1153万例文収録!

「In Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > In Isolationの意味・解説 > In Isolationに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

In Isolationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 3112



例文

To secure soundness and reliability of an annular rubber plate by employing a structure in which permanent stress from shear deformation applied to an annular rubber plate in a vertical base isolation part is not generated.例文帳に追加

上下免震部の環状ゴム板に加わるせん断変形による恒久的応力を発生させない構造とすることにより、環状ゴム板の健全性および信頼性を確保する。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor memory device, a charge accumulation layer is eliminated from element isolation regions and from an insulation region between a memory transistor and a select transistor to prevent electric charges from being injected and accumulated in these regions.例文帳に追加

素子分離領域、及びメモリトランジスタと選択トランジスタとの間の絶縁領域中の電荷蓄積層をなくして同部に電荷が注入または蓄積されないようにする。 - 特許庁

To enable the execution of works at its place by conducting all of the structuring of an earthen-floor concrete floor in the case of the base isolation of an existing building and the reinforcement of a foundation and a beam in a ground from an underfloor section.例文帳に追加

既存建物の免震化に際する土間コンクリート床の構造体化及び地中の基礎や梁の補強を、全て床下から行うことで居ながらの施工を可能とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device in which an oxide film of high quality is embedded in a groove-shaped element isolation region without causing distortion or void due to expansion and contraction.例文帳に追加

溝形の素子分離領域に膨脹、収縮による歪みやボイドを発生させることなく高品質の酸化膜を埋め込む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including the method of embedding an insulation film so as not to generate a void in a shallow trench in the element isolation region of the semiconductor device or the like.例文帳に追加

半導体装置の素子分離領域等における浅い溝に、ボイドが発生しないように絶縁膜を埋め込む方法を含む半導体装置の製造法方法を提供する。 - 特許庁


例文

In the aseismic base isolation pier, the pile head section of a vertical pile type scaffold board and an elastic body mounted on the lower section of an upper-section slab are connected mutually in a freely slanting manner by a pin structure section.例文帳に追加

本発明の免震桟橋においては、直杭式桟橋の杭頭部と上部床版下部に設けた弾性体間をピン構造部によって互いに傾動自在に連結する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus which improves an implantability of a silicon oxide film in a trench while avoiding impairment of a trench shape in an STI (shallow trench isolation) structure.例文帳に追加

STI構造において、トレンチ形状を損なうことなく、トレンチ内へのシリコン酸化膜の埋め込み性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crane, which is capable of reliably obtaining a seismic isolation effect on the occurrence of an earthquake, even for a seismic force in a direction parallel to the direction in which rails extend.例文帳に追加

地震が発生したとき、レールの延設方向に対して平行方向の地震力についても確実に免震作用を得ることが可能なクレーンを提供することを目的とする。 - 特許庁

In the isolation chamber 28, the respective working areas 46, 48 and 50 for a heating, press-molding and cooling processes are singly arranged on a circular ring and are housed in the chamber to be isolated from the atmosphere.例文帳に追加

隔離チャンバ28は、加熱、プレス成形および冷却の各工程の作業エリア46,48,50を1つずつ円環上に配置するとともにこれらを大気から隔離して収納する。 - 特許庁

例文

After the isolation policy was reinforced by the government, some of them became daimyogashi (lending money to feudal lords with high interest) or brewers, while others became basho ukeoinin (merchants/traders working in designated areas on commission by samurai landlords) in Ezo (present-day Hokkaido). 例文帳に追加

鎖国成立後は、京都・大阪・江戸の三都へ進出して大名貸や醸造業などを行ったり、蝦夷地(北海道)で場所請負人となったりするものもあった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例文

To provide a semiconductor device equipped with element isolation film which is less in a variation of height dimension from substrate surface and profiled in a desired height dimension from the substrate surface.例文帳に追加

基板表面からの高さ寸法のばらつきが少なく、基板表面からの高さ寸法が所望の高さ寸法である素子分離膜を備えた半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for preventing short-circuiting failure from being generated in wirings, even in the semiconductor device where polysilicon wirings are formed across a trench isolation region.例文帳に追加

トレンチ分離領域を横切って、ポリシリコン配線が形成される半導体装置であっても、配線のショート不良が発生しない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric isolation type semiconductor device, which prevents degradation in the device characteristics caused by a leakage current, with high product yield in a power semiconductor device using an SOI substrate.例文帳に追加

SOI基板を用いたパワー半導体装置において、漏れ電流によるデバイス特性の劣化を防止した誘電体分離型の半導体装置を高い製品歩留まりで提供する。 - 特許庁

An isolation tank 40 taking in vaporized/condensed ethyl alcohol before water and isolating it from a secondary refrigerant circulation flow is arranged in the first high temperature side secondary refrigerant circulation circuit 10.例文帳に追加

第1の高温側二次冷媒循環回路10には、水より先に蒸発・凝縮したエチルアルコールを取り込んで二次冷媒循環流から隔離する隔離槽40を配置する。 - 特許庁

However, in the historical stage of the Modern Period, compulsory relocation to isolation facilities is totally incompatible with the productivity, awareness of human rights, and the level of advancement in medical science.例文帳に追加

しかしながら近代という歴史段階において、強制的に隔離施設に収容していくことは、その生産力や人権意識、医学の発達レベルに全く対応しない処遇である。 - 厚生労働省

The base isolation device is provided with a floating body 12 in a liquid tank 11 in which a structure or various kinds of implements and machines, etc., are installed and an air chamber 14 installed while the lower part is set to communicate with the liquid tank side.例文帳に追加

構造物又は各種装置及び機器等を設置する液槽11内の浮体12と、液槽側部に下部を連通して設けた空気室14とを備える。 - 特許庁

After ion implantation is performed for an isolation region which isolates a plurality of elements of a semiconductor board 1, wherein a plurality of elements are formed, the semiconductor board 1 is subjected to heat treatment in non-oxidizing atmosphere of a first heat treatment temperature, and thereby the crystal defects is formed in an isolation region.例文帳に追加

複数の素子が形成される半導体基板1の複数の前記素子同士を分離する素子分離領域にイオン注入を行った後、半導体基板1を第1の熱処理温度の非酸化性雰囲気中で熱処理することにより前記素子分離領域に結晶欠陥を形成する。 - 特許庁

Therefore, the magnetic force of the magnet 22 does not absorbed in the other magnet 22 to effectively transmit the magnetic force of the magnets 22 through the isolation cylinder P into the flowing cereal grain or fruits, so that the foreign matters in the cereal grain or the fruits are surely removed and the removed foreign matters are surely sucked and absorbed on the surface of the isolation cylinder P.例文帳に追加

したがって、磁石22…の磁力が他の磁石22…に吸収されず、磁石22…の磁力が隔離筒Pを越えて、流れる穀物または果実の中までよく伝わり、穀物内または果実内の異物が確実に除去されるし、除去した異物が隔離筒P表面に確実に吸引/吸着される。 - 特許庁

A vertically penetrating hole 3 is formed in a floor plate 2 of an upper structure constructed on a foundation 1, the base isolation device 4 is inserted in the hole 3 from above or below, and a cover member 5 serving as a reaction force receiver is fixed to the floor plate 2, whereby the load of the upper structure is held by the base isolation device 4.例文帳に追加

基礎1上に施工された上部構造物の床版2に上下貫通する孔3を予め形成し、上方あるいは下方から前記孔3内に免震装置4を挿入し、反力受けとしての蓋部材5を床版2に固定することで、前記免震装置4により上部構造物の載荷荷重を受ける。 - 特許庁

To provide a base-isolated table having a damping mechanism and a base-isolated table unit using the same, the base-isolated table having initial rigidity and preventing the subject of base isolation from shaking when no vibration is applied, while surely functioning to protect the subject of base isolation in the event that a large vibration is applied, as in an earthquake.例文帳に追加

初期剛性があり、何ら振動が作用していない状態において免震対象物が揺らいでしまうことがない一方、地震などの大きな振動が作用した場合には確実に機能して免震対象物を保護することが可能な減衰機構付き免震テーブル及びこれを用いた免震テーブルユニットを提供する。 - 特許庁

To provide a seismic isolation and vibration control guide device and a seismic isolation and vibration control guide structure by which a loading object supported by the device having moved by earthquake and vibration is permitted to move in horizontal/vertical directions, can be isolated from and controlled in vibration by suppressing a vertical movement amount, and is recovered to an original location after the vibration finishes.例文帳に追加

地震や振動によって移動した免制振案内装置により支えられた載荷物が、水平・垂直方向の移動を許容しつつ、垂直方向の移動量を抑えて免制振可能であって、振動終結後に元の位置に復帰される免制振案内装置及び免制振案内構造を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device having a trench isolation structure, at least one well region and a MOS type transistor are formed at the high supply voltage circuit portion, and a pair of carrier capture regions for preventing latchup are formed and arranged on an under surface of a trench isolation region in the vicinity of an end of the well region.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とMOS型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部近傍のトレンチ分離領域下面にラッチアップを防止するための一対のキャリア捕獲領域を形成し配置する。 - 特許庁

To provide a construction method for a building floor capable of eliminating creeping-in work of worker to clearance between a foundation and a floor for removing timbering, and capable of forming a building in a base isolation type and an earthquake damping type by interposing a base isolation device and an earthquake damping device having a low height sliding bearing between the foundation and the floor.例文帳に追加

支保工を除去するための基礎と床との間の隙間への作業員のもぐり込み作業をなくし得、しかも、滑り支承等のその高さが低い免震装置、制震装置等を基礎と床との間に介在させて建物を免震化、制震化できる建物床の施工方法を提供すること。 - 特許庁

A plurality of N-type shallow well areas 14 and 14 which is independent from each other can be easily formed so that the N-type shallow well areas 14 and 14 in the both sides of isolation areas are separated by a P-type bottom separation area 18 formed in the vicinity of the bottom of a portion of the isolation area.例文帳に追加

一部の素子分離領域16の底部近傍に形成したP型の底部分離領域18によって、素子分離領域16の両側のN型の浅いウェル領域14,14が分離されるから、互いに独立したN型の浅いウェル領域14,14を容易に複数形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for synthetic reaction, by which an N-alkoxycarbonyl-tert-leucine is synthesized in a high reaction yield and a recovery method by which an isolation operation after the reaction is simplified and the N-alkoxycarbonyl-tert-leucine is obtained in a high yield after the isolation operation.例文帳に追加

高い反応収率でN−アルコキシカルボニル−tert−ロイシンを合成できる合成反応方法及び反応後の単離操作を簡略化することができると共に、単離操作後に高い取得収率でN−アルコキシカルボニル−tert−ロイシンを得ることが可能な回収方法を提供する。 - 特許庁

In a sliding type vibration isolation apparatus having a sliding bearing arranged between a lower framework and an upper framework, at least one of the sliding faces of the sliding bearing generating the sliding in vibration isolation is made of the sliding face of a resin compound at least blending porous silica and lubricant.例文帳に追加

下部躯体と上部躯体との間に配設されるすべり支承を備えてなるすべり免震装置であって、上記すべり支承は、免震時にすべりを発生する摺動面の少なくとも一方が、多孔質シリカおよび潤滑剤を少なくとも配合した樹脂組成物の摺動面からなる。 - 特許庁

To provide a base isolation device of simple and low-cost structure excellent in the economy, exerting a base isolation effect for a superstructure, damping effect for seismic force, and returning effect to the point of origin even in the case of applying to columns and/or floor of a relatively light structure such as a wooden dwelling house.例文帳に追加

簡易かつ安価な構造によって、木造住宅のような比較的軽量な構造物の柱や床に用いた場合においても、上部構造に対する免震効果と、地震力の減衰効果および原点復帰効果とを発揮することができ、かつ経済性にも優れる免震装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises the element isolation insulating film 2 formed in a SOI layer 13 interposing an element-forming region, source/drain regions 8a, 8b formed in the element-forming region interposing a channel region, and titanium silicide films 40 formed on the source/drain regions 8a, 8b spacing away from the element isolation insulating film 2.例文帳に追加

SOI層13に素子形成領域を挟んで形成される素子分離酸化膜2と、素子形成領域にチャネル領域を挟んで形成されるソース/ドレイン領域8a,8bと、素子分離酸化膜2と間隔を隔ててソース/ドレイン領域8a,8bに形成されるチタンシリサイド膜40とを備えている。 - 特許庁

After side walls 6 are formed on both sides of the groove 4 formed in the element isolation region R1 and, at the same time, a thermally oxidized film 7 is formed on the bottom of the groove 4, an inversion preventing electrode 9 embedded in the groove 4 is formed and an inversion preventing layer is formed in the element isolation region R1 by applying a negative voltage upon the electrode 9.例文帳に追加

素子分離領域R1に形成された溝4の側壁にサイドウォール6を形成するとともに、溝4の底に熱酸化膜7を形成した後、溝4に埋め込まれた反転防止用電極9を形成し、反転防止用電極9に負の電圧を印加することにより、素子分離領域R1に反転防止層を形成する。 - 特許庁

A multistage element isolation region 31 formed in a depth direction from a substrate surface in a region facing the pixel electrode 14 by interposing the light reception part 12 includes lower-stage element isolation layers 24, 25 formed away from the light reception part 12 by a predetermined distance W1 in a deeper region than 0.5-1 μm from a light-incident surface of the substrate 19.例文帳に追加

そして、受光部12を挟んで画素電極14に対向する領域の基板表面から深さ方向に形成された多段素子分離領域31は、基板19の光入射面から0.5μm〜1μmよりも深い領域において、受光部12から所定の距離W1だけ離して形成された下段素子分離層24,25を有している。 - 特許庁

In the bridge structure composed of a curved bridge girder having a displacement component in the bridge axis right-angled direction, a frictionally damping damper is interposed in the bridge axis right-angled direction between a lower structure and an upper structure for restricting the excessive displacement of the base isolation support at one or plural support points supported by the base isolation support.例文帳に追加

橋軸直角方向への変位成分を有する曲線状等の橋桁よりなる橋梁構造において、免震支承に支持される1又は複数の支持点において、該免震支承の過大な変位を制限するべく、下部構造と上部構造との間に摩擦減衰型ダンパーを橋軸直角方向に介装してなる。 - 特許庁

The contact hole which is formed in an interlayer insulating film 36 covering a MOS type transistor and a trench isolation structure 41 extends to a part of the source/drain region 34 and a part of the trench isolation structure 41 of the MOS type transistor, and an electrode plug 49 for contact which is in contact with the source/drain region 34 is formed in an aperture part of the contact hole.例文帳に追加

MOS型トランジスタおよびトレンチ分離構造41を覆う層間絶縁膜36中に形成されたコンタクトホールが、MOS型トランジスタのソース・ドレイン領域34の一部およびトレンチ分離構造41の一部に達し、その開口部内にソース・ドレイン領域34に接触するコンタクト用電極プラグ49が形成されている。 - 特許庁

Article 16-2 (1) A person who has been isolated pursuant to the provisions in Article 14-1(1) or his/her guardian may, if more than thirty days have elapsed since the start of the isolation, apply for an examination of the isolation (including re-examination; and the same shall apply in Paragraph 2 and Paragraph 3) to the Health, Labour and Welfare Minister, in writing or verbally. 例文帳に追加

第十六条の二 第十四条第一項第一号の規定により隔離されている者であつて当該隔離の期間が三十日を超えるもの又はその保護者は、当該隔離について文書又は口頭により、厚生労働大臣に審査請求(再審査請求を含む。次項及び第三項において同じ。)をすることができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A combustion system comprises a fuel supply comprising fuel having a low heating value of about 100 Btu/scf or smaller, an inert gas isolation unit 74 in fluid-communication with the fuel supply, and a combustion system in fluid-communication with the inert gas isolation unit 74 and an oxidant 78 supply located in the downstream thereof.例文帳に追加

燃焼系は、約100Btu/scf以下の発熱量を有する燃料を含む燃料供給部、この燃料供給部と流体連通した不活性ガス隔離ユニット74、並びに不活性ガス隔離ユニット74及び酸化剤78供給部の下流にそれと流体連通して位置している燃焼系を含んでいる。 - 特許庁

Bearing walls 13 each extending in a span direction are arranged in rows in a longitudinal direction, as beams bearing an upper load, and rubber bearing bodies are arranged on both ends of each bearing wall 13 in the span direction, as base isolation devices 15.例文帳に追加

上部荷重を受ける梁としてスパン方向に連続する耐力壁13を、桁行き方向に列状に配置し、この耐力壁13のスパン方向の両端部に免震装置15としてゴム支承体をそれぞれ配置する。 - 特許庁

To provide an elastic partition film and a clamping member for use in the liquid sealing vibration isolation device, remarkably reducing abnormal sound in high-amplitude input while attaining compatibility between low dynamic spring characteristic in low-amplitude input and high damping characteristic in high-amplitude input.例文帳に追加

低振幅入力時の低動ばね特性と高振幅入力時の高減衰特性との両立を図りつつ、高振幅入力時の異音を大幅に低減することができる液封入式防振装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain the same base isolation effect in the all using directions and all vibratory directions in the vibrationproof structure in which a mechanical deck 1 is supported by a frame 8 through a compression spring 10 and a damper 11 and prevent the damper 11 for buckling in the horizontal vibration to obtain a secure damper effect.例文帳に追加

メカデッキ1をフレーム8に対し圧縮コイルばね10及びダンパ11を介して支持するようにした防振機構において、全使用方向及び全振動方向に対して同等の防振効果が得られるようにする。 - 特許庁

In the vibration isolation pad 10 in this embodiment, the vibration isolation pad 10 laid under the heavy product for preventing the fall-down of the heavy product includes an elastic sheet 11 formed of an elastic material, and a metal reinforcing plate 15 which is arranged in the elastic sheet 11, and in which a salient 16 for receiving a load of the heavy product is formed by plastic deformation processing.例文帳に追加

本実施形態に係る防振パッド10は、重量物の転倒を防止するために前記重量物の下に敷かれる防振パッド10において、弾性材料からなる弾性シート11と、弾性シート11内に設置され、重量物の荷重を受けるための隆起部16が塑性変形加工により形成されている金属製補強プレート15とを備える。 - 特許庁

The space between the floating electrodes 5 that are adjacent in the gate width direction has the same width as the space between the end parts of the floating electrodes 5 that are adjacent on the surface of the filler for isolation 31, and has the small trench width of the deep part as compared with that of the surface part of the filler for isolation 31.例文帳に追加

ゲート幅方向に隣接する浮遊電極5間において、分離用充填材31の表面で隣接する前記浮遊電極5の端部間と同一の幅を有し、分離用充填材31の表面部分に比べて深い部分のトレンチ幅が小さい。 - 特許庁

This device has a silicon substrate 12, an isolation structure 10 present in the substrate 12 (for example, a shallow trench isolation), an active element structure (for example, a transistor structure), a dielectric layer covering the active element structure, and a metal interconnect layer (a first metal layer) 28 covering the dielectric layer 26.例文帳に追加

本発明のデバイスは、シリコン基板と、その基板内に有るアイソレーション構造(例えば、浅いトレンチ・アイソレーション)と、能動素子構造(例えば、トランジスタ構造)と、その能動素子構造を覆う誘電体層及びその誘電体層を覆うメタル・インターコネクト層(第1メタル層)を具備する。 - 特許庁

An isolation groove 7 isolating the respective photovoltaic cell elements 1 from each other is cut in the resin base material 8 halfway along the thickness direction from the top surface sides of the photovoltaic cell elements 1, and the respective photovoltaic cell elements 1 are held by the resin base materials 8 while isolated by cell isolation grooves 7.例文帳に追加

各光電池セル素子1間を分離するセル分離溝7を光電池セル素子1の表面側から樹脂基材8の厚み方向途中部にかけて切り込み形成し、各光電池セル素子1をセル分離溝7によって分離された状態で樹脂基材8によって保持する。 - 特許庁

A PMOSFET 100 is formed on an active region segmented by an element isolation insulating film 16, and a stress providing film 17 for applying a compression stress in a gate length direction on the channel region of the PMOSFET 100 is formed on the upper part of the element isolation film 16.例文帳に追加

素子分離絶縁膜16によって区画された活性領域にPMOSFET100が形成されており、素子分離絶縁膜16の上部には、PMOSFET100のチャネル領域にゲート長方向に圧縮応力を印加する応力付与膜17が形成されている。 - 特許庁

In this vibration isolation device of a band saw machine, the vibration isolation roller 39 heavier than a contact roller 35U is rotatably brought into contact with a contact roller 35U brought into contact with a band saw blade 21 for rotating, and pressed against and biased to the contact roller 35U.例文帳に追加

帯鋸盤における防振装置であって、帯鋸刃21に接触して回転する接触ローラ35Uに、当該接触ローラ35Uよりも大重量の防振ローラ39を回転自在に接触してあり、前記防振ローラ39は前記接触ローラ35Uに対して押圧付勢してある。 - 特許庁

An element isolation region 21 is formed on a main surface of a semiconductor substrate SUB1, a n-type well NW2 is formed in an active region defined by the element isolation region 21, and a silicon film pattern SP1 is formed on the n-type well NW2 through an insulating film 22a.例文帳に追加

半導体基板SUB1の主面に素子分離領域21が形成され、素子分離領域21で規定された活性領域にn型ウエルNW2が形成され、n型ウエルNW2上に絶縁膜22aを介してシリコン膜パターンSP1が形成されている。 - 特許庁

An edge part of the fastening hole 13B and a part of the quasi-isolation part 12B constitute a fall-out prevention mechanism for preventing the quasi-isolation part 12B inserted to the set of connection holes formed in the cover member and inserted to the fastening hole 13B from falling out of the fastening hole 13B.例文帳に追加

留め孔13Bの縁部と準孤立部12Bの一部とが、カバー部材に形成された1組の連結用孔に通されるとともに留め孔13Bに挿入された準孤立部12Bが留め孔13Bから抜けることを妨げる抜け止め機構を構成する。 - 特許庁

To enable to reduce a stress effect undergoing from an element isolation film by an element formation region by a dummy pattern provided to flatten the front surface of a substrate in which the element isolation film is formed, and to enable to improve the operating characteristic of the element by controlling positively the stress effect.例文帳に追加

素子分離膜が形成された基板表面の平坦化を図るために設けるダミーパターンによって、素子形成領域が素子分離膜から受ける応力効果を低減できるようにし、また、応力効果を積極的に制御して素子の動作特性を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a base isolation device for effectively escaping a pressure operating on a turn-around portion of a rolling sheet member and smoothing vertical and horizontal three-dimensional base isolation while increasing the size of an air chamber in a rolling sheet type air spring used as long cycle means.例文帳に追加

長周期化手段として用いるローリングシート型空気ばねの空気室の拡充化を図りつつ、ローリングシート部材の折り返し部分に作用する圧力を効果的に逃がし、もって、上下および水平の三次元免振を円滑に行うことができる免振装置を提供する。 - 特許庁

Thereafter, an interlayer insulation film is formed to cover an isolation region, the Si active layer region, the gate electrode and the sidewall, and a contact hole for electrical connection is made in the interlayer insulation film at a position on the border line of the isolation region and the silicide film.例文帳に追加

次に、前記の素子分離領域,Si活性層領域,ゲート電極,サイドウォールを覆うように層間絶縁膜を形成した後、その層間絶縁膜に対し素子分離領域とシリサイド膜との境界線上の位置で電気的接続用のコンタクト孔を開孔する。 - 特許庁

In this case, the cathode electrode has a line electrode having a recessed portion on one side, an isolation electrode which is located on the substrate exposed by the recessed portion by being isolated from the line electrode and on which an electron emitting part is placed, and a resistance layer which electrically connects the line electrode with the isolation electrode.例文帳に追加

この時、カソード電極は、一側辺に凹部を備えたライン電極と、凹部によって露出された基板上でライン電極と離隔して位置し、電子放出部が置かれるようになる隔離電極と、ライン電極と隔離電極とを電気的に連結させる抵抗層とを含む。 - 特許庁

例文

To provide a three-dimensional earthquake-isolating and restoring device of a vending machine which is an object for earthquake isolation capable of performing the earthquake isolation in the three-dimensional direction, i.e., the longitudinal, right-to-left and vertical directions when an earthquake occurs with a simple structure, and having the excellent restoring function to a fixed position.例文帳に追加

本発明は、簡略な構造で、地震発生時に前後左右及び上下という3次元方向の免震が可能であり、且つ、定位置への優れた復元機能をも兼備した免震対象体である自動販売機の3次元免震復元装置を提供する。 - 特許庁




  
日本法令外国語訳データベースシステム
※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
本サービスで使用している「Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス」はWikipediaの日本語文を独立行政法人情報通信研究機構が英訳したものを、Creative Comons Attribution-Share-Alike License 3.0による利用許諾のもと使用しております。詳細はhttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/ および http://alaginrc.nict.go.jp/WikiCorpus/ をご覧下さい。
  
Copyright © Ministry of Health, Labour and Welfare, All Right reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS