「Crystal Flow」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid crystal display device comprises lower and upper substrates, a UV curing sealant formed to have a part for controlling a liquid crystal flow in at least two corner regions between the both substrates and a liquid crystal layer formed in the inside region of the UV curing sealant between the both substrates.例文帳に追加

本発明の液晶表示素子は、下部基板及び上部基板と、前記両基板の間で、少なくとも２つのエッジ領域に液晶流れ調節部を有するように形成されたＵＶ硬化型シール剤と、前記両基板の間のＵＶ硬化型シール剤の内側の領域に形成された液晶層とを含んで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

The filler is dispersed uniformly in a liquid crystal polyester, by using a specified resin composition containing liquid crystal polyester powder having 315-325°C of flow initiation temperature and the filler, wherein a ratio of the filler to total of the liquid crystal polyester powder and the filler is 20 vol.% or more, and the plate-like molding 1 having the uniform mechanical strength is obtained by this manner.例文帳に追加

流動開始温度が３１５〜３２５℃である液晶ポリエステル粉末と充填剤とを含み、液晶ポリエステル粉末と充填剤との合計に対する充填剤の割合が２０容量％以上である特定の樹脂組成物を用いることにより、充填剤を液晶ポリエステル中に均一に分散することができ、これにより均一な機械強度を有する板状成形体１を得る。 - 特許庁

The ferrite single crystal glowing method comprises that the crystal is made to glow up under the conditions during and before and after bringing up the crystal, the gas is led in through inlet port G1 to outlet port G2 of same area S1 and flow speed of the gas is kept at 5-11×10-2 m/s in a core tube of a furnace at the normal temperature.例文帳に追加

フェライト単結晶を育成するフェライト単結晶の作製方法において、育成中、並びにその前後で導入するガスを、略等しい断面積Ｓ１の導入口Ｇ１及び排出口Ｇ２を通して流し、かつ、ガスの流速が常温の炉芯管内で５〜１１×１０^−２ｍ／ｓとなるような条件のもとでフェライト単結晶を成長させる。 - 特許庁

Data are displayed by using a liquid crystal display element, having a relation p/d>10 between a twist pitch p of a twisted nematic liquid crystal layer and a gap d being thickness of the twisted nematic liquid crystal layer, and adjusting the resetting voltage and the writing voltage of the displayed data as a driving condition so as to generate back flow effect.例文帳に追加

ツイストネマティック液晶層のねじれピッチｐとツイストネマティック液晶層の厚みとなる間隙ｄとの間に、ｐ／ｄ＞１０の関係を有する液晶表示素子を使用するとともに、駆動条件として、リセット電圧と表示データの書き込み電圧を調整して、バックフロー効果を生じさせて、データ表示を行なうようにされている。 - 特許庁

The gallium oxide single-crystal substrate containing at least the one element selected from Si, Ge, Sn, Al is nitrided at 850-1000°C, with an ammonia (NH_3) flow rate of 80-120 sccm, and for 50-100 minutes to form the gallium nitride crystal on the gallium oxide single-crystal substrate surface.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌから選択された少なくとも一種の元素を含有する酸化ガリウム単結晶基板を、温度８５０〜１０００℃、アンモニア（ＮＨ_3）流量８０〜１２０ｓｃｃｍ、時間５０分〜１００分の条件で窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 特許庁

When a nitride semiconductor layer is grown on the n-GaN off substrate 1 comprising the off surface, the crystal growth of the nitride semiconductor layer takes place mainly in step flow mode.例文帳に追加

このようなオフ面を有するｎ−ＧａＮオフ基板１上に窒化物系半導体層を成長させる場合、窒化物系半導体層の結晶成長が主としてステップフローモードで起こる。 - 特許庁

Reaction gas is supplied so as to flow uniformly from one end of the crystal growing surface of a sapphire substrate 50 to the other end, using a liner tube 12 having a flat shape just in front of the sapphire substrate 50.例文帳に追加

サファイア基板５０の直前で偏平形状を有するライナー管１２を用いて反応ガスがサファイア基板５０の結晶成長面の一端から他端へ均一に流れるように供給する。 - 特許庁

To enable mixed raw gases to flow almost in parallel with a surface of a substrate in a semiconductor fabricating apparatus equipped with a horizontal MOCVD crystal growth furnace.例文帳に追加

横型ＭＯＣＶＤ結晶成長炉を有する半導体の製造装置において、混合された原料ガスが基板の表面上にほぼ平行となるように供給できるようにする。 - 特許庁

In such a growing process, the flow rates of the gases containing respectively silicon and germanium are adjusted relatively, and the concentration of germanium contained in the mixed crystal is adjusted by adjusting the reaction temperature in the chamber.例文帳に追加

このような成長工程において、シリコンを含むガスとゲルマニウムを含むガスの流量を相対的に調整すると共に、チャンバ内の反応温度を調整することにより混晶中のゲルマニウム濃度を調整する。 - 特許庁

An air circulating flow 1180 circulating up and down is formed by a circulating fan 15B arranged between liquid crystal light valves 925R, 925G and 925B and the lower sealing plate 1150 at the inside space.例文帳に追加

この内部空間には、液晶ライトバルブ９２５Ｒ、Ｇ、Ｂと下封止板１１５０の間に配置した循環用ファン１５Ｂによって、上下に循環する空気循環流１１８０が形成される。 - 特許庁

To ensure a smooth current flow between a III-V compound semiconductor single crystal including GaAs and an ohmic electrode for external connection.例文帳に追加

ＧａＡｓを含む３−５族化合物半導体単結晶と外部接続用オーミック電極との間で電流を円滑に流すことができるようにすること。 - 特許庁

To provide a surface light source device and a liquid crystal display having this for suppressing a flow deviation phenomenon by restricting movement of plasma among adjacent discharge spaces.例文帳に追加

隣接する放電空間の間でプラズマの移動を制限して、電流偏流現象を抑制できる面光源装置及びこれを有する液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

The single crystal zinc selenide submicrometer tube is manufactured by heating a mixture of zinc selenide powder, tin oxide powder, tin dioxide powder and activated carbon powder for 3-5 h at 1,050-1,180°C in an inert gas flow.例文帳に追加

セレン化亜鉛粉末、一酸化スズ粉末、二酸化スズ粉末及び活性炭粉末の混合物を、不活性ガス気流中において、１０５０〜１１８０℃で、３〜５時間加熱し、単結晶セレン化亜鉛サブマイクロメートルチューブを製造する。 - 特許庁

At this time, the number of revolutions of the liquid crystal panel substrate is set at 500 to 1500 revolutions per minute and the flow rate of the spraying of the etching liquid at 5 to 10 liters per minute.例文帳に追加

このとき、液晶パネル基板の回転数を毎分５００〜１５００回転、エッチング液のスプレーの流量は毎分５〜１０リットルとした。 - 特許庁

A gas cylinder 220, a flow meter 210 and a gas supply pipe 200 supply nitrogen gas to a piping 180 so as to set the temperature of the seed crystal 5 to 1,000°C.例文帳に追加

ガスボンベ２２０、流量計２１０およびガス供給管２００は、種結晶５の温度が１０００℃に設定されるように窒素ガスを配管１８０へ供給する。 - 特許庁

In the process of the increase, the power of the laser light source of the 1st microscope 21A is gradually decreased to make electrons (current) based upon internal photoelectron effect flow, thus obtaining an abnormal point based upon an actual crystal defect, etc.例文帳に追加

この上げていく過程で、同時に、第１マイクロスコープ２１Ａのレーザ光源のパワーをゆっくり下げていき、内部光電子効果に基づく電子（電流）が流れるようにして、実際の結晶欠陥等に基づく異常点を得る。 - 特許庁

The porous polypropylene film comprises a polypropylene resin in which a through hole is formed, the β crystal formability is 60-90%, and the melt flow rate (230°C, 2.16 kg) is 10-20 g/10 min in the film.例文帳に追加

貫通孔が形成されてなり、β晶形成能が６０〜９０％であり、かつメルトフローレート（２３０℃、２．１６ｋｇ）が１０〜２０ｇ／１０分であるポリプロピレン樹脂からなる多孔性ポリプロピレンフィルムとする。 - 特許庁

Consequently, excessive carries generated by the top surface silicon layer 13 flow in the base silicon substrate 17 through the connection silicon crystal area 16.例文帳に追加

これにより、最表面シリコン層１３で形成された余剰キャリアは、接続シリコン結晶領域１６を通して下地シリコン基板１７に流れ込む。 - 特許庁

When a water turbine 5 is rotated by water flow 6, rotating force of the water turbine 5 is transmitted through a shaft 4 to a generator 2 which generates power being supplied to a liquid crystal television receiver 1.例文帳に追加

水車５が水流６により回転すると、水車５の回転力がシャフト４により発電機２に伝達され、発電機２は伝達された回転力で発電を行い、電力を液晶テレビ受像機１に供給する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor element wherein the direction of crystal growth and the direction of carrier flow are unified in both a semiconductor element of vertical arrangement and a semiconductor element of horizontal arrangement.例文帳に追加

縦配置の半導体素子と横配置の半導体素子とのいずれにおいても結晶成長の方向とキャリアの流れる方向とが統一される半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The membrane circuit board 10 is provided with an insulation film 1 formed of liquid crystal polyester soluble to a solvent with a flow start temperature of 250°C or more, and a membrane circuit 6 formed of a conductive material.例文帳に追加

溶剤可溶性であり、流動開始温度が２５０℃以上の液晶ポリエステルから形成される絶縁フィルム１と、導電性材料から形成されたメンブレン回路６と、を有するメンブレン回路基板１０である。 - 特許庁

The gaps between the light incident end face of cross dichroic prism 45 which faces the flow passage of cooling air and the respective liquid crystal panels 441R, 441G and 441B can be enlarged.例文帳に追加

冷却空気の流路に面するクロスダイクロイックプリズム４５の光入射端面と各液晶パネル４４１Ｒ、４４１Ｇ、４４１Ｂとの間の隙間を大きくすることができる。 - 特許庁

In the cover part, a cooling air flow part (623H) including at least a portion of a flank of the liquid crystal panel as at least a portion of a surface constituting its passage, is formed.例文帳に追加

カバー部には、液晶パネルの側面の少なくとも一部を、その通り路を構成する面の少なくとも一部として含む冷却風導通部（６２３Ｈ）が形成されている。 - 特許庁

In a typical ATE setting that already provides a water flow heat removing system, of which the supply side temperature is 26C°±5°C, its own loop is given to 400 MHz reverse mesa AT cut crystal simply in water supply.例文帳に追加

供給側が２６℃、±．５℃である水流熱除去システムをすでに提供する代表的ＡＴＥ設定において、４００ＭＨｚ逆メサ型ＡＴカット水晶には単純にその水供給においてそれ自身のループが与えられる。 - 特許庁

The flow of the cooling air which is about to spread by whirling can be straightened to suppress the partial cooling of the liquid crystal panel 131 and the outflow of the cooling air to others.例文帳に追加

従って、渦を巻いて広がろうとする冷却空気の流れを整えることができ、液晶パネル１４１の偏った冷却や冷却空気の他への流出を抑えることができる。 - 特許庁

Alignment of the liquid crystal crystalline molecules in the organic material 3 is controlled by the direction in which the liquid crystalline molecules in the organic material 3 interposed between the two transparent substrates 1a and 1b, flow when the substrates are bonded.例文帳に追加

有機材料３内の液晶分子の配向は、貼合せ時に２枚の透明基板１ａ、ｂに挟持された有機材料３内の液晶が流れる方向によって制御される。 - 特許庁

When the liquid crystals 4 expand at a high temp., the liquid crystals 4 flow from the inside of the display region V into the auxiliary liquid crystal region 17, thereby preventing the occurrence of cell gap unevenness.例文帳に追加

高温時に液晶４が膨張するとき、その液晶４が表示領域Ｖ内から補助液晶領域１７内へと流れ込み、セルギャップバラツキが生じることを防止する。 - 特許庁

When a semiconductor single crystal is pulled up, the flow velocity of a purge gas passing in the vicinity of the melt surface in the quartz crucible 3 is controlled to be 0.2-0.35 m/min by a purge gas introducing means.例文帳に追加

半導体単結晶が引き上げられるときに、パージガス導入手段により石英るつぼ３の融液表面近傍を通過するパージガスの流速を０．２〜０．３５ｍ／ｍｉｎに制御する。 - 特許庁

Due to the formation of the oxidation product 34, the leakage current 30 becomes difficult to flow along the crystal defect 32, and the leakage current 30 flowing between a compound semiconductor substrate 6 and a metal film 2 can be reduced.例文帳に追加

酸化物３４が形成されることによって、リーク電流３０が結晶欠陥３２に沿って流れにくくなり、化合物半導体基板６と金属膜２の間に流れるリーク電流３０を低下させることができる。 - 特許庁

The high frequency circuit board includes an insulating layer consisting of: a sheet (A) which is made of inorganic fiber and/or carbon fiber; and liquid crystal polyester (B) which is solvent-soluble and whose flow beginning temperature is ≥250°C.例文帳に追加

無機繊維及び／又は炭素繊維からなるシート（Ａ）と、溶剤可溶性であり、流動開始温度が２５０℃以上の液晶ポリエステル（Ｂ）とからなる絶縁層を備えることを特徴とする高周波回路基板の提供。 - 特許庁

A cylindrical duct 6A is housed in the optical component housing part 51B of a lower light guide 51 so as to make cooling air for cooling a liquid crystal panel 441 housed and fixed inside flow.例文帳に追加

筒状のダクト６Ａは、下ライトガイド５１の光学部品収納部５１Ｂ内に収容されており、内部に収容され、固定された液晶パネル４４１を冷却する冷却空気を流すものである。 - 特許庁

A holding frame 190 which holds a liquid crystal panel 141 is provided with a couple of projection piece parts 196 which guide a flow of cooling air to a first frame 191 constituting the frame 190.例文帳に追加

液晶パネル１４１を保持する保持枠１９０において、これを構成する第１フレーム１９１に冷却空気の流れを案内する一対の突片部１９６を設けた。 - 特許庁

More specifically, ≥0.1 wt.% peeling agent liquid is added from an additive addition unit (6) to the circulation tank by each of processing one sheet of the liquid crystal display substrates and the peeling liquid is allowed to flow over from the tank.例文帳に追加

具体的には、０．１重量％以上の剥離剤液を液晶ディスプレイ基板の１枚処理毎に添加剤添加ユニット(6)から循環式タンクに添加し、前記タンクから剥離剤をオーバーフローさせる。 - 特許庁

The projection type image display 100 includes: a cooling device 300 cooling air flowing in an air flow path 310; and a light source control section 220 controlling the light quantity of light with which the optical element (a liquid crystal panel 40 or the like) is irradiated.例文帳に追加

投写型映像表示装置１００は、空気流路３１０を流れる空気を冷却する冷却装置３００と、光学素子（液晶パネル４０など）に照射される光の光量を制御する光源制御部２２０とを備える。 - 特許庁

On a diamond heteroepitaxial film grown on the substrate of a different kind of single crystal, one or a plurality of convex parts are formed and diamond is grown in step-flow fashion from the convex parts as a starting point.例文帳に追加

異種単結晶基板の上に成長するダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に、１カ所もしくは複数箇所の凸部を形成し、形成した凸部を起点としてダイヤモンドをステップフロー成長させる。 - 特許庁

The air flow carries heat, and after all, sufficiently warm air spreads almost to nearby the opening parts away from the light source side, thereby impartially warming the liquid crystal 9 through the first substrate 1.例文帳に追加

しかもこの空気流が熱を持っているので結局、光源側から離れた開口部近辺まで十分暖かい空気が広がり、ムラ無く第１の基板７を介して液晶９が暖められる。 - 特許庁

The first insulating layer 3 has a function to control the flow rate of heat that is transferred to the thermal conductive layer 2, and a single-crystal semiconductor film 3 is formed on the first insulating layer 3 taking advantage of a temperature distribution difference on the substrate 1.例文帳に追加

第１の絶縁層３は熱伝導層２への熱の流出速度を制御する機能を有し、基板１上の温度分布の差を利用して第１の絶縁層３上に単結晶半導体膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single crystal silicon film transistor which sharply improves the rate of flow of a field effect carrier and solves a uniformity problem caused by differences between elements.例文帳に追加

電界効果キャリアの移動率を大幅に向上し、素子同士間の差異による均一性の問題を改善した単結晶シリコン薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁

At formation of the spin bubble film, the vacuumized pressure of vacuum level attained in the control flow and film forming condition of the sputtering gas are set, so that the crystal grain size of the formed spin bubble film become 50 nm or smaller.例文帳に追加

すなわち、成膜時の結晶粒径を５０ｎｍ以下となるように成膜工程を制御することにより、素子歩留まりのよいスピンバルブ膜を得ることができる。 - 特許庁

To provide a film forming method of a liquid crystal substance by which loss of a coating liquid is less, flow orientation is eliminated, a uniform alignment state is formed in a coating surface and unevenness in optical characteristics is not generated.例文帳に追加

塗布液の損失が少なく、流動配向がなく、塗布面内に均一な配向状態を形成する光学特性にムラを生じない液晶性物質の成膜方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, a step flow growth is smoothly developed on the crystal growth surface with a width L located between the stripes thanks to setting of an appropriate off angle θ(:θ^2=θ_1^2+θ_2^2), thereby permitting a high-quality and flat growth layer 2.例文帳に追加

一方、各ストライプの間に位置する幅Ｌの結晶成長面では、良好なオフ角θ（：θ^2 ＝θ_1 ^2 ＋θ_2 ^2 ）の設定によりステップフロー成長が順調進むため、良質かつ平坦な成長層２が得られる。 - 特許庁

To provide a droplet discharge method by which the effect of air flow is suppressed and the stable discharge quantity of a liquid body is secured, a droplet discharge apparatus and a method of manufacturing a liquid crystal panel.例文帳に追加

気流の影響を抑制しつつ、液状体のより安定した吐出量を確保することができる液滴吐出方法、液滴吐出装置及び液晶パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to change the growing direction of the crystal in two steps, change of temperatures in the sublimation method or change of gas-flow directions in the HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method can be utilized.例文帳に追加

結晶の成長方向を２段階に変更するために、昇華法における温度変更またはＨＶＰＥ法におけるガス流方向の変更が利用され得る。 - 特許庁

In a stage for forming the alignment layer on the substrate 1 to be used for a liquid crystal display element, a coating film to be the alignment layer is formed on one surface of the substrate 1 and gas flow is formed on the film forming surface side of the coating film by nozzles 4.例文帳に追加

液晶表示素子に用いられる基板１に配向膜を形成する工程において、配向膜となる塗膜を基板１の一方の面に形成し、この塗膜の形成面側にノズル４でガスの流れを形成する。 - 特許庁

That is, when the molten metal is made to flow down in the non-metallic liquid 11, this molten metal is formed as the molten drip 10 and the surface of the molten drip 10 becomes in an over-cooling state and generates a nucleus of the crystal.例文帳に追加

つまり、溶融金属が非金属性液体１１の中を流下する際に溶滴１０となり、この溶滴１０の表面が過冷却状態となって結晶の核が生じる。 - 特許庁