「Memory Device」に関連した英語例文の一覧と使い方(395ページ目) - Weblio英語例文検索

A DRAM 1, which is the semiconductor storage device where data is read by comparing the potential of a memory cell with the reference potential of a reference cell, is provided with capacitors 22 and 32 and capacitors 82 and 92.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１は、メモリセルの電位とリファレンスセルの参照電位との比較によりデータの読出しが行われる半導体記憶装置であって、キャパシタ２２，３２、およびキャパシタ８２，９２を備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device in which a sufficient selection ratio of etching to a lower layer of a hydrogen barrier film can be obtained and whose contact hole forming process is simplified.例文帳に追加

水素バリア膜の下層との間においてエッチングの十分な選択比が得られると共に、コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A disk array controller 20 converts write data into an optical signal by a light emitting device 110 after storing the write data in a cache memory and transmits the optical signal to an optical bus 30.例文帳に追加

ホスト１０からの書き込み要求に対して、ディスクアレイコントローラ２０は書き込みデータをキャッシュメモリに格納した後、発光装置１１０により光信号に変換し、光バス３０へ送出する。 - 特許庁

When image photographing is then instructed by operating an input device 103 by a user, the synthetic image displayed on the monitor 106 at that time point is photographed and stored on a memory card 107a.例文帳に追加

その後、使用者によって入力装置１０３が操作されて画像の撮影が指示されると、その時点でモニタ１０６に表示されている合成画像を撮影してメモリーカード１０７ａに記憶する。 - 特許庁

If the upper limit value will be exceeded, a new folder different from the existing folder is created in the memory device, and the new folder or file is saved in the new folder thus created (Step S20, S22).例文帳に追加

一方、上限値を超えた場合には、既存のフォルダとは異なるフォルダをメモリ装置内に新規に作成して、同新規に作成したフォルダ内に新たなフォルダまたはファイルを保存する（ステップＳ２０，Ｓ２２）。 - 特許庁

A cache area allocation part 44, upon a write request from an upper device, allocates a cache area 48 having a plurality of page areas having the same size as the stripe area on cache memory.例文帳に追加

キャッシュ領域配置部４４は、上位装置からライト要求を受けた際に、キャッシュメモリ上に、ストライプ領域と同一サイズとなる複数のページ領域を備えたキャッシュ領域４８を配置する。 - 特許庁

A CPU reads setting information of an inspection frame corresponding to a specified dot character from an inspection frame database of an external memory device and changes the setting information of the inspection frame based on an operation of an input part.例文帳に追加

ＣＰＵは指定されたドット文字に対応する検査枠の設定情報を外部記憶装置の検査枠データベースから読み出し、入力部の操作に基づいて検査枠の設定情報を変更する。 - 特許庁

The memory 16 stores the most suitable applying voltage which is stored in the device 10 and is source electrode voltage corresponding to respective display modes including a reflection type mode and a transmissive type mode.例文帳に追加

メモリ１６は、液晶表示装置１０が有している反射型モードおよび透過型モードという各表示モードのそれぞれに対応するソース電極電圧に対する最適印加電圧を記憶している。 - 特許庁

The device includes an access permission table to be the information of memory areas allowed to respective programs in its inside and detects the access violation of the signal from the CPU by referring to the built-in access permission table.例文帳に追加

そして、アクセス監視装置は、各プログラムに許可されるメモリ領域の情報であるアクセス許可テーブルを内蔵し、それを参照することによって、ＣＰＵからの信号のアクセス違反を検出する。 - 特許庁

To provide an onboard electronic control device capable of performing, in abnormality detection related to a volatile backup memory backed up by an onboard battery, various abnormality detections while reducing the control load of a microprocessor.例文帳に追加

車載バッテリでバックアップされた揮発性のバックアップメモリに関する異常検出において、マイクロプロセッサの制御負担を軽減しながら多様な異常検出が可能な車載電子制御装置を得る。 - 特許庁

A display data image preparing device 28 prepares image data corresponding to the display data by referring to a font memory 26 in accordance with information of the display data, the display size and the display position from the switch 24.例文帳に追加

表示データイメージ作成装置２８は、スイッチ２４からの表示データ、表示サイズ及び表示位置の情報に従い、フォントメモリ２６を参照して表示データに対応するイメージデータを作成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its control method in which high speed data processing and a large amount of data processing in which power consumption is suppressed can be selected in one nonvolatile memory.例文帳に追加

１つの不揮発性メモリにおいて、高速なデータ処理と消費電力を抑えた大量のデータ処理とを選択することが可能な半導体装置およびその制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a memory device which can be driven with low power consumption and hardly has wire disconnection by generating a magnetic field needed for magnetization reversal without increasing a wiring current in a vertically magnetized TMR element.例文帳に追加

垂直磁化ＴＭＲ素子において、配線電流を増大させることなく、磁化反転に必要な磁場を発生させ、低消費電力で、配線の断裂が生じにくいメモリ装置を提供する。 - 特許庁

Since the device can compress the motion picture signal input from a video deck, etc. in the MPEG4 format, and store in the attached memory of the portable telephone, they can enjoy a movie, etc. by the portable telephone.例文帳に追加

ビデオデッキ等から入力した動画像信号をＭＰＥＧ４形式で圧縮して、携帯電話機の付属メモリに記憶させることができるので、携帯電話機で映画等を楽しむことができる。 - 特許庁

To provide an optical pickup device and optical memory drive unit, which can smoothly perform focusing of the laser beam to a desired layer with a simple configuration also when using a bulk type recording medium.例文帳に追加

バルク型の記録媒体を用いる場合にも、簡単な構成により円滑に、レーザ光を所望のレイヤーにフォーカス合わせすることができる光ピックアップ装置および光メモリドライブ装置を提供する。 - 特許庁

Even if the memory capacity is increased by narrowing the groove period Gp, the inclination can be detected without freshly adding components and therefore the information recording/reproducing device having high reliability can be inexpensively realized.例文帳に追加

溝周期Ｇｐを狭くして記憶容量を増大しても、新たに部品を追加することなく傾きを検出できるので、信頼性の高い情報記録再生装置を安価に実現することができる。 - 特許庁

To significantly reduce a device startup time by directly writing an instruction code of an object software program which is developed and executed on RAM and a snapshot image of data into a memory.例文帳に追加

ＲＡＭ上に展開され実行されている対象ソフトウェアプログラムの命令コードおよびデータのスナップショットイメージをメモリに直接書き込むことにより画期的に装置起動時間を短縮すること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device that can improve the withstand voltage between element regions of a high-voltage transistor without the occurrence of clacks and crystal defects, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

クラックや結晶欠陥の発生なしに高電圧トランジスタの素子領域間の耐圧を向上できるようにした不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 100A is configured to control access to a memory 200 equipped with a plurality of storage regions 201 in which the same boot program is stored.例文帳に追加

本発明による半導体装置１００Ａは、同一のブートプログラムがそれぞれに格納された複数の格納領域２０１を備えるメモリ２００に対し、アクセス制御を行う半導体装置である。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device which performs recovery from influence of heat stress received after shipping, that is lowering of the polarization amount for keeping data or degradation of imprint by using comparatively simple configuration.例文帳に追加

出荷後に受ける熱ストレスの影響、つまり、データ保持のための分極量の低下やインプリント劣化からの回復を、比較的簡素な構成を用いる強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a software operation modeling device which reduces an overhead of software operation monitoring by simplifying state acquisition of a call stack accompanied by low-speed memory access while keeping detection precision high.例文帳に追加

検知精度を高く保ちつつ、低速なメモリアクセスを伴うコールスタックの状況取得を簡略化することにより、ソフトウェア動作監視におけるオーバーヘッドを低減するソフトウェア動作モデル化装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device equipped with a circuit adjustable so that a reference signal is coincident with an intersection of a system clock signal to be input and an inverted system clock signal.例文帳に追加

入力されるシステムクロック信号と反転されたシステムクロック信号との交差点と、基準信号とが一致するように調整可能な回路を備えた半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

The dummy cell contact pad blocks liquid and gas infiltrating through a void and prevents corrosion of the cell contact pad and raise of resistance, and thereby a method of manufacturing the miniaturized reliable semiconductor memory device is provided.例文帳に追加

ダミーのセルコンタクトパッドがボイドを通って侵入する液、ガスを阻止し、セルコンタクトパッドの腐食、高抵抗化を防止することで、微細化された、高信頼性の半導体記憶装置の製造方法が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and a sense amplifier control circuit therefor which has a sufficient supply capability of electric power, can realize a high sensing speed, and can deal with making the device minute.例文帳に追加

十分な電力供給能力を有し、速いセンシング速度を実現することができる、セル面積の微細化に対応可能な半導体メモリ装置及びそのセンスアンプ制御回路を提供すること。 - 特許庁

To provide an imaging device (video camera for consumer use), capable of performing advanced signal processing using an image memory, and of being reduced in size with suppressed power consumption, and operating at a low-power consumption.例文帳に追加

民生用ビデオカメラにおいて画像メモリを用いた高度な信号処理を行ないつつ、電力消費量を抑えて装置を小型化する為の低消費電力化の為の技術課題を解決すること。 - 特許庁

The IC card 1 has: a communication interface that performs data communication with an IC card processor 2 as an external device; and a data memory storing a record file where a plurality of data objects are sequentially arranged.例文帳に追加

ＩＣカード１は、外部装置としてのＩＣカード処理装置２とのデータ通信を行う通信インターフェースと複数のデータオブジェクトが順に並べられたレコードファイルを記憶するデータメモリとを有する。 - 特許庁

Consequently, the image data can be inputted to the external device without mounting a large-capacity memory storing image data and a read image of high picture quality with high read precision can be obtained.例文帳に追加

このことにより、イメージデータを記憶する大容量のメモリを搭載することなしに、外部装置への画像データの取り込みが可能となるとともに、読取精度の高い高画質の読取画像を得ることができる。 - 特許庁

The memory device contains insulating trenches 200 which are formed into the substrate 100 in parallel with the rows 22 and separate each cell 10 in each row 22 from the other cells 10 in the adjacent rows 22.例文帳に追加

メモリ・デバイスは、前記列（２２）に平行な方向に沿って前記基板（１００）内に形成され、列（２２）内の各セル（１０）を隣接する列（２２）内の他のセル（１０）から分離する絶縁トレンチ（２００）を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device capable of suppressing variations in resistance value according to the difference of a PCMO crystallinity of a variable resistive element and completely securing a circuit operational margin.例文帳に追加

可変抵抗体のＰＣＭＯ結晶化度の違いによる抵抗値バラツキを抑え、回路動作マージンを十分確保することができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a holding device moving indication part 150 receives the push-down of a trigger button 10c by the operator to acquire the position and angle corresponding to the number indicated by the operator from the temporary list memory part 110.例文帳に追加

その後、保持装置移動指示部１５０が、操作者によるトリガボタン１０ｃの押下を受け付けて、操作者によって指定された番号に対応する位置・角度をテンポラリリスト記憶部１１０から取得する。 - 特許庁

By this nonvolatile semiconductor storage device, the threshold can be exactly controlled when a multi-valued bit is stored in one memory cell by the especially fine threshold control.例文帳に追加

よって、本発明の不揮発性半導体記憶装置によると、特に細かなしきい値の制御が一つのメモリセルに多値ビットを記憶させる場合に、しきい値の制御を的確に行うことができる。 - 特許庁

When the address comparison part 5 detects the value of the address signal ADDR and the threshold address being in specified magnitude relation where writing should be limited, writing access to the memory device is invalidated.例文帳に追加

アドレス信号ＡＤＤＲの値と閾値アドレスが書き込み制限を行なうべき所定の大小関係にあることをアドレス比較部５が検出している場合、メモリデバイスに対する書き込みアクセスを無効とする。 - 特許庁

The data processing method sends application data stored in a memory card or a hard disk to a host computer on a network, processes it into printing data and prints data returned from the host computer by the printing device while confirming the data.例文帳に追加

メモリカードやハードディスクに格納されているアプリケーションデータをネットワーク上のホストコンピュータに送って印刷データに加工し、ホストコンピュータから返信されたデータを確認しながら印刷装置で印刷する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a high voltage circuit for preventing the high voltage applied to the bit line from leaking to the low voltage circuit using the power source voltage to operate at the time of deleting operation.例文帳に追加

本発明はデータ消去動作の時にビットラインに印加された高電圧が電源電圧を使用して動作する低電圧回路に漏洩されることを防止する高電圧回路を含む。 - 特許庁

To achieve a dielectric memory device which secures the effective area of the greatest capacitor decided by the size of a diffusion prevention film, and also hardly causes the exfoliation of the diffusion prevention film during heat treatment.例文帳に追加

拡散防止膜の大きさによって決まる最大のキャパシタの実効面積を確保し且つ熱処理時における拡散防止膜の剥離が生じにくい誘電体メモリ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide an authentication device for suppressing a wasteful free space even when recording in a built-in memory authentication data including card IDs different in data length, recorded in IC cards.例文帳に追加

ＩＣカードに記録されている、データ長が異なるカードＩＤを含む認証データを内蔵メモリに記録する場合にも、無駄な空き領域の発生を抑制することが可能な認証装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile storage device for achieving avoidance of a malfunction of reading operation and improvement of the number of rewriting times by eliminating excessive erasure of a memory cell even though rewriting is repeatedly performed.例文帳に追加

繰り返し書き換えを行ってもメモリーセルの過剰消去をなくし、読み出し動作の誤動作の回避及び書き換え回数の向上を実現する不揮発性記憶装置等を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device capable of improving a programming speed by increasing the phosphorus concentration of a polysilicon film used as the control gate without reducing a coupling ratio.例文帳に追加

コントロールゲートとして用いられるポリシリコン膜のリン濃度を増加させながらカップリング比を低めないで、プログラム速度を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This memory device has a random access port for graphic data, a 1st serial access port for image output to a display, and an auxiliary, i.e. 2nd serial port for inputting and outputting video signal data.例文帳に追加

このメモリ装置は、グラフィックデータのためのランダムアクセスポートと、ディスプレイへの像出力のための第１シリアルアクセスポートと、ビデオ信号データの入力及び出力のための補助即ち第２シリアルポートとを有する。 - 特許庁

The electric car overhead wire temperature detection device 1 comprises a strip-like temperature sensor 2 made of a shape memory alloy, and a fixing piece 3 for fixing the temperature sensor 2 to an upper surface of the electric car overhead wire 11.例文帳に追加

電車線温度検出装置１は、形状記憶合金製の帯板状温度センサ２と、この温度センサ２を電車線１１の上面に固定するための固定金具３とを具備する。 - 特許庁

Thus, the input output device 30 requires no memory read processing that reads contents of the channel program 21 to obtain the data transmission buffer addresses 40 and the data reception buffer addresses 41 at its data transmission reception.例文帳に追加

これにより、入出力装置３０がデータ送受信時にデータ送信バッファアドレス４０及びデータ受信バッファアドレス４１を得るためにチャネルプログラム２１の内容を読出すメモリリ−ドが不要となる。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with 16 memory cell arrays 11a, row decoders 12, predecoders 13A and 13B, an internal address generating circuit 14, a select circuit 15, and a refresh mode switching circuit 16.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、１６個のメモリセルアレイ１１ａ、ロウデコーダ１２、プリデコーダ１３Ａ，１３Ｂ、内部アドレス発生回路１４、セレクト回路１５及びリフレッシュモード切替回路１６を備えている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device by which the rewriting speed is increased and a distribution of physical quantities corresponding to the storage condition of a memory cell of a threshold voltage, etc., is optimized, and to provide its rewriting method.例文帳に追加

書き換え速度を向上し、閾値電圧等のメモリセルの記憶状態に対応した物理量の分布を最適化可能な不揮発性半導体記憶装置及びその書き換え方法を提供する。 - 特許庁

To improve punch-through resistance between a source and a drain with the reduction of a cell area in a non-volatile semiconductor memory device, without causing deterioration in bonding pressure resistance between a diffusing layer and a well.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のセル面積の縮小に伴うソースとドレインの間のパンチスルー耐性を、拡散層とウェルの間の接合耐圧の劣化を生じさせることなく向上させる。 - 特許庁

To execute test processing according to a test signal inputted from a test terminal while providing high security in a memory device for holding data even in case of power cutoff.例文帳に追加

本発明は、電源遮断時にもデータを保持するメモリ装置に関し、高いセキュリティを実現しつつ、テスト端子から入力されるテスト信号に従ってテスト処理を実行できるようにすることを目的とする。 - 特許庁