「In Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, the stabilization materials 55 and 56 provides isolation at peripheries of the layers 50-54 to prevent electrical coupling to a conductor to be used for providing a read and write access to the magnetic memory cell 40.例文帳に追加

また、安定化材料５５および５６は、層５０〜５４の縁の絶縁を提供し、磁気メモリ・セル４０に対する読み書きアクセスを提供するために使用される導体への電気的結合を防ぐ。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus in which STIs are used for element isolation regions, wherein dark current and occurrence of a white blemish are reduced and achieves storage charge amount increase.例文帳に追加

素子分離領域としてＳＴＩを用いた固体撮像装置であって、暗電流及び白キズの発生を低減すると共に、蓄積電荷数の増加を実現する固体撮像装置提供する。 - 特許庁

A structural body of a base isolation structure includes the foundation 1, the building 50 connected onto the foundation 1 and movable in the horizontal direction, and a horizontal-direction moving mechanism 2 for connecting the building 50 to the foundation 1.例文帳に追加

免震構造の構造体は、基礎１と、基礎１の上に水平方向に移動自在に連結してなる建物５０と、建物５０を基礎１に連結する水平方向移動機構２とを備える。 - 特許庁

To provide a wire breaking detector for actualizing a wire breaking detecting function, without forming an oxide film insulation isolation structure on an SOI (silicon-on-insulator) substrate and attaining reduction in the manufacturing cost, at attainment.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に酸化膜絶縁分離構造を形成することなく断線機能の実現を図り、その実現に際して製造費用の抑制を図れる断線検出装置の提供。 - 特許庁

Also, a metal is embedded in a cavity, from which a silicon surrounded by a thick isolation material is removed to form a substrate through electrode, capable of removing diffusion of metal contamination, thereby enabling multilayer substrate.例文帳に追加

また、厚いアイソレイション材料で囲まれたシリコンを除去した空洞にメタルを埋め、金属汚染の拡散を防止した基板貫通電極を形成することにより、基板の積層を可能にする。 - 特許庁

To appropriately use a piping connecting direction displacement/telescopic joint and a piping connecting direction displaceable joint, such as a ball joint and a universal joint, conventionally used in base isolation piping technology.例文帳に追加

免震配管技術において従来より使用されているボールジョイント、ユニバーサルジョイントなどの配管接続方向変位・伸縮可能継手、配管接続方向変位可能継手の使用方法を適切にする。 - 特許庁

A telephone conversation recording apparatus 1 generates monaural main audio data 61 and sets an isolation bit to which true is set in the monaural main audio data 61 when the level of the downlink audio data is equal to or more than a prescribed value.例文帳に追加

通話録音装置１は、モノラル化メイン音声データ６１を生成し、下り音声データのレベルが所定値以上である場合、モノラル化メイン音声データ６１に、真を設定した分離ビットを設定する。 - 特許庁

To provide a base isolation structure capable of relieving restriction on a structurer shape, capable of improving workability, easy in maintenance, and resistible even if earth-water pressure acts only from one side.例文帳に追加

構造物形状に対する制約を緩和でき、施工性を向上できるとともに、容易に維持管理でき、さらには、片側からのみ土水圧が作用しても抵抗できる免震構造を提供すること。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, a first supporter hole 21 and a second supporter hole 22 are first formed on a boundary between a first element isolation layer 12 and an SOI element forming region 13.例文帳に追加

半導体基板４１の製造方法は、まず、第１素子分離層１２とＳＯＩ素子形成領域１３との境界上に第１支持体穴２１及び第２支持体穴２２を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a DTMOS, which will not cause increase in defects of off-leak, even if the distance from the gate electrode end to the isolation region is reduced, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極端から素子分離領域までの距離が小さくなっても、オフリークの増加不良を起こさないＤＴＭＯＳを用いた半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

By the above structure, injection and drawing-out of free carriers (positive holes) are performed from both sides of the source region 4, and free carriers (positive holes) are movable also in a Y axis direction through an isolation region 17.例文帳に追加

そのことで、ソース領域４の両側から自由キャリア（正孔）の注入及び引き抜きを行い、且つ、分離領域１７を介してＹ軸方向にも自由キャリア（正孔）の移動可能とする。 - 特許庁

The narrow segment 17 has a width direction cross section smaller than a width direction cross section of a non-opposite region of the element isolation layer 12 in the p-type polysilicon layer 14A1 and n-type polysilicon layer 14B1.例文帳に追加

狭窄部１７は、ｐ型ポリシリコン層１４Ａ１およびｎ型ポリシリコン層１４Ｂ１のうち素子分離層１２との非対向領域の幅方向断面積よりも小さな幅方向断面積を有する。 - 特許庁

The relative movement of the building 16 to the foundation 15 by the base isolation device 17 is detected by the approaching sensor 11, and the detection result is indicated by an indicator 13 in the building 16.例文帳に追加

免震装置１７が作動し建物１６が基礎１５に対して相対的に動いたことを近接センサー１１により検知し、その検知結果を建物１６内にて表示器１３により表示させる。 - 特許庁

First and second electrodes are provided on the protective film layer, the first electrode is connected with the n-type layer through an opening formed in the protective film layer, and the second electrode is connected with the p-type isolation belt.例文帳に追加

保護膜層上に第１および第２の電極を設け、保護膜層に形成した開口を介して、第１の電極をｎ型層に接続し、第２の電極をｐ型の分離帯に接続する。 - 特許庁

Furthermore, the energization circuit 5 includes a plurality of solid-state relays 54-56, and an isolation circuit 3 is disposed between the timer circuit 2 and the energization circuit 5 in order to make an electric insulation from the distribution line side.例文帳に追加

また、通電回路５は複数のソリッドステートリレー５４〜５６を有し、タイマー回路２と通電回路５の間には、アイソレーション回路３が設けられ、配電線側との電気的絶縁が図られている。 - 特許庁

The board 1 is left to stand for a prescribed time in the atmosphere of hexamethylene-disilazane inside the dry box 8 and the surface of the hole injected electrode 2, the insulating layer 3 and the barrier isolation layer is exposed to the hexamethylene-disilazane.例文帳に追加

この基板１をドライボックス８内のヘキサメチレンジシラザン雰囲気下に所定時間放置し、ホール注入電極２、絶縁層３および隔壁分離層４の表面をヘキサメチレンジシラザン雰囲気に晒す。 - 特許庁

In one specific application, cell isolation, lysis, and nucleic acid purification may be performed utilizing a highly parallelized microfluidic architecture to construct gDNA libraries and cDNA libraries.例文帳に追加

１つの特定の適用において、細胞の単離、溶解および核酸精製が、高度に並行化した微小流体アーキテクチャーを利用して実施され、ｇＤＮＡライブラリーおよびｃＤＮＡライブラリーを構築し得る。 - 特許庁

To provide a method and a system for the isolation, ex vivo proliferation and recovery of hematopoietic stem cells by a batch treatment method or a continuous treatment method, which can efficiently and simply be operated in a short time.例文帳に追加

バッチ処理または連続処理法により造血幹細胞を単離、生体外増殖、および回収する効率的で、短時間で簡単に操作可能な方法およびシステムを提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device trench isolation forming method as mentioned above, a dry etching where an etching rate difference between a trench forming mask and the trench liner 110 does not occur is carried out, whereby a liner recess can be prevented.例文帳に追加

このような半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、トレンチ形成用マスクとトレンチライナ１１０間のエッチング率の差が起こらない乾式エッチングをすることにより、ライナくぼみを防止できる。 - 特許庁

The vibration isolation tie metal fitting is so constituted that rapid external force can be relaxed by expansion of rubber even if the abrupt external force (earthquake and gust) occurs in a building by using a rubber attached washer 1 when each metal fitting tie is mounted.例文帳に追加

各金具継ぎ手の取り付け時に、ゴム付き座金１を使用する事により、建物に急激な外力（地震、突風）が発生した時でも、ゴムの伸縮により急激な外力を緩和する。 - 特許庁

To provide an elevator device for a building of an intermediate base isolation structure absorbing displacement in a specific part of a guide rail, when an interlayer displacement is generated between a high-rise part and a low-rise part.例文帳に追加

高層部と低層部との間で層間変位が生じた場合、ガイドレールの特定部分においてこの変位を吸収することができる中間免震構造の建造物用エレベーター装置を提供する。 - 特許庁

In an outer layer tube 2, there are inserted one end of a coated optical fiber ribbon 1, a proximal end portion of a group of single fiber isolation coated optical fibers 5, and a branching part between the one end and the proximal end portion.例文帳に追加

外層チューブ２に、テープ心線１の一端部と、単心分離光ファイバ心線５群の基端側部分と、前記一端部と前記基端側部分との間の分岐部位とを、挿通させる。 - 特許庁

To reduce test items and to shorten a test time by reducing the number of terminals without complicating a design of an output terminal selection circuit in an isolation test of a large-scale system LSI.例文帳に追加

大規模システムＬＳＩのアイソレーションテストにおいて、出力端子選択回路の設計を複雑化させることなく端子数の削減を可能にし、テスト項目の削減およびテスト時間の短縮を実現する。 - 特許庁

As a result, the cavity 22 of the source wiring 21 is filled with the lower conductive wiring 53 formed in the extending direction of the source wiring 21 over a plurality of element areas and an element isolation insulating films.例文帳に追加

その結果、ソース配線２１が延伸する方向に複数の素子領域及び素子分離絶縁膜上に亘って形成された下部導体配線５３によってソース配線２１の空洞２２が埋まる。 - 特許庁

A photocatalyst layer is formed on the surface of the protective implement for isolation that is installed at a charged portion or its surrounding areas to prevent a failure when carrying out work near or in contact with the charged portion.例文帳に追加

充電部に接近又は接触して作業する際の事故を防止するために該充電部又はその周辺に設置される絶縁用防護具において、表面に光触媒層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which enables to compensate for impurities dispersed away from a channel region even if a MOS-type element is shrunk and its element isolation region is reduced in size.例文帳に追加

ＭＯＳ型素子の微細化およびその素子分離領域の縮小化を図っても、チャネル領域から散逸する不純物を補填することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then a vibration-isolation lens group GL composed of the whole or part of the 1st lens group FL and the whole or part of the 2nd lens group RL is configured to freely move in the direction perpendicular to the optical axis.例文帳に追加

そして、第１レンズ群ＦＬの全部若しくは一部、又は第２レンズ群ＲＬの全部若しくは一部からなる防振レンズ群ＧＬを、光軸と垂直な方向に移動自在に構成する。 - 特許庁

When the evacuation port 11A is closed by the valve 20, an auxiliary pump isolation chamber 27 in which an auxiliary pump 25 isolated from the evacuation port 11A is arranged is formed by the valve element 22 and the valve seat 23.例文帳に追加

そして、バルブ２０による排気口１１Ａの閉栓時に、排気口１１Ａから隔離された副ポンプ２５が配された副ポンプ隔離室２７が、弁体２２および弁座２３によって形成されている。 - 特許庁

In a bidirectional Zener diode IZD having a trench structure, an upper electrode UE is formed that extends from the inside of an opening OP to cover a trench TR (isolation region).例文帳に追加

本発明におけるトレンチ構造の双方向ツェナーダイオードＩＺＤは、上部電極ＵＥを、開口部ＯＰ内からトレンチＴＲ（アイソレーション領域）までを覆うように延在して形成している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a coaxial cable harness for soldering ground bars to external conductors of a plurality of coaxial cables in a lump without lowering insulation resistance and an isolation voltage.例文帳に追加

絶縁抵抗や絶縁耐圧の低下を生じさせることなく、複数の同軸ケーブルの外部導体にグランドバーを一括して半田付けすることができる同軸ケーブルハーネスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The low dielectric constant thin films contain residual carbon and are useful for gap fill layers, pre-metal dielectric layers, inter-metal dielectric layers, and shallow trench isolation dielectric layers in sub-micron devices.例文帳に追加

これらの低誘電率薄膜は、残留炭素を含んでおり、サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層および浅いトレンチ分離誘電体層のために有用である。 - 特許庁

Similarly, between two P-channel MOS transistors T4, T7 arranged adjacently to each other in the x-direction, an element isolation transistor ST2 for electrically isolating them from each other is formed.例文帳に追加

同様に、ｘ方向に互いに隣接して配置された２つのＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４，Ｔ７の間にも、それらを電気的に分離する素子分離トランジスタＳＴ２が形成されている。 - 特許庁

To secure isolation between a directional antenna for transmitting and receiving radio waves to and from a base station and a directional antenna for transmitting and receiving radio waves to and from a mobile station where both the directional antennas are stored in the same casing.例文帳に追加

同一筐体内に収納される、基地局との間で電波を送受する指向性アンテナと、移動局との間で電波を送受する指向性アンテナと、のアイソレーションを確保する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of applying a sufficient voltage and current stress to each contact for reliability evaluation and detecting a defect of electric isolation in a contact chain.例文帳に追加

信頼性評価のために各コンタクトに十分な電圧、電流ストレスを印加することが可能であり、コンタクトチェーン内の電気的分離不良を検出することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a p-type semiconductor substrate 101; a relatively large step difference S1 of an element isolation region insulating film 102 and an element region 103, and a relatively small step difference (well step difference), S2 are formed.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１０１において、素子分離領絶縁膜１０２と素子領域１０３の比較的大きな段差Ｓ１、比較的小さな段差（ウェル段差）Ｓ２が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which polishing can be effected with high planarity, without increasing the number of steps when a trench element isolation is formed by polishing an insulation film.例文帳に追加

絶縁膜の研磨によってトレンチ素子分離を形成する際、工程数を増加させることなく平坦性の良好な研磨を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 1A, having a trench 3 in a shallow trench isolation (STI) structure by forming a resist to the entire surface of the wafer 6, conducting exposure shot over the entire surface and then etching a Si substrate 2.例文帳に追加

ウェーハ６全面にレジストを形成し、全面に露光ショットを行い、Ｓｉ基板２をエッチングでシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造のトレンチ３を有する半導体装置１Ａを形成する。 - 特許庁

To provide multi-floor base-isolating equipment capable of inexpensively performing base isolation while securing a wide device installation space in which devices can be installed so that relative displacement cannot occur between the plurality of devices.例文帳に追加

複数の機器間で相対変位が生じないように機器を設置可能な機器設置スペースを広大に確保しつつ、低コストで免震化することができる多層床免震装置を提供する。 - 特許庁

In a process adopting the shallow trench isolation, small dummy patterns 2 are formed inside a p-well 3 and an n-well 4, and large dummy pattern patterns 1 are formed outside the p-well 3 and the n-well 4.例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーションを採用するプロセスで、Ｐウェル３とＮウェル４の内側にはダミーパターン小２を形成し、Ｐウェル３とＮウェル４の外側には大きなダミーパターン大１を形成する。 - 特許庁

Also, the memory cell comprises a floating grid transistor and a control grid within an active semiconductor area which is formed in a region of a substrate and is delimited by an isolation region.例文帳に追加

該メモリ素子は、基板の１つの領域に形成されかつ分離領域によって境界を画定された能動的半導体領域の内部にフローティング・グリッド・トランジスタおよびコントロールグリッドを備える。 - 特許庁

An aluminum electrode 3 for signal detection is in ohmic-contact with the sensitive area and it is extended to the opposite-side area of the sensitive area adjoining to the element isolation area 5.例文帳に追加

信号検出用のアルミニウム電極３はこの有感領域にオーミック接触すると共に、素子分離領域５に隣接する有感領域の反対側の領域にまで延出して形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device uses a single-crystal semiconductor substrate 101, and includes a recessed portion 130 on the reverse surface of the semiconductor substrate where a driving electrode 120 and an element isolation region 102 overlap with each other in a plane.例文帳に追加

半導体装置は、単結晶半導体基板１０１を用い、この半導体基板の裏面の、駆動電極１２０と素子分離領域１０２とが平面的に重なる部分に凹部１３０を有する。 - 特許庁

On the main surface of a semiconductor substrate 1, a thick silicon oxide film 2 which functions as an element isolation region is formed and a first electrode 6 is formed on the silicon oxide film 6 in a peripheral circuit region.例文帳に追加

半導体基板１の主面に素子分離領域として機能する厚いシリコン酸化膜２を形成し、周辺回路領域のシリコン酸化膜２上に第１電極６を形成する。 - 特許庁

The antenna is provided with: two antenna elements 22 and 24 which are arranged in parallel and have a different object frequency band; and a matching circuit 25 for matching the antenna elements after securing isolation between the two antenna elements.例文帳に追加

並列に配置された、対象周波数帯域の異なる２本のアンテナ素子22，24と、これら２本のアンテナ素子間のアイソレーションをとった上で各アンテナ素子の整合を行なう整合回路25とを備える。 - 特許庁

To clarify genetic information of exo-1,3-galactanase in order to utilize the enzyme useful for isolation, etc., of sugar chain from proteoglycan and to contribute to industrial production of the enzyme by utilizing the clarified genetic information.例文帳に追加

プロテオグリカンからの糖鎖遊離などに有用なエキソ−１，３−ガラクタナーゼの活用を図るため、該酵素の遺伝的情報を解明し、これを活用して該酵素の工業的な生産に寄与する。 - 特許庁