「In Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile memory including a memory cell in which data are stored in a plurality of pages included in the prescribed block by voltage applied to the prescribed memory cell, and an apparatus and a method which can judge surely validity of imperfect data being causable by interruption of power source supply during write-in/erasion operation by the nonvolatile memory.例文帳に追加

所定メモリセルに印加される電圧によって所定ブロックに含まれた複数のページにデータを格納するメモリセルを含む不揮発性メモリ、その不揮発性メモリで書き込み／削除動作中に電源供給の中断により発生しうる不完全なデータの有効性を正確に判断できる装置及び方法を提供する。 - 特許庁

A system control part 11 refers to the memory management table 40, stores the divided and compressed image data of each block in the memory region registered in the memory management table, and registers image storage information indicating which block of the image data is stored in which memory region in an image management table 50.例文帳に追加

システム制御部１１は、分割され圧縮された各ブロックの画像データを、メモリ管理テーブル４０を参照してこれに登録されているメモリ領域に格納すると共に、どのメモリ領域に、どのブロックの画像データを格納したかを示す画像格納情報を画像管理テーブル５０に登録する。 - 特許庁

A plurality appearance rule candidates can be defined in a memory 9, and appearance rules and retrieval precedence or the like of still picture and moving picture fields can be stored in the memory 9, and the appearance rules defined in the memory 9 are read to calculate matching rates and the highest matching rate can be preserved in the memory 9.例文帳に追加

出現規則候補をメモリ９に複数個定義したり、静止画像・動画像フィールドの出現規則と検索優先順位などをメモリ９に格納したり、メモリ９に定義された出現規則を読み込んで適合率を算出し、最も高い適合率をメモリ９に保存することができる。 - 特許庁

The detector circuits 6b detect the storing states of the memory circuits, and output the data stored in the elements in the block when the memory circuits store the data of the first logical levels, but output a certain constant value without depending on the data in the memory elements in the block when the memory circuits store the data of the second logical levels.例文帳に追加

検出回路６ｂは、記憶回路の記憶状態を検出し、記憶回路が前記第１の論理レベルを記憶している場合、ブロック内の記憶素子のデータを出力し、記憶回路が前記第２の論理レベルを記憶している場合、ブロック内の記憶素子のデータによらず一定の値を出力する。 - 特許庁

The method for generating an address for designating the memory bank which becomes an object for the refresh in the refresh operation for the semiconductor memory device can vary the number of the memory banks which become the object for the refresh in the refresh operation in the semiconductor memory device by using not only the bank address but a control address not separately utilized in the refresh operation.例文帳に追加

半導体メモリ装置のリフレッシュ動作でリフレッシュ対象となるメモリバンクを指定するアドレスを生成する方法で、バンクアドレスだけでなく、リフレッシュ動作時に別途に活用されていなかった制御アドレスを利用して、半導体メモリ装置のリフレッシュ動作時に、リフレッシュ対象となるメモリバンクの数を可変させうる。 - 特許庁

The MONOS memory 2 has a memory cell array in which a plurality of memory cells storing data by accumulating electric charges in an electric charge trap in a plurality of ferroelectric films laminated on the semiconductor are arranged in a matrix state and memory cells are connected by a plurality of common lines of a row direction and a column direction.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳメモリ２が、半導体上に積層された複数の誘電体膜内の電荷トラップに電荷を蓄積してデータを記憶する複数のメモリセルを行列状に配置させ、行方向および列方向の複数の共通線によりメモリセル間を接続させたメモリセルアレイを有している。 - 特許庁

In a non-volatile semiconductor memory provided with a plurality of memory cells having a floating gate, this device monitors a leak current of a memory cell being in erasure, by monitoring a state of a memory cell being in erasure and controlling erasure voltage applied to a control gate in accordance with a progress state of erasure.例文帳に追加

本発明は、フローティングゲートを有するメモリセルを複数設けた半導体不揮発性メモリにおいて，消去中のメモリセルの状態を監視し，消去の進捗状態に応じてコントロールゲートに印加する消去電圧を制御することで，具体例として，消去中のメモリセルのリーク電流を監視する。 - 特許庁

When an error is generated in the program stored in the RAM, the program stored in the flash memory is stored again in the RAM, and a switching means for switching the memory is provided to conduct the processing for the equipment using the program stored in the flash memory, when an error is generated again in the program stored in the RAM.例文帳に追加

その場合、ＲＡＭに記憶されたプログラムにエラーが発生したときは、再度フラッシュメモリに格納されたプログラムをＲＡＭに記憶させ、再度ＲＡＭに記憶されたプログラムにエラーがあれば、フラッシュメモリに格納されたプログラムを用いて機器の処理を行うよう、メモリーを切り替える切替手段を前記機器に備えた。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can be improved in service life, lowered in operating voltage, enhanced in operation speed, lessened in power consumption, and enhanced in degree of integration.例文帳に追加

長寿命化，低電圧化，動作の高速化，低消費電力化および高集積化を図ることが可能な半導体メモリを提供する。 - 特許庁

The snapshot comparison looks similar to a memory snapshot but only displays the differences between the two compared snapshots.The graphical bar in the Live Bytes column enables you to easily see the difference in the bytes allocated.If the left half of the cell in that column is green it means that the number of allocated bytes for that object is lower when the second snapshot was takenthan it was when the first was taken.If the right half of the cell is red it means that the number of allocated bytes is higher in the second snapshot than in the first.In the other columns you can see that a plus sign ( + ) indicates that the value increased and a minus sign ( - ) indicates that the value decreased. Note.例文帳に追加

ご意見をお寄せください - NetBeans

An input processing means of each channel receives a recording instruction during the stop operation and when a memory bank with final data written therein among banks of an in-channel buffer memory is not incorporated in the write processing to a recording medium, the data are appended to the memory bank, and when the memory bank is incorporated in the write processing, other memory bank is selected and the recording is restarted.例文帳に追加

各チャンネルの入力処理手段が停止動作中に記録指示を受け付け、チャンネル内バッファメモリの複数バンクの中で最後のデータが書かれたメモリバンクが記録媒体への書き込み処理に入っていなければ、そのメモリバンクに追加記録し、書き込み処理に入っていれば他のメモリバンクに切り替えて記録動作を再開する。 - 特許庁

Images stored in an internal memory and an external memory are displayed, an image to perform image management such as printing reservation thereon is selected (ST11) and of the external memory exists, an image management file (DPOF) is generated/written in this external memory (ST17-ST21) and a sub image management file (sub DPOF) is generated/written in the internal memory.例文帳に追加

内蔵メモリと外部メモリに記憶されている画像を表示すると共に、プリント予約等の画像管理を行う画像を選択し（ＳＴ１１）、外部メモリが存在する場合には、この外部メモリに画像管理ファイル（ＤＰＯＦ）を生成・書込みを行い（ＳＴ１７〜ＳＴ２１）、内蔵メモリに副画像管理ファイル（サブＤＰＯＦ）を生成・書込みを行う。 - 特許庁

The memory controller includes a nonvolatile memory wherein a plurality of logical pages to which a plurality of tables as storage areas divided for every predetermined capacity belong are formed respectively, a control unit for recording and reproducing data in units of logical pages for each of the logical pages in the nonvolatile memory, and a volatile memory for temporarily storing the data in the nonvolatile memory.例文帳に追加

所定容量ごとに区切られた記憶領域であるテーブルが複数属する各論理ページが複数形成された不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリ内の上記論理ページに対して当該論理ページ単位でデータの記録再生を行う制御部と、上記不揮発性メモリ内のデータを一時的に記憶する揮発性メモリと、を備える。 - 特許庁

By previously registering an initial value written previously in the memory in an IC card before issuance, on the occasion when personal data is written into the memory, whether data, equivalent to the memory initial value exists in the personal data, is decided, and when data equivalent to the memory initial value exists, control is performed so that the data will not be written to the memory.例文帳に追加

ＩＣカード内のメモリにあらかじめ書込まれている初期値を発行前にあらかじめ登録することにより、メモリに対して個人データを書込む際、当該個人データ内にメモリ初期値と同等のデータが存在するか否かを判定し、メモリ初期値と同等のデータが存在する場合は当該データのメモリへの書込みは行なわないように制御する。 - 特許庁

A control means (CPU 2c) in a client 2 adds a new memory address to data in this memory space and reserves a window area of a prescribed size in the memory space of a primary storage device (memory 2b) on the client 2 side, and the client uses the memory address to request the material data to the server and copies it to the window area.例文帳に追加

そして、クライアント２内の制御手段（ＣＰＵ２ｃ）が、このメモリ空間上のデータに新たにメモリ・アドレスを付加し、クライアント２側における一次記憶装置（メモリ２ｂ）のメモリ空間に所定の大きさのウインドウ領域を確保し、クライアントからサーバに対して、メモリ・アドレスを使って素材データを要求するとともにウインドウ領域に複写する。 - 特許庁

To perform good write-in of data for a memory cell, while constituting the memory cell with normal six transistors even if the device has such constitution that the data of a memory cell is outputted from one side of a pair of bit lines through a global bit line for read-out, in a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体記憶装置において、ビット線対の一方から読み出し用グローバルビット線を介してメモリセルのデータを出力する構成であっても、メモリセルを通常の６トランジスタ構成としながら、メモリセルへのデータの良好な書き込みを行う。 - 特許庁

Then, the address A is converted into address information B indicating an area in a waiting system buffer memory 32 in the address conversion memory 42, and outputted to a post-conversion main memory address bus 142, and this address information B is supplied through an address switcher 92 to a waiting system buffer memory 32.例文帳に追加

そして、アドレス変換メモリ４２では、待機系バッファメモリ３２内の領域を指すアドレス情報Ｂに変換して変換後主メモリアドレスバス１４２に出力し、アドレス切換器９２を経由して待機系バッファメモリ３２にこのアドレス情報Ｂが供給される。 - 特許庁

A pseudo arbitration block 180 is also provided in an arbitration block 150, receives a memory use request signal from another memory access block in the process of trace execution of the access history and returns a memory use approval signal without actually accessing an internal memory 160.例文帳に追加

また、調停ブロック１５０内に疑似調停ブロック１８０を設け、アクセス履歴のトレース実行中の他のメモリアクセスブロックからのメモリ使用要求信号を受け付け、実際に内蔵メモリ１６０にアクセスすることなくメモリ使用承認信号を返送する。 - 特許庁

To provide a code generation method and a compiler which can efficiently arrange data in a program on a computer provided with an on-chip memory having a function for changing memory capacity to be allocated according to a program and a built-in memory such as a cache memory.例文帳に追加

プログラムによって割当てるメモリ容量を変更する機能を有するオンチップメモリおよびキャッシュメモリ等の内蔵メモリを備えた計算機に対して、プログラム中のデータを効率良く配置することができるコード生成方法およびコンパイラを提供する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device including a plurality of memory chips, when data are copied among the plurality of memory chips, after the command of recognizing a read enable operation as a write enable operation is started in the memory chip of a copying destination, the read enable operation is executed.例文帳に追加

複数のメモリチップを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記複数のメモリチップ間でデータのコピーを行うとき、コピー先のメモリチップにおいてリードイネーブル動作をライトイネーブル動作と認識させるコマンドを起動した後、前記リードイネーブル動作を行う。 - 特許庁

A semiconductor device has the memory array having a structure in which memory cells are stacked including memory layers using a chalcogenide material and diodes, and initialization conditions and rewrite conditions are changed according to the layer in which a selected memory cell is positioned.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、カルコゲナイド材料を用いた記憶層とダイオードで構成されたメモリセルを積層した構造のメモリアレイを有し、選択されたメモリセルが位置する層に応じて、初期化条件及び書き換え条件が変更されるものである。 - 特許庁

A circuit for dividing each word line in the memory cell array along the row direction of the memory cell array 1 is provided and the fault in the memory cell array 1 can be localized furthermore by dividing the memory cell array 1 into a plurality of blocks.例文帳に追加

また、メモリセルアレイの列方向に沿ってメモリセルアレイの各ワード線を分割する分割回路を設け、前記メモリセルアレイを複数のブロックに分割することにより、前記メモリセルアレイの内部に含まれる故障箇所の範囲をさらに絞り込むことが可能になる。 - 特許庁

In a ferroelectric substance memory chip having a memory cell region in which a plurality of memory cells having ferroelectric substance capacitors are arranged, an electromagnetic wave shielding layer 46 for shielding external electromagnetic waves is formed on the memory cell region.例文帳に追加

本発明は、強誘電体キャパシタをそれぞれ有する複数のメモリセルが配置されたメモリセル領域を有する強誘電体メモリチップにおいて、メモリセル領域に外部からの電磁波をシールドする電磁波シールド層４６、５０、４０が形成されることを特徴とする。 - 特許庁

This device is designed to perform a control for storing, when the size of firmware to be updated is smaller than the capacity of a flash memory, the firmware in the flash memory, and dividedly storing, when it is larger than the capacity of the flash memory, the firmware in the flash memory and a magnetic disk device.例文帳に追加

更新するファームウエアのサイズがフラッシュメモリの容量より小さいときはファームウエアをフラッシュメモリに格納し、ファームウエアがフラッシュメモリの容量よりも大きいときはファームウエアをフラッシュメモリと磁気ディスク装置に分割して格納する制御を行う構成とする。 - 特許庁

To provide a memory access controller in which a system matching memory capacity that a user requires can be configured by constituting the total memory capacity of the system more flexibly and to increase the availability of the system by minimizing a decrease in memory access speed.例文帳に追加

システムの全メモリ容量をより柔軟に構成し、ユーザの必要とするメモリ容量に合わせたシステムを構築するとともに、メモリアクセス速度の低下を最小限に抑えてシステムの可用性を高めることが可能なメモリアクセス制御装置を提供する。 - 特許庁

While a word line, to which a memory cell of a test target is connected, is driven in a defect detection test, driving of a word line to which a memory cell for applying active noise is connected is made possible, wherein data inverse to data written in the memory cell of the test target is written into the memory cell for applying active noise.例文帳に追加

不良検出試験の際に検査対象メモリセルが接続されたワード線を駆動している間に、検査対象メモリセルに書き込まれたデータの逆のデータが書き込まれたアクティブノイズ印加用メモリセルが接続されたワード線を駆動できるようにした。 - 特許庁

In the memory cell 81 of the memory element 80 mounted in the color ink cartridge 107F, the data of ink residual amount of each color are collectively distributed to a second memory region which is accessed before a first memory region storing read-only data.例文帳に追加

また、カラー用のインクカートリッジ１０７Ｆに搭載の記憶素子８０のメモリセル８１において、各色のインクの残量データについては、読み出し専用データが記憶される第１の記憶領域よりも先にアクセスされる第２の記憶領域にまとめて配置する。 - 特許庁

A nonvolatile memory NVMEM included in the microcomputer sets a first memory cell area ARY1 of which the data storage life-time becomes 10 years or longer in the memory array NVARY and a second memory cell area ARY2 of which the data storage life-time becomes 1-365 days.例文帳に追加

例えば、マイクロコンピュータに含まれる不揮発性メモリＮＶＭＥＭにおいて、そのメモリアレイＮＶＡＲＹ内にデータ保持寿命が１０年以上となる第１メモリセル領域ＡＲＹ１と、データ保持寿命が１〜３６５日となる第２メモリセル領域ＡＲＹ２を設ける。 - 特許庁

In a semiconductor memory comprising a plurality of electrically writable and erasable memory cells as a memory medium, the voltage and/or the pulse width is controlled at the time of writing such that the threshold voltage distribution width is decreased after writing in the plurality of memory cells.例文帳に追加

電気的に書き込みおよび消去が可能な複数メモリセルを記憶媒体とする半導体記憶装置において、上記複数メモリセルの書き込み後のしきい値電圧分布幅を小さくするように、書き込み時の電圧および、またはパルス幅を制御する。 - 特許庁

The video signal processing device is provided with a line memory 1 and a memory control means 2 which controls the line memory 1 so as to invert the video signal right-left by alternately switching line by line between the ascending order and the descending order of addresses written in the line memory 1 in performing right-left inversion processing.例文帳に追加

左右反転処理を行う場合に、１ラインごとにラインメモリ１への書き込みアドレスの昇順と降順とを交互に切り替えることで前記映像信号を左右反転するように前記ラインメモリ１を制御するメモリ制御手段２とを備えた。 - 特許庁

A memory cell array 1 in which memory cells 11 including an anti-fuse element are arranged is divided into two memory banks MB1, MB2, and write-in and read-out voltages VBP1, VBP2 supplied to the anti-fuse elements of respective memory banks are generated by two boosting circuit 2.例文帳に追加

アンチヒューズ素子を含むメモリセル１１が配置されたメモリセルアレイ１を２つのメモリバンクＭＢ１、ＭＢ２に分割し、２つの昇圧回路２により、それぞれのメモリバンクのアンチヒューズ素子へ供給する書き込みおよび読み出し電圧ＶＢＰ１、ＶＢＰ２を発生させる。 - 特許庁

To provide an image data storage device and method by which a compression rate of image information already stored in a memory can dynamically be changed depending on an idle capacity of the memory or the number of stored images in the memory so as to efficiently use the image memory and record the images with better image quality.例文帳に追加

メモリの空き容量或いはメモリの記録画像数に応じて、メモリに記録済みの画像情報の圧縮率を動的に変化させることを可能とし、画像メモリを効率的に使用するとともに、画像をよりよい画質で記録することを可能にする。 - 特許庁

To reduce the capacity of an instruction memory, and to flexibly assign a program area whose application is required by constituting an instruction memory as a multi-port memory in the constitution of a multi-processor system in which a processor and an instruction memory are mounted one to one.例文帳に追加

プロセッサとインストラクション・メモリを１対１に装備したマルチプロセッサシステムの構成で、インストラクション・メモリをマルチポート・メモリにすることによって、インストラクション・メモリの容量を削減することと共に、アプリケーションの必要とするプログラム領域を柔軟に割り当てることができる。 - 特許庁

On the other hand, the part 13 is a memory bank corresponding only to the space area, retrieves a memory bank in the state in which power is supplied and instructs a memory power supply control part 14 to stop power supply feeding to the detected memory bank.例文帳に追加

一方、メモリ電源管理部１３は、この空き領域のみに対応するメモリバンクであって、電力が供給された状態にあるメモリバンクを検索し、検出されたメモリバンクへの電力供給を停止するようにメモリ電源制御部１４に指示する。 - 特許庁

Image data next to the last image data of one memory card is handled as the first image data of the other memory card to handle all image data recorded in both memory cards as image data recorded in one large-capacity memory card.例文帳に追加

さらに、一方のメモリカードの最後の画像データの次の画像データを他方のメモリカードの最初の画像データとして取り扱うことにより、両メモリカードに記録されている全画像データを１つの大容量メモリカードに記録されている画像データのごとく取り扱う。 - 特許庁

This memory system is configured to store data and output the stored data in response to a request from host equipment when a power is supplied from the host equipment 2, and provided with a semiconductor memory 11 and a controller 12 for controlling the write of the data in the memory and the read of the data from the memory.例文帳に追加

メモリシステムは、ホスト機器から電源を供給され、ホスト機器からの要求によってデータの記憶および記憶されたデータの出力を行い、半導体メモリと、メモリへのデータの書き込みおよびメモリからのデータの読み出しを制御するコントローラとを含む。 - 特許庁

To provide a collective data copying method between memory cells, the method performing transition from a normal mode to a highly reliable mode at high speed and with a low voltage operation in a semiconductor memory capable of dynamically changing a bit reliability QoB of the memory cells in accordance with an application and a memory state.例文帳に追加

アプリケーションやメモリ状況に応じてメモリセルのビット信頼性ＱｏＢを動的に変化させ得る半導体メモリにおいて、通常モードから高信頼モードへの移行を、高速、かつ、低電圧動作で行えるメモリセル間の一括データコピー方法を提供する。 - 特許庁

When a program C needs a block C2 in a state that a vacant block is absent in a memory buffer 13, a memory management part 16 selects a program having lower use frequency of a program A and a program B, and selects a memory block having lowest use frequency of memory use areas thereof.例文帳に追加

メモリバッファ１３に空きブロックがない状態で、プログラムＣがブロックＣ２を必要とした場合、メモリ管理部１６はプログラムＡ及びプログラムＢのうちの使用頻度の低いほうを選び、そのメモリ使用領域の中で最も使用していないメモリブロックを選択する。 - 特許庁

To provide a method which can use a common standard to both a DRAM and a nonvolatile memory in spite of the fact that bidirectional communication is required in the general nonvolatile memory so as to adjust writing between a memory controller and the memory.例文帳に追加

不揮発性メモリは一般に、メモリコントローラとの間で書き込みを調整するために双方向通信を必要とするという事実があるにもかかわらず、ＤＲＡＭと不揮発性メモリの両方に共通の標準規格を使用することができる方法を提供する。 - 特許庁

A non-volatile semiconductor memory has a memory cell array region in which a plurality of memory cells 100 having first and second MONO memory cells 108A, 108B controlled by a word gate and a control gate are arranged in the first and second directions A, B.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ワードゲートとコントロールゲートにより制御される第１，第２のＭＯＮＯＳメモリセル１０８Ａ，１０８Ｂを有するメモリセル１００を、第１，第２の方向Ａ，Ｂにそれぞれ複数配列してなるメモリセルアレイ領域を有する。 - 特許庁

When a USB memory 3 is inserted into a USB host I/F 16, a control part 11 reads a USB memory serial number from the USB memory 3 and reads the type of a deletion command from a command file stored in the USB memory 3.例文帳に追加

制御部１１は、ＵＳＢメモリ３がＵＳＢホストＩ／Ｆ１６に挿入されたときに、ＵＳＢメモリ３からＵＳＢメモリシリアル番号を読み取り、ＵＳＢメモリ３に格納されたコマンドファイルから消去コマンドの種別を読み取る。 - 特許庁

Thus, the occurrence of misrecognition that the external memory card cover 21 is opened can be prevented regardless of that the external memory card cover 21 is closed, data in the external memory card 30 are protected and the external memory card 30 itself is prevented from being damaged.例文帳に追加

したがって、外部メモリーカードカバー２１が閉じられた状態であるにもかかわらず開けられたと誤認識することを防止し、外部メモリカード３０のデータを保護するとともに、外部メモリカード３０自体の破損を防止する。 - 特許庁

In the requirement of the burst access from the DMA to the system memory 20, the memory controller 11 conducts the access to the bank 1 of the system memory 20 by the burst length 4, or an access to a bank 2 of the system memory 20 by a burst length 8.例文帳に追加

一方、ＤＭＡからシステムメモリ２０へのバーストアクセスの要求であれば、メモリ制御装置１１は、システムメモリ２０のバンク１に対してバースト長４でアクセスし、或いは、システムメモリ２０のバンク２に対してバースト長８でアクセスする。 - 特許庁

The memory control unit selectively performs either first write processing for writing data into a flash memory of the SSD or second write processing for writing data into the flash memory after deleting unnecessary data recorded in the flash memory.例文帳に追加

メモリ制御部は、ＳＳＤのフラッシュメモリにデータを書き込む第１の書き込み処理と、フラッシュメモリに記録された不要データを消去した後にフラッシュメモリにデータを書き込む第２の書き込み処理の一方を選択的に行う。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 1B includes a memory plane 110 of which the plurality of memory cells are arrayed in a bit line direction B and a word line direction W and also a memory cell objective for control is specified by a row decoder 101 and a column decoder.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１Ｂは、ビット線方向Ｂ及びワード線方向Ｗに複数のメモリセルが配列され、ロウデコーダ１０１及びカラムデコーダによって制御対象メモリセルが指定されるメモリプレーン１１０を有する。 - 特許庁