「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(973ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thermoplastic resin composition for injection molding affording a thin-wall injection-molded item that has high thermoconductivity, high insulating properties and high heat resistance, exhibits excellent flowability on injection molding and is suitable as a heat-dissipating member of an electronic/electric apparatus and the like.例文帳に追加

熱伝導率、絶縁性及び耐熱性が高く、且つ射出成形時の流動性に優れ、電子電気機器用の放熱用部材等として好適な薄肉の射出成形体が得られる射出成形用熱可塑性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The contact hole 12 is formed by exposing the organic film 8 formed on the insulating film 7 by using a mask provided at an aperture part 20 corresponding to the contact hole 12 and at the peripheral part of the aperture part 20 and having a slit pattern 21 having the width not wider than the resolution of an exposing device.例文帳に追加

コンタクトホール１２が、絶縁膜７の上に形成された有機膜８をコンタクトホール１２に対応する開口部３０及び開口部２０の周辺に設けられ露光装置の解像度以下の幅のスリットパターン２１を有するマスクを用いて露光されている。 - 特許庁

An N-type region 5 which forms a photoelectric converting region 2, and a P-type region 6 which forms a channel stopping region 3 are arranged on the surface of a P-type silicon substrate 4, and a transparent electrode 1, consisting of polycrystalline silicon, is provided on the substrate 4 via an insulating film 7.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板４表面に光電変換領域２をなすＮ型領域５とチャネルストップ領域３をなすＰ+型領域６とが配置され、基板４上に絶縁膜７を介して多結晶シリコンからなる透明電極１が設けられている。 - 特許庁

The device is so constructed that one insulating plate material is to be fitted both to a first position covering the coupling hole of the circuit breaker and a second position adjacent to the outer terminal and it is fitted either to the first position or the second position.例文帳に追加

１つの絶縁板材が、回路遮断器の連結穴を覆う第１の位置にも、または外部端子に隣接する第２の位置の何れにも取り付けられるように構成し、この第１の位置および第２の位置の何れかに取り付けるように構成する。 - 特許庁

An active region and trench element isolating region are provided on a semiconductor substrate 100 while the trench element isolating region is composed of a sidewall insulating films 120 made of thermal oxide films, exposure preventive films 122 made of high temperature oxide films and insulator buried in films 130 made of low temperature oxide films.例文帳に追加

半導体基板上１００に活性領域及びトレンチ素子分離領域を備え、トレンチ素子分離領域は熱酸化膜の側壁絶縁膜１２０、高温酸化膜の露出防止膜１２２及び低温酸化膜の絶縁物埋込層１３０からなる。 - 特許庁

A positioning part 18c for moving the position of a through-hole 32 of the circuit board 30 and positioning the through-hole 32 against the board connection parts 21b and 22b of a contact 20 at mounting the circuit board 30 on the insulating housing 10 is installed in the elastic fitting part 18.例文帳に追加

この弾性取付部１８には、回路基板３０を絶縁ハウジング１０に実装する際に、回路基板３０のスルーホール３２の位置を移動させてスルーホール３２をコンタクト２０の基板接続部２１b、２２bに対して位置決めする位置決め部１８cが設けられている。 - 特許庁

There is formed a hole 6 which penetrates the vacuum flange and the insulating body from the other face side of the vacuum flange and continues to the conductor, and a connecting terminal 7 protruding to the outside of the other face side of the vacuum partitioning wall through the hole is arranged at the side of the hole of the conductor.例文帳に追加

真空フランジの他面側から真空フランジ及び絶縁体を貫通して導体に通じる孔部６が形成され、この孔部を通して真空隔壁の他面側外方に突出する接続端子７を前記導体の孔部側に設けてなる。 - 特許庁

At the evaporating space (3) in the thermal insulating panel (1), heat from the high temperature side region is used as evaporating latent heat for the evaporating liquid (4), the vapor ascends and is contacted with the upper wall surface (3a) to release latent heat of condensation to the upper wall surface (3a) and the vapor returns to its liquid state.例文帳に追加

前記断熱パネル(1) の蒸発空間(3)では、高温側領域からの熱が蒸発用液体(4) の蒸発潜熱として使用され、その蒸気は上昇して上壁面(3a)に接触し、同上壁面(3a)に凝縮潜熱を放出して液体に戻る。 - 特許庁

In front of a wall component consisting of a heat insulating material layer and an interior wall material layer and having fireproof performance, the metallic exterior wall panel with a machined rugged pattern is arranged, and the metallic exterior wall panel is bent backward so as to form a mounting part for its own.例文帳に追加

断熱材層と内壁材層からなる耐火性能を有する壁構成材の前方に、凹凸模様が加工された金属製外壁板が設けられ、この金属製外壁板が後方に折り曲げ加工されて金属製外壁板の取付部が設けられている。 - 特許庁

The substrate part 3 is constituted to bring an under face into contact with an upper end of a terminal pin 12 projected from a substrate abutting part 1a provided in the stem 1 toward the substrate part 3 to be fixed bondedly, and an insulating layer 6 is formed only in the substrate mounting part 1a, in the stem 1.例文帳に追加

そして、基板部３は下面をステム１に設けた基板当接部１ａより基板部３に向けて突出させた端子ピン１２の上端に当接して端子ピン１２に接合固定され、ステム１は基板搭載部１ａのみに絶縁層６を形成している。 - 特許庁

To provide a printed circuit board capable of preventing a deterioration from occurring in peeling strength of a connection terminal and an insulating layer and a short circuit caused by a reservoir of excessive solder, and capable of improving connection strength between connection terminals without obstructing a reduction in a pitch between circuits.例文帳に追加

回路間のピッチの微細化を妨げることなく、接続端子と絶縁層との剥離強度の低下、及び余剰はんだを溜めてはんだによるショートを防ぐことができ、接続端子間の接続強度を向上させるプリント配線板を提供する。 - 特許庁

The expansion joint 1 is provided with a pair of expansion joint bodies 7, 9 provided with corresponding to a pair of ducts 3, 5, bellows 11 connecting the pair of the joint bodies, and exposed heat insulating material 19 provided inside of the bellows and directly exposed to circulated fluid.例文帳に追加

伸縮継手１は、一対のダクト３、５に対応して設けられる一対の継手本体７、９と、これら一対の継手本体を接続するベローズ１１と、ベローズの内側に設けられ流通流体に直接さらされた露出断熱材１９とを備えている。 - 特許庁

The integrated thin-film photoelectric converting device includes the transparent electrode layer 42 comprising an insulating primary layer 42a and a conductive oxide film layer 42b which are deposited in order on a glass substrate 41, a photoelectric converting layer 44, a reverse-surface electrode layer 46, a sealing resin layer 48, and an organic protective layer 49.例文帳に追加

ガラス基板４１上に順次堆積された絶縁性下地層４２ａ、導電性酸化膜層４２ｂからなる透明電極層４２、光電変換層４４、裏面電極層４６、封止樹脂層４８、有機保護層４９を含んでいる。 - 特許庁

A low voltage resistance transistor shown in Fig.2(a) includes: a gate insulating film 15 and a first gate electrode 16 which are formed on a first region of a substrate 11 between source and drain regions 13, 14; and silicide layers 13A, 14A formed on the source and drain regions 13, 14.例文帳に追加

（ａ）に示す低耐圧トランジスタは、ソース／ドレイン領域１３，１４間の基板１１の第１領域上に形成されたゲート絶縁膜１５及び第１ゲート電極１６と、ソース／ドレイン領域１３，１４上のシリサイド層１３Ａ，１４Ａとを備える。 - 特許庁

An upper end of an electric insulating gas impermeable gas and liquid transfer tube 5 for connecting the tank 2 to the tank 3 is opened at a position higher by a predetermined size from a bottom of a reliquefying chamber 9, and a liquid reservoir is formed at the bottom of the chamber 9.例文帳に追加

再液化槽(２)と冷媒冷却用液化ガス槽(３)とを接続している電気絶縁ガス不透過性の気液移送管(４)の上端を再液化室(９)の底面から一定寸法高い位置に開口して、再液化室(９)の底部に液溜め部を形成する。 - 特許庁

To provide a top plate for a cooking device capable of providing a touch sensor without providing an insulating film, and having superior visibility for display of a blue LED or the like installed in an interior, a superior light shading property for maintaining good appearance, and superior heat resistance.例文帳に追加

絶縁膜を設けることなく、タッチセンサー部を設けることができ、かつ内部に設置された青色ＬＥＤ等の表示のための光の視認性及び美観を保つための遮光性に優れると共に、耐熱性に優れた調理器用トッププレートを得る。 - 特許庁

The backside sheet 4 is laminated a translucent insulating layer 7, a concavo-convex structure layer 8, a mirror reflective metal layer 9 provided along a concavo-convex structure portion 8a formed on the concavo-convex structure layer 8, a barrier layer 10, an adhesion layer 11 and a weather-resistant layer 12.例文帳に追加

裏面シート４は透光性絶縁層７と、凹凸構造層８と、凹凸構造層８に形成された凹凸構造部８ａに沿って設けられた鏡面反射金属層９と、バリア層１０と、接着層１１と、耐候層１２とを積層した。 - 特許庁

In the manufacturing method of the input device 1, the input detecting part 5 of the sensor 4 is formed beforehand on one face of a transfer film TF, and the transfer film TF is disposed in a molding die M for in-mold transfer when molding the insulating resin support body 2.例文帳に追加

この入力装置１の製造方法は、転写フィルムＴＦの一面にセンサ４の入力検出部５を予め形成し、この転写フィルムＴＦを絶縁性樹脂支持体２の成型時に成型金型Ｍ内に配置してインモールド転写する。 - 特許庁

A non-contact type IC chip 12 for communication is mounted on the top face of a rectangular parallelepiped insulating base material 11, a booster coil 13 electromagnetically coupled with an antenna of the IC chip 12 is formed, and a metal surface 14 is formed over the entire surface of the bottom of the base material 11.例文帳に追加

直方体の絶縁性の基材１１の上面に無接触形の通信用のＩＣチップ１２を搭載するとともに、ＩＣチップ１２のアンテナに電磁結合するブースタコイル１３を形成し、基材１１の下面の全面に金属面１４を形成する。 - 特許庁

The inner circumferential face of a die slide 30 confronted with the outer circumferential face of a die ring 32 is intermittently provided with recessed parts 48 in its circumferential direction, and heat-insulating materials 50 are arranged at the recessed parts 48 in a state of not being projected than the inner circumferential face of the die slide 30.例文帳に追加

ダイリング３２の外周面に対向するダイスライド３０の内周面には、その周方向に間欠的に凹部４８が設けられ、この凹部４８には、ダイスライド３０の内周面よりも突出しない状態で断熱材５０が配置されている。 - 特許庁

On the back inside 8 of a vest main body 3 made of a material excellent in heat insulating properties and water resistance, or the like, a plurality of semispheric protuberances 4 are so disposed as to be positioned in lateral symmetry on the opposite sides of a wearer, and a cushion 5 is provided at a neck.例文帳に追加

保温性、耐水性に優れている素材等でできたベスト本体３の背部内側８を装着者の背骨を中心として左右シンメトリーに位置するように複数の半球体の突起４を配置し、襟にクッション５を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In the method, SOI (silicon-on-insulator) wafer structured by two silicon substrates 10 and 20 bonded with insulating layer 30 is etched, and the first silicon substrate 10 is provided with aperture 11 to form each area of circumference fixing part 12, a spindle fixing part 13, a beam part 14 and a stopper part 15.例文帳に追加

２枚のシリコン基板１０，２０を絶縁層３０で貼り合わせたＳＯＩウェハをエッチングし、第１のシリコン基板１０に開口部１１を設けることによって、周辺固定部１２、錘固定部１３、梁部１４、ストッパ部１５の各領域を形成する。 - 特許庁

When the second pole part 220 and the second yoke part 221 are formed by different processes, a plating base film M1 is formed on an exposed surface after a first magnetic film 21, a gap film 24, a coil film 23, an insulating film 25 and the second pole part 220 are formed.例文帳に追加

第２のポール部２２０及び第２のヨーク部２２１を異なるプロセスで形成する場合に、第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、コイル膜２３、絶縁膜２５及び第２のポール部２２０を形成した後、露出する表面にメッキ下地膜Ｍ１を形成する。 - 特許庁

The transfer roller is equipped with a shaft 21 to which bias voltage is applied and a conductive layer 22 extended in the longitudinal direction over the peripheral surface of the shaft, and insulating layers 23 and 24 are formed on the surface of the shaft 21 corresponding to the end of the conductive layer 22.例文帳に追加

転写ローラは、バイアス電圧が印加されるシャフト２１と、シャフトの周面に亘って長手方向に延びる導電層２２とを備えており、導電層２２の端部に対応するシャフト２１の表面に絶縁層２３及び２４が形成されている。 - 特許庁

To provide method and a device for forming contact holes of low resistance with proper productivity, even with respect to an insulating film on a thin active layer Si film of a number of irregularities.例文帳に追加

活性層としてのＳｉ膜をエキシマレーザアニールにより結晶化させる際にＳｉ膜表面に凹凸が発生することにより、ＣＨＦ_３＋Ｏ_２ガスによるドライエッチング、及びバッファードフッ酸ウェットエッチングを行った後でもＳｉの凹部内に酸化膜が残留しコンタクト不良となる。 - 特許庁

The wiring board is equipped with interconnect lines provided inside an insulating film formed on a transparent board, connection pads which are connected to the interconnect lines and arranged on a plane in parallel with the board in the same layout with the connection pads of the semiconductor elements, and an alignment mark.例文帳に追加

配線基板は、透明基板上の絶縁膜内に設けられた配線と、配線に接続され、半導体素子の接続パッドと同じ配置で基板に平行な面に設けられた接続パッドと、接続パッド上に設けられたハンダバンプと、アライメントマークとを備える。 - 特許庁

Accordingly, even when the increasing rate of the I/V value of the TFD by the annealing process at the center area of the initial circuit board 200 is small, the I/V characteristic does not fluctuate since a thick insulating film is formed to the first metal layer 222 formed in such a region.例文帳に追加

従って、元基板２００の中心領域でのアニール処理によるＴＦＤのＩ／Ｖ値のアップ度合いが小さい場合でも、このような領域に形成されている第１金属層２２２には厚い絶縁層が形成されるので、Ｉ／Ｖ特性がばらつかない。 - 特許庁

The water supply device 21 pumps up water in a water supply tank 22 provided in a cooling chamber 14 of a refrigerator 13 by a pump part 24, and supplies it to an ice tray 18 within a freezing chamber 15 from an opening part 16a of a heat-insulating partitioning plate 16 through a water supply passage member 23.例文帳に追加

給水装置２１は、冷蔵庫１３の冷蔵室１４に設けた給水タンク２２の水をポンプ部２４により汲み上げ、給水経路部材２３を介して断熱仕切板１６の開口部１６ａから冷凍室１５内の製氷皿１８に給水する。 - 特許庁

A part of an electron charge storage layer 7 on a first gate insulating film 22 is partially overlapped on said first part in the isolation region to be formed in a self-aligning manner to the second part, and has a flat top surface flush with the top surface of the second part.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜２２上の電荷蓄積層７は、一部分が素子分離領域の前記第１の部分上にオーバーラップして第２の部分と自己整合的に形成され、第２の部分の上面と一致された平坦な上面を有している。 - 特許庁

After the formation of the second droplet 1b, a voltage impulse is applied between a first electrode 17, which is placed under the electrical insulating layer 14 of the analyzing support 7 under the first droplet 1a, and a second electrode 18 which is placed in the vicinity of an outlet orifice 10 of the injector 8.例文帳に追加

第２滴１ｂの形成後、電圧インパルスが第１滴１ａの下の分析支持体７の電気絶縁層１４の下に配置された第１電極１７と、噴射器８の出口オリフィス１０の近くに配置された第２電極１８との間に印加される。 - 特許庁

The whole construction approximately of a plug 2 to constitute a power cord 1 is formed from a thermoplastic resin, so that this is excellent in the heat resistance, compared with polyvinyl chloride according to the conventional technique and unlikely to have tracking, and it is possible to prevent impairing the insulating performance both the inside and outside of the plug 2.例文帳に追加

電源コードを構成するプラグの略全体を熱可塑性樹脂で形成しているので、従来例の塩化ビニルよりも耐熱性に優れ、トラッキングが起きにくく、プラグ内部及び外部の絶縁性が損なわれるのを防止することができる。 - 特許庁

A lower layer circuit pattern 16, including a connecting pad 6, is formed on the main surface of a core substrate 11, a via hole bottom strengthening pad 7 is formed on this connection pad 6, and a via hole 5 reaching the via hole bottom strengthening pad 7 is formed on an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

コア基板１１の主面に接続パッド６を含む下層の回路パターン１６が形成され、この接続パッド６上にビアホール底強化パッド７を形成され、層間絶縁膜１０にビアホール底強化パッド７に達するビアホール５が形成されている。 - 特許庁

The wave front correcting mirror 10 comprises a reflection surface 1, a silicone substrate 6, an insulating layer 7, a flatness-correcting electrode 4b, a flatness-correcting piezoelectric layer 2b, a common electrode 4a, an aberration-correcting piezoelectric layer 2a and an aberration-correcting electrode 5, which are all laminated in this order.例文帳に追加

波面補正ミラー１０は、反射面１、シリコン基板６、絶縁層７、平面補正用電極４ｂ、平面補正用圧電層２ｂ、共通電極４ａ、収差補正用圧電層２ａ、収差補正用電極５が順に積層されて構成されている。 - 特許庁

The terminal arrays of the IC connection terminals 23a and 23b and the corresponding lead connection terminals 25a and 25b are interchanged each other because the interterminal wirings 24a and 24b are crossed through an insulating film 29 at an interterminal wiring intersection part D1.例文帳に追加

このうち、ＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂとそれぞれ対応するリード接続端子２５ａ，２５ｂとは、端子間配線２４ａ，２４ｂが端子間配線交差部Ｄ１において絶縁膜２９を介して交差されていることにより配列が入れ換えられている。 - 特許庁

The heating element is assembled by forming a flat or a coiled heating element layer on a surface of a tubular base material tube with heat resistance and an insulating property, passing one of internal lead wires inside the base material tube, and leading out in a same direction as the other internal lead wire.例文帳に追加

耐熱性・絶縁性の管状の基材管の表面に面状或いはコイル状の発熱体層を形成し、前記基材管の管内に一方の内部リード線を貫通させ、他方の内部リード線と同一方向に導出して発熱体を組立てる。 - 特許庁

A load name writing plate 13 is comprised of insulating materials, formed to write a name of a load respectively connected to a branch breaker 11 and placed on the corresponding position to the branch breaker 11, and mounted so as to cover the front phase of a copper bar 18 in the charging part 12.例文帳に追加

絶縁性材から成り、分岐ブレーカ１１に対応した位置に各分岐ブレーカ１１に接続される負荷の名称を記入できるように形成した負荷名称記入板１３を充電部１２の銅バー１８の前面を覆うように装着する。 - 特許庁

A vibration insulating member 20 is placed between the surroundings of a mount 17 where the acceleration detector 18 is mounted and the cover 13, and then the vibration detected by the acceleration detector 16 and the transmission of the vibration caused by the rain and wind exposed to the cover 13 are prevented.例文帳に追加

加速度検出器１６が搭載される取付台１７の周囲とカバー１３との間には、振動絶縁材２０を介在させ、加速度検出器１６が検出する振動や、カバー１３に当たる雨や風によって生じる振動の伝達を防ぐ。 - 特許庁

Then a solvent medium obtained by dissolving antimony trioxide, nickel oxide and silicon dioxide, etc., in an organic binder is applied to an outer peripheral surface of the calcined body (S14), and a sintered body (S15), in which a ceramic insulating layer is formed on the outer peripheral surface of the calcined body, is obtained by baking.例文帳に追加

次に、三酸化アンチモン、酸化ニッケル、二酸化ケイ素等を有機バインダーに溶かして得た溶剤を前記仮焼体の外周面に塗布し（Ｓ１４）、焼成して仮焼体の外周面にセラミック絶縁層を形成した焼結体（Ｓ１５）を得る。 - 特許庁

An integrated circuit device 64 for processing a signal from the CCD image sensor 20 is attached to one end 57a of a second thermal conductor 57 through an insulating sheet 69, and the other end 57b of the second thermal conductor 57 is exposed to the inside of a battery housing chamber 55.例文帳に追加

ＣＣＤイメージセンサ２０からの信号を処理する集積回路装置６４は絶縁シート６９を介して第２熱伝導体５７の一端５７ａに取り付けられ、第２熱伝導体５７の他端５７ｂはバッテリ収容室５５内に露呈している。 - 特許庁

To provide a substrate for an electrooptical device which is improved in display quality by making light transmissivity excellent and further improved in reliability by preventing a leak etc., by improving characteristics of a gate insulating film, and also to provide a manufacturing method therefor, the electrooptical device, and electronic equipment.例文帳に追加

光透過性を良好にして表示品位を高め、さらには、ゲート絶縁膜の特性向上を図ってリーク等を防止し、信頼性を向上した、電気光学装置用基板とその製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

Otherwise, an adhesive layer which has resistance of ≥10^8 Ωcm and ≤10^11 Ωcm is formed on the substrate, and a surface insulating layer in which an electrode is embedded and which has the resistance of ≥10^8 Ωcm and ≤10^11 Ωcm is formed on the adhesive layer.例文帳に追加

或いは、基板上に１０^8 Ωcm以上１０^11Ωcm以下の抵抗を有する接着剤層を形成し、接着剤層上に、電極が埋設されるとともに１０^8 Ωcm以上１０^11Ωcm以下の抵抗を有する表面絶縁層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Also a closed part of the comb teeth end part, the common signal wire 202 and the common electrode 210 together form a storage capacitor with via an insulating film, and the storage capacitance value is suitably adjusted by using the part to be opened of the comb teeth end part.例文帳に追加

また、櫛歯終端部の閉じている部分は、共通信号配線２０２および共通電極２１０と絶縁膜を介して蓄積容量を形成し、櫛歯終端部の開放する部分により、蓄積容量値を適切に調整することも可能になる。 - 特許庁

The two kinds of metal electrodes 2, 3 and the insulating material 4 are fixed mutually with fixing means 5, 6, and each part of the two kinds of metal electrodes 2, 3 to be in contact with each other is used as a detection part 9 with which moisture which is a detection object is to be brought into contact.例文帳に追加

これら２種類の金属電極２，３および絶縁材料４は互いに固定手段５，６で固定し、前記２種類の金属電極２，３の直接に接触する部分を、検出対象となる水分を触れさせる検出部９とする。 - 特許庁

When so etching an interlayer insulating film 5 including a porous low dielectric-constant film 3a as to form a contact hole 7a, fluorine A remains in the inside of the porous low dielectric-constant film 3a which is present near a sidewall 3b of the contact hole 7a, because of the use of a fluorine-based gas.例文帳に追加

多孔質低誘電率膜３ａを含む層間絶縁膜５をエッチングしてコンタクトホール７ａを形成するとき、フッ素系ガスを用いるため、フッ素Ａがコンタクトホール７ａの側壁３ｂ付近の多孔質低誘電率膜３ａの膜中に残留する。 - 特許庁

The transformer and the reactor for power sources each comprise a compressed powder core (10) incorporating coils, obtained by embedding coils, each consisting of conductors (12, 13) coated with an oxide insulating material (14), in a magnetic powder (11) consisting of metallic particles coated with ferrite for insulation, and thereafter compression molding.例文帳に追加

電源用トランス、リアクトルは、酸化物絶縁材料（１４）をコーティングした導体（１２、１３）からなるコイルが、フェライトにより絶縁被覆された金属粒子からなる磁性粉末（１１）中に埋め込まれ、圧縮成形して得られたコイル内蔵圧粉コア（１０）である。 - 特許庁