結されるダミービットラインＤＢＬを設ける。 - 特許庁

A blind means BL such as an openable/closable screen, which can conceal a service person's figure inside a customer-care counter 1 of the financial shop such as a bank from the front side of the counter 1, is provided on the front side of the customer counter 1.例文帳に追加

銀行等の金融店舗における接客カウンター１の手前に、前記カウンター１の内側に居る業務員の姿をそのカウンター１の手前側からは見えないように隠すことができる開閉自在のスクリーン等による目隠し手段BLを設けたこと。 - 特許庁

As a result, even when the heat treatment for crystallizing a capacitive insulating tantalum oxide film constituting the capacitor C is performed, film stress applied to the bit line BL is reduced and the disconnection and peel-off of the bit line BL are prevented.例文帳に追加

その結果、キャパシタＣを構成する容量絶縁膜である酸化タンタル膜の結晶化のための熱処理が行われても、ビット線ＢＬにかかる膜応力を低減することができ、ビット線ＢＬの断線や剥離を防止することができる。 - 特許庁

Reference voltages VREFC of voltage levels lower than an operating power source voltage of a decoder are supplied as selection signals to write column selection gates (CGA<0> to CGA<n>, CGB<0> to CGB<n>) prepared in association with bit lines (BL<0> to BL<n>).例文帳に追加

ビット線（ＢＬ＜０＞−ＢＬ＜ｎ＞）に対応して設けられる書込列選択ゲート（ＣＧＡ＜０＞−ＣＧＡ＜ｎ＞、ＣＧＢ＜０＞−ＣＧＢ＜ｎ＞）に対し、選択信号として、デコーダの動作電源電圧よりも低い電圧レベルの基準電圧ＶＲＥＦＣを供給する。 - 特許庁

A TiN film 25, whose adhesion to silicon oxide is stronger than W, is formed at the boundary of the bit line BL and the sidewall spacer 24 and functions as an adhesive layer preventing the boundary peeling of the bit line BL and the sidewall spacer 24.例文帳に追加

ビット線ＢＬとサイドウォールスペーサ２４との界面には、酸化シリコンに対する接着力がＷよりも大きいＴｉＮ膜２５が形成され、ビット線ＢＬとサイドウォールスペーサ２４との界面剥離を防止する接着層として機能している。 - 特許庁

In LB layers having set wiring directions orthogonal to wiring directions of LC layers wherein bridge wiring BL is created, wiring grids wherein no wiring is created are extracted as space areas 42 to create in the space areas 42 the bridge wirings BL extended along the wiring directions of the LC layers.例文帳に追加

ブリッジ配線を作成するＬＣ層の配線方向と直交する配線方向が設定されたＬＢ層において配線が作成されていない配線グリッドを空き領域４２として抽出し、空き領域４２間にＬＣ層の配線方向に沿って延びるブリッジ配線ＢＬを作成した。 - 特許庁

Furthermore, the liquid crystal display device is equipped with an LED backlight BL to illuminate the display panel DP and a light source drive portion LD for driving the LED backlight BL so as to compensate for the temperature-dependent luminance fluctuations of the display panel DP.例文帳に追加

さらに、この液晶表示装置は表示パネルＤＰを照明するＬＥＤバックライトＢＬと、温度に依存した表示パネルＤＰの輝度変動を補償するようにＬＥＤバックライトＢＬを駆動する光源駆動部ＬＤとを備える。 - 特許庁

When the output value L_LS of the light sensing portion LS is lower than a low illumination judging threshold value A1 and it is judged that the optical sensor is irradiated with the external light with low illumination, the output value L_LS of the light sensing portion LS is corrected so as to reduce in accordance with the luminance L_BL of the backlight 35.例文帳に追加

光検知部ＬＳの出力値Ｌ_LSが低照度判定閾値Ａ１より低く、光センサに低照度の外光が照射していると判定したときに、バックライト３５の輝度Ｌ_BLに応じて、光検知部ＬＳの出力値Ｌ_LSを減少補正する。 - 特許庁

An interconnection (e.g. M2a) connected to a first bit line BL (e.g. BL2a) is formed as a second-layer interconnection M2 on a second layer different from a layer on which the bit line BL is formed, and they are connection in a connection region 2 between a memory-cell formation region 2 and a sense amplifier region.例文帳に追加

第１のビット線ＢＬ（例えば、ＢＬ２ａ）と接続される配線（例えばＭ２ａ）をビット線ＢＬが形成される層と異なる第２の層に第２層配線Ｍ２として形成し、メモリセル形成領域２とセンスアンプ領域との間の接続領域２において接続する。 - 特許庁

When data are written, such a cancel current (-ΔIW(BL)) as cancels the induced magnetic field of a data write current (IW(BL)) flows in bit lines (BL2 and BL4) adjacent to a selection bit line (BL3) in the direction opposite to the data write current to the selection bit line.例文帳に追加

データ書込時、選択ビット線（ＢＬ３）に対するデータ書込電流（ＩＷ（ＢＬ））と逆方向に，このデータ書込電流の誘起磁界をキャンセルするようなキャンセル電流（−ΔＩＷ（ＢＬ））を選択ビット線と隣接するビット線（ＢＬ２，ＢＬ４）に流す。 - 特許庁

The transmissivity controller 33, when there is no agreement of the input, outputs the value of the blend level BL, as it is, as a transmissivity control signal TP, and when there is agreement of the inputs, outputs the value of the blend level BL inputted from the OSD display controller 1 less a prescribed value, as the transmissivity control signal TP.例文帳に追加

透過率制御部３３は、入力が不一致であった場合、ブレンドレベルＢＬの値を、そのまま透過率制御信号ＴＰとして出力し、入力が一致であった場合には、ＯＳＤ表示制御部１から入力するブレンドレベルＢＬの値から所定値を減じた値を透過率制御信号ＴＰとして出力する。 - 特許庁

The moisture content BL of a front liner L3 is also made equal to the moisture content DL of the back liner L1 on the downstream and the front liner L3 is pasted, in the double facer 7, on the corrugated fiberboard W1 made free of the inherent residual stress as mentioned in the above, with the same moisture content (BL=DL) as the back liner L3.例文帳に追加

又、表ライナーＬ３の含水率ＢＬを下流の裏ライナーＬ１の含水率ＤＬと同一にし、ダブルフェーサ７において、上記の様に残留応力を内在しない片面段ボールＷ１に対し、その裏ライナーＬ１と同一の含水率（ＢＬ＝ＤＬ）で以て表ライナーＬ３を片面段ボールＷ１に貼り合わせる。 - 特許庁

An SiGe layer is formed by selective epitaxial growth for use as a base layer BL, and then an Si layer is formed by non-selective epitaxial growth for use as the cap Si layer BCL.例文帳に追加

このうち、ベース層ＢＬとしてＳｉＧｅ層を選択性エピタキシャル成長によって形成した後、キャップＳｉ層ＢＣＬとしてＳｉ層を非選択性エピタキシャル成長によって形成する。 - 特許庁

An image data conversion circuit 120 controls the light emission quantity of backlight (BL) as white light (127), and converts input image data so as to uniformize the level to display data to the liquid crystal display part (126).例文帳に追加

また、画像データ変換回路１２０は、バックライト（ＢＬ）を白色としてその発光量を制御（１２７）し、液晶表示部への表示データのレベルを揃えるように入力画像データを変換（１２６）する。 - 特許庁

A memory cell of an AND type flash memory is composed of a selector gate, a floating gate, a control gate functioning as a word line WL and an n-type semiconductor region (source/drain) functioning as a local bit line BL.例文帳に追加

ＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセルは、選択ゲート、浮遊ゲート、ワード線ＷＬとして機能する制御ゲート、ローカルビット線ＢＬとして機能するｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）で構成されている。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array MA including memory cells MC arranged at respective crossing parts between a bit line BL and a word line WL, and a dummy word line DummyWL which is formed at wiring layer same as the word line WL and formed to cross the bit line BL in an upper part of a bit line driver 25.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとの各交差部に配置されたメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイＭＡと、ワード線ＷＬと同一の配線層に形成され、ビット線ドライバ２５の上部の領域でビット線ＢＬと交差するように形成されたダミーワード線ＤｕｍｍｙＷＬとを備える。 - 特許庁

The column control circuit 13 comprises a current supply circuit 131 for supplying a constant current Ib to the bit line BL in the forming operation, and a compensation circuit 132 for supplying the compensation current Ia of the same current value as the leak current Ileak to the bit line BL on the basis of the leak current Ileak detected by the detection circuit 121 in the forming operation.例文帳に追加

カラム制御回路１３は、フォーミング動作時に、ビット線ＢＬに定電流Ｉｂを供給する電流供給回路１３１と、フォーミング動作時に、検知回路１２１にて検知されたリーク電流Ｉｌｅａｋに基づき、リーク電流Ｉｌｅａｋと同じ電流値の補償電流Ｉａをビット線ＢＬに供給する補償回路１３２とを備える。 - 特許庁

A concave pit 2a has the length longer than the basic length BL which is determined according to the data to be recorded, the length of space 2b between the concave pits adjacent each other in the direction of tracks has length shorter than the basic length BL, and the reflective layer 3 is made of materials which consist of aluminum (Al) as a principal component and an additive added to this.例文帳に追加

凹状ピット２ａが、記録すべきデータに応じて決定される基本長ＢＬよりも長い長さを有し、トラック方向に隣り合う凹状ピット間のスペース２ｂの長さが、基本長ＢＬよりも短い長さを有し、かつ、反射層３がアルミニウム（Ａｌ）を主成分としこれに添加物が加えられた材料からなる。 - 特許庁

Furthermore, a row decoder enable signal RDENT and the sense amplifier enable signal and the bit line precharge signal SAET are held at low level, generated by a 4th delay circuit 110, after a rising edge of the clock signal CLK so as to obtain the timing of precharging the couple of bit lines BL and /BL.例文帳に追加

また、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジから、第４の遅延回路１１０により生成された遅延時間後に、ローデコーダイネ−ブル信号ＲＤＥＮＴ及びセンスアンプイネーブル信号兼ビット線プリチャージ信号ＳＡＥＴをローレベルにすることにより、ビット線対ＢＬ，／ＢＬをプリチャージするタイミングを得る。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with: memory cell arrays MA including a plurality of mutually parallel word lines WL; a plurality of mutually parallel bit lines BL formed so as to cross the word lines WL; and memory cells MC which are arranged at intersections with the word lines WL and the bit lines BL and each of which has a variable register VR and a diode Di connected thereto serially.例文帳に追加

半導体記憶装置は、互いに平行な複数のワード線ＷＬと、ワード線ＷＬと交差するように形成された互いに平行な複数のビット線ＢＬと、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの各交差部に配置され、可変抵抗素子ＶＲとダイオードＤｉとが直列接続されたメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイＭＡとを備える。 - 特許庁

As four moving locus selection switches BL, BR, LL, LR are arranged in response to the position relation of the start position and final position of the automatic parking, a driver can operate the desired moving locus selection switches BL, BR, LL, LR quickly without any error by his intuition without reading a small letter and picture.例文帳に追加

自動駐車の開始位置および終了位置の位置関係に応じて４個の移動軌跡選択スイッチＢ_L ，Ｂ_R ，Ｌ_L ，Ｌ_R を配置したので、ドライバーは小さい文字や絵を読み取ることなく、直感によって所望の移動軌跡選択スイッチＢ_L ，Ｂ_R ，Ｌ_L ，Ｌ_R を速やかに且つ誤り無く操作することが可能となる。 - 特許庁

When an inflection point is calculated by the forward search or rearward search from a peak top, a line parallel to a base line BL is drawn at a height 1/e^1/2 times (e : the bottom of natural logarithms) the height hp from the base line BL to the peak top, and two intersecting points of the line and a chromatogram are set as inflection points C1 and C2.例文帳に追加

ピークトップからの前方サーチ・後方サーチにより変曲点が求まらなかった場合、ベースラインＢＬからピークトップまでの高さｈｐの１／ｅ^１／２倍（ｅは自然対数の底）の高さにベースラインＢＬと平行な線を引き、その線とクロマトグラムとの２つの交点を仮想的な変曲点Ｃ１、Ｃ２として定める。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a plurality of unit cell arrays MAT00-11 having memory cells MC including bit lines BL and word lines WL and variable resistance elements VR which are arranged at respective cross parts of the bit lines BL and word lines WL, which are electrically re-writable, and of which the resistance values are stored as data in a nonvolatile state.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬ、並びにビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの各交差部に配置された電気的に書き換え可能で抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子ＶＲを含むメモリセルＭＣを有する複数の単位セルアレイＭＡＴ００〜１１を備える。 - 特許庁

BL information is bit-depth upsampled using separate look-up tables (LUT) for inverse tone mapping on a plurality of hierarchy levels, such as picture level, slice level or MB level.例文帳に追加

本発明によると、ＢＬ情報はピクチャレベル、スライスレベル、ＭＢレベルなどの複数の階層的レベルでのインバーストーンマッピングのための個別のルックアップテーブル（ＬＵＴ）を用いてビット深度アップサンプリングされる。 - 特許庁

The direction of the directional antenna 1 is changed at the side of the radio apparatus A so as to maximize the reception strength level BL at the side of the radio apparatus B, thereby easily enabling an alignment adjustment on the directional antenna 1.例文帳に追加

無線機Ａ側で指向性アンテナ１の向きを変え、無線機Ｂ側での受信強度レベルＢＬが最大になるようにすることにより、簡単に指向性アンテナ１のアラインメント調整ができる。 - 特許庁

In the luminaire 10, a reflecting mirror 12 reflects light from a light source 11 by control as light having an angle which is not more than a desired irradiation angle θ1 with respect to an optical axis BL.例文帳に追加

照明器具１０は、反射鏡１２が光源１１からの光を、光軸ＢＬに対して所望の照射角度θ１以内の角度を有する光に制御して反射する。 - 特許庁

The memory 27 and the CPU 33 are connected to other equipment such as a television receiver and a contents recording and reproducing apparatus through external interface 25, 37 and the bus line BL.例文帳に追加

また、その他の機器、例えばテレビ受像機やコンテンツ記録再生装置とは、外部インターフェイス２５、３７とバスラインＢＬを介してメモリ２７、ＣＰＵ３３と接続されている。 - 特許庁

A third ferroelectric capacitor RC0 reads out a reference voltage to the second bit line/BL connected selectively, by applying the voltage of the same sign as the first voltage in the direction of increasing the coordinate on the first direction axis.例文帳に追加

第３強誘電体キャパシタＲＣ０は、第１方向軸の座標の増加方向において第１電圧と同じ符号の電圧が印加されることにより、選択的に接続される第２ビット線／ＢＬに参照電位を読み出す。 - 特許庁

The thickness of the silicon oxide film 21 is set smaller than half the width of the wiring groove 23, and a metal film that serves as material of the bit line BL is buried in a very fine gap located inside the groove 23.例文帳に追加

酸化シリコン膜２１は、配線溝２３の幅の２分の１よりも薄い膜厚となるように堆積し、その内側の微細な隙間にビット線ＢＬの材料となるメタル膜が埋め込まれるようにする。 - 特許庁

A BL portion 114 orders the access of database 118 to a DA portion 116 on the basis of demand from the flow control portion 112, implements computing relating to insurance service such as estimation of insurance cost, and returns its result to the FC portion 112.例文帳に追加

ＢＬ部１１４は、フロー制御部１１２からの要求に基づいてＤＡ部１１６へデータベース１１８のアクセスを命じたり、保険料の試算等の保険業務に関する計算処理を行い、その結果をＦＣ部１１２に返す。 - 特許庁