「Films」に関連した英語例文の一覧と使い方(241ページ目) - Weblio英語例文検索

The easily adhesive polyester film for solar cell back surface-protecting films comprises a polyester film and a resin film formed thereon by coating, wherein the resin film is formed by applying a coating liquid on the film and the coating liquid contains 10-100 wt% of a crosslinking agent (A) based on 100 wt% of the solid content thereof.例文帳に追加

ポリエステルフィルムおよびそのうえに塗設された樹脂皮膜からなり、樹脂皮膜は塗液をフィルムに塗布して形成され、塗液は固形分１００重量％あたり１０〜１００重量％の架橋剤（Ａ）を含有することを特徴とする、太陽電池裏面保護膜用易接着性ポリエステルフィルム。 - 特許庁

Water-repellent films 54, 58 have wettability for a second liquid 46 higher than that for the first liquid 44 and, therefore, the second liquid 46 is annularly extended via an interface 62 between the outer circumferential part and a water-repellent film 58 part near the one edge surface 4202 on the one edge surface wall 4202 side.例文帳に追加

撥水膜５４，５８は第２の液体４６に対する濡れ性が第１の液体４４に対する濡れ性よりも高いため、第２の液体４６は、一方の端面壁４２０２側でその外周部と、一方の端面壁４２０２寄りの撥水膜５８箇所との間に界面６２を介して環状に延在している。 - 特許庁

To provide a recycling method easily and surely exfoliating selenium films of rejected products produced in a manufacturing process of electrophotographic photoreceptors and used products recovered from markets, vapor-depositing selenium on a recycled conductive support again after the exfoliation and getting usable as a product.例文帳に追加

電子写真感光体の製造工程で発生した不良製品や市場から回収された使用済み製品のセレン膜を簡易かつ確実に剥離すると共に、剥離した後の再生導電性支持体に再びセレンを蒸着して製品として利用することができる再生方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a Cu alloy film for a display device that has a lower electric resistivity than a conventional Cu alloy film, can realize direct connection of low contact resistance to transparent conductive films without forming any barrier metal, and, when applied to a liquid crystal display or the like, can provide a high display quality.例文帳に追加

電気抵抗率が従来のＣｕ合金膜よりも低く、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明導電膜との間で低コンタクト抵抗の直接接続を実現でき、液晶ディスプレイなどに適用した場合に高い表示品質を与えることのできる表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting display panel and its manufacturing method capable of avoiding the occurrence of defects due to adhesion of conductive foreign substance and troubles due to static charge in a manufacturing process for obtaining each display panel by forming a plurality of films on a large-sized glass substrate and separating them by cutting piece by piece.例文帳に追加

大判のガラス基板に対して複数枚分を一度に成膜して個々に切り離すことで、各表示パネルを得る製造工程において、導電性異物の付着による不具合の発生、および静電気によるトラブルを避けることができる発光表示パネルおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

This sheet film package has the container comprising a bottom wall and at least one side walls risen from the bottom wall and the barrier bag for phototightly holding the sheet films and the container and is constituted in such a manner that the interior of the barrier bag is put under a negative pressure.例文帳に追加

底壁と当該底壁から立ち上げた少なくとも１つの側壁とで構成される容器と、前記底壁の上に積層したシートフィルムと、前記シートフィルムと前記容器とを光密に保持するバリヤ袋とを有し、かつ、前記バリヤ袋の中を負圧に構成した事を特徴とするシートフィルム包装体。 - 特許庁

There plurality of dielectric films include a nitride film SIN and an oxide film SIO on the nitride film, and a charge trap distribution in the film thickness direction of a laminated layer consisting of the nitride film and the oxide film localizes in the region around a structure transition layer formed between the nitride film and the oxide film.例文帳に追加

この複数の誘電体膜が、窒化膜ＳＩＮと、当該窒化膜上の酸化膜ＳＩＯとを含み、窒化膜と酸化膜とからなる積層膜内の膜厚方向における電荷トラップ分布が、当該窒化膜と酸化膜との間に形成された構造遷移層を中心とした領域に局在している。 - 特許庁

The gel composition 16 containing chlorine dioxide is filled in a chlorine dioxide permeable polymer film 12 and the polymer films 12 are bonded with each other at the peripheral part of the obtained packaging material 15 to seal the gel composition 16 containing chlorine dioxide in the packaging material 15 and obtain a filled material.例文帳に追加

そして、二酸化塩素透過性の高分子フィルム１２中に、二酸化塩素含有ゲル状組成物１６を充填し、この包装材１５の周縁部の高分子フィルム１２面同士を張り合わせて、二酸化塩素含有ゲル状組成物１６を包装材１５中に密封して充填体を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a first main electrode, a first semiconductor layer, a first-conductive-type base layer, a second-conductive-type base layer, a second semiconductor layer of a first conductive type, buried layers of a second conductive type, buried electrodes, gate insulating films, gate electrodes, and a second main electrode.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、第１の主電極と、第１の半導体層と、第１導電形ベース層と、第２導電形ベース層と、第１導電形の第２の半導体層と、第２導電形の埋め込み層と、埋め込み電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、第２の主電極とを備えた。 - 特許庁

A semiconductor device, which is provided with an integrated injection logic (IIL1) formed on a semiconductor substrate 11 and has the PNP bipolar transistor construction, has a layer at least of insulating films 17 formed on the base region 20 of the PNP bipolar transistor structure being made of a silicon film 16.例文帳に追加

半導体基板１１に形成されたものでＰＮＰバイポーラトランジスタ構造を有してなるインテグレーテッド・インジェクション・ロジック（ＩＩＬ１）を備えた半導体装置において、ＰＮＰバイポーラトランジスタ構造のベース領域２０上に形成された絶縁膜１７のうちの少なくとも１層は窒化シリコン膜１６からなるものである。 - 特許庁

Insulating films 6 with pinholes 5 are respectively arranged on a high-voltage electrode plate 2 and a ground electrode plate 3 arranged to face each other while the gap 4 is arranged between both electrode plates, and surface corona discharge is generated by applying different voltages on the respective electrode plates in order to obtain uniform plasma on the whole surfaces of the electrode plates.例文帳に追加

ギャップ３を設けながら互いに対向するように設けた高圧電極板２とアース電極板３とにピンホール５を有する絶縁性の膜６を設け、それぞれの電極板に異なる電圧を印加することで面コロナ放電を起こし、電極板表面全体に一様なプラズマを得る。 - 特許庁

The phase change type optical recording medium has: a recording film 13 wherein reversible phase changes between a crystalline phase and an amorphous phase occur under irradiation with light; and interface films 12 and 14 formed in contact with at least one surface of the recording film 13 and containing hafnium (Hf), silicon (Si), oxygen (O) and carbon (C).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす記録膜１３と、前記記録膜１３の少なくとも一方の面に接して形成された、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、および炭素（Ｃ）を含有する界面膜１２，１４とを有する相変化光記録媒体。 - 特許庁

In a process for forming the thin-film element composed using the glass substrate for laminating a plurality of thin films, a film for absorbing radiation from a heat source is locally formed at the specific portion of the substrate, on which the thin film element is formed for heat-treating to prevent the substrate from being damaged thermally.例文帳に追加

ガラス基板を用いて複数の薄膜を積層して構成される薄膜素子を形成する工程において、該基板に熱的な損傷を与えることなく行うために、薄膜素子が形成される基板の特定部分に、熱源からの輻射を吸収する被膜を局所的に形成して熱処理を行うものである。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth apparatus that is capable of forming films stably for a long time without giving negative influences on a quality of a semiconductor film even in performing a vapor-phase growing reaction employing a furiously corrosive gas with an elevated temperature for a gallium nitride compound semiconductor or the like so that breaking of wire, etc. of a heater is inhibited.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体のような高温で腐食性の高いガスを用いた気相成長反応を行なう場合であっても、半導体膜の品質に悪影響を与えることなく、ヒータの断線等を抑制することができ、長期間にわたり安定した成膜が可能な気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polymerizable composition exhibiting a liquid crystal phase at temperatures near room temperature, excellent in solvent-solubility, giving thin polymer films obtained by curing the polymerizable composition which film keeps a uniform film state and is excellent in heat-resistance, orientation control and optical properties even when the polymer film is formed to be a thin film.例文帳に追加

室温付近で液晶相を示し、溶媒溶解性に優れる重合性組成物であって、かかる重合性組成物を硬化して得られる重合膜に対し、重合膜を薄膜化しても、均一な膜状態を維持し、耐熱性や配向制御及び光学特性に優れる重合性組成物を提供すること。 - 特許庁

This biologically active substance composition comprises a non-coated biologically active substance and coated biologically active granules which are obtained by coating the surfaces of core material particles containing at least one biologically active substance with coating films containing a resin and contain a volatile substance in a concentration of ≤500 ppm based on the granules.例文帳に追加

１種以上の生物活性物質を含有する芯材粒子の表面を、樹脂を含む被膜で被覆した被覆生物活性粒状物であって、該粒状物に対する濃度が５００ｐｐｍ以下である被覆生物活性粒状物と、被膜で被覆されていない生物活性物質とを配合する。 - 特許庁

A reactor 10 includes a reactor body 11 and a thermally insulated container 20 that houses the reactor body 11, and the insulated container has radiation permeable regions 23, 25 for allowing radiation to pass therethrough, wherein dielectric multilayer films 23b, 25b for reflecting visible light are disposed in the radiation permeable regions 23, 25 respectively.例文帳に追加

反応装置本体１１と、反応装置本体１１を収容する断熱容器２０とを備え、断熱容器２０は輻射線を透過する輻射透過領域２３，２５を有し、輻射透過領域２３，２５には可視光を反射する誘電体多層膜２３ｂ，２５ｂが設けられている反応装置１０である。 - 特許庁

At first, an upper film 5 and a lower film 7 are superposed on the base material 10 to be pressed under heating by a first heating roll 9 in a vacuum tank 4 held to a reduced pressure atmosphere and, subsequently, the upper and lower films 5 and 7 are pressed under heating in an atmospheric pressure atmosphere.例文帳に追加

まず、減圧雰囲気とされた真空槽４内において、第１ヒートロール９によって、上側フィルム５および下側フィルム７を基材１０に重ね合わせた状態で加熱しつつ押圧し、次いで、常圧雰囲気において、第２ヒートロール２によって、上側フィルム５および下側フィルム７を加熱しつつ押圧する。 - 特許庁

To obtain an alicyclic tetracarboxylic acid dianhydride having no absorption in UV region with high light transmission, improved in solubility in solvents and brought to be a raw material monomer for polyimides for optical materials such as liquid crystal oriented films, optical waveguides for optical communications and the like, and provide a method for producing the same.例文帳に追加

紫外線領域に吸収がなく、光透過性が高く、さらに溶媒溶解性が改善された液晶配向膜や光通信用光導波路等の光学材料用ポリイミドの原料モノマーとなり得る脂環式テトラカルボン酸二無水物およびその製造法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Moreover, a protective film 8 that is formed on a pad electrode 7 and provided with an opening that exposes the pad electrode 7 and island-shaped protective films 9 in the opening and an Au bump 11 that is formed on the pad electrode 7 and connected with the pad electrode 7 through the opening of the protective film 8 are provided.例文帳に追加

また、パッド電極７上に形成され、パッド電極７を露出する１つの開口部と、開口部の中に島状保護膜９とを有する保護膜８と、パッド電極７上に形成され、保護膜８の開口部を通してパッド電極７に接続されたＡｕバンプ１１が設けられている。 - 特許庁

To provide a swash plate capable of reducing a coating film forming cost and used for a swash plate type compressor while maintaining reliability to a slide with shoes at a required level or more by forming proper coating films according to respective placed situations to first and second sliding contact surfaces for slidingly contacting with the shoes.例文帳に追加

シューと摺接する第１及び第２摺接面に対して、それぞれの置かれた状況に応じた適切な皮膜形成を行なうことで、シューとの摺動に対する信頼性を要求レベル以上で維持しつつ、皮膜形成コストを削減可能な斜板式圧縮機に用いられる斜板を提供すること。 - 特許庁

A halftone film 11 which transmits exposure light at a low transmittance is formed on the upper region of a transparent substrate 10 except light transmissive portion forming regions (opening forming regions) and perfectly light shielding films 12 are formed on peripheral parts of the opening forming regions in the halftone film 11.例文帳に追加

透過性基板１０における透光部形成領域（開口部形成領域）以外の他の領域の上に、露光光を低透過率で透過させるハーフトーン膜１１が形成されていると共に、ハーフトーン膜１１における開口部形成領域の周辺部の上に完全遮光膜１２が形成されている。 - 特許庁

MS films 3 each having thickness of 30 to 300 nm are sequentially formed, comprising an HC layer 41 mainly composed of an ultraviolet-curing resin provided on one principal plane of a base film 40, a first refraction layer (middle refraction layer) 42 on the HC layer 41, a second refraction layer (lower refraction layer) 43, and a transparent conductive layer 13.例文帳に追加

ベースフィルム４０の一方の主面に紫外線硬化樹脂を主成分とするＨＣ層４１を配設し、その上に第一屈折層（中屈折層）４２、第二屈折層（低屈折層）４３、透明導電膜１３からなる、厚さ３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のＭＳ膜３を順次形成する。 - 特許庁

At least one end of an active element-doped polycrystalline transparent ceramic part 2 is connected to a polycrystalline transparent ceramic part 1 not containing the active element, and optically polished both end faces of connected composite laser medium are covered with dielectric multilayer films 6 and 7 for minimizing reflection losses on surfaces.例文帳に追加

活性元素をドープした多結晶質透明セラミック部分２の少なくとも一つの端部が、活性元素を含まない多結晶質透明セラミック部分１と接合され、この結合された複合レーザ媒質の光学研摩された両端面は、表面の反射ロスを極小化するための誘電体多層膜６、７で被覆される。 - 特許庁

To provide an electroless nickel plating liquid which suppresses the production of deposits to be a cause for changing the properties of the plating liquid after being prepared, during storage or during plating operation, maintains excellent liquid stability for a long time and has excellent corrosion resistance and wettability of solder of nickel plating films.例文帳に追加

無電解ニッケルめっき液の建浴後、保管中又はめっき操作中のめっき液の変質、析出速度の低下又は液の汚染となる析出物の発生を抑制し、長時間に亘って液安定性に優れ、かつニッケルめっき皮膜の耐食性及びはんだ濡れ性に優れた無電解ニッケルめっき液を提供する。 - 特許庁

To provide an end face emitting nitride semiconductor light-emitting element capable of forming a high-dislocation density region and a low-dislocation density region without being affected by surface flatness in a nitride semiconductor growth layer, where a plurality of nitride semiconductor thin films are laminated on a wafer in a plane.例文帳に追加

本発明は、高転位密度領域と低転位密度領域を面内に有するウェーハ上に複数の窒化物半導体薄膜を積層して成る窒化物半導体成長層の表面平坦性の影響を受けることなく作製できる端面出射型の窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

A lower film 24 of the antireflection film 16 is commonly used as a stopper film during patterning, and a distance t1 between an edge of the light-shielding film 17 defined by interleaving a plurality of films 23, 24 of the lower layer of the antireflection film 16 and the semiconductor substrate 2 is set to be smaller than a film thickness t2 of the gate insulating film 13.例文帳に追加

そして、反射防止膜１６のうちの下層の膜２４がパターニングの際のストッパー膜を兼ねており、反射防止膜１６のうちの下層の複数膜２３，２４を挟んで規定される遮光膜１７の端部と半導体基板２との間の間隔ｔ１が、ゲート絶縁膜１３の膜厚ｔ２より小さく設定される。 - 特許庁

The semiconductor device has a capacity element 10 comprising a lower electric electrode 2, a capacity insulating film 3, and an upper electrode 4; and the upper electric pole 4 having a polycrystal structure is constructed with a laminated film that is a laminate of different conductive films 4A, 4B and 4C which are constructed in shape of at least 2 layers or more crystal particles.例文帳に追加

下部電極２と容量絶縁膜３と上部電極４とを備えた容量素子１０を有し、上部電極４は多結晶構造を有して少なくとも２層以上の結晶粒形状の異なる導電膜４Ａ，４Ｂ，４Ｃを積層した積層膜から構成されている半導体装置を構成する。 - 特許庁

N-type impurities are implanted with high consentration into n-type high-concentration impurity regions 37c, 38c of NMOS thin-film transistors having LDD structures, via contact holes 45, 46 respectively for connections of their source-drain electrodes which are formed in an interlayer and gate insulation films 44, 40 provided on the regions 37c, 38c.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＮＭＯＳ薄膜トランジスタのｎ型不純物高濃度領域３７ｃ、３８ｃには、その上に設けられた層間絶縁膜４４およびゲート絶縁膜４０に形成されたソース・ドレイン電極接続用のコンタクトホール４５、４６を介してｎ型不純物が高濃度に注入される。 - 特許庁

This method is applied to a magnetic head 1 where metallic magnetic films 5, 6 are formed on the gap-constituting faces of core halves 2, 3 and track width regulating grooves 9, 10 constituting, a projected magnetic tape working face 11 corresponding to a recording track width are prepared by cutting/machining on a magnetic tape sliding face 8 by means of a grinding stone 50.例文帳に追加

コア半体２，３のギャップ構成面に金属磁性膜５，６が成膜形成されるとともに加工砥石５０により磁気テープ摺動面８に記録トラックの幅に対応した凸状の磁気テープ当り面１１を構成するトラック幅規制溝９，１０が研削加工される磁気ヘッド１に適用される。 - 特許庁

In the order of lamination on an upper surface of a ferrite 20, in both terminal portions of a center electrode 22 in the first layer, electrode thickness is enlarged by charging electrodes 24a, 25a formed within openings 50a, 51a of insulating films 50, 51 formed on the side of an upper surface of both the terminal portions of the center electrode 22 in the first layer.例文帳に追加

フェライト２０の上面への積層順で、第１層目の中心電極２２の両端部は、第１層目の中心電極２２の両端部の上面側に形成された絶縁膜５０，５１の開口部５０ａ，５１ａ内に形成されている充填電極２４ａ，２５ａにて電極厚みが厚くなっている。 - 特許庁

A producing method of a dimming body that includes an electrochromic layer containing an organic electrochromic compound and an electrolyte layer between a pair of conductive films, includes the step for heating the electrochromic layer at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the organic electrochromic compound.例文帳に追加

一対の導電膜の間に、有機エレクトロクロミック化合物を含有するエレクトロクロミック層及び電解質層を有する調光体の製造方法であって、上記エレクトロクロミック層を、上記有機エレクトロクロミック化合物のガラス転移温度以上で加熱する工程を有する調光体の製造方法。 - 特許庁

To provide a ultraviolet ray curing type composition which is useful for forming antifogging coating films, contains a polymerizable compound having a polyethylene glycol chain, hardly oxidatively deteriorates the polyethylene glycol chain, even when exposed to a high temperature environment for a long period, and can hold the excellent anti-fogging property.例文帳に追加

ポリエチレングリコール鎖を有する重合性化合物を含有する組成物であって、長時間高温環境下に曝した場合であってもポリエチレングリコール鎖が酸化劣化し難く、優れた防曇性を長期間保持することができる硬化皮膜を形成可能な防曇性被膜形成用紫外線硬化型組成物を提供する。 - 特許庁

A capacitor insulation film CZ is formed by accumulating a silicon nitride film on wiring Ma applying power source electric potential (VDD) and wiring Mb applying ground electric potential (GND), tungsten films are accumulated on the capacitor insulation film CZ, and a floating electrode FE is formed by etching.例文帳に追加

電源電位（ＶＤＤ）が印加される配線Ｍａおよび接地電位（ＧＮＤ）が印加される配線Ｍｂ上に窒化シリコン膜を堆積することによりキャパシタ絶縁膜ＣＺを形成し、このキャパシタ絶縁膜ＣＺ上にタングステン膜を堆積し、エッチングすることによりフローティング電極ＦＥを形成する。 - 特許庁

A VIPA optical element 10 which is provided with a multilayer reflecting film 11 and a multilayer antireflective film 12 on one surface and with a translucent multilayer reflecting film 14 on the other surface is provided with a stress correcting film 16 to adjust imbalance of stress between multilayer films on both the surfaces.例文帳に追加

透明平板１３の一方の面に、多層全反射膜１１と倒す反射防止膜１２が設けられ、他方の面に半透明多層反射膜１４が設けられたＶＩＰＡ光素子１０において、両面の多層膜の応力の不均衡を調整するために、応力補正膜１６を設ける。 - 特許庁

The peeling agent which contains hydrogen peroxide, an alkali hydroxide and aminocarboxylates and peels the Ti-base films formed on the surface of the sintered hard material contains 1 to 10 mass% at least one among tartrate, such as sodium tartrate and benzoate, such as sodium benzoate.例文帳に追加

過酸化水素、水酸化アルカリ及びアミノカルボン酸塩を含み、超硬材の表面に形成されたＴｉ系被膜を剥離する剥離剤であって、酒石酸カリウムナトリウム等の酒石酸塩及び安息香酸ナトリウム等の安息香酸塩のうちの少なくとも一種を１〜１０ｍａｓｓ％含有することを特徴とする。 - 特許庁

Grooves 2a are formed in device isolation regions in a substrate 1 by dry etching using silicon nitride films 14 and side wall spacers 16 as masks.例文帳に追加

窒化シリコン膜１４とサイドウォールスペーサ１６とをマスクにしたドライエッチングによって、素子分離領域の基板１に溝２ａを形成した後、窒化シリコン膜１４の側壁のサイドウォールスペーサ１６を除去し、次いで、基板１を熱酸化することによって、活性領域の周辺部の基板１の表面をラウンド加工し、凸状の丸みが付いた断面形状とする。 - 特許庁

To obtain a new benzotriazole mother nucleus-having benzotriazole derivative which is used as a raw material (monomer) for synthesizing polymer ultraviolet light absorbents having high ultraviolet light absorbability and having good compatibility with resins for films, and the like, and to provide a method for synthesizing the benzotriazole derivative in high purity and in high yield.例文帳に追加

紫外線吸収性が高く、フィルム等の樹脂に対する相溶性も良好な高分子紫外線吸収剤の合成原料（単量体、モノマーともいう）として用いられる、新規なベンゾトリアゾール母核を有するベンゾトリアゾール誘導体及び、その高収率、高純度な合成方法を提供する。 - 特許庁

In this electronic emitter, many metal catalyst fine particles 4, having an almost uniform grain size for growing a carbon film, are arranged on a substrate 2, and carbon films 6 for emitting electrons are grown on many metal catalyst fine particles 4 reflecting the particle shapes of the metal catalyst fine particles 2.例文帳に追加

本電子エミッタは、基板２上にほぼ均等な粒径を有するカーボン膜成長用の金属触媒微粒子４が多数配置され、多数の金属触媒微粒子４上に電子放出用カーボン膜６が金属触媒微粒子２の粒子形状を反映した形状に成長していることを特徴とするものである。 - 特許庁

After impurities that accelerate thermal oxidation are selectively introduced onto a silicon substrate surface by ion implantation or the like, the silicon substrate onto which the impurities are introduced is subjected to oxidation (dilution oxidation), oxynitriding or reoxidation continuously to form a plurality of kinds of gate insulating films having different film thicknesses on a semiconductor chip.例文帳に追加

シリコン基板表面に選択的に、熱酸化を増速させる不純物をイオン注入等で導入した後、上記不純物を導入したシリコン基板の酸化（希釈酸化）、酸窒化あるいは再酸化を連続して行い、半導体チップ上で膜厚の異なる複数種のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Then, between the first semiconductor film and second semiconductor film forming the semiconductor multilayer film 3, the concentration of impurities contained in the first semiconductor film is made to be different from the concentration of impurities contained in the second semiconductor film to give those two semiconductor films a difference in refractive index.例文帳に追加

そして、半導体多層膜３を構成する第１の半導体膜及び第２の半導体膜のうち、第１の半導体膜に含まれる不純物の濃度と第２の半導体膜に含まれる不純物の濃度を変えることで、それら２つの半導体膜に屈折率差をもたせた構成となっている。 - 特許庁

Output end parts of the output waveguides are provided with optical films which reflect light at a specific wavelength and suppress reflection of light at wavelengths other than the specific wavelength, and the output end part of at least one output waveguide is subjected to end surface treatment obliquely to the output waveguide.例文帳に追加

出力導波路の出力端部には、特定の波長の光に対しては光を反射し、特定の波長以外の波長の光に対しては光の反射を抑制する光学膜が設けられ、出力導波路の少なくとも１つの出力端部が出力導波路に対して斜めに端面処理される。 - 特許庁

To obtain a coating composition capable of reducing the removal rate of nitrogen oxides as nitric acid, having excellent storage stability and capable of forming coating films having excellent coating film characteristics such as coating film appearance and weather resistance by combining a photocatalyst component with a specific organosilane component.例文帳に追加

配合される光触媒成分としての二酸化チタンの還元活性を高め、空気中の窒素酸化物が硝酸として除去される比率を低減でき、しかも保存安定性に優れ、かつ塗膜外観、耐候性、耐熱性等を含めた一般の塗膜性能に優れたコーティング用組成物を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical waveguide device further includes steps of applying a photoresist to the Si film, patterning the photoresist so that a portion of the photoresist corresponding to the optical waveguide remains, forming a groove on the substrate along the optical waveguide by reactive ion etching, and removing the photoresist and the Si films.例文帳に追加

光導波路デバイスの製造方法は更に、Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、光導波路に対応する部分のフォトレジストが残るようにフォトレジストをパターニングし、反応性イオンエッチングにより、光導通路に沿って基板に溝を形成し、フォトレジスト及びＳｉ膜を剥離するステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide a cellulose ester resin modifier imparting excellent moisture permeation resistance and high Rth (retardation value) to films comprising a cellulose ester resin, excellent in bleeding resistance on high temperature and high humidity conditions and hardly volatilizing in production steps, and to provide a cellulose ester film containing the modifier.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、セルロースエステル樹脂からなるフィルムに優れた耐透湿性及び高Ｒｔｈを付与でき、高温多湿下での耐ブリード性に優れ、かつ製造工程で揮発しにくいセルロースエステル樹脂用改質剤、及びそれを含有してなるセルロースエステルフィルムを提供することである。 - 特許庁