「Reference Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor storage device has a reference voltage source connected to the capacitor of a cell included in a memory; a buffer circuit which holds data to be written in the cell; and a counter noise generation circuit which outputs a counter noise current canceling the noise current occurring when rewriting the data held in the cell to the reference voltage source according to data held by the buffer circuit.例文帳に追加

メモリが有するセルのキャパシタに接続される基準電圧源と、セルに書き込まれるデータを保持するバッファ回路と、前記バッファ回路の保持するデータに応じて、セルのデータの書き換え時に生じるノイズ電流を打ち消すカウンターノイズ電流を前記基準電圧源へ出力するカウンターノイズ発生回路を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When conditions that even-number line data and odd-number line data are consecutive regardless of an almanac reference time and a collect time of the even-numbered line data and a collect time of the odd-numbered line data are within a predetermined time difference are satisfied, whether or not the almanac reference time is detected, satellite almanac data is collected and temporarily kept in a memory 11.例文帳に追加

アルマナック基準時刻とは関係なく、偶数ラインデータと奇数ラインデータとが、連続していること、偶数ラインデータの収集時刻と奇数ラインデータの収集時刻とが所定時刻差内にあることの条件が満足されるときには、アルマナック基準時刻が検出されたか否かに関わらず、衛星アルマナックデータを収集し、一時記憶１１する。 - 特許庁

To provide a storage element of a magnetic random access memory (MRAM) with a thermally assisted switching writing procedure comprising: a magnetic tunnel junction formed from a magnetic storage layer, a reference layer, and an insulating layer inserted between the reference layer and the storage layer; and a first strap portion laterally connecting one end of the magnetic tunnel junction to a first selection transistor.例文帳に追加

磁気記憶層、基準層及び基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層から成る磁気トンネル接合部と、磁気トンネル接合部の一方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分とを有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の記憶素子である。 - 特許庁

To make a phase adjustment circuit not receive an influence caused by a phase deviation between a signal based on a reference clock and a signal based on a frequency dividing clock signal in the phase adjustment circuit in a time switch for writing time division data composed of frames into a memory on the basis of the reference clock and controlling read-out on the basis of a frequency dividing clock.例文帳に追加

本発明はフレーム構成の時分割データを基準クロックに基づいてメモリに書き込んで分周クロックにより読み出し制御を行う時間スイッチにおける位相調整回路に関し，基準クロックに基づく信号と分周クロック信号に基づく信号の位相ずれに対して影響を受けないようにすることを目的とする。 - 特許庁

The time elapsing after passage of a reference mark 161 provided on a disc 160 rotating integrally with a polygon mirror is detected by a photointerrupter 151 before a laser beam is detected by a sensor 220 provided on the scanning unit manufacturing device 200 side is measured as the count of the number of pulses of reference clock and stored in a memory 180.例文帳に追加

例えば、ポリゴンミラーと一体的に回転する円板１６０上に設けられた基準マーク１６１の通過がフォトインタラプタ１５１により検出されてから、走査ユニット製造装置２００側に設けられた検出センサ２２０によりレーザビームが検出されるまでの時間を、基準クロックのパルス数のカウント値として計測し、メモリ１８０に格納する。 - 特許庁

The data read circuit RDC has a current generator 191 to generate a reference current of 10% smaller based on the pass current which flows when reading the initial data, and a comparator 192 to compare the reference current generated by the current generator 191 and the pass current when writing the predetermined data in the memory cell.例文帳に追加

データ読出回路ＲＤＣにおいて、初期データ読出動作により流れる通過電流に基づいて生成される１０％小さいリファレンス電流を生成する電流生成部１９１と、電流生成部１９１により生成したリファレンス電流と、所定のデータをメモリセルに書込んだ場合の通過電流とを比較する比較部１９２とを設ける。 - 特許庁

A wireless digital signal decision part 3a compares the wireless digital signal with a plurality of reference signals which are stored in a reference signal memory 7 and correspond to the plurality of wireless communication systems to decide which of wireless signals of the wireless communication systems the received wireless signal is, and outputs information on the decided wireless communication system to the signal processing part 6.例文帳に追加

無線デジタル信号判定部３ａは無線デジタル信号と参照信号メモリ７に格納された複数の無線通信システムに対応する複数の参照信号とを比較して受信された無線信号がいずれの無線通信システムの無線信号であるかを判定し、判定された無線通信システムの情報を信号処理部６に出力する。 - 特許庁

By operating the switch circuit SW1 through a decoder circuit TD by a mode change signal MODE1-n inputted from the outside, the burn-in test reference voltage VrefB can be applied to the memory element through a sense circuit SC in a burn-in test, instead of the reference voltage VrefN for the the normal read out.例文帳に追加

外部からモード移行用信号ＭＯＤＥ１〜ｎを与えてデコード回路ＴＤを介しつつ切り換え回路ＳＷ１を操作することにより、バーンインテスト時には、通常読み出し動作時の参照電圧ＶｒｅｆＮに代えてバーンインテスト用参照電圧ＶｒｅｆＢを、センス回路ＳＣを介してメモリ素子に印加することができる。 - 特許庁

This investigation system has the means for a memory which stores registration point, the means for input which inputs seek condition, the means for reference which searches the registration point by the inputted reference condition, the means for display which displays the name of the searched registration point and the attribute, the means for selection which selects the registration point displayed its name.例文帳に追加

登録地を記憶する記憶手段と、検索条件を入力する入力手段と、入力された前記検索条件で前記登録地を検索する検索手段と、検索された前記登録地の名称及び属性を表示する表示手段と、名称が表示された前記登録地を選択する選択手段とを有する。 - 特許庁

A reference temperature is set within the temperature range of a correction object, the temperature range is also divided into a plurality of temperature areas according to the largess/smallness of the variation of an oscillation frequency error, the temperature correction data of each temperature area are compressed into 1/4 or 1/2 with the temperature of the reference temperature excluded and respectively crammed and stored in a correction memory 191.例文帳に追加

補正対象の温度範囲中に基準温度を設定すると共に、当該温度範囲を発振周波数誤差の変化量の大小に応じて複数の温度領域に分け、基準温度の温度補正データを除き、各温度領域の温度補正データを１／４或いは１／２に圧縮してそれぞれ補正メモリ１９１に詰めて記憶する。 - 特許庁

The system determines two or more physical conditions of a car driver 11 by means of an operation means 17, using a brain activity detector 15 to detect a brain magnetic chart of the driver 11, a memory means 18 to store reference data necessary for determining the driver 11 physical conditions, the data measured by the brain activity detector 15 and reference data.例文帳に追加

運転者１１の脳磁図を検出する脳活動検出装置１５と、運転者１１の身体状態を判定するための参考データを記憶する記憶手段１８と、脳活動検出装置１５により計測された計測データと前記参考データとから運転者１１の２つ以上の身体状態を演算手段１７により判定する。 - 特許庁

The LCD driver 200 includes a motion compensation part 52 for performing motion compensation to the data from the DSP 100, a reference frame memory 54 for storing the data from the DSP 100 as reference frame data, and an RGB conversion part 46 for converting YUV components of the data from the DSP 100 or the motion compensation part 52.例文帳に追加

ＬＣＤドライバ２００は、ＤＳＰ１００からのデータに対して動き補償を行う動き補償部５２と、ＤＳＰ１００からのデータを参照フレームデータとして記憶する参照フレームメモリ５４と、ＤＳＰ１００または動き補償部５２からのデータのＹＵＶ成分をＲＧＢ成分に変換するＲＧＢ変換部４６とを有する。 - 特許庁

A plurality of black reference images which show black reference values B (x, y) for each pixel in the 2-D CCD 20 and are captured at a plurality of different temperatures are stored in the image memory 50 in relation to pixel values of the optical black pixels (shading pixels set in the 2-D CCD) in each capturing the images.例文帳に追加

画像メモリ５０には、二次元ＣＣＤ２０における各画素毎の黒基準値Ｂ（ｘ，ｙ）を表す黒基準画像であって複数の異なる温度において予め取得された複数の黒基準画像が、その各取得時におけるオプティカルブラック画素（二次元ＣＣＤ２０内に設けられた遮光画素）の画素値に関連づけて格納されている。 - 特許庁

A dummy transistor dT11 is arranged near the transistor T11 for a gain connected to a memory cell to be accessed, a bit line BL made for reference by the dummy transistor dT11 is driven, and the influence of a variation in the threshold of the transistor for a gain is offset by using the potential or current of the bit line as a reference signal of a reading determination.例文帳に追加

アクセスされるメモリセルに接続されたゲイン用トランジスタＴ１１の近傍にダミートランジスタｄＴ１１を配置し、それによって参照用とされるビット線ＢＬを駆動して、そのビット線の電位または電流を読み出し判定の参照信号として使用することでゲイン用トランジスタの閾値ばらつきの影響を相殺する。 - 特許庁

The page buffer circuit includes a sense amplification unit, configured to compare a reference voltage with a bit line voltage changed, based on a program state of a selected memory cell connected to the bit line of a selected memory block and to amplify a sensing node based on a difference, and a plurality of latch circuits configured to latch program verification data according to the voltage level of the sensing node.例文帳に追加

基準電圧と、選択されたメモリブロックのビットラインに連結された選択されたメモリセルのプログラム状態によって変更されるビットライン電圧を比較し、その差によってセンシングノ−ドを増幅するセンシング増幅部と、前記センシングノ−ドの電圧レベルによってプログラム検証データをラッチする複数のラッチ回路と、を含む。 - 特許庁

When the data stored in the memory cell 212 is detected, the bit line pair connected to the sense amplifier 203 is precharged to a predetermined potential, and then one of the bit lines of the bit line pair is connected to the memory cell 212, and a potential of the other bit line is set to a reference potential by connection of the bit line to the potential generation part 25 to move charges.例文帳に追加

メモリセル２１２に記憶されるデータを検出するとき、センスアンプ２０３に接続されたビット線対は予め定めた電位にプリチャージされた後、ビット線対のいずれか一方のビット線がメモリセル２１２と接続される共に、他方のビット線の電位は、当該ビット線が電位生成部２５に接続されて電荷が移動しリファレンス電位となる。 - 特許庁

Further since inhibiting acetylcholine degrading enzyme activity, increasing an acetylcholine concentration in hippocampus with deepest reference to learning and memory and raising a percentage of correct answers of a radial maze test using a scopolamine-induced learning disorder rat used widely as a dementia animal model, 2,5-piperazinedione, 3,6-bis(phenylmethyl)-, (3R, 6S)-(9Cl) has learning and memory improving action.例文帳に追加

さらに、2,5-ピペラジンジオン,3,6-ビス(フェニルメチル)-,(3R,6S)-(9Cl)がアセチルコリン分解酵素活性を阻害し、学習記憶に最も関連の深い海馬におけるアセチルコリン濃度を増やし、認知症動物モデルとして汎用されているスコポラミン誘発学習障害ラット用いた放射状迷路試験の正答率を上昇させることから、学習記憶改善作用を併せ持つ。 - 特許庁

Image quality correction (APF) processing is applied to an image file saved in a memory card and an image after the APF processing is stored in the memory card (S110 and S120), and the reference destination of the image file is rewritten from the storage place (cluster number) of the body of original image data to the storage place (cluster number) of the body of the image data after the APF processing (S130).例文帳に追加

メモリーカード内に保存されている画像ファイルの画質補正（ＡＰＦ）処理を施してＡＰＦ処理後画像をメモリーカードに格納すると（Ｓ１１０，Ｓ１２０）共に画像ファイルの参照先を元画像データの本体の格納場所（クラスター番号）からＡＰＦ処理後画像データの本体の格納場所（クラスター番号）に書き換える（Ｓ１３０）。 - 特許庁

A memory equipped with a telephone set circuit stores names, telephone numbers, and groups (classification data) to which telephone opposite parties belong as to each of a plurality of the telephone opposite parties in cross-reference with each other, a system control section 121 reads all the groups (classification data) from the memory 122 and displays them onto an input display apparatus 101.例文帳に追加

電話機回路に装備されたメモリ122には、複数人の電話相手の夫々について、氏名と、電話番号と、その電話相手が属するグループ（分類データ）とが互いに関連づけて記憶されており、電話番号の検索時に、システム制御部121は、メモリ122から全てのグループ（分類データ）を読み出し、入力表示装置101に表示させる。 - 特許庁

The read circuit 30 has a sense amplifier circuit 40 to detect a data value stored in a memory cell transistor 10 based on a current Icell flowing in the memory cell transistor 10 and a reference current Iref flowing in a dummy cell transistor 20, and a voltage control circuit 60 to supply a 1st voltage V1 to the gate of the dummy cell transistor 20.例文帳に追加

読み出し回路３０は、メモリセルトランジスタ１０に流れる電流Ｉｃｅｌｌとダミーセルトランジスタ２０に流れる基準電流Ｉｒｅｆとに基づいて、メモリセルトランジスタ１０に格納されたデータ値を検出するセンスアンプ回路４０と、ダミーセルトランジスタ２０のゲートに第１電圧Ｖ１を供給する電圧制御回路６０とを備える。 - 特許庁

This device has a map information memory 13 for storing maps, each drawn to different scales, an origin selection instruction means to pick up one from among several reference origins on the maps, and an object memory measures 12 for storing the objects related to their origins and their positional relations.例文帳に追加

縮尺倍率が互いに異なる複数の地図が記憶された地図情報記憶手段１３と、地図上で基準となる複数の起点の中から一つの起点を選択させるための起点選択指示手段と、夫々の起点に関連付けられた複数の対象物、及びそれらの位置情報を記憶する対象物記憶手段１２とを備える。 - 特許庁

An averaging part 6 calculates the average value of all amplitude data by reading plural pieces of amplitude data, which are stored at the synchronizing detection timing, out of an amplitude data memory 4 and adding these data and further outputs 1/2 value of that average value to a discrimination part 7 as the discrimination value data of a reference for discriminating the level of respective amplitude data stored in the amplitude data memory 4.例文帳に追加

平均化部６は、振幅データメモリ４から同期検波タイミングで格納された複数の振幅データを読み出して加算して、全振幅データの平均値を算出し、更にその平均値の１／２値を振幅データメモリ４に格納された各振幅データをレベル判定する基準の判定値データとして判定部７に出力する。 - 特許庁

When the number of columns stored in one page is too small, that is, an overhead cycle of the SDRAM (when rows are read) is amortized over the number of memory reference times caused before page change resulting that an effective memory cycle rate suffices no system requirement, this method uses the address remapping with respect to the matrix transposition.例文帳に追加

行列の転置に関して、１ページにストアされうるカラム数が余りにも小さく、すなわち、ＳＤＲＡＭデバイスのオーバーヘッドサイクルが（ロウが読み出される場合に）ページ変更の前に発生しうるメモリ参照の回数に亘って償還されてしまい、実効的なメモリサイクルレートがシステム要求を充足しない場合に、アドレス再マッピングが適用される。 - 特許庁

An electronic apparatus capable of additionally mounting therein a nonvolatile memory previously storing a predetermined program or reference data, in which a predetermined read region and an algorithm for discriminating data property are prepared, comprises a control means that determines whether the nonvolatile memory is mounted or not by accessing the specified read region of the nonvolatile memory when a power source is turned on, and applying the algorithm to read data.例文帳に追加

所定のプログラムないし参照データを予め格納した不揮発性メモリを付加的に実装可能とした電子機器において、 所定の読み取り領域と、データ特性を判別するためのアルゴリズムとを予め準備し、電源の投入時に、上記不揮発性メモリの特定された読み取り領域をアクセスして、読み取ったデータに対して、上記アルゴリズムを適用することで、不揮発メモリの実装の有無を判定する制御手段を備えている。 - 特許庁

A signal processing section 104 creates a computation expression having an operating cumulative time TM as a parameter for obtaining variation using a point of time immediately after purchase as a reference based on the L*a*b* signal at each point of time stored in a memory 109.例文帳に追加

信号処理部１０４では、メモリ１０９に記憶される各時点のＬ^＊ａ^＊ｂ^＊信号に基づいて、購入直後の時点を基準とした変化量を求めるための、稼働累積時間ＴＭをパラメータとして持つ算出式を生成する。 - 特許庁

The pictures of moving image data are extracted from a moving image memory 104 one by one and a change degree value D between a feature vector IV thereof and a feature vector RV of a reference picture is compared with a scheduled threshold TK0 by a feature block determining part 102.例文帳に追加

動画像データが動画像メモリ１０４から１画面ずつ順次取り出され、その特徴ベクトルＩＶと参照画面の特徴ベクトルＲＶとの変化度値Ｄが、特徴区間決定部１０２で予定の閾値ＴＫ0 と比較される。 - 特許庁

When the reference pulse signal Pref becomes unobtainable, the error correction part 15 acquires an error correction value corresponding to temperature measured by the temperature sensor 14 from a correction value memory 16 and corrects the frequency error using the acquired error correction value.例文帳に追加

基準パルス信号Ｐｒｅｆが得られなくなった場合、誤差補正部１５は、温度センサ１４が計測する温度に対応する誤差補正値を補正値記憶部１６から取得し、取得した誤差補正値を用いて周波数誤差を補正する。 - 特許庁

This semiconductor device 41 is constructed by connecting a connection pad for the second IC chip CH2 having a non-volatile memory for storing the reference data and a connection pad for the first IC chip CH1 having the data processing function to each other by COC connection via a bump.例文帳に追加

不揮発性メモリを有して、参照データが格納される第２ＩＣチップＣＨ２の接続用パッドと、データ処理機能を有する第１ＩＣチップＣＨ１の接続用パッドとを、バンプを介してＣＯＣ接続して半導体装置４１を構成する。 - 特許庁

A grade determination part 16c determines a grade of the primary liver cancer in reference to grade opacification patterns memorized in a grade opacification pattern memory part 15c, when the result by the classification determination part 16b is determined that the object is the primary liver cancer.例文帳に追加

種別判定部１６ｂによる判定結果が原発性肝癌であった場合、分化度判定部１６ｃは、原発性肝癌の分化度を分化度染影パターン記憶部１５ｃが記憶する分化度染影パターンを参照して判定する。 - 特許庁

DC currents are detected respectively by charging and discharging gates of a dummy memory cell transistor (MCT) and a reference floating gate transistor (DT) in which a floating gate and a control gate are short-circuited, and gate capacity of these transistors (MCT, DT) is calculated.例文帳に追加

ダミーメモリセルトランジスタ（ＭＣＴ）およびフローティングゲートとコントロールゲートが短絡された参照フローティングゲートトランジスタ（ＤＴ）のゲートを充放電して、直流電流をそれぞれ検出して、これらのトランジスタ（ＭＣＴ，ＤＴ）のゲート容量を算出する。 - 特許庁

The distance between the detection units computed by the computation unit is stored in a memory unit as the reference distance based on the detection signals of the first detection unit S1 and the second detection unit S2 when conveying the sheet with the known length in the sheet conveying direction.例文帳に追加

そして、シート搬送方向の長さが既知のシートを搬送した際の第１検知部Ｓ１及び第２検知部Ｓ２の検知信号に基づいて演算部により演算された検知部間距離を基準距離としてメモリ部に記憶する。 - 特許庁

This semiconductor device testing device 100 is provided with a pattern generator 10, a reference clock generator 60, a timing generator 62, a wave-form shaper 70, a signal input/output section 80, a comparing unit 90, and a defect analysis memory section 110.例文帳に追加

本発明の半導体デバイス試験装置１００のパターン発生器１０は、パターン発生器１０、基準クロック発生器６０、タイミング発生器６２、波形整形器７０、信号入出力部８０、比較ユニット９０、不良解析メモリ部１１０を備える。 - 特許庁

By directly referring to a real memory 13 using the symbol reference function of a debugger 202, the debugger 202, on a host computer 2 that is connected to a target system 1 to permit communication, precisely tracks or controls the behavior of the application software 14.例文帳に追加

デバッガ２０２のシンボル参照機能を利用して、実メモリ１３を直接に参照することにより、ターゲットシステム１と通信可能に接続されたホストコンピュータ２上のデバッガ２０２が、アプリケーションソフトウエア１４の挙動を正確に追尾もしくは制御する。 - 特許庁

In the flaw detection part 43, the image to be inspected is compared with a reference image and flaw region images showing the flaw regions contained in a plurality of predetermined inspection regions are formed to be stored in a flaw region image memory 44.例文帳に追加

欠陥検出部４３では、被検査画像と参照画像とを比較することにより、予め定められた複数の検査領域に含まれる欠陥の領域を示す欠陥領域画像が生成され、欠陥領域画像メモリ４４に記憶される。 - 特許庁

The calculation part 17 decides on the annealing temperature that can obtain the desired electrical characteristics for each of the plurality of regions, based on the shape parameter of the element corresponding to the region under manufacturing on the substrate, in reference to the memory part 16.例文帳に追加

演算部１７は、複数の領域の各々ごとに、基板上の製造中の当該領域に対応する素子の形状パラメータに基づいて、記憶部１６を参照して、所望の電気的特性を得られるアニール温度）を決定する。 - 特許庁

A weight calculation unit 10 calculates the difference e1(t) between an array output value Y1(t-1) of one preceding symbol which is stored in the memory 11 and assumed as the reference signal and the complex-multiplying sum Y(t).例文帳に追加

ウェイト計算機１０は、既知の参照信号が存在しないときには、メモリ１１に記憶されている、みなされた参照信号である１シンボル前のアレイ出力値Ｙ１（ｔ−１）と複素乗算和Ｙ（ｔ）との誤差ｅ１（ｔ）を算出する。 - 特許庁

To dispense with a large capacity of memory for recording reference data, and to enable a defect part detection over the whole area of a disk including an ID part.例文帳に追加

リファレンスデータの記録に大容量のメモリを必要としない、欠陥検査方法及びその欠陥検査装置、並びに、ＩＤ部を含むディスクの全域にわたって欠陥部を発見することができる欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

This main memory managing method without using any reference bit can be realized by providing a means for designating the minimum number of pages to be assigned to a process (job), and operating page-out pages whose number exceeds the minimum number of pages in the order of page assignment order (FIFO).例文帳に追加

プロセス（ジョブ）へ割り当てする最小のページ数を指定する手段を設け、その最小のページ数を超過したページに対しページ割り当て順（ＦＩＦＯ）にページアウトを行うことで参照ビットを用いない主記憶管理方法を実現する。 - 特許庁

Also, a prefetch number to memory reference in a loop after U-fold development is estimated for the loop development number U to be defined as a candidate (S610) and when it exceeds the number prefetch buffers provided in a computer, the U is not selected as a development number.例文帳に追加

また、候補とするループ展開数Ｕに対して、Ｕ倍展開後のループ中のメモリ参照に対するプリフェッチ数を見積もり（Ｓ６１０）、これが計算機が備えるプリフェッチバッファ数を越える場合にはＵを展開数として選択しない。 - 特許庁

The semiconductor memory device is equipped with: a plurality of magneto-resistance elements Rx0, Rx1 respectively connected to bit lines BLx0, BLx1; a plurality of reference resistors Rmin, Rmax respectively connected to bit lines BL_Bx0, BL_Bx1; and the sense amplifier circuit 10.例文帳に追加

半導体記憶装置は、それぞれビット線ＢＬｘ０，ＢＬｘ１に接続された複数の磁気抵抗素子Ｒｘ０，Ｒｘ１と、それぞれビット線ＢＬ＿Ｂｘ０，ＢＬ＿Ｂｘ１に接続された複数のリファレンス抵抗Ｒｍｉｎ，Ｒｍａｘと、センスアンプ回路１０とを備える。 - 特許庁

A global motion vector search part 4 searches a global motion vector by evaluating a difference between the pixels at the same position of an input image and an NR reference image which is the input image of one frame before held in a source image frame memory 3.例文帳に追加

大域動くベクトル探索部４は、入力画像と原画像フレームメモリ３に保持される１フレーム前の入力画像であるＮＲ参照画像との同位置の画素間の差分を評価することによって、大域動きベクトルを探索する。 - 特許庁

A retrieval frequency tabulation means 111 tabulates the retrieval frequency F of the retrieval query for each retrieval query, based on the retrieval history stored in the incorporated memory of a device 11 for preparing reference data for retrieval by the retrieval history storage means 110.例文帳に追加

検索回数集計手段１１１は、検索履歴格納手段１１０によって検索用参照データ作成装置１１の内蔵メモリに格納された検索履歴に基づき検索クエリの検索回数Ｆを検索クエリ毎に集計する。 - 特許庁

Concretely, the non-rerunable time is preset according to the cause of game over, and the information concerning the cause and time of game over is stored as a judgment reference data 64 in a memory card 60 for storing play data.例文帳に追加

具体的には、ゲームオーバーの原因に応じて再実行不能時間が予め設定されており、ゲームオーバーとなった原因および時刻に関する情報が判定基準データ６４として、プレイデータが格納されるメモリカード６０に格納される。 - 特許庁

A control part 143 controls a display processing part 149 in reception of a video signal (image data) in an HDMI receiving part 145, and brings the display processing part 149 into a state of image output on after passing reference time TS held in a built-in memory 143a.例文帳に追加

制御部１４３は、ＨＤＭＩ受信部１４５における映像信号（画像データ）の受信時に、表示処理部１４９を制御し、内蔵メモリ１４３ａに保持されている基準時間ＴＳが経過してから出画オンの状態とする。 - 特許庁

A scene characteristics information storage section 204 generates scene characteristics information including a block, a key frame, importance and a picture characteristics quantity of the key frame as to each scene designated by the scene designation section 202 and stores the information to a memory in cross-reference with the moving picture.例文帳に追加

シーン特徴情報蓄積部２０４は、シーン指定部２０２で指定された各シーンについて、その区間、キーフレーム、重要度、キーフレームの画像特徴量を含むシーン特徴情報を生成し、これを動画像に関連づけてメモリに格納する。 - 特許庁