| 意味 | 例文 |
Plating processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 868件
After the electrolytic copper plating, a resist removing process is performed to remove the nonelectrolytic copper-plating layers 20, 21 directly under the plating resists 22a, 22b, 23a, 23b, and to separate the wiring-pattern layers 28a, 29a.例文帳に追加
電解銅めっき工程後、レジスト剥離工程を行い、さらにめっきレジスト22a,22b,23a,23bの直下にあった無電解銅めっき層20,21を除去して配線パターン層28a,29aを分離する。 - 特許庁
To solve a problem in a conventional method of filling a through-hole, which includes filling the inside of the through-hole with a plating metal through an electrolytic metal plating process with the use of an electrolytic plating solution, which needs to a great attention to the control.例文帳に追加
管理に多大の注意を払う電解めっき液を用いた電解金属めっきによってスルーホール内をめっき金属で充填する従来のスルーホールの充填方法の課題を解消する。 - 特許庁
A coated electrode layer of the biosensor is applied with electroless-plating so as to cover the substrate electrode layer in a coated electrode layer plating process utilizing a coating/plating bath 16 including a coated electrode material.例文帳に追加
そして、バイオセンサの被覆電極層は、被覆電極材料を含む被覆メッキ浴16を利用した被覆電極層メッキ工程によって下地電極層を覆うように無電解メッキされる。 - 特許庁
Next, a resist formation process for forming a plating resist 54 on the insulating layers 33, 34, 35, 40, 41, 42 is carried out by using a plating resist material 53.例文帳に追加
次に、めっきレジスト材53を用いて絶縁層33,34,35,40,41,42上にめっきレジスト54を形成するレジスト形成工程を行う。 - 特許庁
Moreover, since a pushed-open amount of the plating layers m is less, film thickness of the plating layers is not necessary to be especially thick, and the simplification of the manufacturing process can be promoted.例文帳に追加
また、メッキ層mの押し広げ量が少ないので、メッキ層の膜厚を特に厚くする必要がなく、製造工程の簡略化を図ることができる。 - 特許庁
To clean the back side of a substrate in the process of subjecting the surface of the substrate to plating treatment and to reduce the time for substrate treatment inclusive of plating treatment.例文帳に追加
基板の表面のメッキ処理中に、基板の裏面の洗浄を行うことができ、かつメッキ処理を含む基板の処理時間を短縮する。 - 特許庁
To flatten the surface of a wiring layer by equalizing the thickness of the plating of the wiring pattern made by electrolytic plating, in the manufacturing process of a build-up multilayer board.例文帳に追加
ビルドアップ多層基板の製造工程において、電解銅メッキで形成される配線パターンのメッキ厚を均一にして、配線層表面を平坦化する。 - 特許庁
The device includes a semiconductor substrate 12, a main electrode 22 with plating which undergoes a plating process and is fixed to a principal surface of the semiconductor substrate 12, and a pressure welding electrode which is pressure welded so as to overlap a face in which plating 22a of the main electrode 22 with plating is formed.例文帳に追加
半導体基体12と、めっき処理され、該半導体基体12の主面に固着されためっき付き主電極22と、該めっき付き主電極22のめっき22aが形成された面に重なるように圧接された圧接電極と、を備える。 - 特許庁
In the manufacture of a semiconductor device which forms a wiring layer or a bump by growing a metallic plating film on the surface of a semiconductor substrate by plating method, the semiconductor device is made, with the crystal grains of the metallic plating film oriented in the direction of (200) in the above plating process.例文帳に追加
半導体基板表面にメッキ法で金属メッキ膜を成膜し配線層あるいはバンプを形成する半導体装置の製造工程において、上記メッキ工程で金属メッキ膜の結晶粒を(200)方向に配向して形成する。 - 特許庁
To provide a relatively simple plating apparatus in which the temperature of a plating solution in the process of plating is more uniformly controlled to easily form a uniform plating film on the face to be plated in the material to be treated, and a foot print can be reduced.例文帳に追加
めっき中におけるめっき液の温度をより均一に制御して被処理材の被めっき面により均一なめっき膜を容易に形成し、しかも装置として比較的簡単で、フットプリントを小さく抑えることができるようにする。 - 特許庁
A method for fabricating an electronic component according to an embodiment, includes a seed film forming process S110 and a plating process S114.例文帳に追加
実施形態の電子部品の製造方法は、シード膜形成工程S110とめっき工程S114とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁
To automate a drying process of plated parts or to save labor in the drying process and to dry the plated parts to which barrel plating is applied in lines.例文帳に追加
メッキ部品の乾燥工程を自動化または省力化し、バレルメッキされたメッキ部品をインラインで乾燥させることを可能にする。 - 特許庁
Subsequently, the surface is adjusted and cleaned and a catalyst is given in the second process, and then is activate it in the third process to perform electroless plating.例文帳に追加
続いて、第2工程で洗浄して表面調整後に触媒を付与し、第3工程で活性化し無電解鍍金を施す。 - 特許庁
The method of manufacturing the Sn-based hot-dip metal coated steel sheet comprises: a process of performing hot-dip Sn-based plating on a steel sheet; and a subsequent process of applying Ni or Ni alloy upper coating having a Ni content of 0.1 to 1.0 g/m^2 according to electroplating or displacement plating.例文帳に追加
その製造方法は、鋼板に溶融Sn系めっき後、電気めっきまたは置換めっきによりNi分で0.1〜1.0g/m^2のNiまたはNi合金を上層めっきする。 - 特許庁
To provide an electroless plating catalyst which can be prepared through a simple process without using a reducing agent solution, further can simplify a process where a metal plating pattern is formed from an electroless metal plating film compared with the conventional one, and can correctly form a metal plating pattern on a micro to nano scale.例文帳に追加
還元剤溶液を用いることなく簡便な工程で作成することができる上、無電解金属メッキ膜から金属メッキパターンを形成する工程を従来と比較して簡素化することができ、しかもミクロ〜ナノスケールで金属メッキパターンを正確に形成することができる無電解メッキ触媒を提供する。 - 特許庁
To provide an apparatus for displacement plating process of a belt-shaped material, which can adequately uniformize components of a plating solution in the vicinity of the material to be treated and is effective in preventing the deformation of a flying lead, when continuously plating the belt-shaped material to be treated by using a reel-to-reel technique, and to provide a method for displacement plating process.例文帳に追加
帯状の被処理物をリールトゥリール工法を利用して連続めっきを行う場合に、被処理物近傍でのめっき液の成分を良好に均一化することができ、フライングリードの変形も防止することに有効な、帯状被処理物の置換めっき処理装置および置換めっき処理方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor device for forming a metal film on a wafer by plating has a process of forming a seed film for the plating, a process of forming a compound film of the metal on the top surface of the seed film, a process of removing the compound film, and a process of forming the metal film by plating.例文帳に追加
メッキ処理を行ってウェハに金属膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記メッキ処理のためのシード膜を形成する工程と、前記シード膜の表面に前記金属の化合物膜を形成する工程と、前記化合物膜を除去する工程と、メッキ処理によって前記金属膜を成膜する工程とを有する。 - 特許庁
A process for forming the via contact of the multi-layer wiring structure comprises an electroless plating process, in which a catalyst layer is provided on the bottom face of a via hole, a plating metal layer is grown upward of the via hole on the catalyst layer, and the via hole is filled with the plating metal layer.例文帳に追加
多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 - 特許庁
Alternatively, when further performing an electrolytic plating process for forming a conductive metal layer 6 on the surface of the conductive composition layer by electrolytic plating so that the conductor pattern layer includes the conductive composition layer and the conductive metal layer, the electrolytic plating processing is performed after the cutting process.例文帳に追加
或いは更に導電性組成物層の表面に電解めっきで導電性金属層6を形成し導電体パターン層が導電性組成物層と導電性金属層を含む層とする電解めっき工程を行うときは、裁断工程の後に行う。 - 特許庁
To greatly reduce the occurrence of defective substrates by allowing a plating check process of detecting a part that may cause a plating defect to be automatically executed by checking whether a plating process is normally applied, in a stage of manufacturing design of an electronic substrate.例文帳に追加
電子基板の製造設計の段階において、正常にメッキ処理が施されるか否かをチェックし、メッキ不良となる可能性がある箇所を検出するメッキチェックの処理を自動的に行うことができるようにして、不良基板の発生を大幅に削減する。 - 特許庁
Also, the method has the first process of allowing the reducing agent for electroless gold plating to act on a material to be plated which is formed by subjecting the surface of the material to be plated to a surface treatment by an aqueous solution of palladium, tin, zinc and other metal displacing agents and the second process of forming the electroless gold plating film after the first process.例文帳に追加
シリコン表面に無電解金めっき用還元剤を作用させる第一の工程と、この第一の工程の後に無電解金めっき膜を形成する第二の工程を有することを特徴とする無電解金めっき方法。 - 特許庁
A connecting part formed by sheet metal working or a plating process has a spiral-shaped elastic arm 22.例文帳に追加
精密板金加工またはメッキプロセスで形成された接続部は螺旋状の弾性腕22を有している。 - 特許庁
To provide a ceramic substrate which enhances adhesiveness between a wiring part after an electroless plating process and the ceramic substrate.例文帳に追加
無電界めっき後の配線部とセラミック基板との密着性を高めたセラミック基板を提供する。 - 特許庁
To prevent poor adhesion by transferring only a material to be plated having normal pretreated surface to a plating process.例文帳に追加
正常な前処理面を有するものだけをメッキ工程に移すことで、密着不良を未然に防ぐ。 - 特許庁
The process for forming the ink channel walls 34 includes applying gold plating on the ink channel walls 34.例文帳に追加
インク路壁34を形成する工程は、インク路壁34を金メッキによって形成することからなる。 - 特許庁
Thereafter, in a second process, noble metal plating is carried out at the part where the surface layer of the base metal has been removed.例文帳に追加
その後、第2の工程において、地金部の表層を除去した部分に貴金属のめっきを行う。 - 特許庁
As a result, the plating film of the through hole is not affected by etching in a succeeding process or the like.例文帳に追加
これにより,貫通穴のめっき皮膜は後工程でのエッチング等の影響を受けることがない。 - 特許庁
The surface of the contact pin, produced by pressing, is mirror- surface finished through barrel finishing and transferred to a next plating process.例文帳に追加
プレス製作されたコンタクトピンの表面を、バレル研磨によって鏡面化し、次のめっき工程に移る。 - 特許庁
To prevent voids or seams from being generated in grooves or holes in a copper plating process in a semi-conductor.例文帳に追加
半導体における銅めっきプロセスにおいて、溝やホール内にボイドやシームが生じないようにする。 - 特許庁
The electrocast metal structure (114) is deposited, using electric plating or non-electrolytic deposition process.例文帳に追加
電気鋳造された金属構造(114)は、電気メッキまたは無電解堆積プロセスを用いて堆積される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of stably feeding in an electrolytic plating process.例文帳に追加
電解メッキ工程において、安定した給電が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The metal coating with which the rigid foamed plastic is surfaced is formed by using an electroless plating process.例文帳に追加
そして、硬質発泡プラスチックの表面が備える金属被覆は、無電解めっき法を用いて形成する。 - 特許庁
Subsequently, if necessary, the substrate is heated to a temperature approximately equal to the plating bath temperature (heating pretreatment process).例文帳に追加
次に、必要に応じて、基板をメッキ浴温度とほぼ同等の温度に加温する(加温前処理工程)。 - 特許庁
In the process of executing electroless plating, a wiring pattern is determined by a liftoff method using resist.例文帳に追加
無電解めっきを行う工程においては、レジストを用いたリフトオフ法により配線パターンを決定する。 - 特許庁
This wiring forming method is provided with a process for preparing a substrate wherein fine dimples are formed on the surface, a process for plating the surface of the substrate in plating liquid, and a process wherein a plating film formed on the surface of the substrate is subjected to electrolytic etching in etching liquid containing additive which acts as etching promoter.例文帳に追加
表面に微細窪みを形成した基板を用意する工程と、前記基板の表面にめっき液中でめっきを施す工程と、前記基板の表面に形成されためっき膜をエッチング促進剤として機能する添加剤を含有したエッチング液中で電解エッチングする工程とを有する。 - 特許庁
The manufacturing method of the laminated particle with a plating layer comprises a coating process of forming the laminated particle by applying an insulating coating layer 2 containing a plating catalyst and an insulating material on a surface of a conductive particle 1; and a plating process of applying electroless plating by making a plating solution contact with a prescribed part of the laminated particle to form a plated layer at the part.例文帳に追加
本発明によるめっき層付き積層粒子の製造方法は、導電性粒子1の表面に、めっき触媒及び絶縁材料を含有する絶縁性被覆2を施して積層粒子を形成する被覆工程、及び、積層粒子の所定の部位にめっき液を接触させて無電解めっきを施し、当該部位にめっき層を形成するめっき工程を有するものである。 - 特許庁
In a second process, the plating film 4 comprising nickel by electroplating is laminated on the resistant film 2 formed in the first process.例文帳に追加
第2の工程は第1の工程で形成した抵抗皮膜2に積層して電気めっきによるニッケルからなるめっき皮膜4とを形成する。 - 特許庁
In a process for operating copper plating being a process for manufacturing a built-up multi-layer substrate, the crystal orientation property of a copper plated film 102 is controlled.例文帳に追加
ビルトアップ多層基板の製造過程である銅めっきを行なう工程において、銅めっき膜102の結晶配向性を制御する。 - 特許庁
The system gives a protective coating on the base body to minimize the oxidation to allow the transfer from the electroless plating process to the electroplating process.例文帳に追加
システムは、これも酸化を最小にするために基体に保護被覆を施して無電解めっきプロセスから電気めっきプロセスまで転送できる。 - 特許庁
To provide a high performance chemical plating method constructing a new plating process in which, as a catalyst in the chemical plating, palladium is not used at all for solving the problems in the stability of the feed and high cost of palladium.例文帳に追加
パラジウムの供給安定性や高価格問題を解決するため、化学めっきの触媒としてパラジウムを全く使用しない新しいめっきプロセスを構築する高性能化学めっき法を提供する。 - 特許庁
To perform a deposition by plating on a terminal of a wiring line whose terminal is not provided on an output terminal part in the case of connecting a plating lead line with the output terminal part of a flexible printed board, followed by a plating deposition process.例文帳に追加
フレキシブルプリント基板の出力端子部にメッキリード配線を接続してメッキ蒸着処理を行う場合において、出力端子部に端子が設けられていない配線の端子に対してもメッキ蒸着を施す。 - 特許庁
To provide a holder for electroless plating by which plating can be applied to a board without causing improper appearance even if used in the process from electroless plating to drying and also treatment can be applied to a plurality of boards at one time.例文帳に追加
無電解めっきから乾燥までの工程に用いても、前記基板に外観不良を生じさせずにめっきすることができ、また複数枚同時に処理することができる無電解めっき用治具を提供すること。 - 特許庁
To provide a high performance electroless plating method comprising a new plating process which does not use palladium as a catalyst for electroless plating at all for solving the problems relating to the unstability in the feed and the high cost of palladium.例文帳に追加
パラジウムの供給の不安定性や高価格問題を解決するため、無電解めっきの触媒としてパラジウムを全く使用しない新しいめっきプロセスを構築する高性能無電解めっき法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for setting the thickness of a tin-plating film on a tin-plated terminal, which can surely make the tin-plating film develop solder wettability, even after having been stored for a predetermined period of time, regardless of various shapes of the terminals and types of a plating process.例文帳に追加
錫めっき端子において、種々の形状やめっきの種類に関わらず、所定期間保管した後でも、はんだ濡れ性を確実に確保することが可能な錫めっき厚さの設定方法を提供する。 - 特許庁
To provide a selective metal plating method by which plating penetrat ing phenomenon occurring at the time of metal plating to a wiring board is improved, a manufacturing process is not complicated and many kinds of related devices are dispensed with.例文帳に追加
配線板に対して金属メッキを行なう場合に発生するメッキの染み込み現象を改善し、かつ製造工程が煩雑にならず、多種の関連設備を必要としない選択的金属メッキ方法を提供する。 - 特許庁
A metal test piece 2 is cut out of a sample 1 in a cutting process P1, and a complementary layer formed of a plating layer 3 is formed on the most surface layer of the metal test piece 2 in a plating layer preparing process P2.例文帳に追加
図2に示すように、金属試験片2を試料1から切断工程P1により切り取り、メッキ層作製工程P2により金属試験片2の最表層にメッキ層3からなる補完層を形成する。 - 特許庁
Then, the wax materials are screen-printed on the Au plating 32 ((h) wax material paste print process), and then made to reflow so that the Au plating 32 can be coated with the wax materials ((i) wax material reflow process), and the wax material layer 34 is formed.例文帳に追加
次に、ろう材をAuメッキ32上にスクリーン印刷し((h)ろう材ペースト印刷工程)、続いて、これをリフローしてAuメッキ32上にろう材を被着させ((i)ろう材リフロー工程)、ろう材層34を形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device that includes a process capable of easily and certainly insulating and isolating a plating lead used in a plating treatment process from an electrode in a substrate and a wiring pattern.例文帳に追加
メッキ処理工程で用いられたメッキリードを基板内の電極や配線パターン部から容易且つ確実に絶縁分離することができる工程を備えた半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a material for forming an electroless plating, which has good catalyst sticking property and from which a catalyst sticking layer is not eluted into a plating solution in a catalyst sticking process, a developing process or the like.例文帳に追加
触媒付着性が良好であり、また、触媒付着工程、現像工程その他工程において、触媒付着層がメッキ液に溶出したりすることがない無電解メッキ形成材料を提供する。 - 特許庁
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