「In Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

In the base isolation/damping device 1, an exposed surface of a rubber member 4 comprising, for example, diene-based highly damping rubber is coated with a coating rubber layer 5 comprising the coating rubber composition.例文帳に追加

免震・制震装置１は、例えばジエン系高減衰ゴムからなるゴム部材４の露出した表面を、前記被覆ゴム組成物からなる被覆ゴム層５で被覆した。 - 特許庁

To keep inter-port isolation high by making a frequency band changeable by a control voltage, miniaturizing the whole apparatus, and keeping insertion loss in a switch low, etc.例文帳に追加

制御電圧で周波数帯域を切り換え可能とし、装置全体の小型化を図り、またスイッチ等の挿入損失を低く抑え、ポート間のアイソレーションを高く保持すること。 - 特許庁

To provide a cascode-connected amplifier circuit which can securely be stopped from operating by an easy means and can be improved in isolation.例文帳に追加

カスコード接続増幅回路の動作を、容易な手段によって確実に停止させることができ、アイソレーションの改善を図ることが可能であるカスコード接続増幅回路を実現する。 - 特許庁

To provide a repeatedly usable base isolation damper capable of properly damping this to relative displacement of an upper structure and a lower structure in an earthquake.例文帳に追加

地震時における上部構造物と下部構造物の相対変位に対してこれを適正に減衰させることができる、反復使用が可能な免震ダンパーを提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of effectively reducing links in order to evade concentration of links to a specified node and also evading the isolation of nodes.例文帳に追加

本発明は、特定のノードへのリンクの集中を避けるために、リンクを効果的に削減し、かつ、ノードの孤立を避けることが可能な技術を提供するものである。 - 特許庁

To provide a pad for grating having higher sound isolation effectiveness and higher safety by greatly improving rattling of the grating and, at the same time, excellent in durability.例文帳に追加

グレーチングのがたつきを大幅に改善してより高い防音効果及び安全性を有するともに、耐久性に優れたグレーチング用パッドを提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a vibration isolation device in which attaines not only a manufacturing cost reduction but also a space-saving as well as an easy detachment brought about by thinning and flattening an abutting member.例文帳に追加

製造コストを低減するだけでなく、当接材を薄くフラット化することにより着脱を容易にすると共に省スペース化を達成する防振装置を得る。 - 特許庁

A conductive film 9 as a semiconductor element, formed of the same material as that of the conductive film 9 as the floating gate electrode, is embedded in an element isolation part 6.例文帳に追加

そして、フローティングゲート電極としての導電膜９と同一材料の、半導体素子としての導電膜９が素子分離部分６に埋め込まれている。 - 特許庁

To obtain a method for fabricating a semiconductor device having good characteristics where junction leak current is low and no parasitic transistor is generated in the isolation trench.例文帳に追加

接合リーク電流が小さく、素子分離溝に寄生トランジスタが生成しないようにした、良好な半導体装置特性を備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The well region 332 is isolated in a band-like state by an element isolation region 316 and the N-type deep well region 331, and functioned as bit lines.例文帳に追加

Ｐ型の浅いウェル領域３３２は素子分離領域３１６およびＮ型の深いウェル領域３３１によって帯状に分離され、ビット線として機能する。 - 特許庁

To form a high quality element isolation region in a short time and reduce the size thereof.例文帳に追加

高品位な素子分離領域を短時間で形成することができると共に、素子分離領域の縮小化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A vibration isolation device 1 is structured by connecting a pair of bearing plates 10 and 10, which are to be fitted to a rammer body 3 and a handle 4, by an elastic body 30 in a manner of facing each other.例文帳に追加

ランマー本体３とハンドル４とに取り付ける一対の支持プレート１０，１０を弾性体３０で対向状に連結して防振装置１を構成する。 - 特許庁

To maximize the amount of horizontal deformation under high bearing pressure in a laminated rubber type base isolation device A having a coated part 10 on the outer peripheral side of a laminated part 5.例文帳に追加

積層部５の外周側に被覆部１０が設けられた積層ゴムタイプの免震装置Ａに対して、高面圧下おける水平方向変形量を出来る限り大きくする。 - 特許庁

To secure both base-isolation performance and stability to strong wind by employing a tension-changeable spring for a mooring device comprising a spring member in a float type base-isolated structure.例文帳に追加

浮体式免震構造物のばね部材による係留装置に、張力が可変自在なばねを採用して、免震性と強風時に対する安定性の両方を確保する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device the transistor characteristics of which are hardly deteriorated due to the reduction of a film thickness in an element isolation region without complicating a process.例文帳に追加

プロセスを複雑化することなく、素子分離領域の膜減りによるトランジスタ特性の悪化が生じにくい半導体装置の製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁

Between an inner cylinder 12 and an outer cylinder 14, the coupled part formed by a vibration-isolation base body 16 is provided to the center part in an axial direction, wherein a spatial part is provided to the both ends of the coupled part.例文帳に追加

内筒１２と外筒１４との間において、軸方向中央部に防振基体１６による結合部を設け、その両側に空間部を設ける。 - 特許庁

Since an isolation trench GRV is formed between a plurality of photodiodes PD1, PD2 in the photodiode array, crosstalks among respective photodiodes can be suppressed.例文帳に追加

このホトダイオードアレイによれば、複数のホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２間に素子分離用のトレンチ溝ＧＲＶが形成されているので、各ホトダイオード間のクロストークを抑制できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a junction leakage due to silicidation is prevented by suppressing formation of a divot (depression) on an interface between an active region and a device isolation insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、活性領域と素子分離絶縁膜の界面に形成されるディボット(窪み)を抑制して、シリサイド化による接合リークの発生を防止する。 - 特許庁

Thereby, the step between the fifth oxide film and the sixth oxide film is minimized, and generation of residue in a trench isolation part is prevented.例文帳に追加

これにより、第５酸化膜４と第６酸化膜２６との間の段差が可及的に少なくなり、トレンチアイソレーション部に残さが発生しないようにすることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that makes it possible to secure controllability of a width of an STI insulating layer for element isolation while controlling a depression in a trench.例文帳に追加

トレンチの窪みを抑制し、かつＳＴＩの素子分離のための絶縁層の幅の制御性を確保することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To contribute to improvement in device characteristics by making it possible to set a resist size difference between an element formation region and an element isolation region during ion injection to be a desired value or below.例文帳に追加

イオン注入時における素子形成領域と素子分離領域とのレジスト寸法差を所望の値以下とすることができ、デバイス特性の改善に寄与する。 - 特許庁

To provide a base isolation device restricted in the amount of flexure to zero or a small value up to a predetermined load and exhibiting the base isolating effect to a certain value or more of load.例文帳に追加

所定の荷重まではたわみ量が無いか、あるいは、小さく、一定値以上の荷重に対しては免震作用を発揮させる免震装置を提供すること。 - 特許庁

Since the ONO film is separated completely in units of memory element cell, erroneous operation of the element due to interference between adjacent memory cells can be avoided at the time of isolation operation.例文帳に追加

ＯＮＯ膜がメモリ素子セル単位で完全に分離され、これにより、素子分離動作時隣接したメモリセルの間の干渉による素子誤動作を避けることができる。 - 特許庁

Since the power of a part giving no bad influence on productivity of the image forming apparatus is reduced, power consumption is reduced in isolation while maintaining the high processing speed.例文帳に追加

画像形成装置の生産性に悪影響を与えない箇所の電力が削減されるので、高い処理速度を維持しつつ孤立的に消費電力が削減される。 - 特許庁

To provide a method of forming a high-reliability element isolation structure capable of filling a field insulating film even in a narrow trench having a large aspect ratio without a failure.例文帳に追加

アスペクト比の大きな狭幅のトレンチ内にもフィールド絶縁膜を不良無く充填することが可能な、信頼性の高い素子分離構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

The QoS function includes a service such as event sequencing, event-isolation, high-availability, event-filtering, or flow-control generally needed in a clustered event processing database system.例文帳に追加

ＱｏＳ機能は、クラスタ化されたイベント処理データベース・システムで一般に必要とされるイベント順序付け、イベント分離、高可用性、イベント・フィルタリング、フロー制御のようなサービスを含む。 - 特許庁

In the channel width direction D, the semiconductor device has a semiconductor region (silicon region 20) connecting the pair of diffusion regions 5 between the gate groove 4 and element isolation region 3.例文帳に追加

チャネル幅方向Ｄにおいて、ゲート溝４と素子分離領域３との間に、一対の拡散領域５を繋ぐ半導体領域（シリコン領域２０）を有している。 - 特許庁

As the inorganic layered compound is not modified with an organic substance, the adhesive layer 4 hardly induces modification or the like by isolation of an organic substance, which prevents decrease in the adhesive force.例文帳に追加

無機層状化合物が有機物で修飾されていないため、有機物の遊離による粘着剤層４の変性等が生じにくく、粘着力が低下しにくい。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing composition accelerating removal of silicon oxide and silicon nitride used in the final process of a 3-process CMP-STI (Chemical Mechanical Polishing-Shallow Trench Isolation) method.例文帳に追加

３工程ＣＭＰ−ＳＴＩ法の最終工程で使用するための、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の両方の除去を促進するケミカルメカニカル研磨組成物を提供する。 - 特許庁

In this case, since the gate insulation film 3 is covered with the lamination film, no abrasion of the gate insulation film 3, namely weakening occurs even on an element isolation insulation film 2.例文帳に追加

このとき、ゲート絶縁膜３は積層膜に覆われているため、素子分離絶縁膜２上であっても、ゲート絶縁膜３の減耗、即ち後退は生じない。 - 特許庁

To ensure a miniature low insertion loss 2 port non-reciprocal circuit element and a communication apparatus capable of freely adjusting isolation characteristics in accordance with a required specification.例文帳に追加

要求仕様に合わせてアイソレーション特性を自由に調整することができる小型で低挿入損失の２ポート型非可逆回路素子及び通信装置を得る。 - 特許庁

To prevent a hump from occurring in the Id-Vg characteristics of a transistor due to the fact that a gate electrode is sneaked to a recess formed on the side of a trench isolation insulating film.例文帳に追加

トレンチ分離絶縁の側部に形成される掘れ下がり部にゲート電極が回り込んで、トランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性にハンプが生じるのを防止する。 - 特許庁

The intrinsic base layer 50 is disposed on the collector layer 3 surrounded by an isolation layer 4, and an N-type impurity layer 30 is formed in a surface portion of the collector layer 3.例文帳に追加

真性ベース層５０は、分離層４に囲まれたコレクタ層３上に配置され、コレクタ層３の表面部に、Ｎ型不純物層３０が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element, capable of suppressing degradation of element characteristics by controlling the occurrence of a lacking in an element portion at the time of performing an element isolation.例文帳に追加

素子分離する際に、素子部に欠けが発生するのを抑制することによって、素子特性の低下を抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To early find a wafer of element isolation level difference abnormality and to control a polishing amount in a CMP process to an appropriate size by a simple configuration and with good accuracy.例文帳に追加

素子分離段差異常ウェハの早期発見を可能とし、ＣＭＰ工程における研磨量を簡便な構成でしかも精度良く適切な大きさに制御する。 - 特許庁

To restrain projection structure formation in the selective growth of a semiconductor layer using a mask at manufacturing an optical semiconductor integrated device with an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域を有する光半導体集積装置の製造において、マスクを使った半導体層の選択成長時における突起構造の形成を抑制する。 - 特許庁

The isolated parameter calculating part 30 calculates a parameter inherent to a plurality of areas whose sizes are different from one another in order to calculate an isolation amount of a pixel value from the BDT.例文帳に追加

孤立パラメータ算出部３０は、ＢＤＴから画素値の孤立量を算出するために、そのサイズが互いに異なる複数の領域に固有のパラメータを算出する。 - 特許庁

A first lubricating oil passage 2b communicating an isolation space 9a demarcated by a lip seal 10 and the slide bearing 7 with a crank chamber 5 is formed in a front housing 2.例文帳に追加

フロントハウジング２には、リップシール１０と滑り軸受７とで区画された隔離空間９ａと、クランク室５とを連通する第１潤滑オイル通路２ｂが形成されている。 - 特許庁

As a result, the unevenness of the shape of an element isolation groove in the L4, L5 and L6 is reduced, and a threshold voltage difference of the MISFET pair can be suppressed.例文帳に追加

その結果、Ｌ４部、Ｌ５部およびＬ６部における素子分離溝の形状のばらつきが低減し、ＭＩＳＦＥＴ対のしきい値電圧差を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a wavelength multiplexed light coupler which has high isolation while reducing reflection loss of incident light and is small in size and inexpensive, and to provide a manufacturing method of the wavelength multiplexed light coupler.例文帳に追加

入射光の反射損失を低減しつつ高いアイソレーションを有し、かつ小型で安価な波長多重光カプラおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An inductor 9 and switches 5-8 are arranged and a capacity component at the time of turning off the switches 1-4 and the inductor 9 are resonated in parallel to improve isolation characteristics.例文帳に追加

インダクタ９とスイッチ５〜８を配置し、スイッチ１〜４のオフ時の容量成分とインダクタ９とを並列共振させることによってアイソレーション特性を高める。 - 特許庁

A protection layer 9 is formed at the end on the side of the element isolation insulating film in the source drain layer 8 so as to prevent the formation of an alloy layer at the end thereof.例文帳に追加

ソース・ドレイン層８における素子分離絶縁膜２側の端部には、当該端部における合金層の形成を防止する保護層９が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a wide trench isolation region is formed which does not hollow the silicon substrate, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

広幅トレンチ分離帯を形成しても、シリコン基板のえぐれが生じないトレンチ分離帯を形成する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The multi-beam semiconductor light-emitting device 10 comprises a plurality of semiconductor light-emitting elements 16 integrated monolithically or in hybrid manner on the same substrate 12 via an isolation groove 14.例文帳に追加

本装置１０は、同一基板１２上に分離溝１４を介してモノリシックに又はハイブリッドに集積された複数個の半導体発光素子１６を備えている。 - 特許庁

In this semiconductor device, an isolation region 17 is formed at a central region at substantially equal distances from a pair of gate regions 9 for the trenches 7.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、トレンチ７に対し、一対のゲート領域９からほぼ同等の距離である中央領域に分離領域１７を形成する。 - 特許庁