「Defect Address」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the bad block management part 200 converts a page address with a defect of the data block 130 into a page address of the spare block 110 by referring to the management block 120.例文帳に追加

そしてバッドブロック管理部２００は前記管理ブロック１２０を参照して前記データブロック１３０の欠陥があるページアドレスを前記予備ブロック１１０のページアドレスに変換する。 - 特許庁

An electric fuse cutoff circuit 13 cuts off an electric fuse corresponding to a memory cell based on the defect address information inputted from an address line 15 in the period in which the signal ϕ1 is in the H level.例文帳に追加

電気ヒューズ切断回路１３は、信号φ１がＨレベルの期間でアドレス線１５から入力した不良アドレス情報に基づいてメモリセルに対応する電気ヒューズを切断する。 - 特許庁

The solid-state image sensor 3 is activated at a low temperature, a linear defect detection correction circuit 6 detects the linear defect of the solid-state image sensor 3 on the basis of the pixel signal of the solid-state image sensor 3, and an address of the detected linear defect is stored.例文帳に追加

固体撮像素子３を低温で動作させ、固体撮像素子３の画素信号に基づいて固体撮像素子３の線状欠陥を線状欠陥検出補正回路６により検出し、検出された線状欠陥のアドレスを記憶しておく。 - 特許庁

A memory LSI is tested, the number of defect bits are counted for bit map data for each address coordinate, a histogram of the number of defect is made, and wavelet analysis making harl function a base function is performed by assuming the made histogram of the number of defect as a discrete signal.例文帳に追加

メモリＬＳＩを試験し、ビットマップデータに対してアドレス座標毎に不良ビット数をカウントし、不良数ヒストグラムを作成し、作成した不良数ヒストグラムを離散信号とみなして、ハール関数を基底関数としたウェーブレット解析を行う。 - 特許庁

A correction object selection function section 182 selects an image pickup element of a correction object with priority imparted to a defect in an area near the middle of an image while taking a correction number into account and stores defect information to a defect address memory 38b.例文帳に追加

補正対象選択機能部182 は、欠陥アドレスメモリ38a からの画像データ180cのうち、画面中央近傍領域の欠陥を優先させて、補正数を考慮して補正対象の撮像素子を選択して欠陥情報を欠陥アドレスメモリ38b に記憶させる。 - 特許庁

When a defect sector is detected in an area where the predetermined system information is written, the MPU 18 executes sector slip processing to allocate address information sequentially from a next sector of the defect sector without allocating any address information to the defective sector.例文帳に追加

また、ＭＰＵ１８が、上記所定のシステム情報が書き込まれる領域において欠陥セクタが検出された場合に、欠陥セクタへのアドレス情報の割り当てをせずに、欠陥セクタの次のセクタから順次アドレス情報を割り当てるセクタスリップ処理を実行する。 - 特許庁

Thereby, a state in which the specific address is included in a refresh object is kept, and defect occurrence cause is analyzed in the state.例文帳に追加

それにより、特定のアドレスがリフレッシュ対象に含まれる状態を維持して、当該状態にて不良発生原因を解析する。 - 特許庁

To shorten a supply time of an address signal from a pattern generator to a defect analysis memory in a memory test device.例文帳に追加

メモリ試験装置において、パターン発生器から不良解析メモリまでのアドレス信号の供給時間を短縮することを目的とする。 - 特許庁

When defect information is not contained in the data which is read out from the compact memory 120, data in the corresponding partial address space is not transferred.例文帳に追加

コンパクトメモリ１２０から読み出されたデータに不良情報がなければ、対応する部分アドレス空間のデータは転送されない。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes banks #0 to#7, defect relieving circuits 170 to 177 respectively provided for the banks, defective address storing circuits 180 to 183 storing defective addresses, and comparing circuits 190 to 193 comparing an address to which access is required and a defective address.例文帳に追加

バンク＃０〜＃７と、バンクごとに設けられた不良救済回路１７０〜１７７と、不良アドレスを記憶する不良アドレス記憶回路１８０〜１８３と、アクセスが要求されたアドレスと不良アドレスとを比較する比較回路１９０〜１９３とを備える。 - 特許庁

To provide an address distributor and its distribution method where a plurality of address distributors mutually monitor the address distribution function to supplement part of address resources unable to be served due to a function stop of part of the distributors by the other distributors and devices can utilize the address resources on a network without deficiency due to a defect of part of the distributors.例文帳に追加

複数のアドレス配布装置で相互にアドレス配布機能を監視することにより、一部装置の機能停止により提供できなくなった一部のアドレスリソースを他の正常な装置が補完し、一つのネットワーク上のアドレスリソースを一部装置の不具合で不足することなく利用できるアドレス配布装置及びその配布方法を提供する。 - 特許庁

The solid-state image sensor 3 is operated in a light shield state, a linear defect detection correction circuit 6 detects the linear defect of the solid-state image sensor 3 on the basis of the pixel signal of the solid-state imaging element 3, and an address of the detected linear defect is stored.例文帳に追加

固体撮像素子３を遮光状態で動作させ、固体撮像素子３の画素信号に基づいて固体撮像素子３の線状欠陥を線状欠陥検出補正回路６により検出し、検出された線状欠陥のアドレスを記憶しておく。 - 特許庁

A memory cell is refreshed successively for each of a plurality of memory cell blocks 2071-2074, and a refresh defect memory cell is also refreshed when the memory cell of the other memory cell blocks with the same row address as the refresh defect memory cell is to be refreshed when the refresh defect memory cell exists.例文帳に追加

複数のメモリセルブロック２０７_1〜２０７_4毎にメモリセルを順次リフレッシュし、リフレッシュ欠陥メモリセルが存在する場合には、リフレッシュ欠陥メモリセルと同一のローアドレスを有する他のメモリセルブロックのメモリセルをリフレッシュする時にリフレッシュ欠陥メモリセルも共にリフレッシュする。 - 特許庁

A defect analysis memory retrieved section 3B of a defect analysis memory section 3A provided in a main body 3 of an IC tester continuously retrieves a changing point in data indicating whether each bit is defective or not, to obtain an address corresponding to the changing point from a defect analysis memory 3C.例文帳に追加

ＩＣ試験装置本体３に設けられた不良解析メモリ部３Ａの不良解析メモリ検索部３Ｂにより、各ビットの良否を表すデータの変化点を連続的に検索し、不良解析メモリ３Ｃから前記変化点に対応するアドレスを取得する。 - 特許庁

The optical head 1 includes a plurality of light emitting elements P1 to Px, and a defect address recording memory 10 storing address ADR that assigns a plurality of effective light emitting elements while avoiding defective light emitting elements.例文帳に追加

光ヘッド１は、複数の発光素子Ｐ１〜Ｐｘと、欠陥発光素子を避けて複数の有効発光素子を割り当てるアドレスＡＤＲを記憶した欠陥アドレス記録メモリ１０を備える。 - 特許庁

To provide a circuit in which an address is not fixed in a test mode and a defect mode of address multiplexed selection can be detected by a read test for NOR flash memory and the like.例文帳に追加

テストモード時にアドレスを非固定状態にする回路を提供し、ＮＯＲ型フラッシュメモリ等について、Ｒｅａｄテストによってアドレス多重選択の不良モードの検出を可能とすることを目的とする。 - 特許庁

With this arrangement, when a test for detecting a bad address is performed in a wafer state, a defect of a column selection line can be detected.例文帳に追加

これにより、ウェハ状態で行われる不良アドレスの検出試験を行う際に、カラム選択線の不良を検出することが可能となる。 - 特許庁

A defect analysis memory 8 writes an output of the OR circuit 7 corresponding to the input data S1 to an address corresponding to the input data S1.例文帳に追加

不良解析メモリ８は入力データＳ１に対応するオア回路７の出力を、入力データＳ１に対応するアドレスに書き込む。 - 特許庁

Then a very small defect detection circuit 23 detects a defective pixel, calculates a ratio of a pixel signal of the defective pixel to the pixel signal of its surrounding pixels, an address of the defective pixel and the ratio are stored in a very small defect ROM 26.例文帳に追加

次に、微小欠陥検出回路２３により欠陥画素を検出し、欠陥画素とその周辺画素との画素信号の比率を演算し、欠陥画素のアドレスおよび比率を微小欠陥ＲＯＭ２６に記憶する。 - 特許庁

Thus, the image signal processor performs processing of making an address of the defect information in matching with the image signal without changing the data sequence of the image signal read from the CMOS image sensor 200 so as to smoothly correct the defect.例文帳に追加

これにより、ＣＭＯＳイメージセンサ２００から読み出された画像信号のデータ順を変えることなく、画像信号と欠陥情報とのアドレスを一致させるような処理を行い、円滑な欠陥補正を行う。 - 特許庁

The method avoids only the defect portion to execute alternatively a corrected module by using a part of a flash memory to store the module in which the defect of the program is corrected to an arbitrary address when the defect occurs in the control program stored in a mask ROM in a CPU.例文帳に追加

ＣＰＵ内のマスクＲＯＭに格納される制御プログラムに不具合が発生した場合、フラッシュメモリの一部を使用して、制御プログラムの不具合を修正したモジュールを任意のアドレスへ格納することで、不具合部分のみを回避して代わりに修正モジュールを実行する。 - 特許庁

In the imaging apparatus (camera apparatus) employing the imaging element 13 of a CCD type or a CMOS type, a defect detection circuit 24 detects a defect by using a luminance level of the imaging element 13 when a lens 11 is in an out of focus state, a system controller 26 stores an address of the detected defective pixel and the defect is corrected at the address position.例文帳に追加

ＣＣＤ型やＣＭＯＳ型などの撮像素子１３を用いてなる撮像装置（カメラ装置）において、レンズ１１が非合焦状態にあるときの撮像素子１３の輝度レベルを用いて欠陥検出回路２４で欠陥検出を行い、その検出した欠陥画素のアドレスをシステムコントローラ２６内に保持し、そのアドレス位置で欠陥補正を行うようにする。 - 特許庁

Subsequently, the CPU 32 designates the 1st address, reads data from the RAM 36 and detects the existence/absence of a defect about address setting by comparing the written data with the read data.例文帳に追加

その後、ＣＰＵ３２は、第１のアドレスを指定してＲＡＭ３６からデータの読み出しを行い、書き込んだデータとこの読み出したデータとを比較することにより、アドレス設定に関する不良の有無を検出する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device having reduced area by decreasing the number of elements in a circuit for latching and comparing a defect column address to improve performance.例文帳に追加

欠陥カラムアドレスをラッチし比較するための回路の素子個数を減らして面積を減らし、性能を向上させられる不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and its manufacturing method in which an occupied area of a defective address memory circuit is reduced and relieving defect can be surely performed.例文帳に追加

不良アドレス記憶回路の占有面積を低減してしかも、確実に不良救済を可能とした半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To overcome such defect that 'enable' of a row selection circuit is delayed until an appropriate address source is decided in a circuit and a method for an integrated circuit memory.例文帳に追加

集積回路メモリのための回路および方法は、適切なアドレスソースを定めるまで行選択回路のイネーブルを遅延させる欠点を克服する。 - 特許庁

Therefore, laser misirradiation due to a reset defect due to LSI malfunction and a performance address change of the program can be prevented or stopped.例文帳に追加

したがって、ＬＳＩ誤動作によるリセット不良および上記プログラムの実行アドレス変化に起因するレーザー誤照射を、防止または停止できる。 - 特許庁

To suppress rise of a manufacturing cost by shortening a write-in time of a defective address for performing defect relieving and shortening a test time when a plurality of chip regions are measured simultaneously to relieve defect in a wafer state.例文帳に追加

ウエハ状態で不良救済のために複数のチップ領域を同時に測定しようとする際、不良救済を行うための不良アドレスの書き込み時間を短縮してテスト時間を短縮し、製造コストの高騰を抑制する。 - 特許庁

To provide constitution of a semiconductor memory in which redundancy relieving can be normally performed even when defect is caused in a program element storing a defective address.例文帳に追加

不良アドレスを記憶するプログラム素子に欠陥が生じた場合においても、冗長救済を正常に実行することが可能な半導体記憶装置の構成を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a memory defect cannot be decided only from the data outputted through latch circuits from a pair of read data buses, when a memory test is carried out by address degradation.例文帳に追加

アドレス縮退によりメモリテストを行った時は、１対のリードデータバスからにラッチ回路を通じて出力されるデータだけではメモリ不良を判定できない。 - 特許庁

When it is the record to the prescribed position related to the last address, a defect control table, exclusive information for the system, and lead out are all shifted forward by the prescribed length.例文帳に追加

最終アドレスに関連した所定の位置への記録の場合であれば、欠陥管理テーブル、システム専用の情報およびリードアウトごと所定の長さだけ手前にずらす。 - 特許庁

The existence of each defect of selected memory cell is outputted by detecting a current flowing in each of many memory blocks 110-114 by a memory address.例文帳に追加

メモリアドレスにより多数個のメモリブロック１１０〜１１４の各々で流れる電流を検出することにより、選択されたメモリセルの各々の欠陥の有無が出力される。 - 特許庁

A write once type recording medium (100) has a data area (108) for recording recording data, and shared areas (104, 105) for temporarily recording defect management information (120) including save data as recording data that are to be recorded or have been recorded in a place where a defect exists in the data area, and a saved address and a saving address of the save data.例文帳に追加

追記型記録媒体（１００）は、記録データを記録するデータエリア（１０８）と、データエリアにおけるディフェクトが存在する場所に記録すべき又は記録された記録データである退避データと、退避データの退避元アドレス及び退避先アドレスを含んでなるディフェクト管理情報（１２０）と、を一時的に記録する共用エリア（１０４、１０５）とを備える。 - 特許庁

The repair circuit comprises: a repair address detection part for determining the presence of a defect on the basis of a plurality of test data signals output from a memory block and storing an address corresponding to a memory block determined to be defective; and an anti-fuse part for electrically programming repair addresses stored in the repair address detection part.例文帳に追加

メモリブロックから出力される複数のテストデータ信号によって不良の可否を判断し、不良と判断されたメモリブロックに該当するアドレスを格納するリペアアドレス検出部と、リペアアドレス検出部に格納されたリペアアドレスを電気的にプログラミングするアンチヒューズ部とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

By utilizing the address data modulating apparatus in this way, the data loss is reduced even on the occurrence of a defect on a disk and many more data are recorded in a wobble form so as to increase the amount of information added to the address information.例文帳に追加

このようなアドレスデータ変調装置を利用することによってディスクに欠陥が発生してもデータの損失が減少させ、さらに多くのデータをウォッブル形態で記録できてアドレス情報に加えられる情報量を増加させうる。 - 特許庁

To eliminate a disk discrimination information area in a disk, by using defect address information recorded in a defect information area of the disk to discriminate the disk, with respect to disk discrimination information which has been conventionally recorded in a management area of the disk.例文帳に追加

ディスクの管理領域に従来記録されていたディスク識別情報について、ディスクの欠陥情報領域に記録されている欠陥アドレス情報を利用することによってディスク識別を行ってディスク内でディスク識別情報領域を無くすること。 - 特許庁

To accurately specify an address of a display defect of a liquid crystal display device by inspecting a panel using a picture display pattern to inspect it while turning the panel on.例文帳に追加

液晶表示装置の表示欠陥アドレスを、パネルを点灯させながら検査するための画像表示パターンを用いて検査することにより、アドレス取りを正確にすることを可能とする。 - 特許庁

A vertical black line retrieving unit compares each histogram value on the histogram table with a specified threshold value and stores an image address indicative of the histogram value and the defect position if the histogram value is larger than the threshold value.例文帳に追加

垂直黒線検索処理装置がヒストグラム・テーブルにおける各ヒストグラム値を所定の閾値と比較し、閾値より大きいときはヒストグラム値と欠陥位置を示す画像アドレスを記憶する。 - 特許庁

A defective pixel address storage unit 320 stores the position information of a defective pixel and pixel defect information indicating whether the defective pixel is included in a defective pixel group or not, while making them associate with each other.例文帳に追加

欠陥画素アドレス記憶部３２０には欠陥画素の位置情報とこの欠陥画素が欠陥画素群に含まれるか否かの画素欠陥情報とを関連付けて記憶する。 - 特許庁

To the compact memory 14, defect information indicating that a tested memory 62 has a defective part, is written according to failure data written in a divided address space of the data storage memory 12.例文帳に追加

コンパクトメモリ１４には、データ格納メモリ１２の分割アドレス空間に書き込まれたフェイルデータに基づいて、被試験メモリ６２に不良箇所があることを示す不良情報が書き込まれる。 - 特許庁

A first binary image value is outputted if the image address does not match the defect image address of each original image, otherwise the difference value is analyzed for '1' or '0' and the timing for outputting the first or second image data is determined.例文帳に追加

この画像アドレスが元の各画像の欠陥画像アドレスと一致しないときは第１の二値画像値が出力され、アドレスが等しいときは差値が「１」または「０」に対して解析されて第１または第２の画像データがいつ出力されるべきかを決定する。 - 特許庁

Then the address of the ratio of the defective pixel stored in the very small defect ROM 26 are read out, a reciprocal of the ratio is multiplied with the pixel signal of the defective pixel outputted from the CCD imaging element 13 corresponding to the address to correct the pixel signal of the defective pixel.例文帳に追加

そして、微小欠陥ＲＯＭ２６に記憶された欠陥画素のアドレスおよび比率を読み出し、アドレスに対応するＣＣＤ撮像素子１３により出力された欠陥画素の画素信号に比率の逆数を乗算し欠陥画素の画素信号を補正する。 - 特許庁

By conducting burn-in, a defect address of the semiconductor device in which a defect is generated is accessed continuously, when the defective semiconductor is generated, and a defective portion of the defective semiconductor device is specified based on a surface temperature distribution of the semiconductor device measured by the infrared sensor 1b.例文帳に追加

さらに、バーンインを行うことにより、不良半導体が発生したとき、不良が発生した半導体装置の不良アドレスを連続的にアクセスし、前記赤外線センサ１ｂより測定された上記半導体装置の表面温度分布から不良半導体装置の不良箇所を特定する。 - 特許庁

Therefore, even when it is required that an internal address signal is supplied to a defective data storing memory 22 and an input address signal is supplied to a defect history storing memory 24, the requirement can be realized by only one time test without performing test for two times.例文帳に追加

そのため、不良データ格納メモリ２２に内部アドレス信号を供給し、不良履歴格納メモリ２４に入力アドレス信号を供給する要求がある場合であっても、２度の試験を行うことなく、１度の試験により、上記要求を実現することが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and a redundancy method of this memory in which repair efficiency can be increased by enabling repair separating respectively banks, blocks, and column address groups depending on a form of defect.例文帳に追加

本発明は、不良の形態によってバンク、ブロック、及びコラムアドレスグループ別にリペアできるようにすることによってリペア効率を増加できる半導体メモリ装置並びに装置のリダンダンシー方法を提供する。 - 特許庁