「In Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To easily and accurately update the operation programs of both microcomputers in an electronic endoscope device adopting a two microcomputer system, and to reduce the number of photocouplers for isolation.例文帳に追加

２マイコンシステムを採用する電子内視鏡装置において、簡易且つ確実に両マイコンの動作プログラムの更新ができ、またアイソレーションのためのフォトカプラの数を大幅に低減できるようにする。 - 特許庁

By reflexing the light generated from an active zone in the thin-film active layer by the isolation layer and the metalized layer formed on the surface of the mesa, luminous efficiency is improved.例文帳に追加

薄膜活性層内の活性ゾーンにより発生した光をメサの表面に形成したアイソレーション層とメタライズ層により反射させることで発光効率を向上させる。 - 特許庁

Since potential variations in the frame-like metallization layer 23 located above the signal conductor 22 can be suppressed, isolation characteristics can be improved between the two signal conductors 22.例文帳に追加

信号用導体22ａの上部に位置する枠状のメタライズ層23に生じる電位変動を抑えることができ、信号用導体22ａ・22ａ間のアイソレーション特性を改善することができる。 - 特許庁

The isolation and identification of an allosteric binding cleft within the HCV NS5B RNA polymerase and its use in the discovery, identification and characterization of inhibitor of same are provided.例文帳に追加

本発明は、更に、ＨＣＶ ＮＳ５Ｂ ＲＮＡポリメラーゼ中のアロステリック結合クレフトの単離および同定、およびその阻害剤の発見、同定および特性決定におけるその使用に関する。 - 特許庁

According to this configuration, since the trench 5a can be formed shallowly, the generation of the dishing in the surface of the isolation insulating film 7 filled to the trench 5a during a CMP can be inhibited.例文帳に追加

本構成によれば、トレンチ５ａを浅く形成することができるため、ＣＭＰの際にトレンチ５ａに充填された分離絶縁膜７表面にディッシングが生じることを抑制できる。 - 特許庁

An epitaxial SiGe layer 16 is formed in a trench formed on the silicon substrate 11 between the element isolation region 12 and the gate electrode 14 by an epitaxial growth method.例文帳に追加

素子分離領域１２とゲート電極１４との間のシリコン基板１１に形成されたトレンチ内には、エピタキシャル成長法によりエピタキシャルＳｉＧｅ層１６が形成されている。 - 特許庁

A plurality of back gate conductive layers 24 are formed so that the insulated isolation of the conductive layers may be mutually carried out by a trench insulating film 23 to a conductive layer 22 in which the connection portion JP_mn is embedded.例文帳に追加

バックゲート導電層２４は、連結部ＪＰ_ｍｎが埋め込まれた導電層２２に、トレンチ絶縁膜２３により互いに絶縁分離されるように複数形成される。 - 特許庁

To provide an operating method of a memory device, in which the reliability of the memory device is unaffected by a bird's beak effect caused by a shallow trench isolation structure, and the operation speed is very high.例文帳に追加

メモリ素子の信頼性が浅いトレンチ隔離構造によって生じるバードビーク効果によって影響されず、動作速度が非常に速い、メモリ素子の動作方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a base isolation structure for absorbing vibration in conjunction with, particularly, earthquake or traffic and improving the durability of works including a building.例文帳に追加

免震構造に係り、特に地震や交通に伴う振動などを吸収して、建物などの工作物の耐久性を高められるようにした免震構造の提供を目的とする。 - 特許庁

To obtain an aqueous dispersion for polishing chemical machinery capable of polishing a film to be processed, or the like, of a semiconductor device at a sufficient rate and useful especially in a step of shallow trench isolation.例文帳に追加

半導体装置の被加工膜等を十分な速度で研磨することができ、特に、微細化素子分離の工程において有用な化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁

To provide a deviation preventing device of a sliding type pile head base isolation device, preventing a structure from overturning exceeding a stroke limit of displacement even in case of a big earthquake.例文帳に追加

大地震の際にも構造物が変位のストローク限界を超えて転覆することを防止することができる滑り方式杭頭免震装置の逸脱防止装置を提供する。 - 特許庁

The plate-like structure of the lowest layer is floatingly arranged on the ground surface by securing base isolation clearance by arranging an opening part for penetrating the towery structures in the plate-like structures of the respective layers.例文帳に追加

各層の板状構造体には塔状構造体が貫通する開口部を設けて免震クリアランスを確保し、最下層の板状構造体を地表面上に浮かせて配置する。 - 特許庁

To shorten a wafer processing step of a reverse blocking IGBT having a step of forming a p-type isolation trench which has an inclined trench in the rear surface and is connected conductively with a p-type collector layer.例文帳に追加

裏面に傾斜溝を有し、ｐ型コレクタ層と導電接続されるｐ型分離溝を形成する工程を有する逆阻止ＩＧＢＴのウエハプロセス処理工程を短縮すること。 - 特許庁

The casing 36 for purging a gas forms a space 37 in isolation from outside air and capable of purging gases, where the space 37 is purged by a gas having different mass number from a measured object element of the sample 9.例文帳に追加

このケーシング３６は、外気と遮断されガスパージ可能な空間３７を形成しており、試料９中の測定対象元素と質量数が異なるガスによってパージされる。 - 特許庁

To provide a base isolation rubber laminated body capable of improving degree of freedom in design by bringing deformation characteristic for tensile force close to deformation characteristic after yielding of solid rubber.例文帳に追加

引張力に対する変形特性を中実ゴムの降伏後の変形特性に近似させることにより、設計の自由度を向上させるようにした免震ゴム積層体を提供する。 - 特許庁

This forming method of an element isolation film 50b is provided with a second spacer P which form acute angle to the upper part of the side surface of a trench 46, at the upper part of the side surface of the trench 46 in contact with a substrate 40.例文帳に追加

基板と接触されるトレンチの側面の上部に、前記トレンチの側面の上部と鋭角を成す第２スペーサを有する素子分離膜の形成方法である。 - 特許庁

Accordingly, when an interlayer insulating film Z is embedded in the gate electrode isolation region GV on the second gate insulating film 7, it may be embedded up to the top face of the second gate insulating film 7.例文帳に追加

このため、第２のゲート絶縁膜７上のゲート電極分離領域ＧＶに対して層間絶縁膜Ｚを埋込むときには第２のゲート絶縁膜７の上面まで埋込めばよい。 - 特許庁

To provide an input/output dielectric isolation type DC-DC converter device capable of utilizing a detection signal with reference to various operational safeties, while suppressing an increase in a circuit burden.例文帳に追加

回路負担の増大を抑止しつつ種々の動作安全性に関する検出信号を利用可能な入出力絶縁分離型ＤＣ−ＤＣコンバータ装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain a stable contact resistance as well as to realize a low junction leakage, without having to carry out compensatory ion implantation in a contact hole, inside which the boundary between a diffusion layer and an element isolation is exposed.例文帳に追加

拡散層と素子分離との境界が内部で露出するコンタクトホールにおいて、補償イオン注入を行わずに低接合リークを実現するとともに安定したコンタクト抵抗を得る。 - 特許庁

This base isolation structure is provided with an energizing means 24 interposed in the vertical direction between both structures 12 and 14, tilting according to horizontal directional relative displacement of these structures, and increasing the relative displacement.例文帳に追加

両構造体１２，１４の間に鉛直方向に介装されて、それらの水平方向の相対変位に伴って傾倒し、その相対変位を増大させる付勢手段２４を設ける。 - 特許庁

To avoid conductive remnants produced in the neighborhoods of trench element isolation regions, avoid short circuits caused by the remnants and improve the properties of a semiconductor device.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域の近傍において導電性の残渣の発生を防止し、残渣の発生に起因する短絡を防止するとともに、半導体装置の特性の向上を図る。 - 特許庁

To provide an ultrafine fiber excellent in industrial continuous productivity, useful for a filter use, an isolation membrane, a clothing use and the like as a web, and especially useful for the use as blood-separating filter.例文帳に追加

工業的な連続生産性に優れ、ウエブとして、フィルター用途、隔離膜用途、衣料用用途等に有用で、特に血液分離フィルター用途として有用な極細繊維を提供する。 - 特許庁

To provide a relative movement automatic return device, capable of constituting a base isolation device and surely preventing the vibration of an earthquake from being transferred to a building by quickly making displacement in the horizontal direction.例文帳に追加

水平方向に速やかに変位して地震の揺れが建物に伝わるのを確実に防ぐことができる免震装置を構成できる相対移動自動復帰装置を提供する。 - 特許庁

To provide a methodology for selective breeding and isolation of lactic acid-producing bacterial strains which possess resistance to anti-microbial agents for application in various type of therapeutic uses.例文帳に追加

抗生物質耐性の乳酸産性細菌株を、種々の型の治療適用における利用のために、選択的に育種および単離するための方法論を提供すること。 - 特許庁

To improve ability of deformation by performing simpler manufacture capable in a vibration damping member for a base isolation structure, and decreasing dispersion of a quality and performance, also spreading a range of plasticizing.例文帳に追加

免震構造用の振動減衰部材を、より簡易に製造可能とし、かつ品質・性能のばらつきを少なくすること、及び塑性化する範囲を広げ、変形能力を向上させる。 - 特許庁

(iv) Initiatives to ensure trust in the nuclear regulatory administration Ensuring transparency, neutrality, and independence, preventing self-isolation and self-righteousness, securing human resources and enhancing expertise, and international activities.例文帳に追加

④原子力規制行政に対する信頼の確保に向けた取組透明性・中立性の確保、独立性の確保、孤立・独善の防止、人材の確保・専門性の向上、国際的な取組 等 - 経済産業省

The semiconductor device 60 comprises the PNP type bipolar transistor 66 wherein elements are isolated by an element isolation region 62 and an insulating well region 64, in a p-type substrate 68.例文帳に追加

本半導体装置６０は、素子分離領域６２及び絶縁ウエル領域６４により素子分離されているＰＮＰ型バイポーラトランジスタ６６をｐ型基板６８に備えている。 - 特許庁

To provide a vibration isolating method, a measuring device for vibration isolation, and a vibration isolating structure, for preventing a projecting part of a ship from resonating in relation to vibration generated by a vibration source of the ship.例文帳に追加

船舶の振動源による振動に対して、その船舶の突起部が共振しないようにするための防振方法，防振用測定装置，及び防振構造を、提供する。 - 特許庁

A sudden emptiness seemed to flow now from the windows and the great doors, endowing with complete isolation the figure of the host, who stood on the porch, his hand up in a formal gesture of farewell. 例文帳に追加

それを見たとたん、開けっぱなしのドアや窓から溢れ出してきた空虚さが、ポーチに立って堅苦しく片手をあげ、別れの挨拶を送る主人の姿を完全に孤立させてしまった。 - F. Scott Fitzgerald『グレイト・ギャツビー』

In order to protect the dielectric against intrusion of hydrogen in following manufacturing processes, a first barrier layer (5) is embedded in the isolation layer (4) and, after formation of the memory capacity, a second barrier layer (10) connected to the first barrier layer (5) is deposited.例文帳に追加

誘電体をさらなる製造工程において水素の侵入から保護するために、アイソレーション層（４）内に第１のバリア層（５）を包埋しかつメモリキャパシタの製造後に、第１のバリア層（５）と結合する第２のバリヤー層（１０）を堆積させる。 - 特許庁

To provide a vibration isolation stand which is easy in assembly and installation with less shaking, and reduces weight or cost in such a way that a structure is made simple basically by arranging longitudinal stand units in parallel and connecting them by a beam member.例文帳に追加

長尺状の架台ユニットを横並びに配置して梁部材により連結する簡易な構造を基本とし、組み立てが容易で重量やコストの削減を図るとともに、ぐらつきが少なく設置作業の容易な防振架台を提供する。 - 特許庁

In this case, the distance c_x between the single trench 162 in the gate width direction of the first transistor 200 and the element isolation insulation film 110 is smaller than the distance a_x between the trenches 162 in the gate width direction of the second transistor 202.例文帳に追加

ここで、第１のトランジスタ２００のゲート幅方向における一つのトレンチ１６２と素子分離絶縁膜１１０との間の間隔ｃ_ｘが、第２のトランジスタ２０２のゲート幅方向におけるトレンチ１６２間の間隔ａ_ｘよりも狭い。 - 特許庁

In the isolation wall 14, a p-type semiconductor wall 141 and an insulator wall 142 are arranged in this order in a direction from a first light receiving region of the first light receiving element 12 to a second light receiving region of the second light receiving element 13.例文帳に追加

この分離壁１４は、第１の受光素子部１２の第１の受光領域から第２の受光素子部１３の第２の受光領域に至る方向にＰ型半導体壁１４１と絶縁体壁１４２とをこの順に配設している。 - 特許庁

The plurality of first transistors Tr1 and the plurality of second transistors Tr2 are provided in the isolation region 20, in such a pattern that the first transistor Tr1, a non-conductive region, the second transistor Tr2 and a non-conductive region are repeated in this order.例文帳に追加

第１トランジスタＴｒ１と非導通領域と第２トランジスタＴｒ２と非導通領域の順序が繰り返されるパターンで、分離領域２０内に複数個の第１トランジスタＴｒ１と複数個の第２トランジスタＴｒ２が配置されている。 - 特許庁

A semiconductor device in an embodiment comprises: a semiconductor substrate; an element region of a memory cell provided on the semiconductor substrate; and an active region and an element isolation region formed in a line-and-space pattern in the element region of the memory cell.例文帳に追加

本実施形態の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたメモリセルの素子領域と、前記メモリセルの素子領域にラインアンドスペースパターン状に形成された活性領域および素子分離領域とを備える。 - 特許庁

A typical configuration of this base-isolated building has an upper part building provided with a pedestal, a foundation provided in a lower part of the upper part building, a base isolation device provided between the pedestal and the foundation, and a height adjusting member nipped in between the base isolation device and the pedestal or the foundation detachably in the horizontal direction to adjust height of the pedestal.例文帳に追加

本発明に係る免震建物の代表的な構成は、架台を備えた上部建物と、前記上部建物の下部に設けられる基礎と、前記架台と前記基礎との間に設けられた免震装置と、前記免震装置と前記架台または前記基礎の間に、水平方向に着脱可能に挟み込んで、前記架台の高さを調整する高さ調整材と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a relay apparatus including: an input output isolation circuit for coupling an input side to an output side in an isolating state and providing an output of an output signal in response to an input signal; and a switching circuit for switching the output terminals in response to the output signal from the input output isolation circuit, and capable of attaining high speed switching to the input signal.例文帳に追加

入力側と出力側とを絶縁状態で結合し、入力信号に応じた出力信号を出力するする入出力絶縁回路と、入出力絶縁回路の出力信号に応じて出力端子間をスイッチングするスイッチング回路とを具備するリレー装置に関し、入力信号に対して高速にスイッチングさせることができるリレー装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the electrophoretic and transfer device 100 equipped with an isolation part 103 on which electrophoretic electrodes 105 and 106 and a first medium 120 are placed, a stripe electrode 108, which has a plurality of electrode regions where the electrodes 105 and 106 insulated from each other are arranged in a voltage applying direction as transfer electrodes, is provided on the isolation part 103.例文帳に追加

電気泳動用の電極１０５および１０６、ならびに、第１媒体１２０を載置するための分離部１０３を備えた電気泳動兼転写装置１００において、分離部１０３上に、転写用電極として、互いに絶縁され、かつ、電極１０５および１０６が電圧を印加する方向に沿って並べられた複数の電極領域を有したストライプ電極１０８を設ける。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an element isolation insulating film formed on a substrate; an element region and a dummy pattern region on the substrate that are partitioned by the element isolation insulating film; a first epitaxial crystal layer formed on the substrate in the element region; and a second epitaxial crystal layer formed on the substrate in the dummy pattern region.例文帳に追加

一実施の形態による半導体装置は、基板上に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜により前記基板上に区画された素子領域およびダミーパターン領域と、前記素子領域内の前記基板上に形成された第１のエピタキシャル結晶層と、前記ダミーパターン領域内の前記基板上に形成された第２のエピタキシャル結晶層と、を有する。 - 特許庁

In communication between the camera 18 and the lens device 22, the signal line where a signal is transmitted is disposed in the interior of the vibration isolation device 20, and when serial communication is performed between the camera 18 and the lens device 22, lens information used for vibration isolation control is acquired from a serial signal line Ls where a serial signal is transmitted by a serial signal fetch circuit 72.例文帳に追加

カメラ１８とレンズ装置２２との間の通信において信号が伝送される信号線が防振装置２０の内部に配置され、カメラ１８とレンズ装置２２との間でシリアル方式の通信が行われている場合には、シリアル信号取込回路７２により、シリアル信号が伝送されるシリアル信号線ＬＳから防振制御に使用するレンズ情報が取得される。 - 特許庁

The adhesive film for a semiconductor wafer processing includes a mold release layer, the adhesive layer, an isolation layer, and the base film in order on a carrier tape, and is used to process the semiconductor wafer, wherein each of the adhesive layer, isolation layer and base film is formed in a wafer shape of substantially the same size with the semiconductor wafer to be processed.例文帳に追加

本発明の半導体加工用接着フィルムは、キャリアテープ上に、離型層、接着剤層、分離層及び基材フィルムをこの順に有してなる、半導体ウェハの加工に用いられる接着フィルムであって、接着剤層、分離層及び基材フィルムが、加工する半導体ウェハと略同一の大きさのウェハ形状に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the production method of a base isolation plug 9 for base isolation device, when a powdery material 2 filled in a mold 3 is clamped to pressure mold two pressure receiving surfaces, the two pressure receiving surfaces of the powdery material 2 are pressure-molded into a shape such that the center is protruded, compared with the periphery, and both the surfaces are then pressure-molded into a planar shape.例文帳に追加

金型３内に充填された粉体材料２を挟み込んで、２面の受圧面を加圧成形し、免震装置用の免震プラグ９を成形するに当たり、粉体材料２の２面の受圧面を、周辺部に比し中央部が突出した形状に夫々加圧成形し、次いで、両面を平面状に加圧成形することを特徴とする免震プラグ９の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming an isolation groove (105) on a semiconductor substrate (101), embedding an embedded insulation film (106) constituted of a single or multiple insulation films in the isolation groove, and annealing the embedded insulation film in a vacuum or inert gas atmosphere equal to or higher than 300°C and lower than 700°C.例文帳に追加

本発明の一形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板（１０１）にアイソレーション溝（１０５）を形成する工程と、前記アイソレーション溝中に単一または複数の絶縁膜からなる埋め込み絶縁膜（１０６）を埋め込む工程と、３００℃以上７００℃未満の真空または不活性ガス雰囲気中で前記埋め込み絶縁膜に対してアニールを行う工程と、を含む。 - 特許庁

In this vibration isolation mount assembly, the second attachment member 16 is fitted in the cylindrical bracket 20 with clearance and fitting rubber 42 under a compressed condition is put in the clearance, the second attachment member 16 and the cylindrical bracket 20 are relatively positioned in the direction perpendicular to the axis.例文帳に追加

筒状ブラケット２０に対して第二の取付部材１６が隙間をもって嵌め入れられるようにすると共に、かかる隙間に圧縮状態で介在せしめられた嵌合ゴム４２によって、第二の取付部材１６と筒状ブラケット２０を軸直角方向で相対的に位置決めするようにした。 - 特許庁

Moreover, a GaN layer 103 is grown in the AlGaN layer 102 at about 1,000°C, so that crystallization can be progressed and phase isolation can be generated in the InAlN layer 101, and a nitride semiconductor in which an In-rich region and an Al rich region coexist can be formed.例文帳に追加

さらに、ＡｌＧａＮ層１０２上にＧａＮ層１０３を約１０００℃の温度で成長させることにより、ＩｎＡｌＮ層１０１の層中で結晶化を進行させるとともに相分離を発生させ、Ｉｎリッチ領域とＡｌリッチ領域とが混在する窒化物半導体を形成する。 - 特許庁