「In Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To exhibit a stable base isolation performance even in the low- temperature environment without local deformation in the floor part in an upper structure and a resonance phenomenon in the direction of height of the upper structure when an earthquake occurs.例文帳に追加

地震発生時に上部構造体における床部に局部的な変形及び上部構造体の高さ方向への共振現象を生じさせることなく、低温環境下でも安定した免震性能を発揮する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: an element isolation groove formed in the mark portion; an element isolation insulating film formed within the element isolation groove; an etching stopper film covering at least a part of an surface of the element isolation insulating film; an interlayer insulating film formed on the whole surface of the substrate; and a contact hole extending from a surface of the interlayer insulating film to a surface of the substrate.例文帳に追加

活性領域を分離するための素子分離領域を含む回路部と、マーク部とを基板に有する半導体装置であって、該マーク部に形成された素子分離溝と、該素子分離溝内に形成された素子分離絶縁膜と、該素子分離絶縁膜の表面の少なくとも一部を覆うエッチングストッパー膜と、該基板の全面に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面から該基板の表面まで達するコンタクトホールと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

With respect to the semiconductor device in which element regions 107 and 108 are isolated and formed by element isolation regions 106 which are formed in a given patter on a silicon substrate and gates 115 and 116 of MOSFET are placed in the element regions 107 and 108, dummy element regions 109 are formed in the element isolation regions 106 and dummy gates 117 are formed in the dummy element regions 109.例文帳に追加

シリコン基板に所要のパターンに形成された素子分離領域１０６により素子領域１０７，１０８が区画形成され、その素子領域１０７，１０８にＭＯＳＦＥＴのゲート１１５，１１６が配設されている半導体装置において、素子分離領域１０６にはダミー素子領域１０９が形成され、かつダミー素子領域１０９にダミーゲート１１７が形成される。 - 特許庁

To provide a base for an isolation culture medium for horticulture having a good draining property in irrigation in culture and preventing heating damage caused by retention of water and poor ventilation in the case of placing the base at a low place.例文帳に追加

園芸用隔離培地の台座において、栽培時の潅水による排水性を良くし、水分滞留および低地設置による風通しの悪さによる蒸れを防止する台座を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer ceramic substrate, in which isolation effect between wiring conductors is superior and further warpages, etc., caused by the difference in sintering shrinkage factors between ceramic layers is hard to cause in a baking process.例文帳に追加

配線導体間のアイソレーション効果に優れ、かつ焼成工程において各セラミック層間の焼結収縮率の差による反り等が生じにくい、多層セラミック基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A hole 9 is made in an ink cartridge in a state detached from a recording head but the ink supply port 4 having the hole 9 is covered with an isolation member 7 to isolate the ink chamber in the cartridge from the outside.例文帳に追加

記録ヘッドから取り外した状態のインクカートリッジは、前記孔９があけられているが、隔離部材７により孔９を有するインク供給口４を覆って内部のインク室を外部と隔離する。 - 特許庁

To provide a new coating rubber composition excellent in ozone resistance especially in the greatly deformed state, and also excellent in rubber strength, extension, damping performance or the like, and to provide a base isolation/damping device using the coating rubber composition.例文帳に追加

特に大変形状態での耐オゾン性に優れる上、ゴム強度や伸び、あるいは減衰性能等にも優れた新規な被覆ゴム組成物と、それを用いた免震・制震装置とを提供する。 - 特許庁

This trigger mechanism of a base isolation device comprises a magnet 7 vertically movably mounted between an upper support 3 and a lower support 2 mounted in a state of being vertically opposite to each other and relatively displaced in the horizontal direction in earthquake.例文帳に追加

上下に対向配置されて震動時に水平方向に相対変位する上部支持台３と下部支持台２との間に配置され、且つ、上下に移動するマグネット７を備えている。 - 特許庁

To prevent a short-circuit between gate electrodes in an STI technique, where gate insulating films and gate electrode material films are formed in order on a semiconductor substrate and after that, an element isolation insulating film is embedded in a groove provided on the main surface of the substrate.例文帳に追加

ゲート絶縁膜及びゲート電極材料膜を順次形成した後に素子分離絶縁膜を埋め込み形成するＳＴＩ技術においてゲート電極同士の短絡を防止すること。 - 特許庁

In this base isolation structure 1, a through hole 2a is formed in a vertical direction on a main body 2 which is layered by rigid layers 21 and flexible layers alternately, and a block 3 is fitted in the through hole 2a.例文帳に追加

硬質層２１と軟質層２２とが交互に積層された本体２に貫通孔２ａが鉛直方向に形成され、貫通孔２ａにブロック３が嵌入された免震構造体１である。 - 特許庁

In foreign affairs, he strengthened the trade control and crackdown on Christians with the aim of monopolizing trade profits in Nagasaki, and through the Shimabara Rebellion in 1637, he established the national isolation policy until 1641. 例文帳に追加

対外的には長崎貿易の利益独占目的から、貿易統制ならびにキリシタン弾圧を強化し、寛永14年（1637年）の島原の乱を経て寛永18年（1641年）までに鎖国体制を完成させた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide an air cleaner cleaning air in a space in a building such as a barn or a toilet and an isolation apparatus sterilizing air in a stationary or mobile structure forming an isolated space.例文帳に追加

畜舎、トイレット等の建造物内の空間のエアーを清浄化できるエアークリーナー、および、隔離空間を作る固定または移動できる構造物内のエアーを殺菌できる隔離装置を提供する。 - 特許庁

To provide a base-isolation device capable of improving one or both of rotating performance and vertical rigidity in fields of civil engineering/architecture and mechanical structure, and to provide the base-isolation device having superior rotating performance and vertical rigidity, and capable of coping with severe deformation.例文帳に追加

土木・建築および機械構造物の分野において、回転性能または鉛直剛性の一方または両方をより向上可能な免震装置、ひいては回転性能が良好な、鉛直剛性の高く、かつ大変形に対応できる免震装置を提供する。 - 特許庁

To provide a jig for fixing a seismic isolation baseplate, capable of positioning the baseplate in a period after placing concrete and before curing the concrete, which has not been achieved with conventional jigs for fixing the seismic isolation baseplate.例文帳に追加

本発明は、免震ベースプレート取付治具に関し、従来の免震ベースプレート取付治具において、コンクリートを打設した後から該コンクリート硬化前の期間においてベースプレートの位置調整ができないということが課題であって、それを本発明によって解決することである。 - 特許庁

There is provided a MOS transistor, wherein a gate electrode 104 is formed via a gate insulating film 103 on a silicon substrate 101, so as to straddle the border of an element isolation region 102 formed in a silicon substrate 101, and regions other than the element isolation region 102.例文帳に追加

シリコン基板１０１に形成された素子分離領域１０２とその素子分離領域１０２以外の領域との境界を跨ぐように、シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０３を介してゲート電極１０４が形成されたＭＯＳトランジスタを備える。 - 特許庁

To provide a device for conducting a restoring test of a base isolation floor capable of safely and smoothly conducting the test without generating a flight substance in load tripping by applying a testing load to the base isolation floor, then quickly releasing the load.例文帳に追加

免震床に試験負荷をかけ、次いでその負荷を急激に開放することにより、その免震床の復元試験を行う装置において、負荷引き外し時に飛翔物が発生することなく、安全に且つ円滑に試験を行うことができる装置の提供。 - 特許庁

To provide a division type base isolation device providing high strength as a whole and enabling base isolation construction only by jacking up existing apparatus even in a small working space, and a method for isolating base of the existing apparatus or the like by using the same.例文帳に追加

全体として高い強度が得られるとともに、狭い作業スペースであっても、既設の機器類をジャッキアップするのみで免震化工事を施工することが可能になる分割型免震装置およびこれを用いた既設機器類の免震化工法を提供する。 - 特許庁

A failure detector 6 detects the failure of the power supply caused by the charge voltage of the primary smoothing capacitor 12 of the isolation transformer 14 by monitoring the voltage V3 between the secondary terminals of the isolation transformer 14 provided in a control power supply 3.例文帳に追加

電源異常検出部６は、制御電源部３に設けられた絶縁トランス１４の２次側の端子間電圧Ｖ３を監視することで、絶縁トランス１４の１次側の平滑コンデンサ１２の充電電圧に起因する電源の異常を検出する。 - 特許庁

Heat insulating materials 5 are disposed between the water W received in a seismic isolation pit 2 and the seismic isolation pit 2, and between the water W and a floating structure body 3, respectively, and a heat insulating closing member 6 is disposed near a water level of the water W to achieve heat insulation at the circumference of the water W.例文帳に追加

免震ピット２内に収容された水Ｗと免震ピット２との間及び水Ｗと浮体構造物本体３との間に断熱材５設置し、水Ｗの水面付近に断熱ふさぎ部材６を設置して水Ｗの周囲に断熱を施す。 - 特許庁

This semiconductor device is good enough to be provided with an element isolation region E1 only on both sides of one element region E2, so that the semiconductor device has a structure of small occupation area wherein element regions E2 and element isolation regions E1 are both as small in number as possible.例文帳に追加

又、この半導体装置の場合、一つの素子領域Ｅ２の両側にだけ素子分離領域Ｅ１を設ければ良いので、素子領域Ｅ２及び素子分離領域Ｅ１の両方が可能な限り少ない個数で占有面積の小さな構造を持つ。 - 特許庁

Namely, both the flanks of the channel regions 2b and 3b in the (x) direction do not have an insulator of the STI element isolation structure 4 (contactless state), so that they are prevented from receiving the (z)-directional stress from the STI element isolation structure 4.例文帳に追加

即ち、各チャネル領域２ｂ，３ｂのｘ方向に沿った両側面には、ＳＴＩ素子分離構造４の絶縁物は無く（非接触状態）、従ってチャネル領域２ｂ，３ｂがＳＴＩ素子分離構造４からｚ方向の応力を受けることが防止される。 - 特許庁

In the reverse-blocking insulated gate bipolar transistor of which the substrate thickness is ≤150 μm, a trench groove 23 for isolation region formation formed on a first principal surface side is used to form an isolation diffusion region 32.例文帳に追加

基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁

A raised stress isolation pedestal portion 14d is formed on the substrate that receives a stress isolation glass pedestal element 18 and in turn a silicon pressure sense element 22, all having closely matched CTEs to minimize temperature inducing stresses.例文帳に追加

高く持ち上げられた応力隔離台部分１４ｄは、応力隔離ガラス台部材１８と次にシリコン圧力感知部材２２を受け取る基板上に形成され、すべては、応力を誘発させる温度を最小限にするために非常に適合したＣＴＥを有する。 - 特許庁

The TEG pattern includes a plurality of element isolation film patterns 123 with a predetermined space between; an active region pattern 125 formed between these element isolation film patterns 123; and a metal 1 contact pattern 127 formed in the active region pattern 125.例文帳に追加

テグパターンは、所定の間隔を置いて複数で形成される素子分離膜パターン１２３と、該素子分離膜パターン１２３の間に形成されたアクティブ領域パターン１２５と、及びアクティブ領域パターン１２５内に形成されたメタル１コンタクトパターン１２７とを含む。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor that can be sufficiently increased in the number of pixels by making a pixel isolation region narrow, and can have high resolution by suppressing transmission of visible light incident on an adjacent pixel to the pixel isolation region.例文帳に追加

画素分離領域を狭小化することによって画素数を十分に増大させることができ、隣接する画素に入射した可視光の前記画素分離領域に対する透過を抑制し、高い解像度を得ることが可能なＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁

The process for fabricating the nonvolatile memory includes forming the isolation structures protrudent over the substrate in the substrate, forming the tunneling layer over the substrate, and then forming the floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the first isolation structures protrudent over the substrate.例文帳に追加

また、不揮発性メモリの製造プロセスは、基板上に突き出た分離構造が基板に形成され、トンネル層が基板上に形成され、その後、浮遊ゲートが基板上に突き出た第１分離構造の側壁上に導電性スペーサーとして形成されることを含む。 - 特許庁

A semiconductor device having an air isolation structure is fabricated by employing polycarbonate having a cycloaliphatic ring in the main chain of polymer as sacrifice polymer and removing the sacrifice polymer from an air isolation structure precursor where the sacrifice polymer is arranged between metallizations.例文帳に追加

脂肪族環をポリマー主鎖に有するポリカーボネートを犠牲ポリマーとして用い、犠牲ポリマーが金属配線間に配置されたエアアイソレーション構造前駆体から該犠牲ポリマーを除去することによってエアアイソレーション構造を有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which can secure a gate work margin and can suppress the fluctuations of transistor characteristic by reducing the drop of a trench end part in the semiconductor device, where an element isolation region by means of STI(shallow trench isolation) is formed.例文帳に追加

ＳＴＩによる素子分離領域が形成された半導体装置において、トレンチ端部の落ち込みを低減することにより、ゲート加工マージンを確保でき、また、トランジスタ特性の変動を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The upper part building 4 is constituted by arranging a base isolation member 2 having a rigid frame structure and composed of a sliding piece 2b and a receiving board 2a just below a column 10 and attaching the end beam 13 to a tip of a cantilever beam 11 to cover the receiving board 2a constituting the base isolation member 2 in a plane manner.例文帳に追加

上部建物４をラーメン構造で柱１０直下に摺動子２ｂと受板２ａからなる免震材２を配置し、片持ち梁１１の先端に鼻先梁１３を取り付けて、免震材２を構成する受板２ａを平面的に覆う。 - 特許庁

In the silicon substrate 1 having a trench device-isolation region, a trench 3 which spreads from the surface to inside the silicon substrate 1 is formed, and a trench device-isolation insulator 5 is filled inside the trench 3 through a liner oxide 4 formed on an inner wall of the trench 4.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域を有するシリコン基板１において、表面からシリコン基板１内部に延在するトレンチ３が形成され、トレンチ３の内壁に形成したライナー酸化膜４を介してトレンチ素子分離絶縁物５がトレンチ３内に充填される。 - 特許庁

The base plate assembly 10 for a base isolation device used for joining the base isolation device 12 to the concrete structure 14 includes a steel base plate 28 and a plurality of long nuts 30 which are implanted in the first surface of the base plate 28 and which allow fixing bolts 32 for fixing the base isolation device 12 to the base plate assembly 10 to be screwed thereto from the second surface side of the base plate 10.例文帳に追加

免震装置１２をコンクリート構造物１４に接合するための免震装置用ベースプレートアセンブリ１０は、鋼板製ベースプレート２８と、このベースプレート２８の第１面に植設され、免震装置１２をベースプレートアセンブリ１０に固定する固定用ボルト３２をベースプレート１０の第２面側から螺合させることのできる複数の長ナット３０とを備えている。 - 特許庁

To improve a transmission suppression effect of vibration produced by an elastic member at the initial stage at which a load acts on the elastic member and when a small load acts thereon, to improve the isotropy of the vibration isolation performance of the elastic member, thereby improving the vibration isolation performance of the elastic member, in a vibration isolation support device having the elastic member which is arranged between a vehicle body and a fuel tank.例文帳に追加

車体と燃料タンクとの間に配置される弾性部材を備える防振支持装置において、弾性部材に荷重が作用する際の初期段階や小荷重が作用する際における弾性部材による振動の伝達抑制効果の向上、および弾性部材の防振性能の等方性の向上を図り、以て弾性部材の防振性能の向上を図る。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an element isolation region 12, formed in a semiconductor substrate 11, an active region 11a consisting of the semiconductor substrate 11 surrounded by the element isolation region 12, a gate insulating film 13 formed on the active region 11a, and a gate electrode 15, formed by mounting the active region 11a and adjacent element isolation region 12.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された素子分離領域１２と、該素子分離領域１２に囲まれた半導体基板１１からなる活性領域１１ａと、該活性領域１１ａの上に形成されたゲート絶縁膜１３と、活性領域１１ａ及び隣接する素子分離領域１２の上に跨って形成されたゲート電極１５とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI semiconductor device which does not form a parasitic MOSFET of low threshold voltage, when an electric field concentrates on a part where an gate electrode is close to a boundary between an active region and an element isolation region, in a case where an element isolation region is provided for an SOI substrate through a mesa element isolation region forming method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板において素子分離領域を形成するためにメサ型素子分離領域形成法を採用した場合に、ゲート電極が活性領域と素子分離領域との境界部分に懸かる箇所で電界が集中する結果、閾値電圧の低い寄生ＭＯＳ ＦＥＴが形成されることが無いＳＯＩ型半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In this base isolation building, a plurality of base isolation support devices 40 are installed at intervals on the foundation, a reinforcement frame 30 is constructed by stretching beam materials 31 arranged substantially parallel to one direction of the unit building on the base isolation support devices 40, column bases of the building unit 10 constituting the upper structure 20 are set on the reinforcement frame 30.例文帳に追加

基礎上に間隔をおいて複数の免震支承装置４０が設置され、この免震支承装置４０の上に、ユニット建物の一方向に略平行に並設される梁材３１が掛け渡されて補強架台３０が構成され、この補強架台３０の上に上部構造体２０を構成する建物ユニット１０の柱脚部が設置されて構築された免震建物。 - 特許庁

A separate distance between an element isolation diffusion layer 25 and a drain diffusion layer 24 is made smaller than that between the element isolation diffusion layer 25 and a buried diffusion layer 22, a breakdown voltage between the element isolation diffusion layer 25 and a drain electrode becomes small, and a surge voltage applied to a drain can be restricted by the breakdown voltage, so that the drain can be improved in surge resistance.例文帳に追加

素子分離拡散層２５とドレイン拡散層２４との離間距離を、素子分離拡散層２５と埋め込み拡散層２２との離間距離よりも小さくするため、素子分離拡散層２５とドレイン電極３３間の降伏電圧が小さくなり、ドレインに印加されるサージ電圧をその降伏電圧で制限することが出来るため、ドレインのサージ耐量を大きくすることができる。 - 特許庁

The base isolation device is formed of laminated rubber raised through a steel bar in the center, and a vertical stopper is provided on the upper end of the steel bar.例文帳に追加

前記免震装置は、中心部に鋼棒を通して立ち上がらせた積層ゴムからなり、鋼棒の上端に鉛直方向のストッパが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of efficiently generating a tensile strain in a channel region even when the aspect ratio of a trench of STI (shallow trench isolation) structure is enlarged.例文帳に追加

ＳＴＩ構造のトレンチのアスペクト比を大きくしても、チャネル領域に効率的に引張歪を生じさせることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To ensure that the isolation at off state of a high-frequency switching element provided in the signal bypass circuit of a high-frequency variable gain amplifier does not fluctuate.例文帳に追加

高周波可変利得増幅装置の信号バイパス回路に設ける高周波スイッチ素子におけるオフ状態時のアイソレーションが変動しないようにする。 - 特許庁

The high-withstand-voltage isolation region 3 is divided by the trench 4, and a high-withstand-voltage NMOS 5 and a high-withstand-voltage PMOS 6 are formed in the divided regions.例文帳に追加

また，高耐圧分離領域３は，トレンチ４にて区画されており，区画された部位に高耐圧ＮＭＯＳ５や高耐圧ＰＭＯＳ６が設けられている。 - 特許庁

With such an arrangement, electric field is relaxed in the vicinity of the isolation region 4 under the wiring layer 18 and breakdown voltage characteristics of the LDMOSFET 1 are enhanced.例文帳に追加

この構造により、配線層１８下方では、分離領域４近傍での電界が緩和され、ＬＤＭＯＳＦＥＴ１の耐圧特性が向上する。 - 特許庁

This substrate 3 is installed with predetermined isolation distance (constant distance) kept from the internal surface of the bottom plate 21 of the chassis 2 in parallel to the bottom plate 21.例文帳に追加

この基板３は、シャーシ２の底板２１の内面から所定距離（一定距離）離間し、かつ、底板２１と平行となるように設置されている。 - 特許庁

To provide an element isolation film forming method for a semiconductor device, in which two times of wet etching processes are applied to recover damages duet to a CMP process.例文帳に追加

２次に亘るウェットエッチング工程により、ＣＭＰ工程により発生する損傷を回復される半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In the intermediate layer base-isolated building, the beam depth (height of the beam) of the floor beam (girder) of the base isolation bottom floor is formed larger than the beams of the other floors.例文帳に追加

中間層免震建物においては、免震最下階の床梁（大梁）は、他の階の梁よりも梁成（梁の高さ）が大きく形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing it, which can suppress stress distortions and crystal defects in an end part of an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域の端部における応力ひずみの発生及び結晶欠陥発生を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁