「In Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

A crane 1 for carrying the equipment is installed on a crane foundation 20 having base isolation function, and the equipment 3 is carried out of and carried in a carried-out/carried-in position by using the crane for carrying the equipment.例文帳に追加

免震機能を備えたクレーン基礎２０の上に機器搬出入用のクレーン１を据付け、この機器搬出入用のクレーン１を使用して機器３を搬出入場所へ搬出入する。 - 特許庁

In the case the vibration isolation device 25 is applied to the new gravestone 1, a bracket 29 is used, and in the case it is applied to the existing gravestone 71, a receiving metal frame 75 and a supporting structure 73 are used.例文帳に追加

またこの免震装置２５を新設の墓石１に適用する場合には受け金物２９を使用し、既設の墓石７１に適用する場合には、受け金枠７５と支持構造７３を使用した。 - 特許庁

A semiconductor apparatus integrates semiconductor devices having multiple SOI-Si layer thicknesses, wherein their height in the device isolation region 13 from the surface of the semiconductor substrate is in effect equal.例文帳に追加

複数のＳＯＩ−Ｓｉ層厚さを有する半導体素子を集積する半導体装置において、その素子分離領域１３の半導体基板表面からの高さが実質的に揃っている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which can improve in-plane uniformity in etching of a processing target substrate and form an element isolation trench having a round and smooth bottom surface.例文帳に追加

被処理基板のエッチングにおける面内均一性を向上させるとともに、丸みのある滑らかな底面を有する素子分離用トレンチを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The image processor comprising an imaging apparatus utilizing laser light is provided, in the machine body 1, with an isolation chamber 8 for containing the imaging apparatus 4 while isolating from other apparatus disposed in the machine body 1.例文帳に追加

レーザー光を利用した画像形成装置を備えた画像処理機において、機体１内に、画像形成装置４を機体１内に配設される他の機材から隔離して収納する隔離室８を設けた。 - 特許庁

This rubber composition for the seismic isolation structure includes ≥2 and <50 mass% of polybutadiene, in a rubber component, in which a content of a 1,4-trans bond is ≥90%.例文帳に追加

ゴム成分中、１，４−トランス結合含有量が９０％以上のポリブタジエンを２質量％以上且つ５０質量％未満含むことを特徴とする免震構造体用ゴム組成物である。 - 特許庁

In deposition polymerization of the polyimide resin film, a monomer, having a hydrophobic group containing a fluorine atom able to exist in isolation from a polymerization reaction, is preferably used as at least one kind of a stock monomer.例文帳に追加

ポリイミド樹脂膜の蒸着重合に際しては、重合反応から孤立して存し得るフッ素原子含有の疎水性基を備えたモノマーを、原料モノマーの少なくとも１種類に用いると良い。 - 特許庁

To provide a damper material for a base isolation device, with excellent handleability as a substitute damper material for lead, excellent in a damping effect, and also excellent in stability without being affected by exterior environment on damping performance.例文帳に追加

鉛代替のダンパー材料として取り扱い性に優れ、制振効果に優れると共に制振性能が外部環境に左右されず、安定性に優れる免震装置用ダンパー材料を提供する。 - 特許庁

The bed for ball type base isolation bearing has a residual displacement recovering depression for bearing the ball in rollable fashion, only in the top center of the bed.例文帳に追加

ボール型免震支承用受け皿において、該受け皿の上面中央部のみにボールを転動可能に支承する残留変位復元用窪部を設けたことを特徴とするボール型免震支承用受け皿。 - 特許庁

A horizontal directional displacement absorbing device 17 for base isolation is arranged in a leg part 5 as a support leg part of a container crane 3, and a vibration damping master damper device 30 is arranged in an upper part of the container crane 3.例文帳に追加

コンテナクレーン３の支持脚部としての脚部５に、免震用水平方向変位吸収装置１７を設けると共に、コンテナクレーン３の上部に、制振用マスダンパー装置３０を設ける。 - 特許庁

Adding to this, the isolation precludes the islands from merging with another local government. On top of this, continuous reduction in national government subsidies and a gradual worsening in employment have revealed the fragility of industries and the economy of the region.例文帳に追加

また、離島ゆえに合併も困難で、国の財政支援は削減の一途を辿っており、雇用情勢も徐々に悪化するなど、地域の産業や経済の脆弱化が顕著に現れていた。 - 経済産業省

A second element isolation insulating layer in a peripheral region includes the first oxide film that is embedded in the entirety of a second element isolation groove in the peripheral region and whose top surface protrudes above the top surface of the semiconductor substrate and a second oxide film that is stacked on the first oxide film and whose top surface protrudes above the top surface of a first conductive film.例文帳に追加

周辺領域の第２素子分離絶縁層は、周辺領域の第２素子分離溝内の全体に埋込まれると共にその上面が半導体基板の上面の上方に突出した第１の酸化膜と、当該第１の酸化膜上に積層され、その上面が第１導電膜の上面より上方に突出している第２の酸化膜とで構成されている。 - 特許庁

The semiconductor element comprises: the recessed channel region formed in a semiconductor substrate while containing the vertical type SOI channel structure which is formed in an active region and the element isolation structure defining the active region and is positioned at the side walls of the element isolation structure on both the sides in the longitudinal direction of the gate region; and a gate structure formed at the upper part of the recessed channel region of the gate region.例文帳に追加

半導体基板内に形成され、活性領域を画成する素子分離構造と活性領域内に形成され、ゲート領域の長手方向で両側の素子分離構造の側壁に位置した垂直型ＳＯＩチャンネル構造を含むリセスチャンネル領域と、ゲート領域のリセスチャンネル領域の上部に形成されるゲート構造物を含む半導体素子及びその製造方法。 - 特許庁

In a step of forming the semiconductor deposition layer 150 having the columnar parts, a predetermined pattern of isolating semiconductor layer 130 is formed in a boundary region of the chip; in a step of forming the embedded insulating layer 120, at least the upper surface of the isolating semiconductor layer 130 is exposed; and in a step of forming the chip, the isolation semiconductor layer 130 is used to realize this isolation.例文帳に追加

そして、柱状部を有する半導体堆積層１５０を形成する工程において、チップの境界領域に所定パターンの分離用半導体層１３０を形成し、埋込み絶縁層１２０を形成する工程において、分離用半導体層１３０の少なくとも上面を露出させ、かつ、チップを形成する工程において、分離用半導体層１３０を用いて前記分離が行われる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of preventing dispersion and fluctuation of the resistance of a resistive element on account of wiring potential in a wiring layer, charges or interface levels in an insulating film, even if a wiring layer runs above the resistance layer, much charges exist in the isolation film coating over the resistance layer, and many interface levels exist in the interface between the isolation film and the resistance layer.例文帳に追加

抵抗層上方を配線層が走り、抵抗層上方を被覆する絶縁膜中に多くの電荷が存在し、絶縁膜と抵抗層との界面に多くの界面準位が存在しても、これら配線層の配線電位や絶縁膜中の電荷や界面準位による抵抗素子の抵抗値のばらつきや変動を防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Before the sample is introduced to the isolation column in the liquid chromatograph, the sample is held and concentrated in a monolithic solid-phase extraction column (a monolithic column) which has a multiple continuous hole communicating with a sample introduction valve or which is porous, and the sample is introduced to the isolation column after the sample band has been narrowed.例文帳に追加

液体クロマトグラフィーの分離カラムに試料を導入する前に、試料導入バルブに連通した多連続孔を持つ、又は多孔質である一体型の固相抽出カラム（モノリシックカラム−Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｃｏｌｕｍｎ）に試料を保持・濃縮し、試料バンドを狭くしてから分離カラムに導入することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an isolator for electrodes in electrolytic equipment for a stainless steel strip where the phenomenon that, caused by the sludge of a neutral salt deposited on the side face of the lower insulation member in each electrode, the reduction of the isolation resistance between each electrode and each electrode seat receiving the same can be effectively checked, and the exchanging period of each isolation member arranged around each electrode can be elongated.例文帳に追加

電極の下部絶縁部材の側面に堆積する中性塩のスラッジに起因して、当該電極とそれを受ける電極座間の絶縁抵抗が下がるのを効果的に阻止することができ、電極周りに配置される絶縁部材の交換周期を延長できるステンレス鋼帯の電解設備における電極の絶縁装置を提供する。 - 特許庁

A thermal isolation device (10) for a gas turbine combustor assembly includes a plurality of substantially flat plates (24, 26, 28) secured in spaced relationship by a plurality of columns (12, 14, 16), at least one column incorporating a bolt hole (18) for use in securing the thermal isolation device between a pair of combustor components (40, 42).例文帳に追加

ガスタービン燃焼器アセンブリの断熱装置（１０）は、複数の柱状部（１２、１４、１６）により互いに離間する関係で固着された複数のほぼ平坦な板（２４、２６、２８）を具備し、少なくとも１つの柱状部は、断熱装置を一対の燃焼器構成要素（４０、４２）の間に固着するときに使用するためのボルト穴（１８）を含む。 - 特許庁

An underground vibration isolation wall 3 is constructed by: excavating a filling section K to install the underground vibration isolation wall 3 in the ground; and filling the filling section K with bag bodies 5 containing a material made of bentonite in a granular state adjusted to have a prescribed effective dry density of bentonite with respect to the filling section K or a material made of a mixture of the bentonite and aggregate.例文帳に追加

地中防振壁３を設置する充填部Ｋを地盤中に掘削し、その充填部Ｋに対して所定のベントナイト有効乾燥密度となるように調整したベントナイト粒状態の材料、又はベントナイトと骨材の混合物の材料を袋体５に詰めたものを、充填部５に充填することで地中防振壁３を構築する。 - 特許庁

An insulating film 15 is formed on the photoelectric converter 21; and a silicide layer 16 is formed in an area excluding on the boundary between the insulating film 15 and the element isolation area 14, and between the floating diffused layer 22 and at least the element isolation area 14; as well as in an area including on a source area, a drain area, and a gate electrode of the MOS transistor.例文帳に追加

光電変換部２１の上には、絶縁膜１５が形成され、絶縁膜１５及び素子分離領域１４並びに浮遊拡散層２２の少なくとも素子分離領域１４との境界部分の上を除き且つＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域及びゲート電極の上を含む領域にはシリサイド層１６が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reverse blocking insulated-gate bipolar transistor having low ON-voltage and low switching loss characteristics whereby a high temperature heat treatment time under atmosphere of an oxygen required for forming an isolation layer can considerably be reduced, and the isolation layer can be formed without newly bringing in oxygen working as a cause to variations in the impurity concentration profile of a drift layer.例文帳に追加

分離層形成に必要な酸素雰囲気中で高温熱処理時間を大幅に短縮でき、ドリフト層の不純物濃度プロファイル変動の原因となる酸素を新たに取り込むことなく分離層を形成できる低オン電圧、低スイッチング損失特性を備える逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

In receiving coils 30 and 31 for the MRI apparatus for imaging with at least two receiving coils of the same shape disposed in parallel or in series, the isolation is always to be kept optimal even when the shape of the receiving coils is changed.例文帳に追加

二つ以上の同じ形状の受信コイルを並列もしくは直列に並べて撮像するＭＲイメージング装置用受信コイル３０，３１にあって、受信コイル形状が変化しても常にアイソレーションは最適に保つようにする。 - 特許庁

As the result, the silicon wafer 20 can be prevented from warping more after a device process is carried out, and a transfer trouble or the like occurring in the laminated dielectric isolation wafer due to a warpage increase in the silicon wafer 20 can be reduced in frequency of occurrence.例文帳に追加

その結果、デバイス工程後のシリコンウェーハ２０の反りの増大を防止でき、よってシリコンウェーハ２０の反りの増大を原因とした貼り合わせ誘電体分離ウェーハの搬送トラブルなどの発生頻度を低減できる。 - 特許庁

The oxide film 13 in a logic section is formed, in contact with the lower surface of a first diffusion region 22 and away from the element isolation insulating film 11, in a region below a gate electrode 21 and a first diffusion region 22.例文帳に追加

ここで、ロジック部の埋め込み酸化膜１３は、第１の拡散領域２２の下面に接してかつ素子分離絶縁膜１１と離間して、ゲート電極２１及び第１の拡散領域２２の下方の領域に形成されている。 - 特許庁

Consequently, the second gate insulating film is left nearby the device isolation insulating film in the first active region and in the entire second active region, so a divot is not formed or formed in a small size even when formed.例文帳に追加

これにより、第１の活性領域の素子分離絶縁膜近傍、並びに第２の活性領域の全体では、この第２のゲート絶縁膜が残っているため、ディボットが生じることがないか、生じたとしてもサイズが小さくなるのである。 - 特許庁

To form a device in a comparatively simple structure, to facilitate even installation and to reduce manufacturing cost and construction cost in a small-stroke vibration isolation device, by which an object to be vibration- isolated is vibrated in approximately the same phase as a supporting structure.例文帳に追加

免震対象物が支持構造体とほぼ同位相で振動するようにした小ストローク免震装置において、装置を比較的簡単な構造とし、取付けも容易とし、製作コストおよび施工コストの低減を図る。 - 特許庁

After an embedded insulating film is formed by an HPP-CVD method in such a way as to embed the insulating film in the trenches 2, the insulating film on the parts other than the interiors of the trenches 2 is removed to form trench element isolation regions 3 in the substrate 1.例文帳に追加

トレンチ２に埋め込むようにして、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により埋め込み絶縁膜を形成した後、トレンチ２の内部以外の部分の埋め込み絶縁膜を除去してトレンチ素子分離領域３を形成する。 - 特許庁

To prevent variations in gate resistance caused by the fact that polysilicon of the gate cannot be extracted because of variations in height of the active region and the element isolation region in a transistor which is fabricated by gate-last process.例文帳に追加

ゲートラストプロセスで作製するトランジスタにおいて、活性領域と素子分離領域の高さばらつきのためゲートのポリシリコンを抜くことができないことにより、ゲートの抵抗にばらつきが生じるのを防ぐことを目的とする。 - 特許庁

Accordingly, a silicon interface state (Qss) in the vicinity of the channel isolation region 29 on the surface of the n-type silicon substrate increases, and holes or minority carriers in the n-type silicon substrate disappear in the region.例文帳に追加

したがって、上記Ｎ型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域２９近傍のシリコン界面準位(Ｑss)が増大し、Ｎ型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁

The present invention is adapted to provide POTS emulation services using existing fault isolation mechanisms in POTS and also provides POTS emulation for topologies in VoIP environments in the scope of FTTx.例文帳に追加

本発明は、ＰＯＴＳ上の既存の障害分離機構を使用してＰＯＴＳエミュレーションサービスを提供するように構成され、またＦＴＴｘの範囲内のＶｏＩＰ環境のトポロジーのためのＰＯＴＳエミュレーションをも提供する。 - 特許庁

The gate groove 4 has a shape of its opening end 4a defined by the element isolation region 3 in a channel-width direction, and is formed so as to be in contact with the pair of diffusion regions 5 respectively in a channel length direction E.例文帳に追加

ゲート溝４は、チャネル幅方向Ｄではその開口端４ａの形状が素子分離領域３により画定され、且つ、チャネル長方向Ｅでは一対の拡散領域５にそれぞれ接するように形成されている。 - 特許庁

In this way, the floor pallet 8 can be moved following the base isolation building body 1, in an earthquake or the like, and such conventional disadvantageous problems that inflow of rainwater caused by digging down the foundation ground or in making use of space can be solved.例文帳に追加

これにより、地震時等に於いては、床パレット８を免震建物本体１に追随して移動させることが出来、従来のような基礎部分の掘り下げによる雨水流入や空間利用上の不利の問題も解決出来る。 - 特許庁

Thus, the composite filter in which electric isolation is contrived is obtained, in addition, mounting area is drastically reduced in comparison with a case of mounting the SAW filter, the MCF and an oscillator as individual components, and size reduction and cost reduction of the dual mode cellular phone are realized.例文帳に追加

これにより、ＳＡＷフィルタとＭＣＦと振動子とを個別の部品として実装した場合に比べて実装面積を大幅に縮小することができ、デュアルモード携帯電話機の小型化と低コスト化が実現する。 - 特許庁

The through-hole structure in a printed circuit board 1 is characterized in that a through-hole 2 is electrically isolated into a first part 8 connected with a conductor and a second part 7 in the other part by providing an isolation slot 4.例文帳に追加

プリント配線板１におけるスルーホール構造において、スルーホール２を、導体が接続された第１の部分８と、それ以外の第２の部分７とに、分離用スロット４により電気的に分離してなることを特徴とする。 - 特許庁

In this base isolation rubber laminated body 1 constituted by laminating a plurality of rubber layers 2 and steel plates 3 alternately in the vertical direction, a plurality of cavities 4 are arranged by dispersing them in the inside of at least one layer among the rubber layers 2.例文帳に追加

複数のゴム層２と鋼板３とを上下方向に交互に積層させてなる免震ゴム積層体１において、ゴム層２のうちの少なくとも１層の内部に、複数の空隙４を分散するように配置した。 - 特許庁

Not only a building body (26) is supported onto a foundation in a base isolation manner through seismically isolated elements (22) but also the external floor (27) annexed to these elements (22) and building body (26) and the internal floor in dirt-floor specifications such as the built-in garage are supported through the elements (22).例文帳に追加

基礎上に、免震要素(22)を介して建物本体(26)を免震支持するのみならず、これらに付随している外部床(27)や、ビルトインガレージ、土間仕様の内部床についても、これらを免震要素(22)を介して支持する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an element isolator by which a variation in characteristic caused by the film thickness of element isolator can be suppressed or eliminated in small and large areas of an element isolation in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に於ける素子分離部が狭い領域と素子分離部が広い領域とでの、素子分離の膜厚の差に起因した特性のばらつきの発生を抑制または無くすことが可能な素子分離の製造方法を得ること。 - 特許庁

A second groove which is formed in accordance with the formation of a first groove provided so as to surround a light-receiving region and used for element isolation is provided in the light-receiving region, and a conduction wiring for extracting electric charges accumulated in the semiconductor substrate in the light-receiving region is provided in the second groove.例文帳に追加

受光領域内には、受光領域を囲繞して設けた素子分離に用いる第１の溝の形成にともなって形成した第２の溝を設け、この第２の溝内に、受光領域内の半導体基板に蓄積された電荷を取出す導通配線を設ける。 - 特許庁

To provide a support means for a base plate which can be embedded in concrete by placing directly below the base plate without disassembly and avoiding the interference with steel bars placed for reinforcing a foundation column for seismic isolation equipment thereby improving the adjusting work related to the installation or situation of the seismic isolation building.例文帳に追加

免震装置の設置部となる礎柱部の補強用として配筋される鉄筋との干渉を回避することができ、ベースプレートの直下に配設して分解せずにそのままコンクリート中に埋設可能なベースプレートの支持手段を提供し、免震装置の設置作業ないし設置状態に関する調整作業の改善を図る。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes: two wires 14_1, 14_2 extended on a semiconductor substrate 11 mutually in parallel; an inter-layer isolation film deposited by covering the two wires 14_1, 14_2; and the two contact plugs 19_1, 19_2 formed between the two wires 14_1, 14_2 while penetrating through the inter-layer isolation film.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体基板１１上で相互に並行して延在する２つの配線１４_１，１４_２と、２つの配線１４_１，１４_２を覆って堆積された層間絶縁膜と、２つの配線１４_１，１４_２の間で層間絶縁膜を貫通して形成された２つのコンタクトプラグ１９_１，１９_２とを備える。 - 特許庁

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。 - 特許庁

In the main control board, the whole space excluding the space for arraying electronic components is made to be a solid ground pattern, while an isolation line ISO for separating the solid ground pattern inside and outside of a circuit board is provided excepting a current exit part EXT adjacent to the power supply connector CN2, and all connectors are arranged outside the isolation line.例文帳に追加

主制御基板は、電子部品の配置スペースを除く全てのスペースがベタアースとされる一方、電源コネクタＣＮ２に隣接する電流出口部ＥＸＴを除いて、ベアアースを回路基板の内外に分離する隔離ラインＩＳＯが設けられ、全てのコネクタが隔離ラインの外側に配置される。 - 特許庁

In the semiconductor device which includes an HCBT 100 having an N-hill layer 11 on an Si substrate 1 and an open region 21 opened to a shallow trench isolation 6 as an element isolation region surrounding the N-hill layer 11; amorphous Si films 30, 31 having no surface orientation are formed on the open region 21.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上のＮ−ｈｉｌｌ層１１と、Ｎ−ｈｉｌｌ層１１を囲む素子分離領域であるシャロートレンチアイソレーション６に開口されたオープン領域２１と、を備えたＨＣＢＴ１００を含む半導体装置において、オープン領域２１上に面方位のないアモルファスＳｉ膜３０，３１を形成する。 - 特許庁

In the main control board, all space excepting arrangement space of electronic parts is made to be solid grounding, and at the same time, an isolation line ISO for isolating the solid grounding inside and outside a circuit board is provided excepting a current exit part EXT adjacent to the power supply connector CN2, and all connectors are arranged outside the isolation line.例文帳に追加

主制御基板は、電子部品の配置スペースを除く全てのスペースがベタアースとされる一方、電源コネクタＣＮ２に隣接する電流出口部ＥＸＴを除いて、ベアアースを回路基板の内外に分離する隔離ラインＩＳＯが設けられ、全てのコネクタが隔離ラインの外側に配置される。 - 特許庁

A void detector 1 has: a semiconductor substrate on which a plurality of activation regions 11 and a plurality of ditch-type element isolation regions 25 are alternately formed in a striped shape; a plurality of electrodes 41 connected to the surface of the ditch-type element isolation regions 25; and a plurality of interconnections 12a and 12b connected to each of the electrodes 41.例文帳に追加

ボイド検出装置１は、複数の活性化領域１１と、複数の溝型素子分離領域２５とが交互に縞状に形成された半導体基板と、溝型素子分離領域２５の表面に接続される複数の電極４１と、電極４１の各々に接続される複数の配線１２ａ及び１２ｂを備える。 - 特許庁