「Masks」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Masks 53 draw the contours of the shapes of the slider 20 having a head element 31, a sacrifice extension 32, and guide rails 34 in an optional manner.例文帳に追加

マスク５３はヘッド素子３１を有するスライダー２０と、犠牲エクステンション３２と、オプションでガイドレール３４の形状の輪郭を描く。 - 特許庁

Magnetisms of the same pole are each induced on the portions corresponding to overlapped thin plate-shaped shadow masks 11 of several sheets by a magnet 12.例文帳に追加

複数枚重ね合わせた薄板状のシャドウマスク11に対して、磁石12により対応する部分にそれぞれ同極の磁気を誘起させる。 - 特許庁

Next, impurities are implanted into the semiconductor layer under the exposed gate electrode using the interlayer dielectric and the gate electrodes as masks.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜及びゲイト電極をマスクとして、前記露呈されたゲイト電極の下の半導体層に不純物を注入する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor of a liquid crystal display which provides high cost competitiveness by reducing the number of applying masks.例文帳に追加

適用するマスク数を減らして原価競争力が高い液晶表示装置の薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which reduces the manufacturing cost by decreasing the number and process steps of masks.例文帳に追加

マスクの数および工程段階を減少させて、製造コストを低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, an alignment mark 129 is previously formed on the large-sized substrate 400 and the exposure masks 210, 220, 230 and 240 are positioned.例文帳に追加

その際、大型基板４００に予め、アライメントマーク１２９を形成しておき、露光マスク２１０、２０、２３０、２４０の位置決めを行う。 - 特許庁

The first and second masks 5, 8 are arranged so that the patterns are rotationally conjugate with each other by 180 degrees along the optical axis Ax.例文帳に追加

第１及び第２のマスク５、８は、パターンが互いに光軸Ａｘに沿って１８０度回転共役となるように配置されている。 - 特許庁

To provide a high-performance and planar-shaped detection device without an increase in cost and a reduction in yield associated with an increase in the number of masks.例文帳に追加

高性能な平面型の検出装置をマスク枚数の増加に伴うコストアップや歩留まりの低下をすることなく提供する。 - 特許庁

A mask processing circuit 42 masks the areas which excludes the extracted outline area, and an outline extraction circuit 44 extracts the outlines of the images stored in the memory 16 within an area limited by the circuit 42.例文帳に追加

輪郭線抽出回路４４は、メモリ１６の画像の回路４２による限定領域内で輪郭線を抽出する。 - 特許庁

A shadow mask arranged inside the vacuum envelope 5 opposedly to the phosphor screen 8 is divided into a plurality of slenderly divided masks 12.例文帳に追加

蛍光体スクリーンに対向して真空外囲器内に配置されたシャドウマスクは、複数の細長い分割マスク１２に分割されている。 - 特許庁

METHOD FOR OPTIMIZING CHANNEL CHARACTERISTICS USING MULTIPLE MASKS FOR FORMING LATERALLY CRYSTALLIZED ELA POLYCRYSTALLINE SI FILM例文帳に追加

横方向に結晶化したＥＬＡ多結晶ＳＩ膜を形成するために複数のマスクを使用してチャネル特性を最適化する方法 - 特許庁

In the case of a rear projection type, upper, lower, right, and left masks on the rear of the screen are moved by a mask driving part 9 to intercept projection light.例文帳に追加

背面投射型の場合はスクリーンの背面の上下と左右のマスクをマスク駆動部９で動かして投射光線を遮蔽する。 - 特許庁

The first and second masks 75 and 76 are held by a mask holder 73, and move to a horizontal direction by a mask switching mechanism 74.例文帳に追加

第１及び第２のマスク７５、７６は、マスクホルダー７３によって保持されマスク切換機構７４によって水平方向に移動する。 - 特許庁

In the masks of the two layers, at least the second mask has an opening that is larger than an opening actually formed on the film to be worked.例文帳に追加

ここで、２層のマスクのうち、少なくとも、第２のマスクは、被加工膜に実際に形成する開口よりも大きな開口を有する。 - 特許庁

In a signal feature extraction device 1, a mask storage unit 20 stores a plurality of masks previously given identifiable mask numbers.例文帳に追加

信号特徴抽出装置１において、マスク記憶部２０は、予め識別可能なマスク番号が付与される複数のマスクを記憶する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device and the manufacturing method therefor wherein the number of masks and process time can be reduced.例文帳に追加

本発明はマスクの数及び工程時間を減らすことができる液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

Thus, the insulating films 3, 4 become masks, and the ions can be implanted only on the end 6b of the bottom of the groove 6.例文帳に追加

これにより、絶縁膜３及び４がマスクとなり、溝６の底面における端部６ｂのみにフッ素イオンを注入することができる。 - 特許庁

Then a p-type impurity region is formed by implanting ions into a source cell SC1, by using the gate electrodes 142a-142c as masks.例文帳に追加

その後、それらゲート電極をマスクとしてソースセルＳＣ１に対してイオン注入を行って、Ｐ型の不純物領域を形成する。 - 特許庁

A high-concentration impurity layer 18 is formed on the surface of a semiconductor substrate 10 by using the sidewall spacer 16, the offset spacer 13 and the gate electrode 12 as masks.例文帳に追加

サイドウォールスペーサ16、オフセットスペーサ13、及びゲート電極12をマスクに半導体基板10の表面に、高濃度不純物層18を形成する。 - 特許庁

After first sidewalls 7 are formed at side surfaces of the gate electrode 4, a source-drain region 8 is formed by using these first sidewalls 7 as masks.例文帳に追加

ゲート電極４の側面に第１のサイドウォール７が形成された後、これらをマスクとしてソース・ドレイン領域８が形成される。 - 特許庁

A medium with a refractive index (n) larger than 1 is provided in regions (b' and b'') between the masks (13 and 103) and the lens systems (14 and 104).例文帳に追加

マスク（１３,１０３）とレンズシステム（１４,１０４）との間の領域（ｂ’,ｂ’’）に、屈折率（ｎ）が１より大きい媒質が設けられる。 - 特許庁

The masks 381 and 382 are attracted to the undersurface of a substrate holder 21 through a magnetic force of a magnet 35 in a magnet holder 33.例文帳に追加

マスク３８１及び３８２は、磁石ホルダ３３中の磁石３５の磁力により、基板ホルダ２１の下面に吸着されるものである。 - 特許庁

In this case, the shortest distance between adjacent mask loayers 2 is smaller than the width of the exposure section of the foundation 1 that is positioned between the adjacent masks 2.例文帳に追加

そして、隣接するマスク層２間の最短距離が、隣接するマスク層２間に位置する下地１の露出部の幅よりも小さい。 - 特許庁

Exposure is next performed exclusively on the alignment-mark forming regions 22 using second exposure masks for forming the post electrodes for alignment.例文帳に追加

次に、アライメント用ポスト電極形成用の第２の露光マスクを用いて、アライメントマーク形成領域２２のみに対して露光を行なう。 - 特許庁

A pair of trenches 19 are formed to both sides of the gate electrode 21 using the gate electrode 21 and insulating film 18A as masks (S7).例文帳に追加

ゲート電極２１および絶縁膜１８Ａをマスクとしてゲート電極２１の両脇に一対のトレンチ１９を形成する（Ｓ７）。 - 特許庁

Early this morning in new york, a high speed car collision erupted in a dangerous shootout involving four private security contractors and a man and woman wearing ski masks.例文帳に追加

ニューヨークで今朝早く 高速車の衝突は 危険な撃ち合いで爆発しました 4人の民間の 警備請負人を巻き込みました - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Police are investigating the robbery as two suspects, both wearing masks, fled the scene in what's being described as a blue van.例文帳に追加

警察は2人の容疑者として 強盗を調査してます マスクを着けた2人組は 現場で逃走しました 青いバンだったと述べてます - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

This school is also called 'Mai-Kongo' (literally, "dancing Kongo") because of their magnificent and elegant performance style, and they are also sometimes called 'Omote-Kongo' (literally, "mask Kongo") because this school owns a good many of masterpieces of Noh costumes and masks. 例文帳に追加

華麗・優美な芸風から「舞金剛」、装束や面の名品を多く所蔵することから「面金剛」とも呼ばれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The first and the second stencil masks 2, 6 respectively have first and second openings 3a, 7a for configuring a prescribed pattern.例文帳に追加

第１及び第２のステンシルマスク２，６はそれぞれ所定のパターンを構成する第１及び第２の開口部３ａ，７ａを有している。 - 特許庁

A field lens 23 and a roof prism 24 are provided to put an image-formation surface 27 in between, and masks 43 and 44 switching field are provided between the lens 23 and the prism 24.例文帳に追加

結像面２７を挟んでフィールドレンズ２３とダハプリズム２４を設けその間に視野を切り替えるマスク４３、４４を設ける。 - 特許庁

- like adders which writhe from out the eyes of the grinning masks in the cornices around the temples of Persepolis. 例文帳に追加

まるで、ペルセポリスの神殿を取り巻く軒蛇腹でにやにや笑っているお面の目から身もだえしながらはいずり出てきた毒蛇のようです。 - Edgar Allan Poe『約束』

To provide a pattern arrangement method for stencil masks which previously executes the optimum arrangement circuit patterns from a design stage so as to allow the efficient selection of the circuit patterns arranged on the stencil masks used for direct electron beam drawing technique and draws the circuit patterns of high throughput on a wafer with the least possible correction and exchange of the stencil masks and a method for manufacturing semiconductor integrated circuits using the same.例文帳に追加

本発明は、電子ビーム直接描画技術に用いられるステンシルマスクに配置される回路パターンを効率的に選択できるように、あらかじめ設計段階から回路パターンの最適配置を行うとともに、ステンシルマスクの修正や交換がなるべく少なくスループットの高い回路パターンをウエハー上に描画するステンシルマスクのパターン配置方法およびそれを用いた半導体集積回路製造方法を得る。 - 特許庁

The method for cleaning the masks for coating adhered with the coating films by masked coating and used in masked coating of desired products to be coated is characterized in that the coating films on the surfaces of the masks for coating are peeled away by jetting the heated aqueous cleaning liquid containing sodium polyacrylate, sodium gluconate, sodium phosphate and sodium borate to the masks for coating adhered with the coating films.例文帳に追加

所望の被塗装製品にマスキング塗装を施す際に用いられ、マスキング塗装により塗膜が付着された塗装用マスクを洗浄する方法において、塗膜が付着された塗装用マスクにポリアクリル酸ナトリウム、グルコン酸ナトリウム、リン酸ナトリウムおよびホウ酸ナトリウムを含む加温された水性洗浄液を噴射して前記塗装用マスク表面の塗膜を剥離除去することを特徴とする。 - 特許庁

The proximity scanning exposure apparatus 1 includes: a plurality of mask holding sections 71, which respectively hold the plurality of masks M and are arranged in a staggered manner along a Y direction; and a plurality of irradiating sections 80, which are respectively arranged on upper portions of the mask holding sections 71 and irradiate the masks with exposure light EL.例文帳に追加

近接スキャン露光装置１は、複数のマスクMをそれぞれ保持し、Y方向に沿って千鳥状に配置される複数のマスク保持部７１と、複数のマスク保持部７１の上部にそれぞれ配置され、露光用光ELを照射する複数の照射部８０と、を備える。 - 特許庁

To provide a method for cleaning masks for coating adhered with coating films which is capable of well cleaning the masks for coating by an aqueous cleaning liquid containing prescribed heated components in place of an organic solvent like trichloroethylene and is capable of recycling the aqueous cleaning liquid after cleaning.例文帳に追加

トリクレンのような有機溶剤に代わって加温された所定の成分を含む水性洗浄液により塗膜が付着された塗装用マスクを良好に洗浄できると共に、洗浄後の水性洗浄液を再利用することが可能な塗装用マスクの洗浄方法を提供するものである。 - 特許庁

This method includes a step in which after trenches for defining active regions on a semiconductor substrate are formed by using a plurality of trench makes formed on the semiconductor substrate as etching masks, filler insulating films are formed, with which gap regions consisting of the trenches and trench masks are filled.例文帳に追加

この方法は、半導体基板上に形成された複数のトレンチマスクをエッチングマスクとして使用して半導体基板に活性領域を限定するトレンチを形成した後に、トレンチ及びトレンチマスクからなるギャップ領域を満たす埋め立て絶縁膜を形成する段階を含む。 - 特許庁

The conductive regions 104 are so arranged to be electrically connected with the individual masks 101 as well as with the conductive frame 103 via the support substrate 102, so that static charge due to the exfoliation charging is guided from the individual masks 101 to the evaporation substrate to prevent damage of the evaporation substrate.例文帳に追加

導電性領域１０４は、個別マスク１０１と電気的に接続され、支持基板１０２を介して導電性のフレーム１０３と電気的に接続されるよう配置され、剥離帯電による静電気を個別マスク１０１から被蒸着基板へと導き、被蒸着基板の破損を防止する。 - 特許庁

By third and fourth stencil masks 13 and 14 manufactured by opening a position corresponding to a pattern boundary section generated in a pattern being formed by first and second stencil masks 11 and 12, the pattern boundary section is exposed.例文帳に追加

第１のステンシルマスク１１と第２のステンシルマスク１２とを用いて形成されたパターン内に生じるパターン境界部分に対応した位置を開口して作製されている第３のステンシルマスク１３と第４のステンシルマスク１４とを用いて、パターン境界部分を露光するように構成にした。 - 特許庁

To provide an exposure device in which a mask can be initially arranged so as not to be inclined to a substrate transfer direction, in a continuous exposure system for small masks that exposes using small masks arranged in a direction perpendicular to the substrate transfer direction while continuously transferring substrates.例文帳に追加

基板を連続搬送しながら、基板搬送方向と直交する方向に並べた小型マスクを用いて露光を行う小型マスク連続露光方式において、基板搬送方向に対して傾くことなくマスクを初期配置することができる露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing multi-power source semiconductor device in which the ion implantation which is performed for deciding the threshold of a transistor and the ion implantation which is performed for forming a well can be applied under any conditions, and by which the number of masks can be reduced from that of masks used in the conventional method.例文帳に追加

トランジスタの閾値決定のためのイオン注入及びウエル形成のためのイオン注入がどのような条件であっても適用でき、かつ前記従来法以上にマスク数を低減できる多電源半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

An exposure mask is formed into a constitution, wherein the exposure mask is provided with a main mask MM constituted of a plurality of split masks MDM and a compensating mask CM, which is formed into the same constitution as that of the split mask MDM inhering in the main mask MM and having a defect and comprises split masks CDM having no defect.例文帳に追加

露光用マスクＥＭ１を、複数の分割マスクＭＤＭで構成される主マスクＭＭと、主マスクＭＭに内在する欠陥のある分割マスクＭＤＭと同一構成でかつ欠陥のない分割マスクＣＤＭを含む補償マスクＣＭとを備えた構成とする。 - 特許庁

Since a maximum lift quantity of the intake valves 1 and 2 changes in response to the load by a variable valve train, in a small lift, the swirl is generated by an intake guide by the swirl masks 9 and 10, and in an intermediate lift, the tumble is generated by the tumble masks 11 and 12.例文帳に追加

吸気弁１，２の最大リフト量は、可変動弁機構により負荷に応じて変化するので、小リフトのときには、スワール用マスク９，１０による吸気の案内によってスワールが生成され、中間リフトのときには、タンブル用マスク１１，１２によってタンブルが生成される。 - 特許庁

To eliminate a mistake in verification of a mask for exposure to be discontinued and to reliably perform recovery of the mask for exposure to be abolished and deletion of production data and information on the mask, with respect to a system for controlling masks for exposure used in control of masks for exposure necessary for production of semiconductor chips.例文帳に追加

半導体チップの製造に必要な露光用マスクの管理に使用する露光用マスク管理システムに関し、廃版対象の露光用マスクの確認ミスをなくし、廃版対象の露光用マスクの回収および製作データ及び資料の抹消を確実に行うことができるようにする。 - 特許庁

A magnetic random access memory includes a plurality of hard masks 410; a plurality of magnetic memory elements 100 formed each by using a corresponding hard mask in the plurality of hard masks; and at least one of conductor 430a or 430b formed near the hard mask 410.例文帳に追加

複数のハードマスク（４１０）と、前記複数のハードマスクのうちの対応する１つを使用してそれぞれ形成された複数の磁気メモリ素子（１００）と、前記ハードマスク（４１０）の近くに形成された少なくとも１つの導体（４３０ａ及び４３０ｂ）とを含む、磁気ランダムアクセスメモリ。 - 特許庁

Laminated layers formed of the first conductive material layer and the antiferromagnetic layer (or a single layer of the first conductive material layer) are selectively etched by using hard masks 40a, 40b constituted of insulating films as selecting masks, an isolating trenches 44 are formed, and TMR elements Ta-Tc corresponding to the magnetic tunnel junction part are obtained.例文帳に追加

第１の導電材層及び反強磁性層の積層（又は第１の導電材層の単層）に絶縁膜からなるハードマスク４０ａ，４０ｂを選択マスクとする選択エッチング処理を施して分離溝４４を形成し、磁気トンネル接合部に対応したＴＭＲ素子Ｔａ〜Ｔｃを得る。 - 特許庁