「Memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(193ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing an organic ferroelectric memory having superior polarization inversion response and hysteresis characteristics, and to provide an organic ferroelectric capacitor, the organic ferroelectric memory, and an electronic apparatus.例文帳に追加

優れた分極反転の応答性およびヒステリシス特性を有する有機強誘電体メモリの製造方法、有機強誘電体キャパシタ、有機強誘電体メモリ、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a firmware startup management device and method which satisfy a request for shortening startup time in a built-in apparatus in which firmware is transferred from non-volatile memory and operable on volatile memory.例文帳に追加

ファームウェアが不揮発性メモリから転送されて揮発性メモリ上で動作可能な組込み機器における起動時間の短縮要求を満たすファームウェア起動管理装置および方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method in which a mass-storage memory and a highly integrated logic circuit can be combined in the semiconductor device having the semiconductor memory and the logic circuit.例文帳に追加

半導体メモリと論理回路とを有する半導体装置において、大容量のメモリと高い集積度の論理回路とを混載することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data access method for a semiconductor memory and a semiconductor memory in which time setting being suitable for each operation can be performed when refresh-operation is performed independently from external access operation.例文帳に追加

外部アクセス動作とは独立してリフレッシュ動作を行なう際、各動作に適した時間設定をすることが可能な半導体記憶装置のデータアクセス方法及び半導体記憶装置を提供すること - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device incorporating memory BIST being programmable without newly incorporating a memory for BIST instruction and a self-test method for a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

ＢＩＳＴ命令用メモリを新たに組み込むことなく、プログラマブルなメモリＢＩＳＴを内蔵する半導体集積回路装置、及び半導体集積回路装置の自己テスト方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device the ferroelectric layer of which is not reduced by the hydrogen atmosphere produced in a ferroelectric memory device forming process and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子形成プロセスにおいて発生する水素雰囲気によって、強誘電体層が還元ダメージを受けない強誘電体メモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent concentration of a precharge current in a semiconductor memory device performing the read after the precharge, and also to provide the semiconductor memory device capable of reading at high speed, and its read access method.例文帳に追加

プリチャージしてからリードを行う半導体記憶装置において、プリチャージ電流の集中を防ぎ、かつ、高速リードが可能な半導体記憶装置及びそのリードアクセス方法を提供する。 - 特許庁

The memory image storage control part 300 compresses the memory image while switching a CPU compression part 322 and the print image compression part 326 in reference to the compression method table and stores it in an HDD 54.例文帳に追加

メモリイメージ保存制御部３００ は、圧縮方法テーブルを参照し、ＣＰＵ圧縮部３２２ と印刷イメージ圧縮部３２６ とを切り替えながら、メモリイメージを圧縮してＨＤＤ５４に保存する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element having a pair of fins formed to define a void and capable of reducing failures in a read operation and also improving a short-channel effect, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

ボイドの限定された一対のフィンを有する、読み取り動作の障害を減らし、短チャンネル効果を改善させることができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a load balancer for a SIP (Session Initiation Protocol) application server and an operation method for the same for dispersing a memory use amount by using a memory cost value, suppressing an occurrence of Full GC highly precisely, and maintaining overall performance.例文帳に追加

メモリコスト値を利用してメモリ使用量の分散を行い、高精度でFull GCの発生を抑え、全体のパフォーマンスを維持できるSIPアプリケーションサーバのロードバランサおよびその動作方法を提供。 - 特許庁

To provide a memory in which a packaging area is reduced and whose yield is improved by reducing the number of elements and the load on peripheral circuits is reduced, and the driving method of the memory.例文帳に追加

素子数の低減を図って、実装面積の縮小や歩留まりの向上を実現し、さらに、周辺回路の負担を低減したメモリ及びその駆動方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a display control method and device that decreases number of times of access to a display memory by writing still image data subjected to change to a memory storing display data only when the still image data of a succeeding frame are subjected to change.例文帳に追加

次にフレームの静止画データが変化した場合にだけ、その変化した静止画データを表示用データを記憶しているメモリに書き込むことにより、表示用メモりへのアクセス回数を減らす。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell which is reduced in overall size while securing stable operation reliability, and is thereby applicable to a highly integrated memory element, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、安定した動作信頼性を確保しつつ、全体的にセルのサイズを減少させ、これによって高集積メモリ素子に適用可能な不揮発性メモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data updating method of a flash memory preventing loss of all data even if an accident occurs during updating of data of the flash memory built in a photograph processing device.例文帳に追加

写真処理装置に内蔵されているフラッシュメモリのデータ更新中にアクシデントが発生してもデータが全てなくなることがない、フラッシュメモリのデータ更新方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a defect analyzing method of a memory by which must- repair of a memory can be retrieved at high speed and simulation processing relieving can be performed at high speed at the time of detection of must-repair.例文帳に追加

メモリのマストリペアを高速で検索すると共に、マストリペアが検出された時点でマストリペアを救済するシミュレーション処理を高速に行うことができるメモリの不良解析方法を提案する。 - 特許庁

To provide a memory device having a configuration of high enough versatility to surely ensure connection to the outside irrespective of the size of a controller chip and a multilayer chip package, and a method of manufacturing the memory device.例文帳に追加

コントローラチップや積層チップパッケージの大きさに関わらず、外部との接続を確実に確保し得るだけの汎用性の高い構造を備えたメモリデバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which cancels an insulation fault in the nonvolatile semiconductor memory device which carried out isolation formation with an STI technology, and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

ＳＴＩ技術によって素子分離形成した不揮発性半導体記憶装置において絶縁不良を解消した不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a magnetic memory provided with a memory cell array in which memory cells having magnetic resistance elements being writable by changing resistance by making current flow are arranged in a matrix state, the test method of the memory includes a writing step performing writing of test data for the memory cell by using a writing pulse having height of writing pulse height or less during use also having narrower width than width of the writing pulse.例文帳に追加

電流を流して抵抗を変化させることにより書き込みが可能な磁気抵抗素子を有するメモリセルがマトリクス状に配列されたメモリセルアレイを備えた磁気メモリにおいて、使用時の書き込みパルスの高さ以下の高さを有しかつ当該の書き込みパルスの幅よりも狭い幅を有する書き込みパルスを用いて前記メモリセルに試験データの書き込みを行う書き込みステップを備えている。 - 特許庁

This cache memory system is provided with a multiway set associative type cache memory 20, a bus load detection part 30 for detecting the load state of a bus to which the cache memory 20 is connected and outputting bus load information D2 and a replacing way control part 40 for changing a replacing method of the cache memory 20 in accordance with the bus load information D2 outputted from the bus load detection part 30.例文帳に追加

マルチウェイセットアソシアティブ方式のキャッシュメモリ２０と、キャッシュメモリ２０が接続されているバスの負荷状態を検出しバス負荷情報Ｄ２を出力するバス負荷検出部３０と、バス負荷検出部３０によるバス負荷情報Ｄ２に応じてキャッシュメモリ２０のリプレース方法を変更するリプレースウェイ制御部４０とを備える。 - 特許庁

To provide a mapping information management apparatus and method for a nonvolatile memory supporting different cell types capable of enhancing the performance of a nonvolatile memory supporting different cell types by mapping a logical address to a physical address included in the memory area of each cell type in the nonvolatile memory supporting different cell types, while taking into consideration the characteristic of the physical address.例文帳に追加

異種セルタイプを支援する不揮発性メモリにおいて、各セルタイプのメモリ領域に含まれる物理アドレスの特性を考慮して論理アドレスを物理アドレスにマッピングすることによって、異種セルタイプを支援する不揮発性メモリの性能を向上できる異種セルタイプを支援する不揮発性メモリのためのマッピング情報管理装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor memory device in which writing and erasing speed can be kept constant by setting the internal voltage for writing and erasing to the optimum value, even when writing and erasing characteristics of the memory cell are varied due to the change of processes, in a semiconductor memory device such as a flash memory or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の半導体記憶装置において、プロセスばらつきにより、メモリセルの書込み及び消去特性が変動した場合であっても、書込み及び消去のための内部電圧を最適値に設定することにより、書込み及び消去スピードを一定に保つことができる半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method comprises a lamination step of laminating an interface chip 12b smaller than one face of a memory chip 12a in area on the one face of the memory chip 12a and a filling step of supplying a first encapsulation resin material 16 to a periphery of the memory chip 12a to fill the first encapsulation resin material 16 between the memory chip 12a and the interface chip 12b.例文帳に追加

メモリチップ１２ａの一面上に、メモリチップ１２ａの一面よりも面積が小さいインターフェースチップ１２ｂを積層する積層工程と、メモリチップ１２ａの外周部に第１の封止樹脂材１６を供給し、メモリチップ１２ａとインターフェースチップ１２ｂとの間に第１の封止樹脂材１６を充填する充填工程と、を有する。 - 特許庁

This execution method for program verification operation or erasion verification operation has a step in which a reference memory cell is programmed, a step in which a memory cell is programmed, a step in which a set signal is generated using the contents of the reference memory cell, and a step in which program verification operation or erasion verification operation of a memory cell is started by using the set signal.例文帳に追加

基準メモリセルをプログラムするステップと、メモリセルをプログラムするステップと、基準メモリセルの内容を用いてセット信号を生成するステップと、セット信号を用いて、メモリセルのプログラム検証動作または消去検証動作を開始するステップとを有するプログラム検証動作または消去検証動作の実施方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor memory device which reserves the repair information while avoiding the memory cell of a defective bit and the driving method thereof, the semiconductor memory device comprises a memory array where a partial area is assigned to a repair information area and a data input/output part driven so as to read an information packet to be cooperated by a cooperated bit address of an information packet to be read.例文帳に追加

欠陥ビットのメモリセルを避けてリペアー情報を保存する半導体メモリ装置及びその駆動方法であって、この半導体メモリ装置は、一部領域がリペアー情報領域に割り当てられるメモリアレイと、読み出される情報パケットの連携ビットアドレスによって、連携される情報パケットを読み出すように駆動されるデータ入出力部とを含む。 - 特許庁

To provide a mapping algorithm for efficient access to a flash memory, wherein block state information that is changed, through logical operations required by a processor is written in the flash memory, according to a predetermined state transition algorithm and the changed information is referred to upon read/write operations in a flash memory, a mapping control apparatus and a method for the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ、そのためのマッピング制御装置及び方法に関し、プロセッサから要求される論理演算により変更されるブロックの状態情報を、所定の状態遷移アルゴリズムにより、フラッシュメモリに書き込み、書き込み／読み出し演算の際に参照させる効率的なフラッシュメモリアクセスのためのマッピングアルゴリズムを提供すること。 - 特許庁

In this boot coding method, an electronic device has: a read only memory storing a first stage boot code 12; a second stage boot code 16; a boot random access memory 18 receiving the second stage boot code when executing the first stage boot code; and a system memory 20 connected to the boot random access memory, executing the second stage boot code.例文帳に追加

第１段階ブートコード（１２）を記憶するリードオンリーメモリと、第２段階ブートコード（１６）と、前記第１段階ブートコードの実行時に前記第２段階ブートコードを受信するブートランダムアクセスメモリ（１８）と、そして前記ブートランダムアクセスメモリに接続し、前記第２段階ブートコードを実行するシステムメモリ（２０）とを具備した電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing memory medium for manufacturing a semiconductor memory medium of a simple structure, in which contents data memorized in the semiconductor memory medium can be easily understood, and an information processing system capable of easily preparing detailed information regarding the contents data memorized in the semiconductor memory medium.例文帳に追加

ユーザにとって、半導体記憶媒体に記憶されたコンテンツデータが把握しやすく、簡単な構造の半導体記憶媒体を製造する記憶媒体製造方法を提供すること、半導体記憶媒体に記憶されたコンテンツデータに関する詳細な情報を、より簡単にユーザに提供することができる情報処理システムを提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the memory element includes steps of: (a) forming a first electrode; (b) forming a memory node on the first electrode; (c) forming an insulating layer contacting the memory node, and formed by using a source substance without containing hydrogen as a constituent; and (d) forming a second electrode on the memory node.例文帳に追加

メモリ素子の製造方法において、（ａ）第１電極を形成する段階と、（ｂ）前記第１電極上にメモリノードを形成する段階と、（ｃ）前記メモリノードと接し、構成成分として水素が含まれないソース物質を利用して形成された絶縁層を形成する段階と、（ｄ）前記メモリノード上に第２電極を形成する段階と、を含む。 - 特許庁

To provide a functional memory access control system capable of easily assigning, in case of connecting a functional memory performing application specific processing such as image processing on a memory bus having no wait function, a pseudo wait function thereto, and ensuring access to data after ending the processing, a functional memory device, and a control method and a program therefor.例文帳に追加

ウェイト機能を持たないメモリバス上において、画像処理等の特定用途向け処理を行う機能メモリを接続した場合に簡単に擬似ウェイト機能を持たせることが可能であり、処理終了後のデータへのアクセスを確実に行うことができる機能メモリアクセス制御システム、機能メモリ装置及びその制御方法、プログラムを提供する。 - 特許庁

This method comprises a processor 1; a cache memory 11 arranged therein; a processing execution part 2 contained in the processor 1 and comprising a command decoding part/issuing part 5 a register file 6, a prefetch execution control part 7, an external memory control part 8, a cache memory control part 9 and a data processing part 12; and an external memory 10 arranged out of the processor 1.例文帳に追加

プロセッサー１と、内部に配置されたキャッシュメモリー１１と、プロセッサー１に内蔵され、命令解読部／発行部５、レジスターファイル６、プリフェッチ実行制御部７、外部メモリー制御部８、キャッシュメモリー制御部９及びデータ処理部１２からなる処理実行部２と、及びプロセッサー１の外部に配置された外部メモリー１０とで構成する。 - 特許庁

The data transfer method has monitor steps (S10 to S18) for monitoring packets to be stored in a memory and access steps (S19 to S22) wherein completion of data storage in the memory is decided to access data stored in the memory with software in the case that packets are not stored in the memory for a prescribed time.例文帳に追加

メモリに格納されるパケットを監視する監視段階（Ｓ１０〜Ｓ１８）と、監視の結果、メモリへのパケットの格納が所定時間無かったらメモリへのデータの格納が完了したと判定し、メモリに格納されたデータへのソフトウェアによるアクセスを可能とするアクセス段階（Ｓ１９〜Ｓ２２）とを有することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

A method for producing healthy drinking water comprises the steps of: ozonizing water containing 0.1-0.5 ppm silicate mineral to prepare base water for memory; and making the prepared base water for memory hold a specific oscillating wave by using an oscillator for applying an AC voltage so that the prepared base water for memory is transformed into water holding a memory and specific additional vitality.例文帳に追加

ケイ酸塩鉱物を０．１〜０．５ｐｐｍ含有する水をオゾン処理することにより記憶用ベース水を調製し、次いで、調製した記憶用ベース水に、交流の電圧を印加する振動発信器により特定振動波を抱かせて水の記憶力と特定付加活力を保有した水とすることを特徴とする健康飲用水の製造方法。 - 特許庁

A method for containing software faults comprises allocating memory for a software module instance, allocating memory for at least one object assigned to the software module instance, identifying at least one object assigned to the software module instance in memory, and restricting access to the memory to the software module instance.例文帳に追加

本発明にかかるソフトウエアフォールトを閉じこめる方法は、メモリをソフトウェアモジュールインスタンスに割り振ること、ソフトウェアモジュールインスタンスに割り当てられた少なくとも１つのオブジェクトにメモリを割り振ること、メモリ中のソフトウェアモジュールインスタンスに割り当てられた少なくとも１つのオブジェクトを識別すること、およびソフトウェアモジュールインスタンスに対するメモリへのアクセスを制限することを含む。 - 特許庁

In the firmware update method of this invention, the new firmware is not directly written to a nonvolatile memory but is temporarily written to a volatile memory, then the system of the firmware operated at present is stopped, the system of the new firmware is activated from the volatile memory, and then the new firmware is written to the nonvolatile memory.例文帳に追加

本発明のファームウェアの更新方法では、新規のファームウェアを直接不揮発性メモリに書き込むのではなく、一旦揮発性メモリに書き込んで、その後現在稼動中のファームウェアのシステムを停止し、新規のファームウェアのシステムを揮発性メモリ上から起動してから、新規ファームウェアを不揮発性メモリに書き込む方法により解決した。 - 特許庁

To provide a NAND type memory array in which a speed in the case of reading can be prevented from lowering by separating a well and a bit line, a reading method, a programming method and an erasing method using the same.例文帳に追加

ウェルとビットラインを分離させて読出時の速度遅延を防止することが可能なＮＡＮＤ型メモリアレイ及びこれを用いた読出方法、プログラム方法及び消去方法を提供すること。 - 特許庁

FERROELECTRIC FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, FERROELECTRIC CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND FUNCTIONAL FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法、機能性膜、機能性膜の製造方法 - 特許庁

To provide a data storing method capable of optionally storing even variable length data, and a compressed image memory controller.例文帳に追加

可変長のデータであっても任意に記憶することが可能なデータ記憶方法及び圧縮画像メモリ制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a retainer installation device and a data memory device capable of efficiently assembling them.例文帳に追加

効率よく組立てることができるリテーナー装着装置及びデータ記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device performing erase operation using an erase gate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

消去ゲートを用いて消去動作を行う半導体メモリ装置及び該半導体メモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method, an input port of a switch which has a memory and one or more output ports receives a packet.例文帳に追加

特定の実施例では、本方法はメモリ及び１つ以上の出力ポートを有するスイッチの入力ポートでパケットを受信する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element capable of suppressing variation in a threshold voltage of an erasure cell, and a program method thereof.例文帳に追加

消去セルのしきい値電圧の変化を抑制することが可能な不揮発性メモリ素子およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE FOR CORRECTING DECREMENT OF READ-OUT MARGIN DUE TO HIGH TEMPERATURE STRESS, AND ITS READ-OUT VOLTAGE ADJUSTMENT METHOD例文帳に追加

高温ストレスによる読み出しマージンの減少を補正するためのフラッシュメモリ装置及びそれの読み出し電圧調整方法 - 特許庁

ULTRASONIC DIAGNOSTIC SYSTEM FORMING TRANSMISSION BEAM AND RECEPTION BEAM USING DELAY DATA STORED IN MEMORY AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

メモリに格納された遅延データを用いて送信ビーム及び受信ビームを形成する超音波診断システム及びそのための方法 - 特許庁

To reduce a memory access delay with a simpler configuration and operation (control method).例文帳に追加

より簡便な構成および動作（制御方法）でメモリアクセス遅延を削減することができる複数ラインバッファ型メモリＬＳＩを提供する。 - 特許庁

To provide a scan test method for reducing the number of test patterns (the number of clocks), memory capacity and a processing period of time required for a scan test.例文帳に追加

スキャンテストに必要なテストパタン数（クロック数）、メモリ容量及び処理時間を削減可能なスキャンテスト方法を提供する。 - 特許庁