「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(969ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a permanent pattern and its forming method, which has ample film thickness and superior chemical resistance, surface hardness, or heat resistance and is suitably used for the field of printed wiring board and semiconductor, such as protective films, insulating films and the like of wirings.例文帳に追加

配線の保護膜、絶縁膜等、プリント配線基板、半導体等の分野において好適に用いられ、十分な膜厚を有し、優れた耐薬品性、表面硬度、又は耐熱性を発現する永久パターン及び該永久パターンの形成方法の提供。 - 特許庁

In a horizontal deflection coil 30, the upper part horizontal deflection coil 32 and the lower part horizontal deflection coil 34 are respectively constituted of fixed coils 36, 40 fixed to the inner face of a resin frame (insulating frame), and movable coils 38, 40 movable against the inner face of the resin frame 28.例文帳に追加

水平偏向コイル３０において、上部水平偏向コイル３２と下部水平偏向コイル３４の各々を、樹脂枠（絶縁枠）２８内面に固定される固定コイル３６，４０と樹脂枠２８内面に対して可動な可動コイル３８，４２とで構成する。 - 特許庁

Radiation shields, in which small strip drum members having narrow width in the cyogenic direction are formed on both sides of an insulating substrate, are cooled in a freezer, and the radiation shields are combined with the outer parts of radiation shield holders that are fixed to the flanges to be cooled in the freezer.例文帳に追加

低温部方向に幅を狭くした細条銅部材を絶縁基板の両面に形成した、輻射シールドを冷凍機で冷却し、この輻射シールドを冷凍機で冷却するフランジに固定された輻射シールド支持体の外周部に組み合わせる。 - 特許庁

A second electrode film 3B has a structure obtained by exchanging the side of the insulating margin 4 and the side of the connection part 5 of a first electrode film 3A, and a first metallized film 1A and a second metallized film 1B are put one over the other and wound or are laminated.例文帳に追加

第２電極膜３Ｂは、第１電極膜３Ａとは絶縁マージン４側と接続部５側とを互いに逆にして配置した構造であり、第１金属化フィルム１Ａと第２金属化フィルム１Ｂとを重ね合わせて巻回、あるいは積層する。 - 特許庁

Related to the fine particle dispersion region 112a, inorganic fine particles 113a are dispersed in an SiO_2 film 114, which is an insulating film, and related to the fine particle dispersion region 112b, inorganic fine particles 113b whose particle sizes are smaller than the inorganic fine particles 113a are dispersed in it.例文帳に追加

また、微粒子分散領域１１２ａには無機微粒子１１３ａが、微粒子分散領域１１２ｂには、無機微粒子１１３ａよりも粒径の小さい無機微粒子１１３ｂが、絶縁膜であるＳｉＯ_2膜１１４中に分散されている。 - 特許庁

The heating and cooking device comprises an inner wall 1 forming a cooking room 2 for cooking food, a heater 3 for heating the cooking room 2, an outer wall 4 for holding and covering the inner wall 1 and a heat insulating material 5 provided between the inner wall 1 and the outer wall 4.例文帳に追加

食品の調理を行う調理庫２を形成する内壁１と、調理庫２を加熱するヒーター３と、内壁１を保持し覆う外壁４とを設け、内壁１と外壁４の間に断熱材料５を配置した加熱調理器としたものである。 - 特許庁

A lossy line component 42 is composed of a plane substrate whose one side is clad with copper, a strip substrate whose one side is clad with copper, in which one or more strip conductors are formed, and a semiconductor layer or a high-loss dielectric held between insulating layers, and is sealed with an exterior resin.例文帳に追加

損失線路部品４２は、プレーン片面銅張り基板と１本以上のストリップ導体が形成されているストリップ銅張り片面基板と絶縁層に挟まれた半導体層または高損失誘電体とから構成されて外装樹脂で封止されている。 - 特許庁

A first resin coat layer for insulating electrically an LSI (large scale integrated circuit) pad 2 and a first contact electrode 4 which are formed on an individualized LSI chip 1 is extended to the outside of the outer rim end of the LSI chip 1 to enlarge a package so as to be bigger than the LSI chip 1.例文帳に追加

個片化されたＬＳＩチップ１上に形成されたＬＳＩパッド２及び第１コンタクト電極４を電気的に絶縁する第１樹脂コート層を、ＬＳＩチップ１外縁端よりも外側まで延出させ、ＬＳＩチップ１よりもパッケージを大きくする。 - 特許庁

A flexible circuit substrate 30 is set on a mounting plate 10 composed of insulating member and the flexible circuit substrate 30 is arranged in such a manner that the substrate is bent to a rear surface 10b side from a front surface 10a side of the mounting plate 10 via a substrate sidewall 11 of the mounting plate 10.例文帳に追加

絶縁材からなる取付板１０にフレキシブル回路基板３０を設置すると共に、フレキシブル回路基板３０を取付板１０の基板側壁１１を介して取付板１０の表面１０ａ側から裏面１０ｂ側に折り返して配置する。 - 特許庁

Through holes 30 are formed nearby through holes 10 which are formed in the insulating substrate 1 for the printed wiring board and into which lead terminals of the electronic components can be inserted and through hole lands 31 of the through holes 30 are formed integrally with lands 11 of the through holes 10.例文帳に追加

プリント配線板用絶縁基板１に形成された、挿入型の電子部品のリード端子を挿入可能な貫通孔１０の近傍にスルーホール３０を形成し、このスルーホール３０のスルーホールランド３１を貫通孔１０のランド１１と一体に形成した。 - 特許庁

The stator winding is constituted of a plurality of electric conductors having almost rectangular cross sections, the plurality of electric conductors are aggregated with two or more pieces as one set, and insulating films 24 are formed around the electric conductors or between the electric conductors.例文帳に追加

固定子巻線は、ほぼ矩形断面形状を有する複数の電気導体で構成されており、電気導体は、２以上の複数本をひとつのセットとして、それら電気導体の周囲およびそれらの電気導体の間に絶縁皮膜２４が形成されている。 - 特許庁

Coatings 17a and 17b on excess plane parts are removed by ion milling, and the coating 18 is adjusted in prescribed track width, and then the yoke part of the upper magnetic film is formed so as to be integrated with an upper pole part 20 on the conductive coil and the insulating films by electric plating.例文帳に追加

イオンミリングにより余分な平面部分の被膜１７ａ、ｂを除去し、かつ被膜１８を所定のトラック幅に調整した後、導体コイル及び絶縁層の上に上部磁性膜のヨーク部分を電気めっきにより、上ポール部分２０と一体に形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 40 included in a gate insulating film 50 of a thin film transistor, a silicon film 60 to become a channel layer 61 and a silicon oxide film 70 serving as an etching stopper layer 71 when forming source/drain layers 81a, 81b, are successively formed without exposing these films to the atmosphere.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲート絶縁膜５０に含まれる酸化シリコン膜４０、チャネル層６１となるシリコン膜６０、ソース／ドレイン層８１ａ、８１ｂを形成するときのエッチングストッパ層７１となる酸化シリコン膜７０を、大気に晒すことなく連続して成膜する。 - 特許庁

To provide an SOI substrate wherein film thickness uniformity of a semiconductor layer like an Si active layer (to which a buried insulating layer is added desirably) is superior, and especially Vth irregularity of a perfect depletion type SOI transistor can be made almost zero, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

Ｓｉ活性層の如き半導体層（望ましくはこれに加えて埋め込み絶縁層）の膜厚均一性に優れ、特に完全空乏型ＳＯＩトランジスタのＶ_thばらつきをほぼ零にすることが可能となるＳＯＩ基板、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a ceramic wiring board where a wiring circuit layer can be turned to a fine wiring, lessened in resistance, enhanced in adhesion to an insulating board, and improved in yield and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

セラミック系の配線基板において、配線回路層の微細配線化、低抵抗化を達成でき、かつ配線回路層の絶縁基板への接着強度が高い配線基板とそれを歩留り良く作製することのできる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In heating and pressurizing a laminate structure including an electrical insulating base material and a wiring board via a press plate of a multilayer structure, the thermal expansion coefficient of the press plate is made to be substantially the same as that of the wiring board forming the laminate structure.例文帳に追加

電気絶縁性基材と配線基板とを含む積層構成物を多層構造のプレス板を介して加熱加圧するに際し、前記プレス板の熱膨張係数を、前記積層構成物を構成する配線基板と略同一の熱膨張係数とする。 - 特許庁

To provide a slurry of a metal oxide useful for a chemical and mechanical polishing treatment(CMP treatment) which is used for flattening an insulating layer of a low dielectric material which coats a conductive layer of a large scale integrated semiconductor circuit or the like.例文帳に追加

大規模集積半導体回路などの導電層を被覆する絶縁層である低誘電率材料から成る層を平面化処理するために用いられる、化学・機械的研磨処理（ＣＭＰ処理）に有用な水系金属酸化物ゾルスラリーを提供する。 - 特許庁

When each of the semiconductor chips is connected in serial, a circuit pattern 5 is surrounded by a circuit pattern 4, and a circuit pattern 6 is surrounded by the circuit pattern 5, which increases the voltage which applies to the central circuit pattern 6 in spite of miniaturization of the insulating substrate 30.例文帳に追加

各半導体チップを直列接続したときに、回路パターン４で回路パターン５を取り囲み，回路パターン５で回路パターン６を取り囲むことで、絶縁基板３０を小型化しても中央部の回路パターン６に印加できる電圧を高めることができる。 - 特許庁

Semiconductor element 1 and 2 are sandwiched between first and second electrode plates 3 and 4, and the first electrode plate 3 contacts a cooling member 7 through an insulating plate 6 while the second electrode plate 4 contacts a heat-transfer 5 comprising a flexible copper and the like.例文帳に追加

半導体素子１、２は、第１の電極板３と第２の電極板４により挟まれ、第１の電極板３は絶縁板６を介して冷却部材７に接しており、第２の電極板４は可とう性を有する銅等よりなる伝熱部材５に接している。 - 特許庁

A shielded wire 1 is formed by forming a thin film of a shield material 7 in the outside surface of an insulating material 6 for coating cores 5, performing the wiring of lead wires 3 in contact with the shield material 7, and covering them with a sheath 4 from the outside for integration.例文帳に追加

本発明のシールド電線１は、芯線５を被覆する絶縁材６の外側面にシールド材７を薄膜状に形成し、シールド材７に接触状態で導線３を布線するとともに、その外側からシース４により一体化したものである。 - 特許庁

The initiator assembly comprises an electric initiator, and a metallic collar for holding it wherein the conductive pins of the electric initiator are integrated while insulating the head parts thereof electrically and the head parts are formed into disc shape as a whole.例文帳に追加

電気式イニシエータと、これを保持する金属製カラーとを含んで構成され、電気式イニシエータの導電性ピン同士は、その頭部同士を電気的に絶縁して一体化してなり、当該頭部同士は全体として円盤状に形成されているイニシエータ組立体。 - 特許庁

To provide a microprocessing method of a sample which is capable of achieving processing in nanometer order accuracy without damaging the sample regardless of conductive/insulating properties of the sample, superior in efficiency compared with an conventional method, and capable of shortening processing time and simplifying processing.例文帳に追加

導電性・絶縁性試料を問わず試料に損傷を与えることなくナノメートルオーダー精度での加工を実現することができ、かつ従来手法に比べ効率に優れ、加工時間の短縮・簡便化を図ることができる試料の微細加工方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device has electrodes of the IC chip joined to electrodes 2a, 2b, 2c,..., 2d of the wiring board 1 across an anisotropic conductive materials 7 and 7a, have fusion type conductive particles 6a, 6b, 6c,..., 6 dispersed in insulating resin 5.例文帳に追加

配線基板１の電極２_ａ、２_ｂ、２_ｃ…２_ｄに異方性導電材を介してＩＣチップの電極が接合されている半導体装置で、異方性導電材７、７_ａには、絶縁樹脂５の中に溶融形導電粒子６_ａ、６_ｂ、６_ｃ…６を分散させる。 - 特許庁

In addition, a metal silicide film 119 is formed over the whole surface, and a plurality of contact holes 121 reaching the source drain diffused layer and gate electrode of the MOS transistor are formed in the silicide film 119 and insulating films 117, 113, and 113.例文帳に追加

更に、全面に金属シリサイド膜１１９を形成し、金属シリサイド膜１１９並びに絶縁膜１１７、１１３及び１１２にＭＯＳトランジスタのソース−ドレイン拡散層及びゲート電極の夫々まで達する複数のコンタクト孔１２１を形成する。 - 特許庁

The insulating bobbin 11 has through holes 12, penetrating the outer peripheral surface of the bobbin at right angles to the axis of the bobbin 11, at prescribed intervals along the axis and the outer peripheral surface of the bobbin is wound with the antenna pattern film 13.例文帳に追加

絶縁性のボビン１１にはボビン１１の軸方向に直交する方向にボビンの外周面を貫通する貫通穴１２が軸方向に沿って所定の間隔をおいて複数形成されており、ボビンの外周面にはアンテナパターンフィルム１３が巻かれる。 - 特許庁

The upper electrode 15 of the nonlinear resistance element 16 is formed by sputtering into a second metal film of the same kind as a first metal film as the lower electrode 13, on an insulating film 14 formed by anodically oxidizing the surface of the first metal film, and then patterned by wet etching.例文帳に追加

非線形抵抗素子１６の上部電極１５は、下部電極１３となる第１の金属膜の表面を陽極酸化して形成する絶縁膜１４の上に同種の第２の金属膜をスパッタリング法で形成し、ウエットエッチング法でパターニングして形成する。 - 特許庁

A wiring groove T is formed in an upper IMD (interlayer dielectric) 4 including a plurality of voids S, and the voids S which are exposed to the wiring groove T are each embedded with an insulating film 5, followed by embedding upper wiring 8 in the wiring groove T through a barrier film 7.例文帳に追加

複数の空隙Ｓを含む上側ＩＭＤ（層間絶縁膜）４に配線溝Ｔを形成し、その配線溝Ｔに露出した空隙Ｓに埋込絶縁膜５を埋め込んだのち、配線溝Ｔ内にバリア膜７を介して上側配線８を埋設する。 - 特許庁

A peeling off preventing layer 13 comprising a thin film made of (for example, non-doping polycrystalline silicon, non-doping amorphous silicone, silicon oxide, silicon nitride, or the like) preventing the peeling off of the electron passing part 5 from the lower electrode is placed between the lower electrode 12 and an insulating substrate 11.例文帳に追加

下部電極１２と絶縁性基板１１との間に下部電極１２から電子通過部５が剥れるのを防止する薄膜（例えば、ノンドープの多結晶シリコン、ノンドープのアモルファスシリコン、酸化シリコン、窒化シリコンなど）からなる剥れ防止層１３を介在させてある。 - 特許庁

After forming an insulating layer 7 at least between antenna wires 4 excluding an antenna wire terminal part 6 in the IC chip fitting area 3 of the an IC chip bridge type antenna 2, an adhesive layer 8 is formed on the fitting area 3 and then an IC chip is packaged on the adhesive layer 8.例文帳に追加

ＩＣチップブリッジ型アンテナ２のＩＣチップ取付領域３におけるアンテナ線末端部６を除いた少なくともアンテナ線４間に絶縁層７を形成した後に、ＩＣチップ取付領域３に接着層８を形成し、その後にＩＣチップを実装する。 - 特許庁

This fuel cell vehicle 1 carries the fuel cell system 3, and a heat insulating member 7 is installed between the fuel cell vehicle 1 and a road surface 5 with travelling of the fuel cell vehicle 1 stopped and with operation of the fuel cell system 3 stopped.例文帳に追加

燃料電池車両１は燃料電池システム３を搭載しており、この燃料電池車両１が走行を停止し、かつ燃料電池システム３の運転を停止した状態で、燃料電池車両１と路面５との間に断熱部材７を設置する。 - 特許庁

Alternately the pocket part A is constituted of a housing bag part 2 and a heat insulation bag part 3, the housing bag part 2 is arranged inside the heat insulation bag part 3 and a cold insulating member 10 can be housed between the housing bag part 2 and the heat insulation bag part 3.例文帳に追加

或いは前記ポケット部Ａは収納袋部２と断熱袋部３とから構成され、該断熱袋部３内に前記収納袋部２が配置され、前記収納袋部２と断熱袋部３との間には保冷部材１０を収納可能としてなること。 - 特許庁

In a p-well 30, grooves 34, 35 are formed between the source area 31 and a channel 33 or between the drain area 32 and the channel 33 of a p-channel high voltage resistance transistor UNT, and the insides of the grooves 34, 35 are respectively filled with insulating substances 34z, 35z.例文帳に追加

Ｐウェル３０には、Ｐチャネルの高耐圧トランジスタＵＮＴのソース領域３１及びチャネル３３間に、又はドレイン領域３２及びチャネル３３間に、溝３４、３５が形成されており、該溝３４、３５内には絶縁物３４ｚ、３５ｚが充填されている。 - 特許庁

A core metal is not used for making the heating roller low in thermal capacity and a heating roller 10 has a structure having nonmagnetic and insulating rigid support layer 13, an induction heating layer 14 and a mold release layer 15 as the outside layer and the induction heating layer is made thin.例文帳に追加

加熱ローラを低熱容量化するために芯金を用いず、加熱ローラ１０を、非磁性かつ絶縁性の剛体支持層１３、導電発熱層１４および最外層の離型層１５を有する構造に構成し、導電発熱層を薄い層に形成した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the generation of a crack or the like, capable of obtaining a region for the arrangement of wiring or the like which functions as an element in a plurality of interlayer insulating films, and capable of reducing a manufacturing cost.例文帳に追加

クラックの発生等を防止することができ、複数の層間絶縁膜内において、素子として機能する配線等を配設できる領域を広くとることができ、製造コストの削減を図ることができる、半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a coating film structure, a coating film heating element 3 is formed on an insulating coating film 2 laid on a surface of a base material 1, and a nonadhesive protective coating film 4 is laid at least on the coating film heating element 3.例文帳に追加

本発明に係る被膜構造は、基材１の表面上に被着された絶縁被膜２上に被膜発熱体３が形成されており、かつ、少なくとも被膜発熱体３上には非粘着性を有する保護被膜４が被着されていることを特徴とする。 - 特許庁

The negative photosensitive resin composition is spin-coated and dried on a semiconductor substrate 1 on which a first conductor layer 3, a second conductor layer 7 and an interlayer insulating film 4 have been formed, and light is illuminated through a mask of a pattern for forming a window 6C in a predetermined portion.例文帳に追加

第１導体層３、第２導体層７及び層間絶縁膜４が形成された半導体基板１に、ネガ型感光性樹脂組成物をスピンコートして乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンのマスク上から光を照射する。 - 特許庁

In the second insulating plate 16b, a cylindrical part 56 is installed protruding in the laminating direction, and a cylindrical body part 68 of a cover member 66 circling around an electric power taking out terminal 54 is fitted into the inner wall face of the cylindrical part 56 via a radial seal 67.例文帳に追加

第２絶縁プレート１６ｂには、積層方向に突出して筒状部５６が設けられ、前記筒状部５６の内壁面には、電力取り出し端子５４を周回するカバー部材６６の筒体部６８が、ラジアルシール６７を介在して嵌合する。 - 特許庁

To provide an insulating resin composition exhibiting flame retardance even in the case of a halogen-free composition and exhibiting the magnitude of elongation withstanding mechanical or thermal stress concentration and coefficient of thermal expansion comparable to that when glass cloth is contained and excellent high-frequency characteristics when formed into a coating film.例文帳に追加

ハロゲンフリーでも難燃性を発揮し、塗膜とした際に、機械的や熱的な応力集中に耐えられるような伸びの大きさと、ガラスクロスを含む場合と同程度の熱膨脹率と、優れた高周波特性を発現する絶縁樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

First N-type impurity of a first dosage is introduced on the entire surface of a silicon film deposited on a semiconductor substrate via an insulating film, and second N-type impurity of a second dosage is introduced on a first area of the silicon film while a second area is masked.例文帳に追加

半導体基板上に絶縁膜を介して堆積されたシリコン膜の全面に第１のドーズ量の第１のＮ型不純物を導入し、シリコン膜の第２の部分をマスクして、第１の部分に第２のドーズ量の第２のＮ型不純物を導入する。 - 特許庁

A semiconductor logic element 1 has a second front-side gate electrode 7 formed at a location which is on a front-side gate insulating film 5 and which is counterposed to a second back-side gate electrode 5.例文帳に追加

基板に支持された半導体層と、互いに離れて形成されたソースおよびドレインと、当該ソースおよびドレイン間に位置する半導体層部分の厚さ方向の両側の面にそれぞれ絶縁膜を介して形成され互いに対向する第１および第２ゲートとを有する。 - 特許庁

An IC socket has contacts to form electric connection with the IC package inserted thereinto, wherein the tip end of the contact is positioned such that it is slanted backward in a partitioning hole in an upper insulating substrate when it is free, and positioned substantially vertically it is upon a measurement.例文帳に追加

ＩＣパッケージを挿入して電気的接続を形成するコンタクトを有するＩＣソケットにおいて、前記コンタクトの先端部をフリー時には上絶縁基板の仕切り孔内に後方に傾斜した状態で位置させて、測定時にはほぼ垂直な状態に位置させる。 - 特許庁

A front end face of an insulating main body is equipped with a housing space in which a column-shaped terminal in contact with a contact connector is housed, a through-hole and a plurality of housing slots are arranged at side walls adjacent to the housing space.例文帳に追加

本発明の絶縁本体の前端面は収容空間及び貫通孔を有し、収容空間に隣接した側壁は複数の収容溝があり、柱状当接端子は絶縁本体の収容空間に収容され、かつ当接コネクタと当接される。 - 特許庁

Since the external battery 32 can be placed in another environment from the camera body 11 through the strap 26, the external battery 32, for example, is put in a pocket or using a portable body warmer (heat insulating sheet), etc., for it to be kept in a warm environment.例文帳に追加

外部電池３２は、ストラップ２６を介してカメラ本体１１と別環境下に置くことができるため、例えば、外部電池３２をポケットの中に入れたり、携帯カイロ（保温シート）などを使用することにより、外部電池３２を暖かい環境下に保つことができる。 - 特許庁

The heat insulating material is one or more type of foamed resin, paper or resin film and the steel plate having a thickness of 0.05-0.5 mm is treated by plating, chemical conversion, resin film lamination or coating, preferably located within 5 mm from the bottom of the vessel.例文帳に追加

断熱素材が発泡樹脂、紙、樹脂フィルムの１種以上から構成され、鋼板が厚さ０．０５〜０５ｍｍであって、めっき、化成処理、樹脂フィルムの積層、塗装のいずれかで処理されており、容器の底面から５ｍｍ以内の位置にあることが好ましい。 - 特許庁

An insulating layer is coated and formed by coating processing of a ceramic composition or a heat resistant resin composition and a conductive wire having a fusing layer on the surface is wound, thereby winding and forming a voice coil 520 on one end side outer circumferential surface of a coil bobbin 510 formed of a titanium alloy into a cylinder.例文帳に追加

チタン合金にて円筒状に形成したコイルボビン５１０の一端側外周面に、セラミック組成物や耐熱性樹脂組成部にて皮膜処理で絶縁層を被覆形成し表面に融着層を有した導線を巻回してボイスコイル５２０を巻装する。 - 特許庁