「Inter layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

This tire has a belt layer 7 including first, second and third belt plies 7A to 7C, and in the second and third belt plies 7B and 7C, an inter- cord distance Ys of the belt ply of the outside area YS is set smaller than an inter-code distance Yc of a central area YC.例文帳に追加

第１、第２、第３のベルトプライ７Ａ〜７Ｃを含むベルト層７を有し、第２、第３のベルトプライ７Ｂ、７Ｃは、外側領域ＹＳのベルトプライのコード間距離Ｙｓを、中央領域ＹＣのコード間距離Ｙｃよりも小としている。 - 特許庁

By these processes, the formation of the inter-metal wiring abnormal film caused by etching a part of the metal wiring 101A when the inter-metal layer insulating film 104 is formed is prevented, to suppress the deterioration of the element characteristics.例文帳に追加

以上の工程を経ることで、金属層間絶縁膜１０４を形成する際に金属配線１０１Ａの一部がエッチングされてしまうことで金属配線間に異常膜が形成されるのを防ぎ、それにより素子特性の劣化を抑える。 - 特許庁

To provide a semiconductor display device with an inter-layer insulating film which can obtain surface flatness while suppressing a filming time, suppress the time of heat treatment processing for water removal, and prevent water in the inter-layer insulating film from being discharged to an adjacent film or electrode.例文帳に追加

成膜時間を抑えつつ表面の平坦性を得ることができ、水分除去を目的とした加熱処理の処理時間を抑えることができ、なおかつ層間絶縁膜中の水分が隣接する膜または電極に放出されるのを防ぐことができる、層間絶縁膜を有する半導体表示装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a substrate for a semiconductor device for which problems of quality such as the decline of a bonding property due to dust sticking and sticking of chipping pieces and inter-layer short-circuits and inter-layer insulation decline due to metal burrs are dissolved, a base material composed of glass fibers and an epoxy resin is used and the loading density of a semiconductor element and electronic parts is high.例文帳に追加

粉塵付着やチッピング片の付着によるボンディング性の低下、金属バリによるパターン間ショートや層間絶縁低下など、品質上の間題を解消したガラス繊維とエポキシ樹脂からなる基材を使用する、半導体素子や電子部品の搭載密度の高い半導体装置用基板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes: two wires 14_1, 14_2 extended on a semiconductor substrate 11 mutually in parallel; an inter-layer isolation film deposited by covering the two wires 14_1, 14_2; and the two contact plugs 19_1, 19_2 formed between the two wires 14_1, 14_2 while penetrating through the inter-layer isolation film.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体基板１１上で相互に並行して延在する２つの配線１４_１，１４_２と、２つの配線１４_１，１４_２を覆って堆積された層間絶縁膜と、２つの配線１４_１，１４_２の間で層間絶縁膜を貫通して形成された２つのコンタクトプラグ１９_１，１９_２とを備える。 - 特許庁

The number of virtual routes connected to the representative route points is adjusted not to exceed the number of connectable inter-layer connecting parts prepared in each area, and actual wiring route to connect terminals at a shortest distance via inter-layer connecting parts in each area individually is decided for all virtual routes.例文帳に追加

代表経由点に接続される仮想ルートの数が、各領域に設けられている接続可能な層間接続部の数を越えないように調整し、全ての仮想ルートについて、各領域内の各層間接続部を個別に経由して、各端子間を最短距離で結ぶ実配線ルートを決定する。 - 特許庁

A first inter-layer insulation film 15 is formed on a semiconductor substrate formed with transistors; and lower electrodes 22 electrically connected to the transistors, capacitive insulation films 23, and upper electrodes 24 sequentially formed from the lower side form the capacitive element on the first inter-layer insulation film 15.例文帳に追加

トランジスタが形成された半導体基板の上に、第１の層間絶縁膜１５が形成され、第１の層間絶縁膜１５の上には、トランジスタと電気的に接続され、下から順次形成された下部電極２２と、ＳＢＴＮからなる容量絶縁膜２３と、上部電極２４とによって容量素子が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor storage device comprises a semiconductor substrate, a tunnel insulation layer provided on the semiconductor substrate, a first electrode provided on the tunnel insulation layer, an inter-electrode insulation film provided on the first electrode, and a second electrode provided on the inter-electrode insulation film.例文帳に追加

実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた電極間絶縁膜と、前記電極間絶縁膜上に設けられた第２電極と、を備える。 - 特許庁

To provide a high-density printed circuit board which uses an inexpensive inter-layer insulating base material and has high adhesion secured between electroless plating and the inter-layer insulating base material and allows microwire formation using a semi-additive method, in order to make a mobile device small in size, thin in thickness, light in weight, high in definition, multiple in function or the like.例文帳に追加

モバイル機器の小型、薄型、軽量、高精細、多機能化等を実現するために、安価な層間絶縁基材を用い、無電解めっきと層間絶縁基材との高い密着性を確保し、セミアディティブ法を用いた微細配線形成が可能な高密度プリント配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises contacted parts 36, 46 formed in an inter insulation layer 120, a first wiring 17 which is formed on the inter insulation layer and arranged at a spacing shorter than a predetermined interval with respect to the contacted part, and second and third wirings 15, 16 respectively having connection regions 50a, 60a with the contacted part.例文帳に追加

半導体装置は、層間絶縁層１２０に形成されたコンタクト部３６，４６と、層間絶縁層上に形成され、前記コンタクト部に対して所定間隔より短い間隔で配置された第１配線１７と、コンタクト部との接続領域５０ａ，６０ａを有する第２，第３配線１５，１６と、を有する。 - 特許庁

To provide a constituent material of a printed wiring board using a multilayer composite material having a structure for which at least a thin first bulk copper layer for forming a circuit pattern, a thick second bulk copper layer for forming a bump for obtaining inter-layer continuity of the printed wiring board and an etching barrier layer positioned between the first bulk copper layer and the second bulk copper layer are stacked.例文帳に追加

少なくとも回路パターンを形成するための薄い第１バルク銅層、プリント配線板の層間導通を得るためのバンプを形成するための厚い第２バルク銅層及び第１バルク銅層と第２バルク銅層との間に位置するエッチングバリア層を積層した構造を持つ多層複合材料を用いたプリント配線板の構成材料等を提供する。 - 特許庁

At the charging, a control part 120 compares a relation between an inter-terminal voltage of the electric double-layer capacitor 44 detected by an inter-terminal voltage detection circuit 45 and a charging time at the detection, and a relation between an inter-terminal voltage when prestored normal charging is performed and a charging time at the charging, thus determining the presence or absence of the abnormality.例文帳に追加

かかる充電時に制御部１２０は、端子間電圧検知回路４５によって検知される電気二重層コンデンサ４４の端子間電圧および検知した時の充電時間と、予め記憶されている正常な充電が行われた場合の端子間電圧と充電時間との関係とを比較し、異常の有無を判断する。 - 特許庁

Moreover, they are also characterized in that they have a plurality of the capacitance of a structure holding the insulating layer between the semiconductor layer and the metallic layer at prescribed intervals; the capacitance is formed by applying a negative voltage to the metallic layer; and impurities presenting an n-type are injected into the inter- capacitance semiconductor layer as a pattern residual existing between the adjacent capacitance.例文帳に追加

また、絶縁膜層を半導体層と金属層により挟んだ構造の複数の容量を所定の間隔で備え、前記金属層に負の電圧を印加して容量を形成し、隣接する前記容量間に存在するパターン残りとしての容量間半導体層中に、ｎ型を呈する不純物が注入されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a glass ceramic multi-layer wiring board with a built-in capacitor for suppressing the inter-diffusion of components in a dielectric layer configuring a capacitor part and components in an insulating layer or glass components in an electrode layer, and for preventing the deterioration of the capacity of a capacitor part formed in the glass cermaic multi-layer wiring substrate, and for suppressing the variation.例文帳に追加

コンデンサ部を構成する誘電体層中の成分と、絶縁層中の成分あるいは電極層中のガラス成分との相互拡散を抑制し、ガラスセラミック多層配線基板内に形成したコンデンサ部の容量の低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制することができるコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供すること。 - 特許庁

The processing time is greatly shortened as compared with processing including only a sputter step, and a uniform seed layer is formed; and complete via filling is not carried out, but conductive layer plating 10 on the seed layer is carried out, and barrier plating 12 on a surface is performed to prevent a copper plating layer from oxidizing, thereby making an inter-layer connection free of diffusion of copper in the resin.例文帳に追加

スパッタ工程のみと比較し大幅に処理時間を短縮するとともに、均一なシード層を作成し、シード層の上に完全なビアフィリングを行わず、コンフォーマルに導電層めっき１０を施し、銅めっき層の酸化防止のため表面にバリアめっき１２を施すことにより、樹脂に銅が拡散しない層間接続が可能となる。 - 特許庁

To provide an optical disk unit that uses an objective lens whose numerical aperture is 0.8 or over to conduct recording/reproduction for a multi- layer optical disk provided with at least 1st and 2nd recording layers while conducting stable inter-layer jump.例文帳に追加

少なくとも第１の記録層と第２の記録層とを備える多層光ディスクに対して、開口数が０．８以上の対物レンズを用いて、安定した層間ジャンプを行ないながら記録又は再生を行なう。 - 特許庁

At least one of the first power supply voltage feeder VSS and the second power supply voltage feeder VSS is composed of a groove wiring obtained by filling the inside of a through groove of an inter-layer insulating layer with a conductive material.例文帳に追加

第１の電源電圧供給線ＶＳＳと第２の電源電圧供給線ＶＳＳの少なくとも一方が、層間絶縁層の貫通溝内を導電材料で埋め込んだ溝配線からなる。 - 特許庁

To provide a composition for forming a lower layer film, which can form a resist lower layer film having a function as an antireflective coating, and is improved in pattern transfer performance, etch selectivity and inter-mixing preventive effect.例文帳に追加

反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能、エッチング選択性、及びインターミキシング防止効果が良好なレジスト下層膜を形成可能な下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

The upper-layer side return core is magnetically connected to a trailing shield 47, and is magnetically connected to the return core 42b via a return core inter-layer connection part 51 disposed beside the main magnetic pole 41.例文帳に追加

この上層側リターンコアはトレーリングシールド４７と磁気的に接続されており、かつ、主磁極４１の側方に配置されたリターンコア層間接続部５１を介してリターンコア４２ｂと磁気的に接続されている。 - 特許庁

An inter-layer insulating layer 20 laminated on an element formation surface 11a covers a plurality of switching elements Sw and has a contact hole H1 at a position opposed to the second upper electrode P2 of each switching element Sw.例文帳に追加

素子形成面１１ａに積層される層間絶縁層２０は、複数のスイッチング素子Ｓｗを覆い、各スイッチング素子Ｓｗの第二上部電極Ｐ２と対向する位置にコンタクトホールＨ１を有する。 - 特許庁

When abnormal raising of a temperature of the tire is generated by run-flat traveling by blowout, inter-layer peeling is generated by softening of the detection layer and swelling visually recognizable by appearance is generated on a tire surface at its portion.例文帳に追加

パンク等でランフラット走行することでタイヤが異常温度上昇すると、検知層が軟化することにより層間剥離を起こし、その部分のタイヤ表面に外観で視認可能な膨らみを発生する。 - 特許庁

When a high-order layer section 4 transmits a link setting request to the protocol processing section 3 according to an inter- host-layer primitive from the protocol processing section 3, the protocol processing section 3 informs a protocol type discrimination frame transmission section 5 about the link setting request.例文帳に追加

プロトコル処理部３からの上位レイヤ間プリミティブを上位レイヤ部４がリンク設定要求をプロトコル処理部３に送出すると、リンク設定要求をプロトコル種別判定フレーム送信部５に通知する。 - 特許庁

An optoelectronic device 100 has a protection layer 10a formed except a specified area from the outer edge of a 1st substrate 30a and also has a 1st inter-substrate conduction part 20ac formed on the protection layer 10a.例文帳に追加

この電気光学装置１００は、第１基板３０ａの外縁から所定の領域を残して保護層１０ａを形成し、この保護層１０ａ上に第１の基板間導通部２０ａｃを形成する。 - 特許庁

This circuit structure has a plurality of conduction path layers each having at least one conduction path transmitting light or electricity and at least one inter-layer separation layer provided between the conduction path layers.例文帳に追加

本発明の回路構造は、それぞれが光または電気を通す伝導路を少なくとも１つ有する複数の伝導路層と、複数の伝導路層の間に設けられた少なくとも１つの層間分離層とを有する。 - 特許庁

In the multilayer disk, recording is performed within the range of an optional area, and the area is used for confirmation processing for determining the inter-layer movement processing during data recording/reproduction and whether the movement of the optical spot is accurately performed to the target layer.例文帳に追加

多層ディスクにおいて、任意の領域の範囲内に記録を行い、該領域をデータ記録再生時の層移動処理及び目標層に正確に移動したかを判定する確認処理に利用する。 - 特許庁

Consequently, the ceramic layer has proper hardness and adhesive strength, so structural defects such as a short circuit and inter-layer peeling are deterred when the ceramic green sheet is heat pressed (s5) and a raw body is sintered (s7).例文帳に追加

これにより、セラミック層が適度な固さおよび接着力を得るため、セラミックグリーンシートの加熱プレス時や（ｓ５）、素体焼成時に（ｓ７）、短絡や層間剥離等の構造欠陥が発生することが抑制される。 - 特許庁

To enhance an improvement of quality of a reproduction signal by reducing an inter-layer stray light without increasing a scale of a focus control mechanism and the like in an optical head apparatus to be used for a recording and reproducing operation of a multi-layer optical recording medium.例文帳に追加

多層光記録媒体の記録再生に用いる光ヘッド装置におけるフォーカス制御機構を、大型化したりすることなく、層間迷光を低減させて、再生信号の品質を高めるようにする。 - 特許庁

An inter-substrate connector includes contact pieces which are attached to at least one of end parts of a housing enclosing a pin array, are connected with a ground layer or a power supply layer, and electrically connect with each other when connector components are connected.例文帳に追加

ピンアレイを囲むハウジングの少なくともいずれか一端部に取付られてグランド層あるいは電源層に接続され、コネクタの連結時に互いに電気的に接続される接触片を備えた基板間コネクタ。 - 特許庁

After a high-concentration impurity region 23 is formed (g), an inter-layer dielectric layer 25 is deposited, contact holes 27 are formed on a region of the low resistance portion 15 and a region of the high- concentration impurity region 23 (h).例文帳に追加

高濃度不純物領域２３を形成した後（ｇ）、層間絶縁膜２５を堆積し、低抵抗部１５上の領域及び高濃度不純物領域２３上の領域にコンタクトホール２７を形成する（ｈ）。 - 特許庁

Thus, it is possible to activate the impurity after forming a metallic layer, or a metallic alloy layer, and an inter-layer insulation film on the semiconductor substrate or to activate the impurity, after a process of cladding an adhesive coating film and a support substrate to the semiconductor substrate.例文帳に追加

したがって、例えば、半導体基板上に金属層または金属合金層や層間絶縁膜を形成した後に活性化を行ったり、半導体基板に接着性塗布膜及び支持基板を張り合わせる工程の後に活性化を行うことも可能となる。 - 特許庁

The inner layer part corresponding to the bonding pad part 6 is formed with a support copper pattern layer 15 comprising support wiring patterns 22 formed to the same layers as the copper wire pattern layers and support plug layers 23 formed in a way of applying inter-layer connection to the support wiring patterns 22.例文帳に追加

ボンディングパッド部６に対応する内層部に、銅配線パターン層と同層に形成された保持配線パターン２２と、これら保持配線パターン２２を層間接続するようにして形成された保持プラグ層２３とからなる保持銅パターン層１５を形成してなる。 - 特許庁

A first electrode 12, an auxiliary electrode 13, an inter-layer insulating layer 14, an organic EL layer 15 containing an organic light-emitting material, and a second electrode 16 are laminated on a recessed part of the element substrate 11 surrounded by the bank part 11a.例文帳に追加

この土手部１１ａに囲われた素子基板１１の凹陥部に、有機ＥＬ素子２１の第１の電極１２、補助電極１３、層間絶縁層１４、有機発光材料を含む有機ＥＬ層１５および第２の電極１６が積層して設けられる。 - 特許庁

A plug electrode reaching an upper face of an inter-layer insulating film from a semiconductor substrate is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13, and the first plug electrode 5 and the second plug electrode 13 are connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and is used as an etching stop layer.例文帳に追加

半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁

To provide a thermal recording material which suppresses the inter-layer mixture, and has a favorable coloring sensitivity, solvent barrier property and sticking suitability in the thermal recording material in which a thermal recording layer and a protective layer are substantially simultaneously laminated by curtain-coating process after installing an under coat layer containing a pigment and a binder on a supporting body.例文帳に追加

支持体上に顔料、バインダーを含む下塗り層を設けた後に、感熱記録層、保護層を実質的に同時にカーテン塗布して積層した感熱記録材料において、層間混合を抑制し、良好な発色感度、溶剤バリア性、スティッキング適性を有する感熱記録材料を提供する。 - 特許庁

An upper substrate having an opening and formed with a circuit and an insulation coating layer on a surface layer, an inter-substrate connection sheet having an opening and having a conductive hole having a through-hole filled with conductive paste, and a lower substrate formed with a circuit and an insulation coating layer on a surface layer are laminated, and heat and pressure are applied thereto.例文帳に追加

開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板と、開口部を有し貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を有する基板間接続シートと表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を積層し加熱加圧する。 - 特許庁

A second inter-layer insulating layer 6 generated through reaction between an oxidizing gas and a hydroxide gas is formed on a semiconductor layer 3A-3C, and then hydrogen ion, hydroxide ion or water is desorbed for heat treatment for suppressing fluctuation in the resistance values of the semiconductor layer 3A-3C.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、半導体層３Ａ〜３Ｃ上に、酸化性ガスと水素化物のガスとの反応により生成された第２の層間絶縁層６を形成した後に、水素イオン、水酸化物イオン又は水を離脱し、半導体層３Ａ〜３Ｃの抵抗値の変動を抑制する熱処理を行う。 - 特許庁

In a semiconductor device where contact with the source diffusion layer and the drain diffusion layer of a transistor is made by a polysilicon contact plug, a film for preventing diffusion of inter-lattice silicon or cavity is formed between the source diffusion layer or the drain diffusion layer and the polysilicon contact plug.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、トランジスタのソース拡散層及び又はドレイン拡散層へのコンタクトが多結晶シリコンのコンタクトプラグである半導体装置において、前記ソース拡散層及び又はドレイン拡散層と多結晶シリコンのコンタクトプラグの間に格子間シリコンまたは空孔の拡散を防止する拡散防止膜を形成した。 - 特許庁

The inter-layer wiring 41 includes: a conductive layer 42 formed, in an opening formed in the wiring layer, between an upper end portion and a lower end portion of the opening so as to cover a part of the wall surface; and a land pattern 44 formed around the opening for connecting the wiring pattern 21 and the conductive layer 42.例文帳に追加

層間配線４１は、配線層に形成された開口部において、その壁面の一部を覆うように開口部の上端部と下端部との間に形成された導電層４２と、開口部の周囲に形成され、配線パターン２１と導電層４２とを接続するランドパターン４４とを有している。 - 特許庁

This conducts heat to a high-radiating base board near the lower face of the lower layer circuit board 1 through the thermal via 14 from the bottom face of the heating component 100, and also to the base board through the upper layer circuit board 2, the inter-layer connecting members 3 and the lower layer circuit board 1 from the top face of the heating component 100.例文帳に追加

これにより、発熱部品１００の底面からサーマルビア１４を介して下層回路基板１の下面に近接する放熱性の高いベース基板に熱が伝導されるとともに、発熱部品１００の天面から上層回路基板２、層間接続部材３、下層回路基板1を介してベース基板に熱が伝導される。 - 特許庁

A reflective layer 121 in the electroluminescence display device 100 has an inter-pixel reflective layer 126 arranged at a location corresponding to a zone X where a lower electrode 122 and an electroluminescence layer 123 are brought into contact with each other, and an out-pixel reflective layer 127 arranged outside the location corresponding to the zone X.例文帳に追加

本発明に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００は、反射層１２１が、下部電極１２２と、エレクトロルミネセンス層１２３とが接触している領域Ｘに対応する位置に配置された画素内反射層１２６と、領域Ｘに対応する位置の外側に配置された画素外反射層１２７と、を有する。 - 特許庁

This charger comprises an electric double-layer capacitor 44; a charging circuit 42 that charges the capacitor 44; and a terminal voltage detecting circuit 45 that detects the inter-terminal voltage of the capacitor 44.例文帳に追加

電気二重層コンデンサ４４と、コンデンサ４４に充電する充電回路４２と、コンデンサ４４の端子間電圧を検知する端子電圧検知回路４５とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of re-encoding a hierarchically encoded bit stream which uses inter-frame predictive encoding into a bit stream having no layer with a small computational complexity and a small quantity of use of memory.例文帳に追加

フレーム間予測符号化を用いた階層符号化ビットストリームを少ない演算量および少ないメモリ使用量で階層をもたないビットストリームに再符号化する。 - 特許庁

A seal via hole 123 having no joint is located in the inter layer insulating film 107 where the via hole 113 and the wiring 114 compose the dual damascene wiring.例文帳に追加

デュアルダマシン配線を構成するビア１１３及び配線１１４が設けられている層間絶縁膜１０７には「つなぎ目」のないシールビア１２３が設けられている。 - 特許庁

To provide a door lock bracket which efficiently copes with partial deformation or inter-layer deformation thereof, is applicable to a hook-shaped dead bolt, and earthquake-resistant.例文帳に追加

局部変形や層間変形に良好に対応できるものでありながら、鎌式のデッドボルトに対しても対応可能な、耐震の扉錠の受金具を提供する。 - 特許庁

Protection films (inter-layer insulation film 40, passivation film 60) are provided with a heat-treated part 70 melted by heat given from outside in accordance with each metal film 15.例文帳に追加

そして、金属膜１５に対応して、保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）には、外部から熱が付与されて溶融される被熱処理部７０が設けられている。 - 特許庁