「Inter layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The reactive layer 2 of these bonding interface is formed on the inter face between the first reactive layer 4 containing an active metal as Ti and the alumina part and has the second reactive layer 7 substantially free from the active metal as Ti and containing Cu-Al-O.例文帳に追加

これらの接合界面の反応層２は、Ｔｉのような活性金属を含む第１の反応層４と、アルミナ部材１との界面側に生成され、Ｔｉのような活性金属を実質的に含まないＣｕ−Ａｌ−Ｏからなる第２の反応層７とを有している。 - 特許庁

The organic light emitting elements 10R, 10G, 10B are, for example, composed of an auxiliary wiring layer 11b, a first electrode 13 as a positive electrode, an inter-pixel insulation film 15, an organic layer 16 including a light emitting layer, and a second electrode 20 as a negative electrode arranged in this order on a substrate 10a.例文帳に追加

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、基板１０ａ上に、補助配線層１１ｂ、陽極としての第１電極１３、画素間絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての第２電極２０をこの順に形成してなる。 - 特許庁

On the other hand, the control means uses the focus control error signal for a locking signal of the focus control and temporarily stops the normalization of the focus control error signal in the case of carrying out inter-layer movement by moving a slot light from one information recording layer to another information recording layer.例文帳に追加

一方、１つの情報記録層から別の情報記録層にスポット光の焦点位置を移して層間移動を行う場合には、焦点制御誤差信号を焦点制御の引き込み信号として用いるとともに、焦点制御誤差信号の正規化を一時的に停止する。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional coding apparatus that coding efficiency of an interlace scanning image is degraded since inter-layer prediction cannot be performed in an upper layer image with the same phase as that of an interleaved frame when a reduced non-interlace scanning image is temporally interleaved and coded as a lower layer image.例文帳に追加

従来装置では、縮小ノンインターレース走査画像を時間的に間引いて、下位層画像として符号化すると、間引かれたフレームと同位相の上位層画像では階層間予測をすることができないため、インターレース走査画像の符号化効率が低下してしまう。 - 特許庁

The second electrode is connected to the active region and the spacer through a conductive inter-layer oxide layer, and a curved region of a depression region is formed so as to be separated from the boundary of the active region by a predetermined length and so as to cover the active region, the spacer and a portion of the termination structure oxide layer 245.例文帳に追加

第２の電極は、導電層間酸化層を介して、活性領域及びスペーサに接続し、空乏領域の湾曲領域が活性領域の境界から所定の長さ離間するように、活性領域、スペーサ及び終端構造酸化層の一部を覆うように形成されている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100 where a memory cell transistor and an impurity diffusion layer 111 are formed, a first inter-layer insulation film 112 provided with a first plug 113 connected to the memory cell transistor and a second plug 114 connected to the impurity diffusion layer 111 is formed.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁

A NAND type memory 1 has a tunnel insulation layer 12, a charge storage layer 13, and a charge block layer 14, provided on an upper surface of a semiconductor substrate 11, and a plurality of control gate electrodes 15 and inter-cell insulating films 16 are provided thereupon alternately in a channel-length direction.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型メモリ１において、半導体基板１１の表面上に、トンネル絶縁層１２、電荷蓄積層１３、電荷ブロック層１４を設け、その上に、チャネル長方向に沿ってそれぞれ複数の制御ゲート電極１５及びセル間絶縁膜１６を交互に設ける。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first barrier layer 21 is provided in the state of covering the inner wall of a connection hole 15 provided on a first interlayer insulating film 13 on a substrate 11, and of a wiring groove 16 provided on a second inter-layer insulating film 14.例文帳に追加

基板１１上の第１の層間絶縁膜１３に設けられた接続孔１５および、第２の層間絶縁膜１４に設けられた配線溝１６の内壁を覆う状態で第１のバリア層２１が設けられている。 - 特許庁

The near infrared ray reflection film has an inter-lamination unit comprising a high refractive index layer and a low refractive index layer on at least one face of a charge preventive base material coated with a conductive composition on the base material.例文帳に追加

基材上に導電性組成物を被覆した帯電防止基材の少なくとも一方の面上に高屈折率層と低屈折率層から構成される交互積層ユニットを有することを特徴とする近赤外線反射フィルム。 - 特許庁

To provide a method for forming a double layer coating film capable of forming an inter coating film which is uniformly mixed with a white coating material and a black coating material and has a uniform spectra reflectance, and an article having the double layer coating film.例文帳に追加

白色系塗料及び黒色系塗料が均一に混合され、均一な分光反射率を有する中塗り塗膜を形成することができる複層塗膜形成方法及び複層塗膜を有する物品を提供する。 - 特許庁

Thus, focus control can stably be applied to the 2nd recording layer with which the focus is newly matched while the spherical aberration is corrected so as to prevent the focus control from being ineffective due to a failed inter-layer jump.例文帳に追加

これにより、新に焦点を合わせる第２の記録層に対して球面収差補正が行われた状態で安定した焦点制御を行うことができ、層間ジャンプの失敗によって焦点制御がはずれることを防止できる。 - 特許庁

On the other hand, in the peripheral circuit region (recess part), an MOC transistor is element-separated by a locus 6, and lead-out wiring 41, 42 are installed on the inter-layer insulating layer 21 for a gate electrode 17, a source and a drain 18.例文帳に追加

一方、周辺回路領域（凹部）においては、ＭＯＳトランジスタがロコス６で素子分離され、ゲート電極１７及びソース及びドレイン１８に対して、層間絶縁層２１上に引き出し配線４１，４０が設けられている。 - 特許庁

An anode wire WYA1 extending from a segment A1 is entirely covered by an insulation layer 3, and the insulation layer 3 is removed from its portion electrically connected to an inter-anode connection wire WXA to form an opening part CH.例文帳に追加

セグメントＡ１から延在する陽極配線ＷＹＡ１は全体が絶縁層３で覆われ、陽極間接続配線ＷＸＡと電気的に接続される部分においては絶縁層３が除去され開口部ＣＨとなっている。 - 特許庁

The transistor includes the semiconductor layer formed on an insulating board, a gate insulating film composed of the filtering oxide film of 1-20 Å in thickness, a gate electrode, an inter-layer insulating film, and source and drain electrodes.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース／ドレーン電極を含み、ゲート絶縁膜は１から２０Åの厚さのフィルターリング酸化膜からなる薄膜トランジスタ及びその製造方法。 - 特許庁

Then p-type areas 7 to be channels, n^+-type areas 8 to be sources and body p-type areas 9 are formed on the surface layer of the semiconductor substrate 3 and an inter-layer insulating film 10, a metallic film 11 to be a source electrode, and so on are formed.例文帳に追加

その後、半導体基板３の表層にチャネルとなるＰ型領域７、ソースとなるＮ^＋型領域８、ボディＰ型領域９を形成し、さらに層間絶縁膜１０、ソース電極となる金属膜１１等を形成する。 - 特許庁

A first supporting plug 22 is arranged in the first region so that the gas is charged or the first inter-layer insulation film is arranged between the first supporting plug 22 and the first connection plug, and reaches from the wiring layer to the base part, and further has a second Young's modulus.例文帳に追加

第１支持プラグ２２は、第１接続プラグとの間に、気体が充填されるかまたは第１層間絶縁膜が配設されるように第１領域内に配設され、配線層から下地部分に達し、且つ第２ヤング率を有する。 - 特許庁

Likewise, a second barrier layer 10 and an upperlayer wiring 11 are formed in the trenches 8 of the second inter-layer insulating films 7 containing second porous low dielectric-constant films 7b through second sidewall protective films 9 formed on the side walls of the trenches 8.例文帳に追加

同様に、多孔質の第２低誘電率膜７ｂを含む第２層間絶縁膜７のトレンチ８内にその側壁に設けられた第２側壁保護膜９を介して第２バリア層１０および上層配線１１が形成される。 - 特許庁

The amount of oxygen present in the recording layer is substantially greater than the amount required for the stoichiometric oxide or oxides of the segregant or segregants, and a substantial portion of the oxygen present in the recording layer is present in the inter-granular material.例文帳に追加

記録層中に存在する酸素量は、セグレガントの化学量論的酸化物の形成に必要な酸素量よりも実質的に多く、又、記録層中に存在する酸素の大部分は粒間材料中に存在する。 - 特許庁

This enables focus control to be performed stably in a state in which the spherical aberration correction has been carried out with respect to the second recording layer so as to prevent the focus control from failing owing to an unsuccessful inter-layer jump.例文帳に追加

これにより、新に焦点を合わせる第２の記録層に対して球面収差補正が行われた状態で安定した焦点制御を行うことができ、層間ジャンプの失敗によって焦点制御がはずれることを防止できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that while securing sufficient EM resistance for wiring, reduces inter-wiring-layer and inter-line leaks, increases a TDDB life, and secures a high selection ratio during via-hole etching to have high-reliability wiring, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

配線に十分なＥＭ耐性を確保しつつ、配線層間・線間リークを低減しかつＴＤＤＢ寿命を向上することができるとともに、ビアエッチの際に高選択比を確保して高信頼性な配線を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Or, the first thin film transistor is formed on the insulating substrate, the second thin film transistor is formed so as to interpose the inter-layer insulating film between itself and the first thin film transistor, and the first thin film transistor is electrically connected to the second thin film transistor through the contact hole formed in the inter-element insulating film.例文帳に追加

または、絶縁体基板上に第１層めの薄膜トランジスタが形成され、素子間絶縁膜をはさんで第２層めの薄膜トランジスタが形成され、第１層めの薄膜トランジスタは素子間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第２層めの薄膜トランジスタと導通している。 - 特許庁

When the signal wiring is paired wiring for differential transmission, a distance U between both sides of the pair wiring at the position of an inter-linear distance S and an opening end 7b of the shield layer is set at a range 3S≤U≤20S, where S is the inter-linear distance of the paired wiring.例文帳に追加

前記信号配線が差動伝送されるペア配線である場合には、ペア配線間の線間距離をＳとしたとき、当該線間距離Ｓの位置における前記ペア配線の両外側と前記シールド層の開口端７ｂとの距離Ｕが、３Ｓ≦Ｕ≦２０Ｓの範囲に設定される。 - 特許庁

A quantum cascade laser 1A includes a semiconductor substrate 10, and an active layer 15 which is provided on the substrate 10 and has a cascade structure in which a unit laminate consisting of a quantum well emission layer and an injection layer is stacked in multiple stages so that the emission layer and the injection layer are alternately laminated, for generating light by inter-subband transition in the quantum well structure.例文帳に追加

半導体基板１０と、基板１０上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層されることで発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層１５とを備えて量子カスケードレーザ１Ａを構成する。 - 特許庁

The integrated filter includes: a substrate; a first electrode positioned in a predetermined first area on an upper surface of the substrate; a first piezoelectric layer positioned on the first electrode; a second electrode positioned on the first piezoelectric layer; a second piezoelectric layer positioned in a predetermined second area on the upper surface of the substrate; and an inter-digital transducer (IDT) electrode positioned on the second piezoelectric layer.例文帳に追加

本集積フィルタは、基板と、基板の上部表面上の所定第１領域に位置する第１電極と、第１電極上に位置する第１圧電層と、第１圧電層上に位置する第２電極と、基板の上部表面上の所定第２領域に位置する第２圧電層と、第２圧電層上に位置するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを含む。 - 特許庁

In this semiconductor device, the surface protective film 11 covering an epitaxial layer 4A covers a part of an outer peripheral epitaxial layer 4A-1 on the outer peripheral side of a high-resistance GaAs layer (inter-element insulation layer) 5 and contacts the part, and thereby adhesiveness of the end of the surface protective film 11 is improved, and moisture intrusion from the outside can be prevented.例文帳に追加

この半導体装置では、エピタキシャル層４Ａを覆う表面保護膜１１が高抵抗ＧａＡｓ層(素子間絶縁層)５の外周側の外周エピタキシャル層４Ａ−１の一部を覆って上記一部に接しているので、表面保護膜１１の端部の密着性が向上して外部からの水分侵入を防止できる。 - 特許庁

To easily form a high performance peripheral transistor by preventing the gate insulating film of a memory cell or the floating gate or inter-layer capacitative film of the memory cell from remaining on the side face of an element isolating insulating film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜の側面にメモリセルのゲート絶縁膜またはメモリセルの浮遊ゲートや層間容量膜が残留せず、簡便に高性能な周辺トランジスタを形成できる。 - 特許庁

To provide: a fuel battery cell in which peeling-off of an inter-connector and a solid electrolyte layer can be suppressed; a cell stack device equipped with the same; a fuel cell module; and a fuel cell device.例文帳に追加

インターコネクタと固体電解質層との剥離を抑制できる燃料電池セルならびにそれを備えたセルスタック装置、燃料電池モジュールおよび燃料電池装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed wiring board excelling in workability, high in manufacturing efficiency, allowing via holes for executing inter-layer connection to be made adjacent to each other, and allowing a high-density wiring pattern.例文帳に追加

作業性が良く製造効率が高く、層間接続を行うビアホールの近接化を可能にし、高密度な配線パターンを可能にするプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The step of the inter-layer insulating film 11 is formed by exposing/developing a photosensitive insulating film such as a photosensitive acrylic resin film while making the exposure quantity different by location.例文帳に追加

層間絶縁膜１１の段差は、場所によって露光量を異ならせながら、感光性アクリル樹脂膜等の感光性を持つ絶縁膜を露光・現像することにより形成される。 - 特許庁

To provide a steel damper device capable of exerting its damping performance even at the stage of small amplitude by enlarging an inter-layer deformation and transmitting the vibration to a steel damper.例文帳に追加

ダンパーとして鋼材を用いた装置において、層間変形を大きくして鋼材ダンパーに伝え、小振幅時から減衰性能を発揮させることができる鋼材ダンパー装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing micrometallic structures which simplifies inter-process treatment by forming a uniform conductive layer film by electroless plating on the surface of a PMMA matrix.例文帳に追加

ＰＭＭＡ母型の表面上に無電解めっきにより均一な導電層膜を形成し、工程間処理を簡易化する微細金属構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

An inter-drain wiring 224 which connects drain regions 302 and 303 of the two transistors P205 and P206 is wired in the wiring layer that is at the higher order than the source wiring 213.例文帳に追加

前記２個のトランジスタＰ２０５、Ｐ２０６のドレイン領域３０２、３０３間を接続するドレイン間配線２２４は、前記ソース配線２１３よりも上位の配線層に配線される。 - 特許庁

The inter-layer insulating film 4 has a recess 10 formed reaching the capacitance lower electrode 3, and a capacitive insulating film 5A is formed on a bottom surface and a wall surface of the recess 10.例文帳に追加

層間絶縁膜４には、容量下部電極３に達する凹部１０が形成されており、凹部１０の底面及び壁面のそれぞれの上に容量絶縁膜５Ａが形成されている。 - 特許庁

A top surface of the inter-layer insulating film 11 is partially removed in the transmission region T and then a step is formed between the transmission region T and reflection region R.例文帳に追加

層間絶縁膜１１の表面は、透過領域Ｔにおいて一部が除去されており、それによって透過領域Ｔと反射領域Ｒとの間に段差を有している。 - 特許庁

To provide a decorative sheet capable of suppressing bleedout of a low-molecular weight component in the lapse of time as building exterior application and capable of maintaining inter-layer adhesion, design and weather resistance.例文帳に追加

建築外装用として経時での低分子量成分のブリードアウトを抑制し、層間密着性や意匠、耐候性品質を維持できる化粧シートを提供することを課題とする。 - 特許庁

Relating to the liquid crystal display divice an inter-layer insulating film 20 is formed covering the TFT constituted by stacking a gate electrode 11, a source electrode 17, and a drain electrode 18 on a substrate 10 and a display electrode 22 is formed thereupon.例文帳に追加

基板10上にゲート電極11、ソース電極17、ドレイン電極18が積層されてなるＴＦＴを覆って層間絶縁膜20を形成し、その上に表示電極22を形成している。 - 特許庁

Thereafter, a low-resistance semiconductor film to be a source/drain region and an inter- layer insulation film are successively formed, a contact hole to the source/drain region is opened, and a source/drain electrode is formed.例文帳に追加

この後、ソース／ドレイン領域となる低抵抗半導体膜、層間絶縁膜を順次形成し、ソース／ドレイン領域へのコンタクトホールを開孔して、ソース／ドレイン電極を形成する。 - 特許庁

To provide a protective sheet for a solar cell module that has superior wet heat resistance and gas barrier properties, and has small deterioration in an inter-layer adhesive in a wet heat environment to have superior durability.例文帳に追加

保護シートは、耐湿熱性、ガスバリア性に優れており、湿熱環境下における層間接着剤の劣化が少なく耐久性に優れた太陽電池モジュール用保護シートの提供。 - 特許庁

Between mutually adjacent body regions 12 (in an inter-body region 16), a P-type implantation region 21 is formed by implanting a P-type impurity into the epitaxial layer 8.例文帳に追加

そして、互いに隣り合うボディ領域１２の間（ボディ間領域１６には、エピタキシャル層８にＰ型不純物をインプランテーションすることにより、Ｐ^−型のインプラ領域２１が形成されている。 - 特許庁

In constructing a pipe for heating, the use of light-weight concrete is eliminated and dry type construction is performed, whereby the construction period is reduced, and the transmission of inter-layer noise can be intercepted.例文帳に追加

暖房用パイプの施工の際，軽量のコンクリートの使用を排除し，乾式施工を行うことにより，施工期間を短縮し，層間騷音の伝達を遮断できるようにする。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor layer 6 is reducible in resistivity, so when the gate of the thin film transistor is in an ON state, the inter-source-drain connection resistance can be decreased.例文帳に追加

それにより、半導体膜６の抵抗率を低下させることができるので、薄膜トランジスタのゲートがＯＮ状態のときのソース・ドレイン間の接続抵抗を低下させることができる。 - 特許庁

To prevent deterioration in prediction performance caused by interpolation processing in inter-layer prediction coding by generating a signal of an upper-level hierarchy, based on texture synthesis in scalable encoding.例文帳に追加

スケーラブル符号化においてテクスチャ合成に基づき上位階層の信号を生成することにより，階層間予測符号化における補間処理による予測性能の低下を防ぐ。 - 特許庁

In an actual operation, a thread logic control signal generation circuit 20 obtains a target address after the inter-layer movement on the basis of the address difference information, and outputs thread drive signals.例文帳に追加

実動作において、スレッド論理制御信号生成回路２０は、アドレス差分情報に基づいてレイヤ間移動後の目標アドレスを求めて、スレッド駆動信号を出力する。 - 特許庁

To achieve useful function of a hysteresis type damper in earthquake resistance of the existing concrete building by making deformation generated in the hysteresis type damper larger than the inter-horizontal layer deformation of the building.例文帳に追加

履歴型ダンパーに発生する変形を建物の水平層間変形より大きくなるようにし、既存コンクリート系建物の耐震において履歴型ダンパーが有用に機能させる。 - 特許庁

The electrode part 20 is constituted by opening an inter-layer insulating film 23 in a part corresponding to metal wiring 22 and forming a land-like electrode pad 25 in this opened part.例文帳に追加

電極部２０は、金属配線２２に対応する部分の層間絶縁膜２３を開口し、その開口部分にランド状の電極パッド２５を形成することにより構成されている。 - 特許庁