「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(975ページ目) - Weblio英語例文検索

The circuit breaker includes a switching mechanism 40 making a movable contactor 14 perform switching operation against a fixed contactor 23 loaded on an insulating case 1 with main circuit terminals 2, and an attachment terminal part 3 equipped with an attachment terminal 3c fitted above the main circuit terminal 2a.例文帳に追加

主回路端子２を有する絶縁筐体１に装着された固定接触子２３に対し可動接触子１４を開閉動作させる開閉機構４０と、主回路端子２ａの上方に設けられ付属端子３ｃを有する付属端子部３を備える。 - 特許庁

Interlayer resin insulating layers and conductor circuits are formed successively on the board, in which the capacitor is housed or built for the formation of the multilayered printed wiring board, and the capacitor, the conductor circuit, and the upper and lower conductor circuit are connected through via holes.例文帳に追加

また、上記コンデンサが内臓または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、該コンデンサと導体回路および上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

An insulating film 11 is formed of an electrodeposited film, and has ground electrodes 111, 115, etc., for exposing a surface of a conductive base body 10 on at least one surface of the conductive base body 10 and covers the entire surface of the conductive base body 10 except the ground electrodes 111, 115, etc.例文帳に追加

絶縁膜１１は、電着膜でなり、導電性基体１０の少なくとも一面に、導電性基体１０の表面を露出させるグランド電極１１１，１１５等を有し、グランド電極１１１，１１５等を除き、導電性基体１０の全面を覆っている。 - 特許庁

Element conductors and cooling pipes 10 are arranged into a plurality of layers, the cooling pipes 10 are divided circumferentially, and the divided water-cooling pipes 10A and 10B are electrically insulated from each other by insulating layers to reduce eddy current losses produced in the cooling pipes.例文帳に追加

素線８及び冷却管１０を複数層に配置し、冷却管１０を周方向に分割し、分割された水冷管１０Ａと水冷管１０Ｂとの間を電気的に絶縁層で絶縁し、冷却管に発生する渦電流損を低減する。 - 特許庁

An insulating means 38 is provided which electrically insulates a plurality of module-type power conversion elements from the ground, when the plurality of module type power conversion elements for power conversion are attached to a cooling plate and housed in a case.例文帳に追加

本発明の特徴とするところは、電力変換を行う複数個のモジュール型電力変換素子を冷却板に取付け筐体に収納する際に、複数個のモジュール型電力変換素子を大地と電気的に絶縁する絶縁手段３８を設けたことにある。 - 特許庁

In a sound insulating device for the inside of a hollow frame member of a vehicle, a part between a first wall surface 10a and a second wall surface 10b of a hollow frame member F is a hollow space 11, and an opening 12 is formed on the first wall surface 10a.例文帳に追加

車両の中空フレ−ム内部遮音装置において、中空フレ−ム部材Ｆの対向する第１壁面１０ａおよび第２壁面１０ｂの間が中空空間１１になっており、第１壁面１０ａに開口１２が形成されている。 - 特許庁

At the side frame portion 40A of a frame 40, an insulation rib 42 is projecting to enter between the extensions 13A of bus bars 13 and to abut against an insulating material layer 24 formed on the upper surface of a supporting plate 23 (surface opposing the extension 13A).例文帳に追加

枠体４０における側枠部４０Ａには、バスバー１３の延出部１３Ａの間に入り込むとともに、支持板部２３の上面（延出部１３Ａに対向する対向面）に形成された絶縁材層２４に当接する絶縁リブ４２が突設されている。 - 特許庁

The heat insulating layer is constituted by laminating a plurality of spacers 42 arranged on the recurrent reflective layer and transparent layers 43 which form space layers 41 with respect to the recurrent reflective layer through the spacers arranged so as to provide intervals mutually to permit light to transmit.例文帳に追加

断熱層は、再帰反射層上に配置される複数のスペーサー４２と、相互に間隔を隔てて配置されたスペーサーを介して再帰反射層との間に空間層４１を形成するとともに光を透過する透明層４３と、を積層して構成されている。 - 特許庁

That is, the bump-land 10A is constructed by film thickness larger than those of an insulating component and wiring component which are interposed between a MISFET (n- channel-type MISFETQn and p-channel-type MISFETQp) and the bump-land 10A.例文帳に追加

すなわち、バンプ・ランド１０Ａは、メモリセルを構成するＭＩＳＦＥＴ（ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ）とバンプ・ランド１０Ａとの間に介在する絶縁材料および配線材料のいずれよりも厚い膜厚で構成されている。 - 特許庁

A second insulator 22 for insulating a central conductor of a mating coaxial connector connected to the coaxial connector 10 from the shell 11 is installed on the same axis as the central contact 20 and in the position to which the central contact 20 can not move by restriction.例文帳に追加

この同軸コネクタ１０と接続される相手方の同軸コネクタの中心導体とシェル１１とを絶縁する第２の絶縁体２２が、中心コンタクト２０と同軸上にかつ上記した制限により中心コンタクト２０が移動し得ない位置に設けられている。 - 特許庁

To rationally perform ejection of a coil, while making it hardly deviate from the calculated position and a real position, when performing the release of the insulating coating of a wire concerning a winding device for producing the coil by winding the wire around a winding core.例文帳に追加

巻芯に線材を巻回してコイルを製造する巻線装置において、線材の絶縁被膜の剥離作業を行う際に計算上の位置と実際の位置との位置ずれが生じにくく、またコイルの排出作業を合理的に行いうるものを提供する。 - 特許庁

To obtain an epoxy resin composition capable of improving production efficiency by completing its curing at a low temperature and in a short time while maintaining the physical properties such as glass transition temperature and linear expansion coefficient, and an insulating base plate by using the same composition.例文帳に追加

ガラス転移温度および線膨張率の物性を維持しながら、低温、かつ、短時間で硬化を完結させて生産効率を向上させることができるエポキシ樹脂組成物およびこのエポキシ樹脂組成物を用いた絶縁基板を提供することにある。 - 特許庁

Two or more unit cell cells each comprising the anode, the cathode, and oxygen-ion conductive oxide layer coming in contact with the anode and cathode are arranged on the outside and the inside of the insulating substrate, and two or more unit cell cells are connected in series or in parallel with a wire 1.例文帳に追加

アノード、カソード、および、該アノードと該カソードに接している酸素イオン伝導性酸化物層からなる複数の単電池セルを、絶縁性基板の表裏面に配置し、該複数の単電池セルを、配線１によって直列または並列に接続すること。 - 特許庁

The plug body is formed from an underlay resin to support fast the edge and a molding resin to cover the underlay resin, and part of the film is embedded in the underlay resin, wherein the underlay resin is formed from a material generating good tight attachment to the insulating material film.例文帳に追加

また、プラグ本体を、栓刃を支持固定する下打ち樹脂とこれを覆うモールド樹脂によって構成し、その下打ち樹脂中に絶縁材料製の膜の一部を埋め込むとともに、下打ち樹脂を絶縁材料製の膜と密着性の良い材料で成形する。 - 特許庁

An oxide thermoelectric conversion material is manufactured which comprises an A2B2O5 compound (A is alkali earth metal element, B is transition metal element and/or rare earth element, and O is oxygen) having a structure where an A2BO3 insulating layer and a BO2 conductive layer are alternately laminated.例文帳に追加

Ａ_2ＢＯ_3絶縁層およびＢＯ_2導電層が交互に積層された構造を有するＡ_2Ｂ_2Ｏ_5化合物（Ａはアルカリ土類金属元素、Ｂは遷移金属元素および／または希土類元素、Ｏは酸素）から構成された酸化物熱電変換材料を製造する。 - 特許庁

A pixel electrode PX composed of a transparent conductive film and electrically connected to the source electrode ST of the thin film transistor is formed on a second capacitor insulating film CIN2 formed so as to cover the reflective region RR and the transmissive region TR.例文帳に追加

前記反射領域ＲＲおよび前記透過領域ＴＲを被って形成した第２容量絶縁膜ＣＩＮ２上に、前記薄膜トランジスタのソース電極ＳＴと電気的に接続された透明導電膜からなる画素電極ＰＸを形成する。 - 特許庁

To obtain a power semiconductor device mounting a semiconductor element on a heat sink through an insulating substrate and resin molded on the periphery in which a heat cycle lifetime at least equivalent to that of a conventional device using solder containing lead is ensured even when lead-free solder is used.例文帳に追加

ヒートシンク上に絶縁基板を介し半導体素子を戴置し周囲を樹脂でモールドした電力用半導体装置において、鉛フリーはんだを用いた場合でも、従来の鉛含有はんだを使用した場合と同等以上のヒートサイクル寿命を確保する。 - 特許庁

The battery pack includes a battery cell, the protection circuit module having the insertion hole, the terminal tap a part of which is inserted in the insertion hall of the protection circuit module and connects the battery cell and the protection circuit module, and the insulating member formed on a surface of the terminal tap.例文帳に追加

バッテリーセルと、挿入ホールを含む保護回路モジュールと、一領域が前記保護回路モジュールの挿入ホール内に挿入されて、前記バッテリーセルと保護回路モジュールとを連結する端子タップと、前記端子タップの表面上に形成された絶縁部材を含む。 - 特許庁

A plurality of mounting terminals, a plane electrode formed around the plurality of mounting terminals, and a plurality of interconnects for plating, each of which is respectively connected to the plane electrode and a plurality of the mounting terminals different from each other are formed on an insulating base of a wiring board.例文帳に追加

配線基板の絶縁基材には、複数の実装端子と、その周囲に配置されたプレーン電極と、それぞれプレーン電極に接続されるとともに複数の互いに異なる実装端子と接続された複数のめっき用配線とが形成されている。 - 特許庁

A material formed by wrapping a polymer absorber previously gelatinized by absorbing water, with a polyethylene sheet or the like and stabilizing it is wrapped with a refractory material such as glass cloth as an insulating material and is formed into the fireproof suits that protects the body from the flame and the hot air.例文帳に追加

あらかじめ水分を吸収させてジェル化した高分子吸収体をポリエチレンシートなどで包んで安定させたものを、断熱材としてガラスクロスなどの耐熱素材で包みこんで、炎や熱風から身体を守るようにした耐火スーツとする。 - 特許庁

To obtain high output characteristics by aiming at lowering of resistance of a sealing body of a nonaqueous electrolyte secondary battery with the sealing body fitted to an opening of a negative electrode can through an insulating member and with a rolled-up electrode body housed in the negative electrode can.例文帳に追加

負極缶の開口部に絶縁部材を介して封口体が取り付けられ、該負極缶内に巻き取り電極体が収容されている非水電解質二次電池において、封口体の低抵抗化を図ることによって高い出力特性を得る。 - 特許庁

To provide a food service cart, even if the temperature inside a storage chamber becomes high, capable of retaining the strength of a housing by preventing formation of a clearance due to deterioration of heat insulating materials, inside panels constituting the housing where the storage chamber is formed.例文帳に追加

収容室内の温度が高温になった場合であっても、内部に収容室が形成される筐体を構成するパネルの内部に断熱材の劣化による空隙が生じることを防止し、前記筐体の強度を維持することができる配膳車を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing solution containing solid abrasive grains to be used in barrier CMP for polishing a barrier layer made of a barrier metal material, which can obtain an excellent polishing speed for the barrier layer and can arbitrarily control the polishing speed of an insulating film.例文帳に追加

バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、バリア層に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、絶縁膜の研磨速度の任意に制御を可能とする研磨剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that enhances adhesion between insulating layers and enhances solder bump-shear strength and solder bump-pull strength and is capable of improving reliability after mounting the substrate of the semiconductor device, a method for manufacturing the same, and an electronic device using the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁層と絶縁層との密着性を高め、半田バンプシア強度、半田バンププル強度を高め、半導体装置の基板実装後の信頼性を向上し得る半導体装置とその製造方法及び半導体装置を使用した電子装置の提供。 - 特許庁

A first region 41 positioned above a semiconductor layer 31 and a second region 42 positioned outside the semiconductor layer 31 and having a distance from a substrate 21 longer than that of the first region 41 are continuously formed on a gate insulating film 32 formed on the substrate 21 so as to cover the semiconductor layer 31.例文帳に追加

半導体層31を覆って基板21上に形成したゲート絶縁膜32に、半導体層31上に位置する第１領域41と、半導体層31の外方に位置し基板21からの距離が第１領域41より大きい第２領域42とを連続して設ける。 - 特許庁

A compressive force is axially applied to the prove 2 by the perimeter of the first penetration hole 11a of the tip side holding member 11 abutting on the end face of the tip side of the insulating coating 22 and the electrode part 13 abutting on the rear end part of the core material 21.例文帳に追加

プローブ２に対し、絶縁被覆２２の先端側の端面に当接する先端側保持部材１１の第１の貫通孔１１ａの外周部と、芯材２１の後端部に当接する電極部１３とによってプローブ２の軸方向に圧縮力が付与される。 - 特許庁

Transparent electrodes 12 and pull-around wirings 9 on a lower substrate are made to have two-layer structure holding insulating film 21 there- between, and also the lengths of the wirings 9 on the substrate in an area 50, where transparent electrodes 12 on the substrate 3 are arranged, are uniformized.例文帳に追加

下基板の透明電極１２と引き廻し配線９とを絶縁膜２１を挟んだ２層構造とするとともに、下基板３の透明電極１２が配列されている領域５０内における下基板の引き廻し配線９の長さを均一にする。 - 特許庁

To provide a production automation support device improving production automation in a production facility by supporting an appropriate allocation of part numbers of materials such as electric wire, terminals and insulating members, to manufacturing apparatus even in production of many models in small quantities.例文帳に追加

多品種少量生産の製品を製造する場合においても、電線、端子、絶縁部材等の素材の品番と製造装置との適正な割り当てを支援して、生産設備における生産自動化の向上を図る生産自動化支援装置を提供する。 - 特許庁

A groove is formed in a first interlayer insulating film 6 deposited on a semiconductor substrate 1, such that by making the groove have an inverted tapered configuration, a gate electrode 8 can be embedded in the groove so as not to produce voids in the subsequent step.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された第１の層間絶縁膜６中に溝部を形成する際に、逆テーパ型に形成することにより、この後の工程で前記溝部にゲート電極８を埋め込む際に、ボイドが発生しないようにして埋め込むことができる。 - 特許庁

A step for forming the plurality of single strand superconducting conductors including surrounding a single strand superconducting filament core using a copper layer, and a step for arranging an insulating coating around the copper layer are included.例文帳に追加

本発明の別の態様では、銅層を用いて単一ストランド超伝導フィラメントコアを取り囲むことを含んだ複数の単一ストランド超伝導体を形成する工程と、該銅層の周りに絶縁コーティングを配置する工程と、を含む導体の製作方法が提供される。 - 特許庁

Subsequently, dry etching for treating the Ni layer 8 as an etching stopper is done at high speed, thereby forming a via hole 1s on the insulating substrate 1 that goes from its back surface side to the Ni layer 8 while depositing a compound film 19 at its sidewall by cooling and the like.例文帳に追加

その後、Ｎｉ層８をエッチングストッパとするドライエッチングを高速で行うことにより、絶縁性基板１に、その裏面側からＮｉ層８まで到達するビアホール１ｓを、冷却等によりその側壁に化合物膜１９を堆積させながら形成する。 - 特許庁

When the airtight terminal is mounted on the other component, airtightness with the glass 23 is ensured by preventing weld dust in a mounting operation by welding to the exposed surface of the heat-resisting stainless steel of the mounting part 25 and by the insulating film of the heat-resisting stainless steel.例文帳に追加

気密端子を他部品に取り付ける際には、取付部位２５の耐熱ステンレス鋼の露呈面への溶接による取り付け作業で発生する溶接ちりを阻止すると共に、耐熱ステンレス鋼の不導体膜によりガラス２３との気密性が確保される。 - 特許庁

A positive electrode tab 4 and a negative electrode tab 3 which are drawn out from a lithium ion battery 1 through a protection element 6 or directly are connected respectively to a positive electrode lead wire and a negative electrode lead wire through an insulating relay member 7 having a housing portion of the lead wire on both sides.例文帳に追加

リチウムイオン電池１から保護素子６を介し、もしくは直接引き出された正極タブ４と負極タブ３を表裏面にリード線の収納部を有する絶縁中継部材７を介してそれぞれ正極側リード線と負極側リード線に接続する。 - 特許庁

Each capacitance element on the underside is allowed to serve as an MOS capacitance element C1 having an electrode of an n-type semiconductor region 4 formed on the semiconductor substrate 1 and the other electrode of an upper electrode 6 formed on the n-type semiconductor region 4 via an insulating film 5.例文帳に追加

下側の容量素子は、半導体基板１に設けたｎ型半導体領域４と、ｎ型半導体領域４上に絶縁膜５を介して設けた上部電極６とを両電極とするＭＯＳ型の容量素子Ｃ１とすることができる。 - 特許庁

A base 11 of a package body 10 is formed of a substrate material for a semiconductor, a circuit pattern 141 is directly formed at the predetermined part of one surface of the base 11, and an insulating layer is formed at the part of the other surface corresponding to the circuit pattern.例文帳に追加

パッケージ本体１０のベース部１１を、半導体用基板材料で形成して、このベース部１１には、その一方面の所定部位に直接的に回路パターン１４１が形成され、この回路パターンに対応する他方面の部位には絶縁層が形成される。 - 特許庁

To manufacture a laminated piezoelectric component capable of obtaining a high piezoelectric (d) constant even at the time of executing layer thinning or lamination, or at the time of using internal electrode materials whose Ag content is high, and suppressing reliability deterioration such as the deterioration of insulating resistance.例文帳に追加

薄層化や多層化しても、或いはＡｇの含有率が高い内部電極材料を用いた場合であっても、高い圧電ｄ定数を得ることができ、かつ絶縁抵抗の劣化などの信頼性低下を抑制することのできる積層型圧電部品を製造する。 - 特許庁

After forming a polycrystal silicon 4 as a hetero semiconductor region in contact of hetero-junction with a semiconductor base material on the front surface of an epitaxial layer 2 constituting the semiconductor base material, uneven surface on the front surface of the polycrystal silicon 4 is flattened before formation of a gate insulating film 6.例文帳に追加

半導体基体を構成するエピタキシャル層２表面に該半導体基体とヘテロ接合するヘテロ半導体領域として多結晶シリコン４を形成した後、ゲート絶縁膜６を成膜する前に、多結晶シリコン４の表面の凹凸を平坦化する。 - 特許庁

A third interlayer insulating film 43 is formed between a data line 6a and a pixel electrode 9a and a part thereof extended to a region R where the data line 6a and the pixel electrode 9a are superposed is formed so as to be thicker as compared with the other part.例文帳に追加

第３層間絶縁膜４３は、データ線６ａ及び画素電極９ａ間に形成されており、データ線６ａ及び画素電極９ａが相互に重なる領域Ｒに延びる部分が他の部分に比べて厚くなるように形成されている。 - 特許庁

To prevent a flaw such as dew formation and deterioration of heat insulation property by completely filling a cavity without requiring additional work in a construction site, and to productively manufacture a heat insulating panel with stable performance and quality in a line production.例文帳に追加

施工現場での別作業を要することなく、空洞を隙間なく断熱材で充填して結露等の不具合の発生及び断熱性能の低下を防止でき、しかも、性能、品質の安定した断熱パネルを生産性よくライン製造できるようにする。 - 特許庁

To provide a tunnel type magnetic detection element which can acquire low RA and further high resistance change rate (ΔR/R), and to provide its manufacturing method, related to especially a tunnel type magnetic detection element wherein an insulating barrier layer is made of Al-O.例文帳に追加

特に、絶縁障壁層をＡｌ−Ｏで形成したトンネル型磁気検出素子に係り、低いＲＡで且つ高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

Laminated on the polished surface of the element is an interlayer insulating layer 12, and on which an oxide superconducting layer 13 as a lower electrode, a barrier layer 14 and an oxide superconducting layer 15 are sequentially laminated in this order, thus completing an oxide superconducting element.例文帳に追加

この表面上に層間絶縁層１２を積層し、その上に下部電極を構成する酸化物超電導層１３、バリア層１４、上部電極を構成する酸化物超電導層１５を形成して酸化物超電導素子を得ることができる。 - 特許庁

Out of the plasma generating electrodes 1, an electrode to be relatively moved inside a tube body 10 is only an anode 11 as an inner electrode, and a cathode 12 as an outer electrode is to be formed in a circular shape facing an outer periphery face of the tube body made of an electric insulating material.例文帳に追加

プラズマ発生電極１の内、管体１０内で相対的に移動させる電極を内側電極の陽極１１のみとし、外側電極の陰極１２を、電気絶縁性の材料から成る管体１０の外周面に臨む環状に形成する。 - 特許庁

In a junction box comprising the connector module, a fuse module and a relay module, the circuit of the connector module is formed by cross-wiring coated wires, applying ultrasonic vibration at the crossing point, and making removal of insulating coating and connection of the conductors simultaneously.例文帳に追加

ジャンクションボックスをコネクタモジュール、ヒューズモジュール、リレーモジュールより構成するものにおいて、コネクタモジュールの回路体を被覆電線をクロス配線し、交差位置で超音波振動を負荷して、絶縁被覆の除去と導体同士の接続を同時に行って形成している。 - 特許庁

Each nanowire forms a thermocouple composed of two coaxial branches made from materials of different natures separated by a layer of electrically insulating material and electrically connected individually to the free end of the nanowire.例文帳に追加

各ナノワイヤが、２つの同軸の枝路により構成される熱電対を形成しており、前記２つの同軸の枝路が、異なる種類の材料から形成され、電気絶縁材料の層により分離され、前記ナノワイヤの自由端に個別的に電気接続されている。 - 特許庁

The circuit element is mounted after an isolation groove 54 is formed in a conductive foil, the insulating resin 50 is deposited on the conductive foil as a support substrate and inverted, and then the conductive foil is etched from its backside and separated as the conductive path on the resin 50 as the support substrate.例文帳に追加

導電箔に分離溝５４を形成した後、回路素子を実装し、この導電箔を支持基板として絶縁性樹脂５０を被着し、反転した後、絶縁性樹脂５０を支持基板として導電箔を裏面からエッチングして導電路として分離する。 - 特許庁