「Etch Rate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To etch a silicon-containing film at a high rate without any residue while suppressing etching of a base film.例文帳に追加

下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン含有膜を残渣無く、かつ高レートでエッチングする。 - 特許庁

Although the fact that the crystalline damage increases an etch rate of the ferroelectric material is publicly known, the inventors have discovered that the electronic damage increases the etch rate of the material.例文帳に追加

結晶性損傷が強誘電体材料のエッチングレートを増加させることは公知であるが、本発明者らはさらに電子的損傷も又材料のエッチング速度を増加させることを見いだした。 - 特許庁

A cladding 42 is etched by a dry etching method in which an etch rate of the cladding 42 is equal to or higher than an etch rate of the filler 36.例文帳に追加

被覆材４２のエッチングレートが充填材３６のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法により被覆材４２をエッチングする。 - 特許庁

By co-injecting or premixing the deposition or etch precursor gas and film purification compound prior to injection, the deposition or etch process may be optimized with respect to growth/etch rate and achievable material purity.例文帳に追加

付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 - 特許庁

The M plasma parameters are selected from a group including wafer voltage, ion density, etch rate, wafer current, etch selectivity, ion energy, and ion mass.例文帳に追加

Ｍ個のプラズマパラメータはウェハ電圧、イオン密度、エッチング速度、ウェハ電流、エッチング選択性、イオンエネルギー及びイオン質量を含む群から選択される。 - 特許庁

Damaged LiNbO_3 has an etch rate much faster than undamaged LiNbO_3 and an annealing process is not necessary for forming an etch stopping layer.例文帳に追加

損傷を受けたＬｉＮｂＯ_３は未損傷ＬｉＮｂＯ_３よりもはるかに速いエッチングレートを有し、エッチストップ層を形成するためにアニールプロセスは必要ではない。 - 特許庁

Since the etch rate increases in the grain boundaries 211, the nanocrystals 212 can be formed uniformly and at high density.例文帳に追加

この時、グレーン境界211部分での蝕刻比が増加するため、ナノ結晶212が均一で高密度に形成される。 - 特許庁

Continuously, only an aluminum film which is not yet reacted is eliminated by etching by utilizing the difference of etch rate between the alloy film 27 and the aluminum film.例文帳に追加

続いて、合金膜２７とアルミニウム膜のエッチング速度の差を利用して、未反応のアルミニウム膜だけをエッチングにより除去する。 - 特許庁

A high RF frequency source is employed in certain embodiments to achieve a high etch rate with high selectivity to inorganic dielectric layers.例文帳に追加

所定の実施形態において高ＲＦ周波ソースを用いることで高いエッチング速度を無機誘電体層に対しての高い選択性で達成する。 - 特許庁

To etch a silicon-containing film such as a silicon film or a silicon oxide film at a high rate without leaving residues, while suppressing etching of a base film.例文帳に追加

下地膜のエッチングを抑制しつつ、シリコン又は酸化シリコンのシリコン含有膜を残渣無く、かつ高レートでエッチングする。 - 特許庁

When the three-layer metal film 5 is deposited, the bottom Mo layer whose etch rate is large is formed as a thin layer in about 10 nm or lower.例文帳に追加

三層金属膜５を堆積する際、エッチング速度の大きいボトムのＭｏ層を約１０ｎｍまたはそれ以下の薄層としておく。 - 特許庁

To suppress the occurrence of defects in a protection film formed in an etched portion as well as to attain a high etch rate.例文帳に追加

エッチング部に形成される保護膜における欠陥の発生を抑制するとともに、高いエッチングレートを実現する。 - 特許庁

The polarization direction of a first portion 808 of a piezoelectric substrate 802, which is exposed on a second principal plane 806 having a relatively slow etch rate and is not exposed on a first principal plane 804 having a relatively fast etch rate, is inverted and then the piezoelectric substrate 802 is etched from the first principal plane 804 side.例文帳に追加

圧電体基板８０２のうち、エッチングレートが相対的に遅い第２の主面８０６に露出しエッチングレートが相対的に速い第１の主面８０４に露出しない第１の部分８０８の分極方向を反転し、第１の主面８０４の側から圧電体基板８０２をエッチングする。 - 特許庁

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode excellent in etching characteristics, which can surely increase the expanded surface rate and increase the electrostatic capacitance further by forming uniform etch pits in a high density and starting deep etching from these etch pits to make coupling hard within a tunnel.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

To provide a stripping and cleaning composition for removing a wide variety of both organic polymeric materials and plasma-etch residues without any reduction in a stripping rate of photoresist or any reduction in the effectiveness of removing plasma-etch residues.例文帳に追加

フォトレジストのストリッピング速度を減少することなく、またプラズマエッチ残留物を除去する能力を低下することのない、広範な種類の有機ポリマー物質およびプラズマ−エッチ残留物の双方を除去するストリッピングおよびクリーニング組成物を提供する。 - 特許庁

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished.例文帳に追加

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。 - 特許庁

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished.例文帳に追加

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。 - 特許庁

However, since the etch rate of the region irradiated with ultraviolet light is higher than that of the region not irradiated with ultraviolet light, the etch rate of the region not irradiated with ultraviolet light is lower than that of the region irradiated with ultraviolet light, hardly causing side etching to the semiconductor thin film 2 below the ultraviolet light shielding film 3.例文帳に追加

しかし、紫外光照射領域のエッチング速度が紫外光非照射領域のエッチング速度よりも速くなるので、紫外光照射領域のエッチング速度に対して紫外光非照射領域のエッチング速度が遅くなり、これにより紫外光遮蔽膜３下の半導体薄膜２にサイドエッチングが生じにくいようにすることができる。 - 特許庁

A dry-etching gas composition is composed of carbon tetrachloride gas and nitrogen gas, so as to etch back polysilicon and a silicon oxide at the same time at the same rate.例文帳に追加

ドライエッチング用ガス組成物は、ポリシリコンとシリコン酸化物とを実質的に同一であるエッチング速度で同時にエッチバックするために四フッ化炭素ガスと窒素ガスとで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

To etch silicon at a high etching rate when a processing gas containing a fluorine containing compound gas is changed into plasma and a part made of silicon of a substrate to be treated is subjected to etching by the plasma.例文帳に追加

フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板のシリコン部分をプラズマエッチングするにあたって、高いエッチングレートでシリコンをエッチングすること。 - 特許庁

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode in which an etch pit is uniformly generated at high density, thereby increasing a surface expansion rate and also increasing an electrostatic capacitance.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に発生させて拡面率を高め、静電容量の増大を図ることができる電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

In order to reduce the accumulation and increase the average etch rate, the side wall protecting attachment is made thinner periodically by forming a second plasma using a mixture containing silane and a second fluorine-contained gas.例文帳に追加

この蓄積を減らし、平均エッチング速度を増大させるために、側壁保護付着物を、シランと第２のフッ素含有ガスとを含む混合物を用いて第２のプラズマを形成することによって定期的に薄くする。 - 特許庁

This method can be used entirely for processes of removing nitride films only selectively by utilizing particularly large etch rate for the nitride film of water of a quasi-critical state, in a wide sense besides a liquid state.例文帳に追加

広義の亜臨界状態かつ液体状態の水の，シリコン窒化膜に対するエッチレートが特に大きいことを利用して、窒化膜のみを選択的に除去する工程全般に利用することができる。 - 特許庁

Moreover, the nickel-chromium seed layer, which may be exposed on the air bearing surface (ABS) of the write head, has an etch rate similar to other materials found in the ABS, thereby avoiding pole tip protrusion during later processing.例文帳に追加

また、書き込みヘッドのエアベアリング面（ＡＢＳ）上に露出されてよいニッケル−クロムシード層は、ＡＢＳに見られる他の材料と同様なエッチング速度を有し、これにより後の処理中の磁極先端突起を回避する。 - 特許庁

To enhance the uniformity of etch rate by increasing the penetration speed of an etchant for exfoliation, in a method wherein a first substrate is exfoliated after a semiconductor thin film formed on the first substrate is fixed to a second substrate.例文帳に追加

第１の基板上に形成した半導体薄膜を第２の基板に固定した後、第１の基板を剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度を高くし、エッチング速度の均一性を高める。 - 特許庁

The etchant of low reaction rate where sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed, is used in the etching device so as to etch the printed circuit board etc., of a fine pitch over a long time.例文帳に追加

エッチング装置に硫酸と過酸化水素水とを混合した反応速度の遅いエッチング液を用いており、ファインピッチのプリント配線基板等を時間をかけてエッチングする。 - 特許庁

To provide a fine processing treatment agent and a method for a fine processing treatment using the agent capable of effecting a fine processing treatment on a film stack of a tungsten film and a silicon oxide film through controlling an etch rate.例文帳に追加

タングステン膜及びシリコン酸化膜の積層膜に対して、エッチレートを制御して微細加工処理をすることが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。 - 特許庁

Then, a hard mask film 19 formed of a material having an etch rate higher than that of the stopper film 18 is so formed as to cover the capacitor 13 and the stopper film 18.例文帳に追加

キャパシタ１３およびストッパー膜１８を覆ってストッパー膜１８よりもエッチングレートが高い材料からなるハードマスク膜１９を設ける。 - 特許庁

When the first material film and the small particles are formed of different materials, the first material film and the small particles are etched under conditions that make their etch rate approximately equal.例文帳に追加

ここで、第１の材料膜と微粒子とが異なる材料で構成される場合には、第１の材料膜と微粒子は、両者のエッチング速度が略同一となる条件下でエッチングが行われる。 - 特許庁

An etch resistant heater for use in a wafer processing assembly has a superior ramp rate of at least 20°C per minute, maximum temperature difference across the surface (for example, >100°C over 300 mm), and at least one electrode.例文帳に追加

ウェーハ処理アセンブリ中で使用され、少なくとも１分につき２０℃の優れた温度上昇率と、表面にわたる最大温度差（例えば＞３００ｍｍにわたり１００℃）と、少なくとも１個の電極とを有する耐腐食性ヒータ。 - 特許庁

To provide a method to form silicon dioxide films that have an extremely low wet etch rate in HF solution using a thermal CVD process, ALD process or cyclic CVD process.例文帳に追加

熱ＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスを用いてＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode or the like being excellent in etching characteristics which can surely increase an expanded surface rate and increase further electrostatic capacitance by forming etch pits in a high density and uniformly, and etching, from the etch pits as an origin, deeply and so as to hardly occur coupling in a tunnel.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed.例文帳に追加

燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。 - 特許庁

An etching stoppage layer is formed between regions having two gains top and bottom and material quality having an etching rate different from that of the gain region is used as the etching stoppage layer, thereby enabling to selectively etch only the top gain region to form a cyclic diffraction grating having a uniform depth.例文帳に追加

エッチング停止層を上下2つの利得を有する領域の間に形成し、且つ、エッチング停止層として利得領域とエッチングレートが異なる材質を用いることで、選択的に上側の利得領域のみをエッチングし、一様な深さをもつ周期的な回折格子を形成することが可能となる。 - 特許庁

The photovoltaic device comprises semiconductor layers (2-4, 8 and 9) including photoelectric conversion layers, and a silicon oxide film 7 which is formed on the top face of a translucent conductive film 5, and contains fine particles of ZnO which has an etch rate by flux larger than a silicon oxide.例文帳に追加

この光起電力装置は、光電変換層を含む半導体各層（２〜４、８および９）と、透光性導電膜５の上面上に形成され、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きいＺｎＯからなる微粒子を含有するシリコン酸化膜７とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor which can accelerate the etch rate of even an SiC wafer which requires a high processing temperature, can process a via hole into a rectangular cross-sectional shape with a vertical side wall without extremely thinning the SiC wafer, and allows easy handling of wafers.例文帳に追加

必要とする加工温度が高いＳｉＣウエハでもエッチング速度を早くすることができ、しかもＳｉＣウエハを極度に薄板化せずにバイアホールの断面を側壁が垂直な矩形状に加工でき、ウエハのハンドリングが容易な化合物半導体の製造方法を得る。 - 特許庁

To prevent fuse attack (Attack) by considering an etch rate due to the plasma density of a semiconductor element to rearrange a fuse box and uniformly forming a residual oxide film (Rox; Remain Oxide) with respect to the fuse box of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のヒューズボックスに関し、半導体素子のプラズマ密度によるエッチング率を考慮してヒューズボックスを再配置し、残留酸化膜（Rox；Remain Oxide）が均一に形成されるようにすることにより、ヒューズアタック（Attack）を防止することができるようにすること。 - 特許庁

While sustaining discharge, second etching is supplied into the reaction chamber at a flow rate in the range of ±10% that of the first etching gas and at a gas pressure in the range of ±50% that of the first etching gas and plasma is generated in order to etch the insulating film 3.例文帳に追加

放電を継続した状態で、反応室内に、ガス流量が第１のエッチングガスのガス流量の−１０％〜＋１０％、ガス圧力が第１のエッチングガスのガス圧力の−５０％〜＋５０％である第２のエッチングガスを供給し、プラズマを生成して絶縁膜３をエッチングする。 - 特許庁

To provide an etching composition for an aluminum-containing material with which high etching precision, particularly, high linear working precision can be obtained without causing pitting corrosion while a high etching speed (high etch rate) is held in etching for an aluminum-containing material.例文帳に追加

アルミニウム含有材料のエッチングにおいて、高エッチングスピード（高エッチレート）を維持したまま、孔食を生じず、高エッチング精度、特に高直線加工精度を得ることのできるアルミニウム含有材料用エッチング組成物を提供すること。 - 特許庁

To etch a reflection preventing film and an interlayer insulating film by one time of an etching treatment and to prevent the interlayer insulating film from being damaged in a high etching rate upon the dry etching of the interlayer insulating film on the upper surface of which the reflection preventing film is formed.例文帳に追加

上面に反射防止膜を形成した層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、一回のエッチング処理で反射防止膜及び層間絶縁膜をエッチングでき、高いエッチングレートで層間絶縁膜にダメージを与えないようにする。 - 特許庁

To provide an etching agent in which the problem of instability of etch rate is solved by adding an additive for prevention of secular change to an etching agent for a copper lamination film composed of copper or copper/ titanium or the like for a component material for electronic equipment and also to provide a method for manufacturing a base material for electronic equipment by the use of the etching agent.例文帳に追加

本発明は、電子機器用素子材料の銅又は銅／チタンなどの銅積層膜のエッチング剤に経時変化防止用添加剤を添加してエッチング率の不安定性を解決したエッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The mask cleaning method includes the steps of: preparing a mask having a mask film on its surface with the foreign substance including silicon oxide deposited thereon; holding the mask at a temperature, at which an etching rate to the foreign substance is higher than an etching rate to the mask film, in a cleaning gas including dilute hydrofluoric acid vapor; and supplying the washing gas to the surface of the mask to etch the foreign substance.例文帳に追加

マスクの洗浄方法は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、マスク膜に対するエッチングレートよりも異物に対するエッチングレートが高くなる温度にマスクを保持する工程と、マスクの表面に洗浄ガスを供給して異物をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁