「PEB」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, the PEB processing is carried out at the corrected heating temperature, a light exposure processing is carried out based on the corrected light exposure quantity, and the predetermined resist pattern is formed on the wafer (step S10).例文帳に追加

以後、補正された加熱温度でＰＥＢ処理を行うと共に、補正された露光量で露光処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成する（ステップＳ１０）。 - 特許庁

To provide a pattern forming method excellent in sensitivity, limit resolution, roughness properties, exposure latitude (EL), post exposure bake (PEB) temperature dependency and depth of focus (DOF), and a resist composition.例文帳に追加

感度、限界解像力、ラフネス特性、露光ラチチュード（ＥＬ）、露光後加熱（ＰＥＢ）温度依存性、及びフォーカス余裕度（ＤＯＦ）に優れたパターン形成方法並びにレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A chemically amplifying resist film is formed on a reticle substrate, the chemically amplifying resist film is preliminarily baked, a reticle pattern is drawn on the resist film, and the drawn region is subjected to PEB (post exposure bake) treatment.例文帳に追加

レチクル基板に化学増幅型レジスト膜を形成し、該化学増幅型レジスト膜をプリベークし、該化学増幅型レジスト膜にレチクルパターンを描画し、該描画領域にＰＥＢ処理を行う。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which is excellent in resolution performance, small in LWR (Line Width Roughness), favorable in PEB (Post Exposure Bake) temperature dependency and useful as a chemically amplified resist.例文帳に追加

解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、ＰＥＢ温度依存性が良好な化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photopolymer composite that can produce a cured film having high transmittance and suppressing loss of the transmittance when heated and that has extremely high sensibility even without being subjected to PEB.例文帳に追加

硬化後の透過率が高く、且つ加熱しても透過率の低下が小さい硬化膜が得られ、ＰＥＢを行わない場合でも、非常に高い感度を有する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

After exposure of a resist film for EUV on a wafer W but before a development process, the PEB device 83 firstly heats the wafer W at a first heating temperature using the first thermal plate 140.例文帳に追加

ウェハＷ上のＥＵＶ用レジスト膜の露光処理後であって現像処理前において、ＰＥＢ装置８３では、先ず、第１の熱板１４０によって第１の加熱温度でウェハＷを加熱する。 - 特許庁

The pattern density PD in the drawing region is calculated based on the drawing data of the reticle pattern and the heating energy on the chemically amplifying resist film in the PEB treatment process is controlled based on the pattern density.例文帳に追加

レチクルパターンの描画データに基づいて、描画領域のパターン密度ＰＤを算出し、該パターン密度に基づいてＰＥＢ処理工程における化学増幅型レジスト膜への加熱量を調節する。 - 特許庁

Before the original disk is taken out from the device after the exposure, the surface temperature of the original disk is increased to another temperature, e.g. the temperature of Post Exposure Bake(PEB), and the original disk is taken out from the device after its holding for a certain period.例文帳に追加

また、露光後に原盤を装置から取り出す前に別の温度、例えば露光後ベーク（ＰＥＢ(Post Exposure Bake)）の温度、まで原盤表面温度を上げ、一定時間保持した後、装置から原盤を取り出す。 - 特許庁

The cleaning/heating block 10 includes cleaning/drying treatment units SD1 and SD2, substrate mounting portions PASS1 and PASS2, first and second center robots CR1 and CR2, and a mounting and baking unit P-PEB.例文帳に追加

洗浄加熱ブロック１０は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、第１および第２のセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２および載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢを含む。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition which has less PEB temperature dependency, for good property, in the exposure wavelength of equal to or less than 250nm, especially with ArF excimer laser light (193nm) and F_2 excimer laser light (157nm).例文帳に追加

２５０ｎｍ以下、特にＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光波長においてＰＥＢ温度依存性が小さく良好な感光性組成物を提供することにある。 - 特許庁

During the temperature setting of the hot plate of the PEB apparatus, only when the temperature setting function using the temperature setting table M is employed, the number of wafers to be processed is counted up and charging is conducted in accordance with such number of wafers to be processed.例文帳に追加

ＰＥＢ装置の熱板の温度設定において，温度設定テーブルＭを用いた温度設定機能が採用された場合にのみ，ウェハ処理の処理枚数を数え，その処理枚数に応じて課金を行う。 - 特許庁

In addition, a main transporter 11 which transports the wafer W from an extension device 36 to a PEB device 33 in a treatment station 3 is made to stand by at anther standby position P from which the transporter 11 can immediately access to the extension device 36.例文帳に追加

また，処理ステーション３内でエクステンション装置３６からＰＥＢ装置３３までの搬送を行う主搬送装置１１を，エクステンション装置３６に直ちにアクセス可能な待機位置Ｐで待機させる。 - 特許庁

A substrate W subjected to exposure treatment in the aligner 16 is subjected to cleaning and drying treatment in a second cleaning/drying treatment unit SD2, and is carried into a placement/heating unit P-PEB.例文帳に追加

露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された後、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに搬入される。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for immersion exposure which suppresses collapse of a resist pattern and degradation of its profile due to post exposure between exposure and PEB (post exposure bake) at the time of immersion exposure, and also to provide a method of pattern formation with the composition.例文帳に追加

液浸露光時の、露光−ＰＥＢ間の引き置きによるレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化が改善された液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Further, the warpage same as a minute warpage of the wafer generated by being supported with the plurality of pins on the thermal plate in the PEB apparatus can also be measured, and the warpage of the wafer W can be exactly measured.例文帳に追加

また、ＰＥＢ装置内の熱板上の複数のピンに支持されることによって生じるウェハの微小な反りと同一の反りも測定することができ、ウェハＷの反りを正確に測定することができる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is excellent in line edge roughness in normal exposure and liquid immersion exposure and with which the variation of the line width caused by time delay between exposure-PEB is reduced; and a method for forming a pattern using the same.例文帳に追加

通常露光時及び液浸露光時に於ける、ラインエッジラフネスに優れ、且つ、露光−ＰＥＢ間の引き置きによる線幅の変動が低減されたポジ型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 which has finished an exposure process is heated to a temperature WT1 lower than one at which the photo resist 3 is hardened by means of a heater plate 7 arranged inside a PEB chamber 5, and is then left as it is for a time period of ta.例文帳に追加

露光工程を終了した半導体基板１をＰＥＢ室５に配置されたヒータプレート７により、フォトレジスト３が硬化する温度よりも低い温度ＷＴ１に加熱し、ｔａ時間放置する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having high sensitivity and high resolution, ensuring uniform resist pattern size in a substrate surface and having a wide margin for PEB, and to provide a resist pattern forming method using a chemically amplified positive resist composition.例文帳に追加

高感度、高解像性で、基板面内で均一なレジストパターンサイズが得られ、広いＰＥＢマージンを有するポジ型レジスト組成物及び化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A dummy end signal, which is a previous end notice signal, is transmitted from a controller 33c of a PEB device 33, to which heating processing of a wafer W is performed, to a main controller 21 before the end of heating processing for prescribed time.例文帳に追加

ウェハＷの加熱処理が行われるＰＥＢ装置３３のコントローラ３３ｃから主制御装置２１に，加熱処理終了の所定時間前に終了予告信号であるダミーエンド信号を送信する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of highly satisfying all of line edge roughness (LWR), exposure latitude (EL), PEB temperature dependency and pattern collapse, and a pattern forming method using the positive resist composition.例文帳に追加

ラインエッジラフネス（ＬＷＲ）、露光ラチチュード（ＥＬ）、ＰＥＢ温度依存性及びパターン倒れについて、高次元での両立を可能にしたポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in roughness characteristics, focus latitude, bridge defect preventing performance and dependency of sensitivity on post exposure baking (PEB) temperature, and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

ラフネス特性、フォーカス余裕度、ブリッジ欠陥性能、及び、感度の露光後加熱（ＰＥＢ）温度依存性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

There are provided n heating units (PEB), e.g., five, and exposed wafers that are carried in these are transfered by the first transport means after the (n-1)th transport cycle including the one that is executed by the first transport means at that time.例文帳に追加

加熱ユニット（ＰＥＢ）はｎ個例えば５個設けられ、ここに搬入された露光後ウエハは、そのときに第１の搬送手段が実行している搬送サイクルを含めて（ｎ−１）サイクル後に第１の搬送手段により搬出される。 - 特許庁

Especially, rotation of a wafer and/or a hot plate during a heating process such as after exposure baking (PEB) compensates a non-concentric temperature gradient that is caused by random occurrence of air stream inside a furnace or other uneven environmental condition.例文帳に追加

特に、露光後ベーク（ＰＥＢ）のような加熱処理の間のホットプレート及び／又はウェハの回転は、炉室内部の気流のランダムな発生及び他の不均一な環境状態により生じる非同心円的温度勾配を補償することができる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for liquid immersion exposure and improved in such problems as collapse of a resist pattern due to post exposure delay between steps of exposure and PEB (post exposure bake), deterioration in the profile and production of scum during liquid immersion exposure, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

液浸露光時に於ける、露光−ＰＥＢ間の引き置きによるレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化、スカムの発生が改善された液浸露光に好適なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The substrate heated with the bake plate PEB is somewhat cooled by being received by the holding plate 51, and is moved to the cooling plate CP3 and fits a recessed portion 49, thereby cooling the substrate W and performing accurate temperature control.例文帳に追加

露光後ベークプレートＰＥＢにて加熱された基板は保持プレート５１によって受け取られることで直ちにある程度冷却され、そのクールプレートＣＰ３に移動して凹部４９に嵌合することで基板Ｗの冷却と精密な温調が行われる。 - 特許庁

Material which induces a decomposition reaction or crosslinking reaction by an acid 13 is applied onto the exposed first resist layer 12 (S3) and is subjected to PEB treatment (S4), following which the resist layer is subjected to development by an aqueous alkaline solution (S5).例文帳に追加

次いで、露光された第１レジスト層１２上に、酸１３によって分解反応あるいは架橋反応を起こす材料を塗布して第２レジスト層１４を形成し（Ｓ３）、ＰＥＢ処理を施し（Ｓ４）た後、アルカリ水溶液による現像を行う（Ｓ５）。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive composition having excellent sensitivity, PEB (post exposure bake) temperature dependence and roughness characteristics and allowing formation of a pattern with a favorable feature, and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

感度、ＰＥＢ温度依存性及びラフネス特性に優れ且つ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Since PEB can be executed in a region where a diffusion coefficient is low, i.e., a region where diffusion of acid hardly occurs, it can be restrained acid from diffusing into a low dose region, thereby improving the contrast of developed resist.例文帳に追加

これにより、拡散係数の低い領域、すなわち酸の拡散の起こりにくい領域でＰＥＢを実行することができるので、低ドーズ領域に酸が拡散することを抑制でき、現像されたレジストのコントラストを向上させることができる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition suitable for use in an ultramicro-lithographic process for manufacturing VLSI or a high capacity microchip and in another photofabrication process, and having improved PEB temperature dependency, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

超ＬＳＩや高容量マイクロチップ製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、ＰＥＢ温度依存性が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

When exposure ends, the transporting body 5 immediately transports the wafer W on the pedestal 39 to the extension device 36 and the main transporter 11 immediately transports the wafer W transported to the device 36 to the PEB device 33.例文帳に追加

そして，露光処理が終了し，搬出載置台３９に搬出されたウェハＷを搬送体５が直ちにエクステンション装置３６に搬送し，エクステンション装置３６に搬送されたウェハＷを主搬送装置１１が直ちにＰＥＢ装置３３に搬送する。 - 特許庁

In the liquid immersion exposure method wherein a gap between a resist film applied on a substrate and a lens of an exposure device which is arranged confronting the resist film is filled up with H_2O, PEB treatment is carried out after H_2O absorbed into the resist film is removed.例文帳に追加

基板上に塗布されたレジスト膜とレジスト膜に対向して配置される露光装置のレンズとの間にＨ_２Ｏを満たしてレジスト膜を露光する液浸露光方法において、レジスト膜中に吸収されたＨ_２Ｏを除去してからＰＥＢ処理する液浸露光方法。 - 特許庁

The panel element PEb is formed by using a row substrate Sbr formed with row electrodes Er and a column substrate Sbc formed with column electrodes, the panel element PEg by using the column substrate Sgc and a row substrate Sgr, and the panel element PEr by using a row substrate Srr and the column substrate Src.例文帳に追加

ロウ電極Ｅｒが形成されたロウ基板Ｓｂｒと、カラム電極が形成されたカラム基板Ｓｂｃを用いてパネル素子ＰＥｂを、カラム基板Ｓｇｃとロウ基板Ｓｇｒを用いてパネル素子ＰＥｇを、ロウ基板Ｓｒｒとカラム基板Ｓｒｃを用いてパネル素子ＰＥｒを形成する。 - 特許庁

Material which contains an acid propagating agent and induces a decomposition reaction or crosslinking reaction by an acid is applied onto the exposed first resist layer 12 to form a second resist layer (S3) and is subjected to PEB treatment (S4), following which the resist layer is subjected to development by an aqueous alkaline solution (S5).例文帳に追加

次いで、露光された第１レジスト層上に、酸増殖剤を含有し、酸によって分解反応あるいは架橋反応を起こす材料を塗布して第２レジスト層を形成し（Ｓ３）、ＰＥＢ処理を施し（Ｓ４）た後、アルカリ水溶液による現像を行う（Ｓ５）。 - 特許庁

After a chemical amplification resist is applied on a semiconductor substrate 10 to form a resist film 11, the resist film 11 is irradiated with ArF excimer laser light 13 through a mask 12 for pattern exposure, and the pattern exposed resist film 11 is heated (PEB: post exposure baking).例文帳に追加

半導体基板１０の上に化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜１１を形成した後、該レジスト膜１１に対して、マスク１２を介してＡｒＦエキシマレーザ１３を照射して、パターン露光を行ない、その後、パターン露光されたレジスト膜１１に対して加熱（ＰＥＢ）を行なう。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which solves problems in the techniques to improve the performance of microphotofabrication itself using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, and to provide a positive photoresist composition for far UV exposure with low dependence on the PEB (post exposure bake) time.例文帳に追加

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、ＰＥＢ時間依存性が小さい遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The main controller 21, which receives that dummy end signal, recognizes whether a main conveyer 11 holds the other wafer W or not and when the other wafer is not held, the main conveyer 11 is moved to a prescribed position, where the wafer W inside the PEB device 33 can be received, and waited there.例文帳に追加

そのダミーエンド信号を受信した主制御装置２１は，主搬送装置１１が他のウェハＷを保持しているか否かを確認し，保持していない場合には，主搬送装置１１をＰＥＢ装置３３内のウェハＷを受け取り可能な所定の位置まで移動させて待機させる。 - 特許庁

To provide a resist composition for use in manufacturing steps of a semiconductor, such as an IC, for the manufacture of a circuit board of a liquid crystal, a thermal head or the like, and for other photofabrication steps, the positive resist composition superior in resolution, superior in the margin of exposure amount and PEB temperature dependence.例文帳に追加

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるレジスト組成物であり、解像力に優れ、露光量マージン、ＰＥＢ温度依存性にも優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In a conveyance process, post-exposure baking (PEB) is performed to the substrate W which is subjected to cleaning and drying treatment in a cleaning/drying treatment unit at a cleaning/drying treatment section 80, at a heat treatment section 151 for post-exposure baking in a cleaning/drying treatment block 15.例文帳に追加

洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットで洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗが、洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５１において露光後ベーク（ＰＥＢ）を施されるまでの搬送工程は以下の通りである。 - 特許庁

To provide a resist surface modifying liquid and a method for forming a resist pattern using the resist surface modifying liquid used as a surface treatment liquid prior to the post exposure baking (PEB) processing of a resist film to reduce the water repellency of the resist film to thereby restrain the occurrence of a defect.例文帳に追加

レジスト膜の露光後加熱処理（ＰＥＢ）工程前の表面処理液として用いられるレジスト表面改質液であって、レジスト膜の撥水性を低下させ欠陥の発生を抑制できるレジスト表面改質液及びこれを利用したレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In the formation of a pattern of a chemical amplification type resist 10 utilizing an acid catalyzed reaction, the surface of a silicon substrate (semiconductor substrate) 20 is wet-treated by rinsing with an aqueous solution 70 of about pH 4.0-10.0 between exposure and PEB.例文帳に追加

酸触媒反応を利用した化学増幅系レジスト（レジスト）１０のパターン形成において、図１に示すように露光（図１の（ｃ））とＰＥＢ（図１の（ｅ））との間にＰＨ４．０〜１０．０程度の水溶液７０でシリコン基板（半導体基板）２０の表面をリンスするウエット処理（図１の（ｄ））をする。 - 特許庁

A chemical amplification type resist is applied on a semiconductor substrate 10 to form a resist film 11, this resist film 11 is patternwise exposed by irradiation with ArF excimer laser light 13 through a mask 12 and the patternwise exposed resist film 11 is heated to carry out PEB (post-exposure baking).例文帳に追加

半導体基板１０の上に化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜１１を形成した後、該レジスト膜１１に対して、マスク１２を介してＡｒＦエキシマレーザ１３を照射して、パターン露光を行ない、その後、パターン露光されたレジスト膜１１に対して加熱（ＰＥＢ）を行なう。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for a chemically amplifying resist having excellent sensitivity even at a low PEB (post exposure baking) temperature, highly balanced lithographic performances such as LWR (line width roughness) and DOF (depth of focus), and sufficient etching durability, and to provide a pattern forming method, a polymer and a compound of the composition.例文帳に追加

ＰＥＢ温度が低温であっても、感度等に優れ、ＬＷＲ、ＤＯＦ等のリソグラフィー性能が高度にバランスし、エッチング耐性をも十分に満足する化学増幅型レジスト用の感放射線性樹脂組成物、そのパターン形成方法、その重合体、及び化合物を提供する。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which is excellent in sensitivity, roughness characteristics and stability with time, and can form a pattern in a favorable shape, and suppresses PEB (post exposure bake) temperature dependence, and to provide a resist film formed by using the composition and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

感度、ラフネス特性及び経時安定性に優れ且つ良好な形状のパターンを形成することができ、更にＰＥＢ温度依存性の抑制された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、この組成物を用いて形成されたレジスト膜、並びに、この組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In a bake furnace used for PEB, through an exhaust path from a dispersed exhaust hole provided in the center of the top plate, a flow of dry air, entering a bake processing chamber, from a periphery of the wafer toward the center of the wafer and a flow of dry air from nearby the center of the wafer toward a peripheral part are formed, so that the dry air is exhausted to the outside.例文帳に追加

ＰＥＢで使用するベーク炉では天板の中央に設けられた分散排気孔から排気通路を介して、ウエハの周辺からベーク処理室に入ったドライエアがウエハの中心方向に向かう流れ、およびウエハの中心近傍から周辺部へ向かう流れを形成して、外部に排出される。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which is adaptable to the formation of a fine resist pattern using a light source of a short wavelength up to 90 nm, excels in resolution, ensures small LWR and good PEB temperature dependency, excels in pattern collapse resistance and hardness to cause defect, and is suitably used even in an immersion exposure step.例文帳に追加

９０ｎｍ以下の短波長の光源を用いた微細なレジストパターンの形成に対応することができ、解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、ＰＥＢ温度依存性が良好で、パターン倒れ耐性および欠陥性能に優れ、液浸露光工程においても好適に用いられる。 - 特許庁