「In Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor integrated circuit capable of initializing a memory without preparing an initialization exclusive circuit for initializing the memory, and also accessible to the memory from the outside, only after confidential data in the memory are perfectly erased.例文帳に追加

メモリを初期化するための初期化専用回路を設けることなくメモリを初期化することができ、メモリ中の機密データを完全に消去した後にのみ外部からメモリにアクセス可能な半導体集積回路を提供すること。 - 特許庁

To shorten the writing time by effectively using the function possessed by a memory 14 in a memory control circuit 10 provided between a CPU 12 and the memory 14 to enable the writing of data to the memory 14 through a write buffer 18.例文帳に追加

ＣＰＵ１２とメモリ１４間にあって、ライトバッファ１８を介してメモリ１４に対するデータの書き込みを可能とするメモリ制御回路１０において、メモリ１４の持つ機能を有効に利用して書き込み時間の短縮を図る。 - 特許庁

In the memory cell forming region for a phase change memory wherein a MISFET is used as a memory cell selecting transistor QM, a phase change material layer CG is common to the memory cells comprising resistance elements R using the phase change material.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴをメモリセル選択用トランジスタＱＭとして用いる相変化メモリのメモリセル形成領域において、相変化材料を用いた抵抗素子Ｒからなるメモリセルの相変化材料層ＣＧを共通化する。 - 特許庁

In the timing chart 100; during a refresh operation of WL1, the SA00 of the memory bank 101 and the SA20 of the memory bank 103 are overdriven and the SA10 of the memory bank 102 and the SA30 of the memory bank 104 are not overdriven.例文帳に追加

タイミングチャート１００では、ＷＬ１のリフレッシュ動作時に、メモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０３のＳＡ２０をオーバードライブさせ、メモリバンク１０２のＳＡ１０とメモリバンク１０４のＳＡ３０をオーバードライブさせない。 - 特許庁

To provide a rewritable non-volatile memory cell that is a type having a chance of inducing dielectric breakdown, which requires less space in the lateral direction, to provide a method of manufacturing the memory cell, and to provide a memory cell array having a plurality of such memory cells.例文帳に追加

絶縁破壊を誘発するタイプの書換え可能な不揮発性メモリセルにおいてラテラルな方向に場所を取らないもの、そして、そのようなメモリセルの製造方法、ならびに、そのようなメモリセルを多数有するメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a controller with a flash memory and a method of writing data to the flash memory which can enhance the writing efficiency of a CPU built-in type flash memory without using a memory region for writing management.例文帳に追加

メモリ領域を書込管理のために使用することなく、ＣＰＵ内蔵型のフラッシュメモリの書込みの効率化を図ることができる、フラッシュメモリを備えた制御装置及びフラッシュメモリへのデータ書込み方法を提供すること。 - 特許庁

The printer determines whether or not the state of an insufficient memory may occur in accordance with the present distribution of the memory, and compares an acquirement waiting time with an overhead time associated with memory redistribution processing, when it is determined that the state of the insufficient memory may occur.例文帳に追加

プリンタは、メモリの現在の配分に基づいて、メモリ不足が発生するか否かの判断を行い、メモリ不足が発生すると判断すると、獲得待ち時間とメモリ再配分処理に伴うオーバーヘッド時間とを比較する。 - 特許庁

At the time of recognizing that a memory unit 13 at a stand-by system has been mounted, a data transferring part 12b reads the data stored in an operation memory 12a, and transfers the data through a memory copy bus 15 to the stand-by system side memory unit 13.例文帳に追加

データ転送部１２ｂは、待機系側のメモリユニット１３が実装されたことを認識すると、運用系メモリ１２ａ内に格納されているデータを読み出して、メモリコピーバス１５を介して待機系側のメモリユニット１３へ転送する。 - 特許庁

To provide a structure and a manufacturing method for preventing an uneven structure between memory cells, and entire performance reduction of the memory cells, due to overetching of a phase change layer in the memory cells during the formation of the memory cells.例文帳に追加

メモリセルの形成中にメモリセル内の相変化層がオーバーエッチングされることによって、メモリセル間における構造が不均一になり、メモリセルの全体的な性能に影響を及ぼすことを防ぐ構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory controller that prevents the memory from outputting erroneous data and enhances the operation performance of a system having a complicated data read operation, and to provide a smart card equipped with the memory controller, and a method of the operation of reading data in a memory.例文帳に追加

メモリからの誤ったデータの出力を防止し、データ読出し動作が煩雑なシステムの動作性能を向上させるメモリコントローラとそれを備えるスマートカード、およびメモリのデータ読出し動作制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-voltage semiconductor memory unit, which can read data of a spare memory cell array with priority to a main memory array in which a physical address of a memory cell array comprising NAND structure, is precedent and to provide data reading method used for the unit.例文帳に追加

ＮＡＮＤ構造からなるメモリセルアレイの物理的アドレスが先にあるメインメモリアレイより先にスペアメモリアレイのデータを優先的にリードできる不揮発性半導体メモリ装置及びこれに用いるデータリード方法を提供する。 - 特許庁

When the memory card 29 set in the second card slot 25 is pulled out, the memory card 29 can be pushed into the card slot 25 without contact of a finger 45 with the first memory card 28 or ejection of the first memory card 28.例文帳に追加

第２のカード用スロット２５にセットされたメモリカード２９を抜き取る際に、メモリカード２９をカード用スロット２５に押し込むが、その際に指４５が第１のメモリカード２８に接触したり、第１のメモリカード２８をイジェクトさせることはない。 - 特許庁

To provide a virtual memory radio communication system in which the memory capacity of a memory card can be optionally set and the memory capacity can be optionally changed and with which a useless purchase cost can be reduced.例文帳に追加

メモリカードのメモリ容量を、任意に設定することができ、また、上記メモリ容量を任意に変更可能であり、無駄な購入コストを低減することができる仮想メモリ無線通信システムを提供することを目的とするものである。 - 特許庁

Data input/output pad parts 3a, 3b, 3c, 3d, which correspond respectively to memory blocks MB1 to MB4 and which are near the corresponding memory blocks, are arranged in the central region between the memory blocks MB1, MB3 and the memory blocks MB2, MB4.例文帳に追加

メモリブロックＭＢ１およびＭＢ３とメモリブロックＭＢ２およびＭＢ４の間の中央領域にメモリブロックＭＢ１〜ＭＢ４それぞれに対応しかつ対応のメモリブロック近傍にデータ入出力パッド部３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄがそれぞれ配置される。 - 特許庁

The exchange of data is operated between a serial interface 20 and a memory register 21 and a data buffer 22, and the data of the data buffer 22 are exchanged through a memory controller 23 with a memory 24 according to setting written in the memory register 21.例文帳に追加

シリアルインターフェース２０とメモリレジスタ２１及びデータバッファ２２との間でデータの交換が行われ、メモリレジスタ２１に書き込まれる設定に従ってデータバッファ２２のデータがメモリコントローラ２３を通じてメモリ２４と交換される。 - 特許庁

The learning reservation processing part 7 provides instructions for securing a reservation memory area for the storage range in a head side of the first memory part 1, based on reservation area information, to the memory allocation processing part 5, when initializing the first memory part 1.例文帳に追加

学習予約処理部７は、第１のメモリ部１の初期化時に、メモリアロケーション処理部５に対して予約領域情報に基づき第１のメモリ部１の先頭側に記憶容量レンジの予約メモリ領域の確保を指示する。 - 特許庁

The remote control unit 12 has a liquid crystal monitor 16 and a memory card slot 18 and, by inserting a memory card 20 in the memory card slot 18, image data is read from the memory card 20 to be displayed on the liquid crystal monitor 16.例文帳に追加

リモコンユニット１２は液晶モニタ１６とメモリカードスロット１８を有し、メモリカード２０がメモリカードスロット１８に挿入されることにより、メモリカード２０から画像データが読み出され、その画像が液晶モニタ１６に表示される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a defect ratio of memory parts can be suppressed low even if the defect ratio of individual memory cells are high and properties of individual memory cells are changed after shipping of products, and electronic equipment using the same.例文帳に追加

個々のメモリセルの不良率が高くても、また、個々のメモリセルの特性が製品出荷後に変動しても、メモリ部の不良率を低く抑えることができる半導体記憶装置およびそれを用いた電子機器を提供する。 - 特許庁

Data transfer information to a memory which is necessary for a series of data processing based on a plurality of data processing apparatuses is stored in a memory control device, and the memory control device itself generates a memory command based on the states of data buffers to control execution order.例文帳に追加

複数のデータ処理装置による一連のデータ処理に必要なメモリへのデータ転送情報をメモリ制御装置が保持し、データバッファの状態を基にメモリ制御装置自身がメモリコマンドを生成し実行順序制御を行う。 - 特許庁

To provide a technology for reducing the power consumption of a memory while utilizing a quickened memory data transferring speed as much as possible in an information processor having a memory clock setting function for changing the setting of the operation clock of a memory.例文帳に追加

メモリの動作クロックの設定を変更するメモリクロック設定機能を有する情報処理装置に関し，高速化されたメモリデータ転送速度を可能な限り生かしつつ，メモリの消費電力を削減する技術を提供する。 - 特許庁

Afterwards, corresponding to data restoring operation, a plurality of pieces of music contained in the favorite list file having capacity matching with the detachable memory 5 of the digital memory player 1 are simultaneously transferred to the detachable memory 5 of the digital memory player 1 by the PC 2.例文帳に追加

その後、パーソナルコンピュータ２は、データ復元操作に応じて、デジタルメモリプレーヤ１の脱着型メモリ５と容量が一致するお気に入りリストファイルに含まれる複数の楽曲を、デジタルメモリプレーヤ１の脱着型メモリ５へ一括転送する。 - 特許庁

The memory card has a function for acquiring a power off timer value set in the memory host being attached and sets appropriate refresh operation time for every use environment even under a situation that the memory card is used on a plurality of memory hosts.例文帳に追加

メモリ・カードは、装着中のメモリ・ホストに設定されているパワーオフ・タイマ値を取得する機能を備え、複数のメモリ・ホスト上で使用するという状況下であっても、使用環境毎に適当なリフレッシュ動作時間を設定する。 - 特許庁

Also, at redundant memory cell test, a defective region is caused forcedly in the redundant memory cell being used already for redundancy replacement by the redundant memory cell decoder 15, the number of effective loaded redundant memory cells of the semiconductor memory is recognized for a test device/test program.例文帳に追加

また冗長メモリセルテスト時に、冗長メモリセルデコーダ１５により、既に冗長置換に使用されている冗長メモリセルに強制的に不良帯を発生させ、当該半導体記憶装置の実効的な冗長メモリセル搭載数を検査装置/検査プログラムに対して認識させる。 - 特許庁

An image processing apparatus includes: a first storage means for storing a plurality of memory divisional information items for dividing available regions for each purpose of use of a memory; and a memory dividing means for dividing the available regions for each purpose of use of the memory by referring to the memory divisional information in accordance with a function to be used.例文帳に追加

メモリの使用用途毎の使用可能領域を区分けするための複数のメモリ区分情報を格納する第１の記憶手段と、使用される機能に応じて、メモリ区分情報を参照してメモリの使用用途毎の使用可能領域を区分けするメモリ区分手段と、を備える。 - 特許庁

To provide a means capable of realizing high speed data processing with an internal memory having a small capacity by effectively utilizing the internal memory and an external memory in a data processing apparatus including a data processing section for simultaneously processing a plurality of data requests through the use of the internal memory and the external memory.例文帳に追加

内部メモリ及び外部メモリを用いて、複数のデータ転送要求を同時に処理するデータ処理部を有するデータ処理装置において、内部メモリと外部メモリとを有効利用して、小容量の内部メモリで高速なデータ処理を実現できる手段を提供する。 - 特許庁

And in a test for the redundant memory cell regions 1b and 1c, when the redundant memory cell column or the redundant memory cell row is already replaced, it is judged that the redundant memory cell column or the redundant memory cell row should be excluded from an object of replacement.例文帳に追加

そして、冗長メモリセル領域１ｂ及び１ｃに関するテストにおいて、冗長メモリセル列又は冗長メモリセル行が置換済みである場合には、当該冗長メモリセル列又は当該冗長メモリセル行を置換の対象から除外すべきと判断されるように構成している。 - 特許庁

A flash ROM 22 of the storage terminal includes: a memory device dedicated to a plurality of users to which different memory identifiers are assigned; and a shared memory device 221P storing a dedicated memory switching table T1 in which the plurality of memory identifiers and the respective different IP addresses are made to correspond to each other.例文帳に追加

記憶端末のフラッシュＲＯＭ２２は、それぞれ異なるメモリ識別子が割り当てられた複数のユーザ専用メモリデバイスと、複数のメモリ識別子とそれぞれ異なるＩＰアドレスとが対応付けられた専用メモリ切替テーブルＴ１を記憶する共有メモリデバイス２２１Ｐとを有する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for sorting defectives of a semiconductor memory whereby the semiconductor memory having a defective memory cell specifically inferior in performance which cannot be sorted according to a uniform sort condition among a plurality of memory cells of the semiconductor memory can be sorted.例文帳に追加

半導体記憶装置の有する複数の記憶セルのうち、一律の選別条件では選別できない特異的に性能の劣る記憶セルを有する半導体記憶装置の選別が可能な半導体記憶装置の不良品選別方法および不良品選別装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which enables a system user to select only a specific memory device, such as a defective memory device and to directly analyze and fix the cause of defect of the defective memory device in a system mounted with many memory devices, and a generating method for a chip selection signal.例文帳に追加

多くのメモリ装置を装着しているシステムでシステム使用者が不良メモリ装置のような特定のメモリ装置だけを選択して直接不良メモリ装置の不良原因を分析したり、改善できるようにする半導体メモリ装置及びチップ選択信号発生方法を提供する。 - 特許庁

A row of a normal memory cell comprising a memory cell in which defect is caused can be substituted by a useful row of a redundant memory cell having no defect by controlling operation of such the selection circuit 32 without connecting a row of a redundant memory cell and a row of a normal memory cell substituted generally.例文帳に追加

このような選択回路３２の作動を制御することによって、不良が生じたメモリセルを含むノーマルメモリセルのローは、リダンダントメモリセルのローが一般的に代えられたノーマルメモリセルのローと連結されていなくても、不良がないリダンダントメモリセルの有用なローに代えることができる。 - 特許庁

To provide a device and a method for controlling a flash memory for updating flash memory control information stored in a predetermined volatile memory every time when the type of the flash memory is changed and using the updated control information to control the changed flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリを制御する装置および方法に関し、所定の揮発性メモリに格納されたフラッシュメモリの制御情報をフラッシュメモリの種類が変わる毎に更新し、更新された制御情報を用いて変更されたフラッシュメモリを制御するフラッシュメモリを制御する装置および方法を提供する。 - 特許庁

A memory cell comprises a ferroelectric gate type dual-gate thin-film transistor, wherein a thin transistor is provided on both surfaces of a ferroelectric thin film 1, a plurality of the memory cells are connected in series to constitute a memory block, and a plurality of memory blocks are arranged to form a memory cell array.例文帳に追加

強誘電体薄膜１の両面に薄膜トランジスタを設けた強誘電体ゲート型デュアルゲート薄膜トランジスタによりメモリセルを構成し、このメモリセルを複数個直列接続してメモリブロックを構成し、このメモリブロックを複数個配置してメモリセルアレイを構成する。 - 特許庁

The facsimile equipment provided with a memory transmission function has a control means 1 for performing control to temporarily stop a memory storage operation during memory file printing-out when the remaining capacitance of a memory becomes '0' during transmission original storage, and to start the storage operation again when a space is formed in the memory.例文帳に追加

メモリ送信機能を備えるファクシミリ装置において、送信原稿蓄積中にメモリ残量が０になった場合に、メモリファイル印字出力中のとき、メモリ蓄積動作を一時中断し、メモリに空きができれば蓄積動作を再開する制御を行う制御手段１を有する。 - 特許庁

Whether a data subsystem is to be operated as a cache memory or as a scratchpad memory in which line fetch from an external memory is suppressed is determined, and a control bit is programmed so that the data subsystem can be operated as either the cache memory or the scratchpad memory depending on the determination result.例文帳に追加

データサブシステムをキャッシュメモリとして作動すべきか、または外部メモリからのラインフェッチを抑制するスクラッチパッドメモリとして作動すべきかを判断し、前記判断に応じて前記データサブベースをキャッシュメモリまたはスクラッチパッドメモリのいずれかとして作動させるよう、制御ビットをプログラムする。 - 特許庁

The programmable controller in which a processor 2 for management, a processor 3 for program execution, a program memory 4, a low speed memory 7 for holding for power interruption as a first memory, a high speed memory 8 for execution as a second memory, a battery and a battery switching circuit 6 are connected with the same bus 1 is constituted.例文帳に追加

管理用プロセッサ２と、プログラム実行用プロセッサ３とプログラムメモリ４と、第１のメモリである停電時保持用低速メモリ７と、第２のメモリである実行用高速メモリ８と、バッテリ及びバッテリ切換回路６とを同一バス１に接続したプログラマブルコントローラを構成した。 - 特許庁

To reduce chip cost by reducing the off leak current of a memory cell connected with a bit line even in a large scale memory core and increasing the number of memory cells connected with one word line thereby reducing the total area of the memory core, and to facilitate patterning when the mask of a memory cell array is formed.例文帳に追加

規模の大きいメモリコアにおいてもビット線に接続されるメモリセルのオフリーク電流を低減し、１本のワード線あたりに接続されるメモリセル数を増やしてメモリコア全体での面積削減によるチップコストの削減を実現し、またメモリセルアレイ部のマスク作成時のパターニングを容易にする。 - 特許庁

When the control unit of the main memory determines that the main memory has reached the end of its service life, the host control unit stores the backup target information in a non-volatile auxiliary memory different from the main memory, and reads out the backup target information from the auxiliary memory for performing processing to start the system.例文帳に追加

ホスト制御部は、メインメモリが寿命を迎えたと制御部によって判断された際、メインメモリとは異なる不揮発性の補助メモリにバックアップ対象情報を格納し、システムの起動に係る処理を行う際には補助メモリからバックアップ対象情報を読み出す。 - 特許庁

The data transfer control unit 30 controls transfer of the image data from the first memory 22 to the second memory 24, as well as controls transfer of image data, after image processing on the image data written in the second memory 24, from the second memory 24 to the first memory 22.例文帳に追加

データ転送制御部３０が、第１のメモリ２２から第２のメモリ２４への画像データの転送制御を行うと共に、第２のメモリ２４に書き込まれた画像データに対する画像処理後の画像データを、第２のメモリ２４から第１のメモリ２２に転送する制御を行う。 - 特許庁

An intermesh memory element (500) comprises a plurality of memory components (204) having decidable resistance values, and a plurality of electronic switches (206) which control currents flowing in the memory components and each of which gives potential to one memory component or a plurality of the memory components.例文帳に追加

インターメッシュ・メモリ素子（５００）は、決定可能な抵抗値を有するようにそれぞれ構成された複数のメモリ・コンポーネント（２０４）と、メモリ・コンポーネント内を流れる電流を制御して１つまたは複数のメモリ・コンポーネントに電位がかけられるようにそれぞれ構成された複数の電子スイッチ（２０６）とを含む。 - 特許庁

Besides a program storing memory 2 which is a nonvolatile memory and stores the operation control processing program, a program execution memory 3 which is a volatile memory 3 is provided to carry out the operation control processing program, and the program execution memory 3 is constantly verified and checked to prevent illegal data in it.例文帳に追加

運転制御処理のプログラムを格納した不揮発メモリであるプログラム格納メモリ２とは別に、運転制御処理のプログラムを実行するための揮発メモリであるプログラム実行メモリ３を設け、プログラム実行メモリ３のデータ化けを防止するためのベリファイチェックを常時行う。 - 特許庁

To solve the problem that a memory access time increases since control synchronized with the clock of a transmission destination is required at the time of transmitting memory access signals between a CPU operated asynchronously with a memory and the memory in a device for accessing the memory from a plurality of the CPUs operated asynchronously with each other.例文帳に追加

互いに非同期に動作する複数のＣＰＵからメモリアクセスを行う装置では、メモリと非同期に動作するＣＰＵとメモリの間のメモリアクセス信号の伝達を行うにあたり、伝達先のクロックに同期化させる制御が必要となるため、メモリアクセス時間が増加してしまう。 - 特許庁

A memory device control apparatus includes a device information requesting part that requests device information with respect to a memory device, when recognizing that the memory device is connected to the memory device controlling apparatus; and an extension function activating part that activates an extension function of the memory device based on the device information acquired in the device information requesting part.例文帳に追加

メモリデバイスが接続されたことを認識した時に、メモリデバイスに対してデバイス情報を要求するデバイス情報要求部と、デバイス情報要求部で取得したデバイス情報に基づき、メモリデバイスの拡張機能を有効化する拡張機能有効化部とを備えている。 - 特許庁

The phase-change memory device includes a first mode set to activate, when boundary crossing occurs in a burst mode, both of one word line of a first phase-change memory cell array and one word line of a second phase-change memory cell array, and read data from the first phase-change memory cell array and the second phase-change memory cell array.例文帳に追加

バーストモードで境界交差が発生する場合、第１相変化メモリセルアレイの１本のワードラインと第２相変化メモリセルの１本のワードラインとを共に活性化させ、第１相変化メモリセルアレイと第２相変化メモリセルアレイとからデータを読出す相変化メモリ装置の第１モードを設ける。 - 特許庁

To provide a memory controller and a flash memory system equipped with the memory controller and a method for controlling the flash memory for avoiding the concentration of the writing of data in the specific region of a flash memory, and for adjusting a storage capacity to be assigned to each logical zone as necessary.例文帳に追加

データの書き込みがフラッシュメモリの特定の領域に集中することを回避すると共に、各論理ゾーンに割り当てる記憶容量を適宜調整することができるメモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁

This memory device is provided with the first memory 41 of a tamper resistant which cannot be accessed directly from electronic equipment, and a second memory of non-tamper resistant which cannot be accessed directly from electronic equipment; and is constituted so as to save data stored in the first memory 41 using the second memory.例文帳に追加

電子機器から直接アクセスすることができない耐タンパー性の第１のメモリ４１と、電子機器から直接アクセスすることができない非耐タンパー性の第２のメモリとを設け、第２のメモリを使用して、第１のメモリ４１に蓄積されたデータを退避するように構成している。 - 特許庁