「Crystal Flow」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

When the predetermined temperature of the contact part 22c is T_1(°C), the flow start temperature of a liquid crystal polymer is T_2(°C), and the decomposition start temperature of the liquid crystal polymer is T_3(°C), a relational expression: T_3(°C)>T_1(°C)≥T_2(°C)+80°C is satisfied.例文帳に追加

ここで、接触部２２ｃの所定の温度をＴ_１（℃）、液晶ポリマーの流動開始温度をＴ_２（℃）、液晶ポリマーの分解開始温度をＴ_３（℃）とした場合、以下の関係式：Ｔ_３（℃）＞Ｔ_１（℃）≧Ｔ_２（℃）＋８０℃を満たす。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal device capable of improving the display quality by preventing spacer particles from moving out of a predetermined arrangement region due to the flow of a liquid crystal.例文帳に追加

液晶の流動によりスペーサ粒子が所定の配置領域から移動することを防止して、表示品質を向上させることができる液晶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The receiving part 22 detects the opening and closing of the liquid crystal shutter, and the opening and closing of the liquid crystal shutter is utilized as the flow quantity pulse signals in an output part 21.例文帳に追加

受信部２２では液晶シャッタの開閉を検出し、液晶シャッタの開閉を出力部２１において流量パルス信号として利用する。 - 特許庁

Further, since the hold member 31 is connected through a connecting member 33 to a ground 30d of the liquid crystal control substrate 31, the currents of inflow flow to the ground 30d of the liquid crystal control substrate 30.例文帳に追加

しかも、ホールド部材３１は接続部材３３を介して液晶制御基板３０のグランド３０ｄに接続されるので、ホールド部材３１へ流れ込んだ電流が液晶制御基板３０のグランド３０ｄへ流される。 - 特許庁

This mold release film is laminated with a liquid crystal polyester film and a mold release layer, and the liquid crystal polyester film is a film comprising a solvent-dissolvable liquid crystal polyester having 250°C or more of flow start temperature.例文帳に追加

液晶ポリエステルフィルムと離型層とが積層されてなり、 前記液晶ポリエステルフィルムが、流動開始温度が２５０℃以上且つ溶剤可能性の液晶ポリエステルからなるフィルムであることを特徴とする離型フィルムを提供する。 - 特許庁

The flow of an inert gas at the periphery of a single crystal 11 is rectified and the single crystal 11 is grown while being cooled by surrounding the periphery of the single crystal 11 pulled up from a melt 15 by a Czochralski method with a cylindrical rectifying body 28 and a cylindrical cooling body 29.例文帳に追加

チョクラルスキー法により融液１５から引上げられる単結晶１１の周囲を整流用筒体２８及び冷却用筒体２９にて包囲することにより、単結晶１１周囲の不活性ガスを整流しかつ単結晶１１を冷却しながら単結晶１１を育成する。 - 特許庁

A suction port formed on the base 23 of a nozzle mechanism is brought close to a liquid crystal injection hole of a panel 12 where a liquid crystal is injected and performs suction to generate negative pressure around the outer opening of the liquid crystal injection hole 16 and to generate a air flow.例文帳に追加

液晶が注入されたパネル１２の液晶注入孔へノズル機構の基台２３に形成された吸込み口を接近させ、吸引を行うことにより液晶注入孔１６の外部開口周辺に負圧を発生させるとともに、気流を発生させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal which can stably manufacture single crystal having a uniform oxygen concentration over the entire length by controlling the gap size between the radiation shield and the surface of the melt liquid and by controlling the flow speed of the gas flowing between the radiation shield and the single crystal.例文帳に追加

輻射シールドと融液面との間のギャップ寸法を所定の範囲に制御し、且つ、輻射シールドと単結晶との間を流れるガスの流速を制御することにより、全長に亘り酸素濃度が均一な単結晶を安定して製造することのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Because the flow passage of the liquid crystal can be maintained even in a non-display part 30 where the TFT elements 13 and signal lines 12 are disposed during injecting the liquid crystal, the injection rate of the liquid crystal can be increased to reduce the injection time and to improve the productivity.例文帳に追加

液晶を注入する際、ＴＦＴ素子１３および信号配線１２が設けられる非表示部３０においても液晶の流動経路を確保することができるので、液晶の注入速度を速めて注入時間を短縮し、生産性を向上させることができる。 - 特許庁

To efficiently provide a liquid crystal display element which does not give rise to the cell gap unevenness arising near a liquid crystal injection port, the unevenness of the threshold voltage arising at the traces of flow of liquid crystals and the display unevenness, etc., of the liquid crystal display element occurring in the movement of a cell gap holding material and has an excellent displaying quality.例文帳に追加

液晶注入口付近に生じるセルギャップムラ、液晶の流れ跡に発生するしきい値電圧のムラ、および、セルギャップ保持材の移動に起因する液晶表示素子の表示ムラ等の問題を有せず、良好な表示品質を持つ液晶表示素子を、効率的に提供する。 - 特許庁

An off substrate having the c axis inclined to the normal line of the main face is used as a seed crystal and the objective silicon carbide single crystal 6 is allowed to grow, as the seed crystal 4 is disposed so that the c axis may be within an angle range from 90° to 180° to the direction of the silicon carbide reaction gas flow.例文帳に追加

種結晶４として、主面の法線に対して傾斜したｃ軸を有するオフ基板を用いると共に、ｃ軸が炭化珪素原料ガスの流れる方向に対して、９０°を超えかつ１８０°未満の角度を成すように種結晶４を配置して炭化珪素結晶６を成長させる。 - 特許庁

(1) The low moisture-absorbing paper is characterized by heat- pressing composite paper comprising a pulp component and/or a fiber component and a liquid crystal polymer filler component made from a liquid crystal polymer exhibiting optical anisotropy when melted, at a higher temperature by ≥30°C than the flow-starting temperature of the liquid crystal polymer.例文帳に追加

(1)パルプ成分及び／又は繊維成分と溶融時に光学的異方性を示す液晶ポリマーからなる液晶ポリマーフィラー成分とを含有する複合紙を、該液晶ポリマーの流動開始温度よりも30℃以上高い温度で、熱プレスしてなることを特徴とする低吸湿紙。 - 特許庁

To provide a crystallization dephsphorizing apparatus having a distributor with which the flow rate distribution of an upward flow is uniformized, a flow rate necessary for fluidizing a crystal seed containing calcium phosphate is obtained when supplying phosphorous-containing waste water to a fluidized bad type reaction crystallizer and the falling down of the crystal seed from an opening part to the bottom of a crystallizer is prevented.例文帳に追加

リン含有排水を流動床式の反応晶析槽に供給するときに、上向流の流速分布にムラがなく、かつ、リン酸カルシウムを含んだ結晶種を流動化させる流速を与えることができると共に、開口部から前記結晶種が反応晶析槽の底部に落下することのないディストリビュータを有する晶析脱リン装置を提供すること。 - 特許庁

The flow-analyzing method for the polymer liquid crystal in the mold analyzing the flow and orientation of the polymer liquid crystal in the mold is characterized in that a temperature field and a physical property value at a criterion time are established, and in that an orientation field of the polymer liquid crystal at the criterion time is calculated from the established temperature field and the physical property value.例文帳に追加

金型内に於ける高分子液晶の流動及び配向を解析する金型内高分子液晶流動解析方法であって、基準時に於ける高分子液晶の温度場及び物性値が設定され、前記設定される温度場及び物性値から、前記基準時に於ける高分子液晶の配向場が算出されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for controlling the introduction and flow of gas where flow velocity distribution and feed gas supply become uniform spatially, and at the same time flow is made layer flow for preventing whirls or the like from being generated on a wide high-temperature susceptor for the gas being introduced from a narrow gas introduction port in a horizontal organic metal vapor growth crystal oven.例文帳に追加

横形有機金属気相成長結晶炉において、細い幅のガス導入口より導入されたガスが、より広い幅を有する高温のサセプタ上において、流速分布及び原料ガス供給が空間的に一様となり、かつ流れが渦等の発生しない層流となるガスの導入と流れの制御方法を提供する。 - 特許庁

A micro flow passage chip provided with an optical waveguide and a micro flow passage with the sample flowing therethrough, is provided with a separation field having nano-pillar photonic crystal structure in a cross area of the optical waveguide and the micro flow passage, and having a nano-pillar structure in an upstream of the cross area within the micro flow passage.例文帳に追加

光導波路とサンプルを流すマイクロ流路を備えたマイクロ流路チップであって、前記光導波路と前記マイクロ流路の交叉領域にナノピラーフォトニック結晶構造を有し、マイクロ流路中の前記交叉領域の上流にナノピラー構造物を有する分離場を備えることを特徴とするマイクロ流路チップ。 - 特許庁

A flow-in port is formed by providing a gap S2 between a crucible body 1a and a raw material vessel 1b, and a flow-out port is formed by providing a gap S1 between the crucible body 1a and a cap material 1b so that a gas 5 flows from the flow-in port to the flow-out port when an SiC single crystal 4 is grown.例文帳に追加

るつぼ本体１ａと原料容器１ｂとの間に隙間Ｓ２を設けることによって流入口を形成すると共に、るつぼ本体１ａと蓋材１ｂとの間に隙間Ｓ１設けることによって流出口を形成し、ＳｉＣ単結晶４を成長させる際に、流入口から流出口に向かってガス５が流動するようにする。 - 特許庁

When the SiC single crystal film is formed on an SiC single crystal substrate 4 by a chemical vapor deposition method using a raw material gas containing Si and C, the SiC single crystal substrate 4 is heated at a first heating section and an Si material 5 is heated separately from the SiC single crystal substrate 4 at a second heating section provided at the upstream side of the flow direction of the raw material gas.例文帳に追加

ＳｉおよびＣを含んだ原料ガスを用いて化学気相成長法によってＳｉＣ単結晶基板４上にＳｉＣ単結晶膜を形成する際、ＳｉＣ単結晶基板４を第１加熱部で加熱し、ＳｉＣ単結晶基板４とは別に原料ガス流通方向上流側に設けられた第２加熱部でＳｉ材料５を加熱する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal projector which performs shut-down processing before damage to especially thermally weak parts such as a liquid crystal panel in the case that a discharge port and an intake port of a liquid crystal projector main body are at least partially closed to quickly make the liquid crystal panel and a light source lamp hot due to retardation of the flow of air from a cooling fan.例文帳に追加

この発明は、液晶プロジェクタ本体の排気孔、吸気孔少なくとも一部がふさがれ、冷却ファンによる風の流れが悪くなり、液晶パネル、光源ランプが急激に熱くなるような場合に、液晶パネル等のように熱に特に弱い部品がダメージを受ける前に、シャットダウン処理を行なえるようになる液晶プロジェクタを提供することを目的とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing silicon carbide single crystal, the supply of a raw material gas is once stopped on the way of the growth of a silicon carbide single crystal 22, and the growing surface temperature of the silicon carbide single crystal 22 is measured with a pyrometer 30 through a pipe 10 for supplying the raw material gas to a silicon carbide single crystal substrate 8, while making argon gas flow there.例文帳に追加

炭化珪素単結晶２２の成長途中に原料ガスの供給を一旦停止するとともにアルゴンガスを流しながら、炭化珪素単結晶２２の成長表面温度を原料ガスの炭化珪素単結晶基板８への供給用の管１０を通してパイロメータ３０で測定する。 - 特許庁

An upward flow is generated from near the high-temperature part 10b along the growing surface 5a (or 5b) of the seed crystal substrate as is shown by arrow 6, then it flows near the gas/liquid interface toward the outside of the growing vessel, then a downward flow is generated along the inner wall of the growing vessel as shown by arrow 8.例文帳に追加

高温部１０ｂ付近から矢印６のように種結晶基板の育成面５ａ（あるいは５ｂ）に添って上昇流が生じ、次いで気液界面の近くでは育成容器の外側へと向かって流れ、次いで矢印８のように育成容器の内壁面に添って下降流が生じる。 - 特許庁

To provide a technology that allows a softened resist to flow rapidly and can precisely control the flow direction and area, and thereby can be utilized for forming a pattern and manufacturing a TFT element for liquid crystal displays in the reflow treatment of the resist.例文帳に追加

レジストのリフロー処理において、軟化したレジストを速やかに流動させ、しかもその流動方向および流動面積を高精度に制御し、もってパターン形成や液晶表示装置用ＴＦＴ素子の製造に利用できる技術を提供する。 - 特許庁

The flow sensor 11 is formed in such a way that two heating elements 16 which are perpendicular to a flow are formed of a metal thin film on a microbridge 15 composed of an insulator thin film on a recess formed by an anisotropic etching technique on an Si single-crystal substrate.例文帳に追加

フローセンサ１１は、Ｓｉ単結晶基板上に異方性エッチング技術で形成した凹部上の絶縁体薄膜のマイクロブリッジ１５の上に、流れに対して垂直な２本の発熱体１６を金属薄膜で形成してなる。 - 特許庁

The fine crystal metal hydrazine nitrate is obtained by allowing an aqueous solution of the metal nitrate and an aqueous solution of hydrazine to flow into the microreacter with the passage below the detonation threshold diameter and to bring into contact with each other in a flow rate of a predetermined ratio and conducting the continuous reaction of both the aqueous solutions.例文帳に追加

金属硝酸塩の水溶液とヒドラジンの水溶液とを爆轟限界径以下の流路を有するマイクロリアクターへ、前記両水溶液を所定比率の流量速度により流入接触させ連続的に反応させて得る微細な結晶の金属ヒドラジン硝酸塩。 - 特許庁

The method comprises steps of further introducing a hydrogen halide from a second supply pipe 20 different from a supply pipe 30 of the hydrogen halide for forming a group III metal halide to a crystal growth furnace 1, leading it on a substrate 5 through a flow pipe 2 composed of a heat-resistant silica content material, and doping the silica element existent in the flow pipe 2 to a group III nitride semiconductor crystal 9.例文帳に追加

III族金属ハロゲン化物形成用のハロゲン化水素の供給管30と異なる第二の供給管20から、結晶成長炉１にさらにハロゲン化水素を導入し、耐熱性珪素含有材料からなる流通管２に通して基板５上に導き、流通管２に含まれている珪素元素をIII族窒化物系半導体結晶９にドープする。 - 特許庁

The heater structure comprises a crystal diamond layer 12, an amorphous resistive layer 13 composed of a non-crystal diamond area thermally contacting to the diamond layer 12, and a pair of electrodes 21a, 21b electrically connected to the resistive layer 13, and each of the functional device has a flow path (micro flow path) 25 of energy flows in contact with the diamond layer 12.例文帳に追加

結晶ダイヤモンド層１２と、この結晶ダイヤモンド層１２に熱的接触する非晶質ダイヤモンド領域からなるアモルファス抵抗層１３と、このアモルファス抵抗層１３に電気的に接続される一対の電極２１ａ，２１ｂと、結晶ダイヤモンド層１２に接して流れるエネルギーの流路（マイクロ流路）２５とを備える機能デバイスである。 - 特許庁

A carbon content in a silicon melt is adjusted by controlling the rate of an inert gas flow, in the manufacture of the silicon single crystal with controlled carbon content, in which the inert gas flow is directed against a melting polycrystal silicon at a constant rate, the polycrystal silicon is molten into the silicon melt in a crucible and the single crystal is pulled from the melt by Czochralski method.例文帳に追加

不活性ガスフローを溶融する多結晶シリコンに向けて一定の流速で流す間に、多結晶シリコンを坩堝中でシリコンからなる融液に溶融し、かつ単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げる、制御された炭素含有量を有するシリコンからなる単結晶の製造方法において、不活性ガスフローの流速を制御することにより、融液中の炭素の濃度を調節する。 - 特許庁

At that time, a control device 13 controls the direction and the intensity of a rotating magnetic field generated by a rotating magnetic field device 6 so that the flow of a silicon melt 15 existing between the lower end peripheral part of the single crystal 12 and the inner face of the crucible 4 becomes a locally reverse annular flow against the rotation direction of the crucible 4 and the single crystal 12.例文帳に追加

その際、制御装置１３は、単結晶１２の下端周縁部と坩堝４の内面との間に存在するシリコン融液１５の流れが坩堝４及び単結晶１２の回転の向きに対して局所的に逆向きの環状の流れになるように回転磁場装置６により発生させる回転磁場の向き及び強度を制御する。 - 特許庁

Since the flow is efficiently convected in straightening like this, after nitrogen is dissolved in the melt liquid near the gas/liquid interface, the melt liquid can be rapidly supplied in the whole growing vessel, and a step-flow growth occurs on the growing surface of the seed crystal substrate and a flat and smooth nitride single crystal of good quality is formed.例文帳に追加

このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with an overcurrent prevention circuit 4 preventing flow of overcurrent in a power supply circuit 4 for supplying prescribed power to a liquid crystal panel 6 and the backlight 1 and a voltage detection means 12 detecting voltage supplied to the backlight 1.例文帳に追加

液晶パネル６及びバックライト１に所定の電力を供給する為の電力供給回路４に過電流が流れることを防止する過電流防止回路４と、バックライト１への供給電圧を検出する電圧検出手段１２とを備えた液晶表示装置。 - 特許庁

The first single crystal semiconductor layer is epitaxially grown to form a second single crystal semiconductor layer with the plasma chemical vapor deposition method using the silane system gas and hydrogen of 50 times or more in the flow rate ratio for the silane system gas as the raw material gas.例文帳に追加

シラン系ガスとシラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素とを原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により第１単結晶半導体層をエピタキシャル成長させて第２単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

A polytype crystal can stably be grown by forming a flow passage for discharging a gas from the inside of a crucible to the outside of the crucible in a graphite crucible for producing the silicon carbide single crystal by the sublimation recrystallization method using the silicon carbide as the raw material.例文帳に追加

炭化珪素を原料として昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を製造するための黒鉛坩堝に、坩堝内部から坩堝外部へガスが抜ける流路を形成することで、ポリタイプの安定した結晶成長が得られるようにする。 - 特許庁

This cutting tool made of the silicon nitride sintered compact is formed of the silicon nitride sintered compact in which the orientation direction of crystal grain is controlled in a specific direction by the plastic flow of the crystal grain caused by compression-baking a premolding formed by compacting silicon nitride raw powder.例文帳に追加

本発明の窒化珪素質焼結体製切削工具は、窒化珪素系原料粉末を圧粉成形してなる予備成形体を圧縮焼成により、結晶粒を塑性流動させて結晶粒の配向方向を特定方向に制御した窒化珪素系焼結体からなる。 - 特許庁

As a result, the cooling air which is sufficient for cooling the polarizing plate 446, the liquid crystal panels 441R, 441G and 441B and so on is allowed to flow in the direction of cooling passage and, thereby, the polarizing plate 446, the liquid crystal panels 441R, 441G and 441B and so on can be efficiently cooled.例文帳に追加

このため、冷却流路方向に、偏光板４４６、液晶パネル４４１Ｒ、４４１Ｇ、４４１Ｂ等を冷却するのに十分な冷却空気を流すことができ、これにより、偏光板４４６、液晶パネル４４１Ｒ、４４１Ｇ、４４１Ｂ等を効率的に冷却することができる。 - 特許庁

To provide a method for growing a high quality SiC single crystal at a high growth rate, in which an ideal flow of a solution is achieved by finding an ideal ACRT (Accelerated Crucible Rotation Technique) pattern of so called an ACRT, in the production of a SiC single crystal by a solution growth method.例文帳に追加

溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、いわゆる坩堝加速回転法（ＡＣＲＴ：Accelerated Crucible Rotation Technique）の理想的なＡＣＲＴパターンを見いだして、理想的な溶液の流れを実現し、高速成長かつ高品質のＳｉＣ単結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the crystal vibrator fixing pin 5 is disposed on the sealing tube 2a of the cylinder type crystal vibrator 2 while avoiding a thin portion of resin molding, so there is no obstacle to a flow of the resin 4 of the thin portion to prevent or make small the welding at the thin portion.例文帳に追加

その際、水晶振動子固定ピン５は、シリンダー型水晶振動子２の封止管２ａに対して、樹脂モールドの薄肉部を避けて配置しているので、薄肉部の樹脂４の流れを阻害する物がなくなり、薄肉部でのウェルドの発生を防止、若しくは小さくすることができる。 - 特許庁

In addition, when the flow rate of monosilane (SiH4) which is supplied for forming crystal nuclei and the crystal nucleus forming temperature are appropriately controlled, such selectively can be realized that HSG nuclei are not formed in the silicon-based insulating film, but only on the amorphous silicon film.例文帳に追加

また、結晶核形成のために供給するモノシラン（ＳｉＨ_4）の流量と結晶核形成温度とを、適度に制御することにより、ＨＳＧ核が、アモルファスシリコン膜上にのみ形成されて、シリコン系絶縁膜には形成されないように選択性を持たせることができる。 - 特許庁

By this disposition, the growth face of the silicon carbide single crystal 6 is inclined according to the angle and the smooth flow of the silicon carbide reaction gas can be secured even in the range from the concave part of the growing face (having a concave face) to the down stream side of the silicon carbide single crystal 6.例文帳に追加

このように配置すれば、その角度に応じて種結晶４の上に成長する炭化珪素単結晶６の成長面も傾斜するため、炭化珪素単結晶６の成長面（凹面）の凹部から下流側までの間においても、炭化珪素原料ガスの流れが円滑に行われる傾斜とすることができる。 - 特許庁

Since the particle size of crystal grains is smaller than the width at the air gap part 53b of a male die 51 and the particle size is set in such a region as not too small nor too large with respect to the wall thickness T, the crystal grains flow smoothly into micro air gap parts 53b, thus ensuring good shaping of the trench recess parts 33.例文帳に追加

結晶粒の粒径が雄型５１の空隙部５３ｂの幅を下回っているとともに、粒径は壁の厚さＴに対して過小でもなく過大でもない領域におかれているので、微細な空隙部５３ｂ内への結晶粒の流動が円滑になされ、良好な溝状窪部３３の成形が行える。 - 特許庁

To provide a liquid crystal mixture which requires specific and complicate matching with respect to values of Δn and Δε and rotary and flow viscosities which are needed for a display based on ECB (Electrically Controlled Birefringence) effect and optionally IPS (In-Plane Switching) or PALCD (Plasma Addressed Liquid Crystal Display) effect.例文帳に追加

ＥＣＢ効果および任意にＩＰＳまたはＰＡＬＣＤ効果に基づくディスプレイに必要な、ΔｎおよびΔε値および回転および流動粘度に関し、特定かつ複雑なマッチングを必要とする液晶混合物を提供する。 - 特許庁

The single crystal pulling apparatus is provided with a gas flow passage 023 through which a gas flows out of a chamber in the direction of side part above a single crystal pulling chamber surrounded by a ceiling plate 019 and a heat insulating wall 010 arranged between a heater 009 and the chamber 008.例文帳に追加

天井板０１９と、ヒーター００９とチャンバー００８との間に配設された断熱壁０１０とに囲まれた単結晶引上げ室の上方の側部方向に、ガスが室外へ流出できるガス流通路０２３を設ける。 - 特許庁

In the process for purifying the gallium solution, the liquid which was used for electrolysis is cooled and stirred to achieve a high flow rate of the liquid inside a tank to inhibit crystal growth and deposit a crystal containing the impurities for obtaining the desired metal (e.g. gallium) in the residual liquid.例文帳に追加

電解に使用済みの液を冷却しながら撹拌することで、槽内で液の流速を高速化し、結晶成長を抑制し、析出した結晶に不純物を含有させ、残った液側に所望の金属（例えば、ガリウム）を得るガリウム溶液の浄液方法を見出した。 - 特許庁

The coating method for supplying a coating agent by a spray nozzle comprises a step to control the flow rate of the coating agent to be sent forcibly to the spray nozzle by feeding back the thickness of the coating film measured by quartz crystal microbalance (QCM).例文帳に追加

スプレーノズルによってコーティング剤が供給されるコーティング方法において、ノズルに圧送するコーティング剤の流量を、水晶振動子マイクロバランス（Quartz Crystal Microbalance：ＱＣＭ）によって測定したコーティングの膜厚によってフィードバック制御することを特徴とする方法、およびそのための装置。 - 特許庁

This method for patterning the thin film consists in spraying an etching liquid ETL at a low flow rate from a direction approximately perpendicular to a liquid crystal panel substrate SUB1 formed by coating the conductive thin film with a resist mask of prescribed opening patterns while rotating the liquid crystal panel substrate at a high speed.例文帳に追加

導電性薄膜を所定の開口パターンのレジストマスクで被覆した液晶パネル基板ＳＵＢ１を高速回転させながら当該液晶パネル基板に対して略直角な方向からエッチング液ＥＴＬを低流量スプレーする。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus, wherein the yield is enhanced and a single crystal having desired characteristics can be obtained by regulating a gas flow flowing inside a furnace body even when the distance between the lower end of a radiation shield and a silicon melt is large.例文帳に追加

単結晶引上装置において、輻射シールド下端とシリコン融液との間の距離寸法が大きい場合においても、炉体内を流れるガス流を整流して歩留まりを向上し、所望の特性を有する単結晶を容易に得ることのできる単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁