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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > In Isolationの意味・解説 > In Isolationに関連した英語例文

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In Isolationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3112



例文

To provide a semiconductor device for controlling the potential of a conductor and reducing both leakage by punch-through and joining leakage in a trench isolation structure provided with the conductor inside a trench part.例文帳に追加

導電体をトレンチ部内に有するトレンチ分離構造において、導電体の電位を制御して、パンチスルーによるリークおよび接合リークをともに低減した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal pulling apparatus capable of readily cleaning an isolation valve means, etc., not burdening an operator, having a small installation space for the pulling apparatus and contributing to improvement in productivity.例文帳に追加

アイソレーションバルブ手段等のクリーニングが容易で、作業者に負担がかからず、引上げ装置の据え付けスペースも小さく、生産性向上に寄与する単結晶引上げ装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device employing STI(shallow trench isolation) method so that no void is left even in a trench of micro width having a high aspect ratio and no damage is left on a silicon substrate.例文帳に追加

微少幅で且つアスペクト比が高い溝にも、ボイドが残存することなく且つシリコン基板にダメージが残らないように、STI分離法を採用する半導体装置を製造する。 - 特許庁

An isolation trench 19, formed between data areas, and a shallow concave pit 23, for recording control information, are formed in a resist layer 63 on the disk substrate by pressing force by a stamper 37.例文帳に追加

データエリア間に形成する分離溝19とコントロール情報を記録する浅い凹状ピット23とを、スタンパ37の押圧によってディスク基板上のレジスト層63に形成する。 - 特許庁

例文

The Fabry-Perot resonators 22 include two-layer high-reflection films 221 and one-layer isolation layers 222 located between the two-layer high-reflection films 221, which are stacked on the glass substrate 10 in sequence.例文帳に追加

ファブリペロー共振器22は、順によってガラス基板10に重なり、二層の高反射フィルム221と、二層の高反射フィルム221の間に位置する一層の隔離層222とを有する。 - 特許庁


例文

To provide a method of measuring precisely and easily a ratio of three kinds of stable oxygen isotopes in the atmosphere or dissolved gas, and an O2 isolation device used therefor.例文帳に追加

測定精度が良く、且つ簡便に測定できる、大気中又は溶存気体中の三種安定酸素同位体比測定方法とそれに用いるO_2 単離装置を提供する。 - 特許庁

To ensure an electrical insulating property between a reflection board and a wiring board, and to easily align the reflection board and the wiring board in an isolation type light-emitting diode package.例文帳に追加

分離型の発光ダイオードパッケージにおいて、反射板と配線基板の間の電気絶縁性を確保し、反射板と配線基板の位置合わせを容易にすることができるようにする。 - 特許庁

The electrostatic discharge protection transistor is provided with a p-type semiconductor substrate 1, and transistors 21, 22 and 23 are formed in an active area surrounded by a device isolation area 2.例文帳に追加

本発明の静電放電保護トランジスタでは、P型半導体基板1からなり、周囲を素子分離領域2によって囲まれた活性領域に、トランジスタ21, 22, 23が設けられている。 - 特許庁

Otherwise the border side of the insulating gate field effect transistor in channel direction among the border sides between the element active region and the channel element isolation region is coated with the gate electrode.例文帳に追加

あるいは、素子活性領域と溝素子分離領域との境界辺のうち絶縁ゲート電界効果トランジスタのチャネル方向の境界辺が上記ゲート電極で被覆されている。 - 特許庁

例文

To provide a high frequency switch circuit capable of ensuring high isolation characteristics in a plurality of frequency bands while reducing the number of components as little as possible.例文帳に追加

部品点数を極力低減させた上で、複数の周波数帯において高いアイソレーション特性を確保することのできる高周波用スイッチ回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

例文

The distance between the horizontal transfer electrodes 42 is larger in a boundary part between the element formation region 11 and the element isolation region 12 than at the center part of the horizontal channel region 41.例文帳に追加

水平転送電極42同士の間隔は、素子形成領域11と素子分離領域12との境界部分において、水平チャネル領域41の中央部よりも広い。 - 特許庁

To perform component isolation of a semiconductor layer formed on an insulator stably while suppressing increase in number of steps, and to enhance suppression effect of current leak by a parasitic transistor.例文帳に追加

工程数の増大を抑制しつつ、絶縁体上に形成された半導体層の素子分離を安定して行うとともに、寄生トランジスタによる電流リークの抑制効果を向上させる。 - 特許庁

A source/drain region 64 is formed in each region defined by the pair of word lines wl and an adjacent isolation film 52 being traversed by the pair of word lines wl.例文帳に追加

隣接した一対のワードラインwlと、これら一対のワードラインwlが横切る隣接した素子分離膜52とで画定された領域の各々にソース/ドレーン領域64が形成される。 - 特許庁

A deep conduction groove 9a is formed as extending from the upper surface of the interlayer dielectric 8a to a depth of halfway of thickness of the substrate 1SA in a region surrounded by the penetrated isolation part 5.例文帳に追加

その後、貫通分離部5で囲まれた領域内に、層間絶縁膜8aの上面から基板1SAの厚さの途中深さまで延びる深い導通溝9aを形成する。 - 特許庁

The source region 301, the drain region 401, the channel region 501 and the gate electrode regions 201 and 202 are in an element region 2111 surrounded by an element isolation region 2101.例文帳に追加

上記ソース領域301,ドレイン領域401,チャネル領域501およびゲート電極領域201,202が、素子分離領域2101で囲まれた素子領域2111内にある。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 9 including a plurality of element regions and an element isolation region 14 defining the element regions, and a semiconductor element formed in one of the element regions.例文帳に追加

複数の素子領域及び当該素子領域を区画する素子分離領域14を有する半導体基板9と、素子領域に形成された半導体素子とを有する。 - 特許庁

To provide a reliable and convenient observation device for observing a state of relative horizontal movement of an upper construction body to a lower construction body in a base isolation building.例文帳に追加

免震建物における上部構造体の下部構造体に対する相対水平移動の様子を観察するための、信頼性が高く使い勝手のよい観測装置を提供すること。 - 特許庁

On an SOI type wafer, a shallow trench is formed in a connecting part as one part of a device isolation film-forming area between a device region and a ground area by utilizing an etching-proof film.例文帳に追加

本発明よると、SOI型基板に素子領域と接地領域の間の素子分離膜形成領域の一部である連結部にエッチング防止膜を利用して浅いトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide products for tissue dissociation, obtaining isolation results improved in yield, viability and integrity of the cells, to provide a method of production thereof, and to provide use thereof.例文帳に追加

細胞の収量、生存性および完全性に関して改善された単離結果が得られるような、組織解離用の生成物、その製造方法および使用を利用できるようにすること。 - 特許庁

To provide a mounting structure of a vertical gutter in a base isolation structure and a connecting pipe for the gutter capable of making the construction cost low without destroying the gutter by earthquake motion.例文帳に追加

縦樋が地震動により破壊されることがなく、施工コストを安価とすることができる免震構造物における縦樋の取付構造及び縦樋の連結管を提供する。 - 特許庁

To provide a building foundation structure mainly for damping traffic vibrations in a detached house and the like, which can be easily constructed and has high vibration isolation effect imparted thereto.例文帳に追加

戸建て住宅などにおける交通振動を主に低減するための基礎構造であって、容易に施工でき且つ高い防振効果が得られる建物の基礎構造を提供する。 - 特許庁

Thus isolation between air inside and outside the container 11 can be improved, so that a preservable term of contents in the container 11 can be lengthened, and since molding of the lid 11 is easy, productivity can be improved.例文帳に追加

また、蓋体12をA−PETで形成すれば、容器11と蓋体12とを同一素材とすることができるため、再生処理し易くなり、リサイクル化を進めることができる。 - 特許庁

A slave device registering part 48 completes the list by causing the slave devices selected according to a selecting operation on the list of slave devices to be inserted behind the corresponding master devices in the isolation list being edited.例文帳に追加

従機器登部48は、従機器リストの選択操作に基づいて選択された従機器を編集中のアイソレーションリストの対応する主機器の後に挿入配置してリストを完成させる。 - 特許庁

To provide a base isolation device with excellent damping effect for vibration in an earthquake and with excellent installation workability, and damping effect for micro-vibration such as traffic vibration.例文帳に追加

地震時の振動の減衰効果に優れ、しかも、取付施工性も良好な免震装置であって、交通振動のような微小振動の減衰効果にも優れた免震装置を提供する。 - 特許庁

Then the solar cell elements 5 and 5 are disposed in series to connect the first connection members 21 and 21 on the lower surfaces by using a second connection member 22, and an isolation portion 23 is provided.例文帳に追加

そして該太陽電池素子5、5を直列に配置して下面上の第1の接続部材21、21を第2の接続部材22を用いて接続すると共に離隔部23を設ける。 - 特許庁

To provide a negative resist composition which has excellent isolation (resolution) with respect to the use of active light beams or radiation, in particular, electronic beams or X-rays and has excellent soluble resistance to a developer.例文帳に追加

活性光線又は放射線、特に電子線またはX線の使用に対して感度、孤立性が優れ、また現像液に対する耐溶解性の優れるネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order, and an isolation groove A isolating elements is formed.例文帳に追加

AlNバッファ層2上には、アンドープGaN層3、n型GaN層4、活性層5、p型GaN層6が順に積層され、素子間を分離する分離溝Aが形成される。 - 特許庁

The vibration isolation structure is constructed by arranging a building lower end 2 on a foundation 1 in a horizontally movable manner, and by interposing elastic bodies 3 between the building lower end 2 and the foundation 1.例文帳に追加

免震構造の構造体は、基礎1の上に、建物の下端部2を水平方向に移動できるように配置し、建物の下端部2と基礎1との間に弾性体3を配設している。 - 特許庁

In forming a memory cell transistor of a flash memory, an STI 2 (shallow trench isolation) is formed on a silicon substrate 1, and a gate insulating film 5 and a floating gate electrode 4b are stacked and formed on an active region 3.例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリセルトランジスタの形成で、シリコン基板1にSTI2を形成し、活性領域3にはゲート絶縁膜5、フローティングゲート電極4bを積層形成する。 - 特許庁

On the flange 12 side and the anti-flange side of the projected part 28, a washer 50 is fitted to a small diameter part 32 so as to hold a vibration isolation member 40 in the clearance thereof from the projected part 28.例文帳に追加

突部28のフランジ12側および反フランジ側において、突部28との間で防振部材40を挟持するように、小径部32にワッシャ50がそれぞれ嵌合している。 - 特許庁

To realize a method of forming a grooved element isolation region which can surely prevent generation of junction leakage even when deviation is generated in the alignment for formation of a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールを形成するときに合わせずれが発生した場合であっても、接合リークが発生することを確実に防止し得る溝型素子分離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

To propose a sure base isolation device at a low cost having a simple structure, being easily constructed and maintained and being fitted to a wooden building and the structure of comparatively low layers in approximately 3 or 4 stories.例文帳に追加

構造が簡単で施工及びメンテナンスも容易であり、木造家屋や3〜4階程度の比較的低層の構造物に適した安価にしてかつ確実な免震装置を提案する。 - 特許庁

To provide a CCD solid-state image sensing element which has high sensitivity and high density picture elements or a very small size by making it possible to form an element isolation region between neighboring picture elements deep in substrate.例文帳に追加

隣接画素間の素子分離領域を基体深部まで形成可能にして、高感度で且つ高密度画素、あるいは超小型化のCCD固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To attain miniaturization of a nonvolatile semiconductor storage device, eliminating the need for forming a LOCOS isolation region in an impurity diffusion layer that is to serve as a bit line.例文帳に追加

不揮発性の半導体記憶装置において、ビット線となる不純物拡散層の上にLOCOS分離領域を形成する必要をなくして、該装置の微細化を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method in which junction leakage is prevented from occurring by restraining silicidation at the end of an element isolation insulating film.例文帳に追加

本発明の目的は、素子分離絶縁膜の端部におけるシリサイド化を抑制して接合リークの発生を防止した半導体装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a vibration isolator capable of achieving vibration isolation in both of horizontal and vertical directions, preventing the amplification of low frequency vibration, and stabilizing a structure of an actuator or the like.例文帳に追加

水平と垂直方向の振動隔離を両立させ、低周波振動の増幅を回避するとともに、アクチュエーターなどの構造の安定性を兼備する振動隔離装置を提供する。 - 特許庁

To effectively prevent the resonance at a supporting side by the vibration transmitted from a vibrating body at a supported side through a vibration- isolation mount 1, and improving the supporting force in the rotational direction.例文帳に追加

被支持側の振動体から防振マウント1を介して伝達された振動による支持側の共振を有効に防止すると共に、こじり方向の支持力を向上させる。 - 特許庁

Further, by embedding the gate electrode in the substrate, a barrier to dark current is arranged between a charge transmission path formed below the gate electrode and a side wall of an element isolation region 12.例文帳に追加

また、ゲート電極を基板内に埋め込むことで、ゲート電極下に形成される電荷転送路と素子分離領域12の側壁との間に、暗電流に対する防壁を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride-based semiconductor device by which cracking, chipping, and damage can be reduced during isolation of devices, and the generation of burrs in a supporting substrate can be prevented.例文帳に追加

素子分離の際の窒化物系半導体層への割れ、欠け及びダメージの低減と、支持基板のばりの発生防止とを実現する窒化物系半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To accurately select an input signal in a different transmission mode without the need for sufficient isolation.例文帳に追加

十分なアイソレーションを確保しなくとも、伝送モードの異なる入力信号の選局を正確に行なうことが可能な選局方法及び選局装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a building foundation structure mainly for damping traffic vibrations in a multiple dwelling house and the like, which can be easily constructed and has high vibration isolation effect imparted thereto.例文帳に追加

集合住宅などにおける交通振動を主に低減するための基礎構造であって、容易に施工でき且つ高い防振効果が得られる建物の基礎構造を提供する。 - 特許庁

This is an epoch-making literary work that pushs forward the isolation of politics and religious morality in Japanese intellectual history, and after this, Keisei thought (Keiseiron (policies planned for governing a nation and providing relief to people, or ideas behind those)) was generated. 例文帳に追加

これは、日本思想史の流れのなかで政治と宗教道徳の分離を推し進める画期的な著作でもあり、こののち経世思想(経世論)が本格的に生まれてくる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

While this was a policy that could only work in national isolation from the viewpoint of the international situation at that time, it caused gold to move overseas after the Treaty between the United States of America and the Empire of Japan. 例文帳に追加

しかしこれは当時の国際情勢を鑑みれば鎖国の下でのみ通用する政策であり、そのことが日米和親条約後の金流出へと至る原因となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A collector layer 3 forming the first island-shaped region is in an electrical floating state, so the collector layer 3 and isolation layer 4 do not operate as a parasitic diode.例文帳に追加

また、第1の島状領域を形成するコレクタ層3は電気的に浮遊な状態になっているため、コレクタ層3およびアイソレーション層4が寄生ダイオードとして動作しない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for surge protection in which a plurality of semiconductor elements for surge protection are formed on a single substrate while satisfying small parasitic capacitance between semiconductor elements and high electric isolation.例文帳に追加

複数のサージ保護用半導体素子を単一基板上に形成し、半導体素子間の寄生容量が小さく電気的な分離性が高いサージ保護用半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this case, since a peripheral rinsing or peripheral exposure is not applied to the resist film on a peripheral portion 11b of the silicon substrate 11, the element isolation layer 12 of the peripheral portion 11b remains.例文帳に追加

このとき、シリコン基板11の周辺部11bにあるレジスト膜に周辺リンス又は周辺露光を施さないことから、周辺部11bの素子分離層12が残る。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device capable of improving a cycling threshold voltage shift and of preventing an overhang formed in an upper region of a trench.例文帳に追加

サイクリングしきい電圧シフトを改善し、且つトレンチの上部領域に形成されたオーバーハングを防止することが可能な、半導体素子の素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁

A gate insulating film 3 is formed on the silicon substrate 1 in a region held by the element isolation film 2, and a polysilicon gate electrode 4 is formed on the gate insulating film 3.例文帳に追加

この素子分離膜2に挟まれた領域のn型シリコン基板1上にゲート絶縁膜3が形成され、さらにゲート絶縁膜3上にポリシリコンのゲート電極4が形成される。 - 特許庁

Also, isolation is obtained by the circuit 21, and local leakage mainly with the leakage of oscillation signals of local oscillation circuits 10 and 14 in a tuner inputting stage as main parts is reduced.例文帳に追加

また、回路21によりアイソレーションが得られ、該チューナの入力段における局部発振回路10および14の発振信号の漏れを主体とするローカルリケージが低減される。 - 特許庁

例文

The semiconductor device has a MOS transistor formed in the inside including the principal surface of a semiconductor substrate, and also has an element isolation-insulating film 3 formed surrounding the MOS transistor.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、半導体基板の主面を含む内部にMOSトランジスタが形成され、このMOSトランジスタを取り囲んで素子分離絶縁膜3が形成されている。 - 特許庁




  
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