「SF2」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The shortened time is allotted to sustained periods 31, 32, 33 of the subfields SF1, SF2, SF3.例文帳に追加

そして、この短縮した分の時間をサブフィールドＳＦ１，ＳＦ２，ＳＦ３のサステイン期間３１，３２，３３に割り当てる。 - 特許庁

It is possible that the thermal conductivity of the shaft (SF2) is made higher than that of a metal base material constituting the sleeve (SL).例文帳に追加

軸（ＳＦ２）の熱伝導率はスリーブ（ＳＬ）を構成している金属基材の熱伝導率より大きくしてもよい。 - 特許庁

The target sample allowed to flow through the sample flow SF2 of a laminar flow LF is labelled with a piezoelectric element being a label substance.例文帳に追加

層流ＬＦのうち、サンプル流ＳＦ２に流される標的試料には、標識物質として圧電体が標識される。 - 特許庁

One of a TV field is constituted of three subfields SF1, SF2, SF3 which are set so that ratios of luminance weights become to be 1:18:32.例文帳に追加

１ＴＶフィールドは、輝度重みの比率が１：８：３２に設定された３つのサブフィールドＳＦ１，ＳＦ２，ＳＦ３から構成されている。 - 特許庁

One frame is divided into three subfields SF1, SF2, and SF3 having periods corresponding to respective bits of 3-bit gradation data.例文帳に追加

また、１フレームを３ビットの階調データの各ビットに応じた期間を有する３つのサブフィールドＳＦ１、ＳＦ２及びＳＦ３に分割する。 - 特許庁

Adaptive grayscale conversion is performed so that, high luminance period (a sub-frame period SF1) and a low luminance period (a sub-frame period SF2) may be allocated to each of sub-frame periods SF1 and SF2 within a unit frame period, while keeping a time integral value of luminance in a unit frame period with respect to the image signal D1.例文帳に追加

映像信号Ｄ１に対し、単位フレーム期間内の輝度の時間積分値を保ちつつ高輝度期間（サブフレーム期間ＳＦ１）と低輝度期間（サブフレーム期間ＳＦ２）とが単位フレーム期間内で各サブフレーム期間ＳＦ１，ＳＦ２に割り当てられることとなるように適応階調変換を行う。 - 特許庁

The metal embedded glass substrate includes a glass substrate 54, having a first principal surface SF1 and a second principal surface SF2 opposed to each other, and a through metal member 55, penetrating between the first principal surface SF1 and the second principal surface SF2 of the glass substrate 54 and made of metal.例文帳に追加

金属埋込ガラス基板は、対向する第１の主面ＳＦ１及び第２の主面ＳＦ２を有するガラス基板５４と、ガラス基板５４の第１の主面ＳＦ１と第２の主面ＳＦ２の間を貫通する金属からなる貫通金属部材５５とを備える。 - 特許庁

A total cell initialization waveform Setup2 having ramp waveforms La3, La4 are applied in a total cell initialization period of a second sub-field SF2.例文帳に追加

第２のサブフィールドＳＦ２の全セル初期化期間では、ランプ波形Ｌａ３，Ｌａ４を有する全セル初期化波形Ｓｅｔｕｐ２が印加される。 - 特許庁

The one field is divided into odd-number subfields sf1, 3, 5, 7 of the shorter time side and even-number subfields sf2, 4, 6, 8 of the longer time side.例文帳に追加

１フィールドを、時間的に短い奇数サブフィールドｓｆ１、３、５、７と、時間的に長い偶数サブフィールドｓｆ２、４、６、８とに分割する。 - 特許庁

An outside surface Sf2 of a heater H provided in a boiling chamber 40 is disposed outside so as to face an inside surface 4a on the left side of a housing 4.例文帳に追加

沸騰室４０に設けたヒータＨの外側面Ｓｆ２をハウジング４の左側内側面４ａと対向するように外側に配置した。 - 特許庁

After completion of writing thereinto, data of a subfield sf2 are written into the memory in the pixel while the subfield sf1 of the first region is being displayed.例文帳に追加

書き込みが終了すると、第１領域のサブフィールドｓｆ１の表示を行うと共に、サブフィールドｓｆ２のデータを画素内メモリーに書き込む。 - 特許庁

When the SF1 is shifted to the SF2, a change in potential applied to each signal line is reduced and the leakage quantity of each pixel electrode potential is reduced.例文帳に追加

ＳＦ１からＳＦ２への移行時に、各信号線にかかる電位の変化は小さくなり、各画素電極電位のリーク量は少なくなる。 - 特許庁

During transition from the SF1 to the SF2, variation in potential to each signal line becomes small and a leak quantity of each pixel electrode potential becomes small.例文帳に追加

ＳＦ１からＳＦ２への移行時に、各信号線にかかる電位の変化は小さくなり、各画素電極電位のリーク量は少なくなる。 - 特許庁

Namely, a positive voltage is applied to the sub-fields SF1, SF3, SF5, and a negative voltage is applied to the sub-fields SF2, SF4, SF6.例文帳に追加

即ち、サブフィールドＳＦ１，ＳＦ３，ＳＦ５では、正極性の電圧が印加され、サブフィールドＳＦ２，ＳＦ４，ＳＦ６では、負極性の電圧が印加される。 - 特許庁

Bias voltages VGG1, VGG2, and VGG3 are individually applied to three-stage source follower circuits SF1, SF2 and SF3 constituting an output buffer 12.例文帳に追加

出力バッファ部１２を構成する３段のソースフォロア回路ＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３それぞれに対し、バイアス電圧ＶＧＧ１、ＶＧＧ２、ＶＧＧ３を別個に印加する。 - 特許庁

A potential difference between scanning electrodes 103 and common electrodes 104 during a maintenance elimination period of 1st and 2nd sub-fields (SF1, SF2) is set smaller than that between the scanning electrodes 103 and the common electrodes 104 during a writing period of the 1st and 2nd sub-fields (SF1, SF2).例文帳に追加

第一及び第二のサブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ２）の維持消去期間における走査電極１０３と共通電極１０４との間の電位差を第一及び第二のサブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ２）の書き込み期間における走査電極１０３と共通電極１０４との間の電位差よりも小さく設定する。 - 特許庁

The generated data Mp and the code progress data Cs are modified into data Mpi and code progress data Csi of the desired prescribed key Ki (second shift SF2).例文帳に追加

生成されたデータＭｐ及びコード進行データＣｓは、所望とする指定調ＫｉのデータＭｐｉ及びコード進行データＣｓｉに修正される（第２シフトＳＦ２）。 - 特許庁

One frame is composed of 12 pieces of sub-fields SF1-SF12, and only SF2, SF4, SF6, SF8, SF10, and SF12 have a preliminary discharge period.例文帳に追加

１フレームを１２個のサブフィールドＳＦ１乃至ＳＦ１２で構成し、予備放電期間をサブフィールドＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ６、ＳＦ８、ＳＦ１０及びＳＦ１２のみに設ける。 - 特許庁

Perforation is formed in each sheet of the paper bundle ST by making a perforation member 10 move from a surface SF1 toward a surface SF2 and penetrate a paper bundle ST.例文帳に追加

穿孔部材１０が、面ＳＦ１から面ＳＦ２に向けて移動し、用紙の束ＳＴを貫通することにより、用紙の束ＳＴの各用紙に穿孔が形成される。 - 特許庁

In the direction control part, at the time of receiving the direction command (SF1), the number of the received direction commands is counted (SF2) and whether or not the count value becomes 4 is judged (SF3).例文帳に追加

演出制御部では、演出コマンドを受信すると（ＳＦ１）、受信した演出コマンド数をカウントし（ＳＦ２）、このカウント値が４となったかどうかを判断する（ＳＦ３）。 - 特許庁

Further, when the large area pattern is disposed in the subfield of the right side of the subfield, the dose level is lowered only in the part of the right side of the outer periphery SF2 (Fig. (D)).例文帳に追加

また、サブフィールドＳＦの右側のサブフィールドに大面積パターンが配置されている場合には、外周部ＳＦ２の右側の部分だけドーズレベルを低くする（図１（Ｄ））。 - 特許庁

At the time of receiving timing signals for indicating the instruction of game start (SF1), a direction control part provided independent of a game control part so as to control the direction starts timing (SF2).例文帳に追加

演出を制御するために遊技制御部とは独立して設けられた演出制御部が、ゲームスタートの指示を示すタイミング信号を受信すると（ＳＦ１）、計時を開始する（ＳＦ２）。 - 特許庁

More specifically, the regular reflected light is detected relatively strongly in a region SF1 having a smooth surface, and the diffusion reflected light is detected relatively strongly in a region SF2 having a rough surface.例文帳に追加

すなわち、表面が滑らかな領域ＳＦ１においては正反射光が比較的強く検出され、粗い領域ＳＦ２においては拡散反射光が比較的強く検出される。 - 特許庁

In a sustain stage I in each of sub-fields SF2 to SF14, sustain pulses IP in the number of times corresponding to the intensity weight for the sub-field are alternately applied to row electrodes X and Y.例文帳に追加

サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１４各々のサスティン行程Ｉでは、そのサブフィールドの輝度重みに対応した数のサスティンパルスＩＰを行電極Ｘ及びＹ各々に交互に印加する。 - 特許庁

In this case, peak electrode of negative polarity in the reset scanning pulse SPWW of the first sub-field SF1 is made higher than peak potential of negative polarity in the reset scanning pulse SPW of the second sub-field SF2.例文帳に追加

この際、上記ＳＦ１の書込走査パルスＳＰＷＷにおける負極性のピーク電位を、上記ＳＦ２の書込走査パルスＳＰＷにおける負極性のピーク電位よりも高くする。 - 特許庁

By inverting the polarities of the pixel-applied waveforms at the respective starting points of subfields SF0, SF2 and SF3, the period in which the same polarity is maintained is shortened and the flickers are made less conspicuous.例文帳に追加

サブフィールドＳＦ０，ＳＦ２およびＳＦ３の各開始時点において画素印加電圧波形を極性反転することにより、同一極性が継続する時間を短くし、フリッカーを目立ちにくくした。 - 特許庁

In the expression 1, SF2={(MXLNG)^2/AREA}×(100π/4), and MXLNG represents a maximum length (nm) of the carbon particles in a projection drawing while AREA means its projection area (nm^2).例文帳に追加

ＳＦ２＝｛（ＭＸＬＮＧ）^2／ＡＲＥＡ｝×（１００π／４） （式１）（式１）中、ＭＸＬＮＧは炭素粒子の投影図における最大長さ（ｎｍ）であり、ＡＲＥＡはその投影面積（ｎｍ^2）を意味する。 - 特許庁

When overdrive processing to image signals D21 and D22 for sub-frame periods SF1 and SF2 is performed, an overdrive amount larger than an appropriate overdrive amount is used in the sub-frame period SF1.例文帳に追加

また、各サブフレーム期間ＳＦ１，ＳＦ２用の映像信号Ｄ２１，Ｄ２２に対してオーバードライブ処理を行う際に、サブフレーム期間ＳＦ１では、適切なオーバードライブ量よりも大きなオーバードライブ量を用いる。 - 特許庁

In a source follower circuit SF1 of a first stage and a source follower circuit SF2 of a next stage, only a transistor Q21h is a high enhancement MOS transistor of which the threshold voltage is higher than that of the other normal MOS transistors.例文帳に追加

初段のソースフォロア回路ＳＦ１と次段のソースフォロア回路ＳＦ２において、トランジスタＱ２１ｈだけは、他の通常のＭＯＳトランジスタよりしきい値電圧の高いハイエンハンスメントＭＯＳトランジスタである。 - 特許庁

After completion of writing of the data of the subfield sf2 for the first region, data of a subfield sf1 of a second region are written into the memory in the pixel while the subfield sf1 of the first region is being displayed.例文帳に追加

第１領域についてサブフィールドｓｆ２のデータの書き込みが終了すると、第１領域のサブフィールドｓｆ１の表示を行うと共に、第２領域のサブフィールドｓｆ１のデータを画素内メモリーに書き込む。 - 特許庁

In the display device wherein gradations are expressed by a sub-field method, display resolution information is limited in prescribed subfields SF3, SF2 except the lowest order subfield and an address control period 21 is shortened.例文帳に追加

サブフィールド方式により階調表現を行う表示装置において、最下位サブフィールドを除く、所定のサブフィールドＳＦ３、ＳＦ２において表示解像度情報を制限しアドレス制御期間２１を短縮化する。 - 特許庁

In a 1st subfield SF1 of each frame, a data signal 11 or 13 is written to a pixel, and in a 2nd subfield SF2, a non-data signal 12 or 14 which has the same polarity with the data signal and also has the largest voltage value is written to the pixel.例文帳に追加

各フレームの第１サブフィールドＳＦ１でデータ信号１１又は１３を画素に書き込み、第２サブフィールドＳＦ２でデータ信号と同極性でかつ電圧値が最大の非データ信号１２又は１４を画素に書き込む。 - 特許庁

In those block frames BF, 3H inversion driving is performed in the first sub-frame period SF1 and second sub-frame period SF2 and 2H inversion driving is carried out in the third sub-frame period SF3 and fourth sub-frame period SF4.例文帳に追加

このブロックフレームＢＦ中、第１のサブフレーム期間ＳＦ１と第２のサブフレーム期間ＳＦ２とで３Ｈ反転駆動が行われ、第３のサブフレーム期間ＳＦ３と第４のサブフレーム期間ＳＦ４とで２Ｈ反転駆動が行われる。 - 特許庁

For instance, in an address process of subfields SF1 and SF2, scan is sequentially performed every one display line, in the subfields SF3-SF10, scan is performed every second display line and, in the subfields SF11 and SF12, scan is performed every fourth display line.例文帳に追加

例えば、サブフィールドＳＦ１とＳＦ２のアドレス工程では１表示ラインずつ線順次に走査し、サブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１０では１表示ラインおきに走査し、サブフィールドＳＦ１１とＳＦ１２では３表示ラインおきに走査する。 - 特許庁

In a first sub-field SF1 of each frame, a data signal 11 or 13 is written in a pixel, and in a second sub-field SF2, a non-data signal 12 or 14 having the same polarity as the data signal and a maximum voltage value is written in a pixel.例文帳に追加

各フレームの第１サブフィールドＳＦ１でデータ信号１１又は１３を画素に書き込み、第２サブフィールドＳＦ２でデータ信号と同極性でかつ電圧値が最大の非データ信号１２又は１４を画素に書き込む。 - 特許庁

The perforation member 10 then discharges a liquid of an accommodation member 10 via a hole 10A when moving in the arrowed direction A12 while the hole 10A moves from a position opposing the surface SF2 to a position opposing the surface SF1.例文帳に追加

そして、穿孔部材１０は、矢印Ａ１２方向に移動する際、孔１０Ａが面ＳＦ２に対向する位置から面ＳＦ１に対向する位置まで移動する間、孔１０Ａを介して収容部１０Ｂの液体を放出する。 - 特許庁

The carrier includes a resin coating layer having a thickness of 0.5 μm or more on the surface of a magnetic core material, wherein the resin coating layer contains wax particles, and the carrier has a shape factor SF2 of 1.1 or more and 2.5 or less.例文帳に追加

磁性芯材の表面に厚さが０．５μｍ以上の樹脂コート層を有するキャリアであって、該樹脂コート層はワックス粒子を含有するものであり、該キャリアの形状係数ＳＦ２が１．１以上２．５以下であることを特徴とするキャリア。 - 特許庁

The urethane resin particle (C) has irregularity on the particle surface, its shape factor SF2 is 120-240, the ratio of (90% particle size)/(10% particle size) is 2.0-3.0, and preferably its volume-average particle size is 1-700 μm.例文帳に追加

粒子表面に凹凸を有し形状係数ＳＦ２が１２０〜２４０であって、かつ９０％粒子径/１０％粒子径が２．０〜３．０であり、好ましくは体積平均粒子径が１〜７００μｍであることを特徴とするウレタン樹脂粒子（Ｃ）。 - 特許庁

When a large area pattern is disposed around the subfield SF, the magnification of the lens of an optical system is changed, the width of the illumination beam is narrowed to reduce the dose level of the outer periphery SF2 of the subfield SF lowered than the central part SF1 (Fig. (C)).例文帳に追加

サブフィールドＳＦの周囲に大面積パターンが配置されている場合には、光学系のレンズの倍率を変えて、照明ビームの幅を狭くすることにより、サブフィールドＳＦの外周部ＳＦ２のドーズレベルを中央部ＳＦ１より低くする（図１（Ｃ））。 - 特許庁

Once movement of a next chip 4 to a pickup point 13 is completed, an image of the chip 4 on the pickup point 13 is acquired (SD3) after the chip is held in readiness for a wafer table stationary delay time (SD2) to correct the position of the chip 4 (SC3, SD4, and SF2), so that the chip is ready to be picked up.例文帳に追加

次チップ４のピックアップポイント１３への移動を完了したら、ウエハテーブル静止遅延時間待機した後（ＳＤ２）、ピックアップポイント１３上のチップ４画像を取得して（ＳＤ３）、チップ４の位置補正を行って（ＳＣ３，ＳＤ４，ＳＦ２）、ピックアップに備える。 - 特許庁

Since the black display is included in a stable area of a liquid crystal V-T curve and a change in transmissivity is small even when a few voltage change is generated, changes in the transmissivity of liquid crystal in respective pixels, i.e. a change in luminance, is small when the SF2 is shifted to the SF1 of the succeeding frame.例文帳に追加

黒表示は液晶のＶ−Ｔ曲線の安定領域にあり、多少の電圧変化があっても透過率の変化は少ないため、ＳＦ２から次フレームのＳＦ１への移行時に、各画素での液晶の透過率の変化、つまり輝度の変化は少ない。 - 特許庁

The developer for electrostatic charge development comprises: a toner including at least toner particles and an external additive having a number average particle diameter of 100-800 nm; a carrier having a shape factor SF2 of 100-120; and particles including a higher alcohol.例文帳に追加

トナー粒子、及び数平均粒径が１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の外添剤を少なくとも含むトナーと、形状係数ＳＦ２が１００以上１２０以下のキャリアと、高級アルコールを含んで構成される粒子と、を有する静電荷現像用現像剤。 - 特許庁

The developer for electrostatic charge development comprises: a toner including at least toner particles and an external additive having a number average particle diameter of 100-800 nm; a carrier having a shape factor SF2 of 100-120; and particles including a higher fatty acid.例文帳に追加

トナー粒子、及び数平均粒径が１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の外添剤を少なくとも含むトナーと、形状係数ＳＦ２が１００以上１２０以下のキャリアと、高級脂肪酸を含んで構成される粒子と、を有する静電荷現像用現像剤。 - 特許庁

Non-magnetic one-component fine particle size polymerized toner substantially spherical such that a shape factor SF1 is 100 to 140, desirably, 100 to 120, a shape factor SF2 is 100 to 120, weight average particle size is 5 to 11 μm, desirably, 5 to 7 μm is used in this device.例文帳に追加

形状係数ＳＦ１が１００〜１４０、好ましくは１００〜１２０であり、形状係数ＳＦ２が１００〜１２０であり、重量平均粒径が５〜１１μｍ、好ましくは５〜７μｍの実質的球形である非磁性一成分微粒径重合トナーを用いる。 - 特許庁

The voltage change rate of the ramp waveform La2 is regulated so that the light emission luminance level of the discharge cell 14 in the sustaining period of the first sub-field SF1 is made into l/4 of the light emission luminance level of the discharge cell 14 in the sustaining period of the second sub-field SF2.例文帳に追加

第１のサブフィールドＳＦ１の維持期間における放電セル１４の発光輝度レベルが第２のサブフィールドＳＦ２の維持期間における放電セル１４の発光輝度レベルの４分の１になるように、ランプ波形Ｌａ２の電圧変化率が調整される。 - 特許庁