「Second source」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目) - Weblio英語例文検索

The FET includes a gate electrode, a gate insulating layer, the semiconductor layer containing carbon nanotubes attached with conjugated polymer on at least a part of the surface thereof, a second insulating layer formed on the semiconductor layer at the side opposite to the gate insulating layer, a source electrode, and a drain electrode.例文帳に追加

ゲート電極、ゲート絶縁層、表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブを含有する半導体層、該半導体層に対して前記ゲート絶縁層と反対側に形成された第２絶縁層、ソース電極およびドレイン電極を有する電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

The drive unit for hybrid vehicle is equipped with a driving mechanism mounted favorably in a hybrid vehicle having an internal-combustion engine and motor generator as a drive source and performing a reduction of the output rotating speed from the second motor generator and a speed change of the power transmitted to the output shaft.例文帳に追加

ハイブリッド車両の駆動装置は、内燃機関及びモータジェネレータを駆動源として有するハイブリッド車両などに好適に搭載され、第２のモータジェネレータからの出力回転数の減速を行うと共に、出力軸に対して伝達する動力の変速を行う駆動機構を備える。 - 特許庁

When the optical bridge 101 is situated above the level of the toner 8, the light incident from a light source and transmitted from the first light tube is transmitted to the optical bridge 101 through the clearance without substantially damping, and then connected to the second light tube 102b.例文帳に追加

光ブリッジ１０１がトナー８のレベルよりも上に位置する場合は、光源１０３から入射されて第１の光管から伝えられる光は空隙を通して実質的に減衰することなく光ブリッジ１０１に伝えられ、次いで第２の光管１０２ｂに結合する。 - 特許庁

However, the detection of the matter that the wire severance is generated on the second power source feeding line 18 is forbidden until the ON number of an ignition switch 20 after that exceeds the predetermined number after predetermined inspection prior to removal of the fuse 22 is performed at an inspection step in the vehicle factory.例文帳に追加

但し、車両工場での検査工程においてヒューズ２２が抜き取られる前の所定検査が行われてから、その後のイグニションスイッチ２０のオン回数が所定回数を超えるまでは、第２の電源供給ライン１８に断線が生じている旨の検出を禁止する。 - 特許庁

The plasma source comprises a ferrite structure which concentrates a field formed radially from a roof type linear antenna in which one sides of a first antenna and a second antenna formed at the inner upper part in a reaction chamber are connected on a treating substrate direction which is arranged in the reaction chamber.例文帳に追加

本発明によるプラズマソースは、反応チャンバの内側上部に形成された第１アンテナ及び第２アンテナの一側を連結したルーフ型線形アンテナから放射状に形成されたフィールドを前記反応チャンバ内部に配設された処理基板方向に集中させるフェライト構造体を含む。 - 特許庁

The optical lens element assembly to be built between a light source 13 and an optical fiber 15 includes the optical lens element 11a, the second optical lens element 11b optically coupled thereto and resin members 17a, 17b and 17c which have translucency and pack spacing therebetween.例文帳に追加

光源１３と光ファイバ１５との間に組み込まれる光学レンズ素子組立体であって、光学レンズ素子１１ａとこれに光学的に結合される第２の光学素子１１ｂとこれらの間を充填する透光性を有する樹脂部材１７ａ，１７ｂ，１７ｃを含む。 - 特許庁

The first thin film transistor has a gate electrically connected to an output node of a preceding contiguous circuit stage, and a drain electrically connected to a booster point of the circuit stage, and a source arranged to receive one of a first control signal and a second control signal.例文帳に追加

第１薄膜トランジスタは、隣接する前の回路段の出力端に電気的に接続されたゲートと、回路段の昇圧点に電気的に接続されたドレインと、第１制御信号と第２制御信号のうちの一方を受け取るように配置されたソースとを有する。 - 特許庁

Under this condition, while the current is supplied from AC power source 60, the current i1 flows from the first roller electrode 20 to the second roller electrode 22, and the branched current i2 flows from the first roller electrode 20 through the inside of the thinnest workpiece 32 to the current branching roller electrode 24.例文帳に追加

この状態で、交流電源６０から電流が供給され、第１ローラ電極２０から第２ローラ電極２２に向かう電流ｉ１と、第１ローラ電極２０から最薄ワーク３２内を通過して電流分岐用ローラ電極２４に向かう分岐電流ｉ２とが流れる。 - 特許庁

Further, in areas on both sides of the control layer 106 on the second semiconductor layer 105, a source electrode 108 and a drain electrode 109 made of Ti and Al are formed, respectively, and a gate electrode 110 made of Ni is formed on the contact layer 107.例文帳に追加

また、第２の半導体層１０５の上におけるコントロール層１０６の両測方の領域には、それぞれＴｉ及びＡｌからなるソース電極１０８並びにドレイン電極１０９が形成され、コンタクト層１０７の上にはＮｉからなるゲート電極１１０が形成されている。 - 特許庁

In this organic active element, an organic semiconductor layer 6 is formed between independently formed first and second electrode layers (source and drain electrodes) 4 and 5, and the semiconductor layer 6 and a third electrode layer (gate electrode) 2 hold an organic electrical insulating layer 3 between them.例文帳に追加

独立して形成される第一の電極層（ソース電極）４と第二の電極層（ドレイン電極）５との間に有機半導体層６が形成され、そして、前記有機半導体層６及び第三の電極層（ゲート電極）２が有機電気絶縁層３を狭持してなるものとなっている。 - 特許庁

In addition, on the semiconductor substrate 1 between the source region 2 and semiconductor region 4 and between the drain region 3 and semiconductor region 4, first and second floating gates 6a and 6b are mutually separated, and respectively formed through a first gate insulating film 5.例文帳に追加

そして、このソース領域２と半導体領域４との間、及びドレイン領域３と半導体領域４との間の半導体基板１上には、第１及び第２の浮遊ゲート６ａ、６ｂが互いに隔てられ、かつ第１のゲート絶縁膜５を介してそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The pressurized water feeder comprises at least first and second changeover valves for selectively feeding the pressurized water from a pressurized water-feeding source to either one of three or more terminal flow outlets including a plurality of weft-inserting nozzles and a driving apparatus for driving the changeover valve.例文帳に追加

圧力水供給装置は、圧力水供給源からの圧力水を、複数の緯入ノズルを含む３以上の端末流出口のいずれか１つに選択的に供給するための少なくとも第１及び第２の切替弁と、該切替弁を駆動させる駆動装置とを含む。 - 特許庁

The frequency domain signals from the first and second sound source separating means are subtracted from frequency domain signals of input audio of two systems, and frequency domain signals of the subtraction results are converted into time-series signals as third and fourth output audio signals.例文帳に追加

第１および第２の音源分離手段からの周波数領域信号を、２系統の入力音声の周波数領域信号から減算し、その減算結果の周波数領域信号を時系列信号に変換して、第３および第４の出力音声信号とする。 - 特許庁

Then, a thin-film semiconductor layer 11 continuously covering up to the first gate insulation film 7-1 from the source-drain electrodes 9 via the second gate insulation film 7-2 in contact with the electrodes 9 is formed, thereby manufacturing the thin-film semiconductor device 1.例文帳に追加

次に、ソース／ドレイン電極９に接する状態で、ソース／ドレイン電極９上から第２ゲート絶縁膜７-2を介して第１ゲート絶縁膜７-1上に掛けてを連続的に覆う薄膜半導体層１１を形成することを特徴とする薄膜半導体装置１の製造方法。 - 特許庁

A writing is suspended when the surrounding temperature goes out of the predetermined range of temperature tolerance within that one second (S14) or there is some possibility of source voltage not being supplied steadily (S16), but writing is run when the condition like the surrounding temperature etc., is improved thereafter.例文帳に追加

周囲温度がその１秒の間に許容温度範囲から外れた場合（Ｓ１４）や、電源電圧が安定に供給されない可能性のある場合には（Ｓ１６）、その書込を保留し（Ｓ２０，Ｓ２２）、その後、周囲温度等の条件が好転したときに書込を実行する。 - 特許庁

To provide an image forming device capable of shortening a transit period of time (starting time) from the first state (standby state) to the second state (state for starting image formation), and saving the energy consumption, regardless of electric power capacity restriction of the power source line.例文帳に追加

電源ラインの電力容量の制限に依らず、第一状態（スタンバイ状態）から第二状態（画像形成を開始できる状態）とするまでの移行期間（立上げ時間）を短縮させることが可能であり、かつ省エネルギー化が可能な画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

In the method of manufacturing a thin film transistor, a thin film having a three-layer (first metal layer 38/ITO layer 40/second metal layer 42) structure is used simultaneously as a source electrode, a drain electrode and a pixel electrode to thereby omit the via forming step and the patterning for forming the pixel electrodes.例文帳に追加

薄膜トランジスターの製造方法において、３層（第１金属層３８/ＩＴＯ層４０/第２金属層４２）構造の薄膜を、ソース電極とドレイン電極、および画素電極として同時に使用することにより、ビアホール形成工程と、画素電極形成のためのパターンニングを省略する。 - 特許庁

A projection lens according to the present invention includes, in order from a projection surface side towards a light source side, a first lens group having a negative refractive power, a second lens group having a positive refractive power, and a third lens group having a positive refractive power.例文帳に追加

本発明のプロジェクションレンズは、投影面側から光源側に向かって順番に配列される負の屈折力を有する第一レンズ群、正の屈折力を有する第二レンズ群及び正の屈折力を有する第三レンズ群を備え、以下の条件式を満足する。 - 特許庁

The control part 12 controls lighting of the light source based on the first control data D1 associated with the temperatures detected by the temperature sensor 13, the second control data D2 associated with the accumulated lighting hours timed by the timing part 14, and the third control data D3.例文帳に追加

制御部１２は、温度センサ１３により検知された温度に関連付けられた第１制御データＤ１と、計時部１４により計時された累積点灯時間に関連付けられた第２制御データＤ２と、第３の制御データＤ３とに基づいて光源１０を点灯制御する。 - 特許庁

A first LC serial circuit composed of a bonding wire L8 for grounding and a capacitor C8 for grounding and a second LC serial circuit composed of a bonding wire L9 for grounding and a capacitor C9 for grounding are parallel connected to the source electrode of a high frequency transistor Q1.例文帳に追加

高周波トランジスタＱ１のソース電極には、接地用ボンディング・ワイヤＬ８及び接地用キャパシタＣ８とからなる第１のＬＣ直列回路及び接地用ボンディング・ワイヤＬ９及び接地用キャパシタＣ９とからなる第２のＬＣ直列回路とが並列接続されている。 - 特許庁

The first radiation source 244 and the first detector 242 are arranged adjacently to a first wall 508 between the two opposite walls 506, 508, and the surface 194 for reflecting the radiation is arranged adjacently to a second wall 506 between the two opposite walls 506, 508.例文帳に追加

前記第１の放射源２４４と第１の検出器２４２とは、前記２つの対向する壁５０６，５０８の第１の壁５０８に隣接して配置され、前記放射を反射する表面１９４は、前記２つの対向する壁５０６，５０８の第２の壁５０６に隣接して配置される。 - 特許庁

The rubber member consists of a first rubber layer 11 consisting of polyurethane with specified blend and a second rubber layer 12 consisting of a rubber member having different blend from that of the first rubber layer and laminated by a liquid source material applied on the first rubber layer 11 hardening by heating.例文帳に追加

所定配合のポリウレタンからなる第１のゴム層１１と、この第１のゴム層とは異なる配合のゴム部材からなると共に前記第１のゴム層１１上に塗布された液状の原料を加熱硬化することにより積層される第２のゴム層１２とで構成する。 - 特許庁

Then, an ultraviolet light source 2 lights on to oxidize the organic compound in the sample liquid, and generated carbon dioxide is absorbed into the absorbent liquid via the gas permeable tube 3 to measure the second conductivity x_2 when the conductivity of the absorbent liquid reaches an equilibrium condition.例文帳に追加

その後、紫外光源２を点灯し、試料液中の有機化合物を酸化し、発生した二酸化炭素をガス透過性チューブ３を介して吸収液に吸収させ、吸収液の導電率が平衡状態に達した際の第２導電率ｘ_２を測定する。 - 特許庁

A composite reflection mirror provided with a first reflection mirror 1a having an ellipsoid and a second reflection mirror 1b which is deposed in a light-going-direction side of the first reflection mirror and has a spherical surface is used as a reflection mirror for use in a light source 2 which radiates white light.例文帳に追加

白色光を放射する光源２に用いられる反射鏡として、楕円面を有する第１の反射鏡１ａと、該第１の反射鏡の光進行方向側に配置された球面を有する第２の反射鏡１ｂとを備えた複合反射鏡とした。 - 特許庁

When the biosensor is inserted into a supporting part of a measuring device, a voltage is applied to a first electrode set on the upstream side near the sample supply port and a second electrode set on the exhaust port side among a plurality of electrodes by a drive power source.例文帳に追加

バイオセンサが測定装置の支持部に挿入された場合、バイオセンサの複数の電極のうち、試料供給路口に近い上流側に位置する第１の電極の組と、排気口側に位置する第２の電極の組とに対して駆動電源によって電圧を印加する。 - 特許庁

A first conductive layer having a gate electrode 103, a wiring layer 104, and a PAD section 105 is formed on a semiconductor substrate 101, and a second conductive layer which becomes the source, drain, and channel sections of a TFT is formed on the first conductive layer via a silicon oxide film 106.例文帳に追加

半導体基板１０１の上方にゲート電極１０３、配線層１０４、ＰＡＤ部１０５を有する第一導電層を形成し、第一導電層上にシリコン酸化膜１０６を介して、ＴＦＴのソース・ドレイン・チャンネル部分となる第二導電層を形成する。 - 特許庁

An electrostatic latent image measurement apparatus comprises an electron gun 11, a light source 100, an acousto-optic deflection element 103, a polygon mirror 105, a second electron detector 24 and correction means which corrects the effect of changed drive frequency of the acousto-optic deflection element 103 on diffraction.例文帳に追加

電子銃１１と、光源１００と、音響光学偏向素子１０３と、ポリゴンミラー１０５と、２次電子検出器２４と、音響光学偏向素子１０３の駆動周波数の変化が回折に与える影響を補正する補正手段と、を備えた静電潜像計測装置。 - 特許庁

A time constant circuit TIM receives a first reference voltage which a reference voltage source VRF outputs, and outputs a second reference voltage which increases, as time progresses during starting, and becomes a certain stable voltage value after the lapse of a predetermined time from the start.例文帳に追加

時定数回路ＴＩＭは、基準電圧源ＶＲＦが出力する第１の基準電圧を受電し、起動時において時間の経過と共に上昇し、起動から所定時間経過後には安定した一定の電圧値になる第２の基準電圧を出力するものとする。 - 特許庁

The booster circuit 11 incorporated in the power source circuit 10 of the liquid crystal drive device switches capacitors C1-Ck in serial or parallel, and outputs a first voltage VLCD1 obtained by boosting a low voltage VDD by n-times and a second voltage VLCD2 taken out from the middle tap of the capacitors.例文帳に追加

液晶駆動装置の電源回路１０に内蔵される昇圧回路１１は、キャパシタＣ１〜Ｃｋを直並列に切り替えて、低電圧ＶＤＤをｎ倍に昇圧した第１の電圧ＶＬＣＤ１と、キャパシタの中間タップから取り出される第２の電圧ＶＬＣＤ２とを出力する。 - 特許庁

Since light emitted from a light source 30 is reflected by a light transmissive member 6 and made incident in a second base material 9a, it is not needed that emission light is made incident in a side end surface of a light guide plate to form a surface light emitting body like a front light.例文帳に追加

光源３０から射出された光が透光性部材６により反射され、他方の基板である第２の基材９ａに入射させられることとしたので、フロントライトのように射出光を導光板の側端面に入射させて面状発光体を形成させる必要がない。 - 特許庁

The first control equipment (PC1) creates a first transmission packet including a transmission message, a transmission source IP address (its own IP address) and a transmission destination IP address (IP address of first gateway (Ga2)) and transmits the first transmission packet from the first gateway (Ga2) to a second gateway (Gb1).例文帳に追加

第１の制御機器（ＰＣ１）は、送信メッセージと発信元ＩＰアドレス（自身のＩＰアドレス）と発信先ＩＰアドレス（第１のゲートウェイ（Ｇａ２）のＩＰアドレス）とを含む第１の送信パケットを作成して第１のゲートウェイ（Ｇａ２）から第２のゲートウェイ（Ｇｂ１）に送信させる。 - 特許庁

Light emitted from a light source 18 and entering a transparent substrate 15 provided with at least one or more optical parts 8-14 is propagated through the optical parts 8-14, and it is condensed on an optical information recording medium D as a light spot via an objective lens 7 and a second lens 6.例文帳に追加

光源１８から出射されて少なくとも１以上の光学部品８〜１４が設けられた透明基板１５に入射した光を光学部品８〜１４を介して伝搬し、対物レンズ７及び第２のレンズ６を経て光情報記録媒体Ｄ上に光スポットとして集光する。 - 特許庁

When a negative potential is applied to the drain of the FET1 and the collector of the transistor Q2 and a positive potential is applied to the source of the FET1, the second current path is conducted and the first current path is interrupted to drive the gate of the FET1 which is thereby conducted thus conducting the rectification current path.例文帳に追加

ＦＥＴ１のドレインとトランジスタＱ２のコレクタに負電位が印加され、ＦＥＴ１のソースに正電位が印加されるとき、第２の電流路が導通されることにより、第１の電流路は遮断され、ＦＥＴ１のゲートを駆動し、ＦＥＴ１を導通させ整流電流路を導通する。 - 特許庁

When a power detecting circuit 22 detects that the terminals 6 and 8 and the power source for charging are connected with each other, the first charging/discharging control circuit 25 turns on a transistor Q1, and the second charging/discharging control circuit 26 turns on transistors Q2 and Q3 so as to start charging of a battery 10.例文帳に追加

電源検出回路２２が、端子６、８が充電用電源とが接続されたことを検出すると、第１充放電制御回路２５はトランジスタＱ１をオンにし、第２充放電制御回路２６がトランジスタＱ２、Ｑ３をオンにし、バッテリ１０の充電を開始させる。 - 特許庁

At least one of the two shafts is provided with a first oil path having one end communicating with a hydraulic pressure source by fluid connection and the other end opened in the recess, and a second oil path having one end communicating with the first oil path and the other end opened in a communication passage to both the friction plates.例文帳に追加

前記両軸の少なくとも一方には、一端部が油圧源に流体接続され且つ他端部が前記凹部内において開口された第１油路と、一端部が該第１油路に連通され且つ他端部が前記両摩擦板への連通路に開口する第２油路とが設けられる。 - 特許庁

When a positive potential is applied to the drain of the FET1 and the collector of the transistor Q2 and a negative potential is applied to the source of the FET1, the second current path is interrupted and the first current path is conducted to drive the gate of the FET1 which is thereby interrupted thus interrupting the rectification current path.例文帳に追加

ＦＥＴ１のドレインとトランジスタＱ２のコレクタに正電位が印加され、ＦＥＴ１のソースに負電位が印加されるとき、第２の電流路が遮断されることにより、第１の電流路は導通され、ＦＥＴ１のゲートを駆動し、ＦＥＴ１を遮断させ整流電流路を遮断する。 - 特許庁

A first isolation region 14 and a second isolation region 8 are formed inside the top surface of a P substrate 13, a source 5c, a channel 15, and a drain 5b are formed inside the first isolation region 14, and a gate 5a is arranged on the channel region 15 for formation of an NMOSFET 5.例文帳に追加

Ｐ基板１３の上面内部に第１分離領域１４及び第２分離領域８を形成し、第１分離領域１４内にソース５ｃ、チャネル１５及びドレイン５ｂを形成してその上部にゲート５ａを配置することによりＮＭＯＳＦＥＴ５を形成する。 - 特許庁

In a secondary transfer bias power source 39 outputting a superposition bias superposed with an offset voltage Voff to an AC component having a peak-to-peak voltage Vpp as a secondary transfer bias, a bias having the relation of 1/6×Vpp>|Voff| is output as the second transfer bias.例文帳に追加

２次転写バイアスとして、ピークツウピーク電圧Ｖｐｐを具備する交流成分に、オフセット電圧Ｖｏｆｆを重畳した重畳バイアスを出力する２次転写バイアス電源３９において、２次転写バイアスとして、「１／６×Ｖｐｐ＞｜Ｖｏｆｆ｜」という関係を具備するものを出力させるようにした。 - 特許庁

The source region 32 of the third semiconductor element 3 is connected to a p+ region 24 through a wiring 50 and connected to the body region (p-form region) 20 of the second semiconductor element 2, while the gate region 33 of the third semiconductor element 3 is connected to the terminal 45 of pulse Vpulse.例文帳に追加

さらに、第３の半導体素子３のソース領域３２が、配線５０を通じてｐ^＋ 領域２４に接続されて、第２の半導体素子２のボディ領域（ｐ形領域）２０に接続され、第３の半導体素子３のゲート領域３３が、パルスＶｐｕｌｓｅ の端子４５ に接続される。 - 特許庁

A receiving front end of the second communication unit generates a received signal sample group of the signal from the communication unit of the communication source, and a multi input multi output (MIMO) receiving processor receives multiple input and multiple output, that is, MIMO of the signal.例文帳に追加

第２の通信ユニットの受信フロントエンドは、通信源の通信ユニットからの信号の受信信号サンプル群を生成し、ＭＩＭＯ受信プロセッサが、このサンプル群と第１の通信ユニットからの量子化された信号サンプル群とを用いて、信号の多入力多出力つまりＭＩＭＯの受信を行う。 - 特許庁

Nodal lines β1, β2 between the flat reflecting surfaces 24A and 24B of the reflector 17 and a non-flat reflecting surface 25 are arranged between a first position and a second position in relation to an imaginary plane γ parallel to a light incident surface 15c containing a central axis line α of the light source 16.例文帳に追加

反射材１７の平坦反射面２４Ａ，２４Ｂと非平坦反射面２５の交線β１，β２は、光源１６の中心軸線αを含む光入射面１５ｃに平行な仮想平面γに対して第１の位置と第２の位置の間に配置されている。 - 特許庁

A controller (45) for performing the operation control of the refrigeration device is equipped with a first setting part (46b) for setting an upper limit value of an operation capacity in a compressor (21) for a heat source to be a first limit value during heating operation and setting it to a second limit value smaller than the first limit value during cooling operation.例文帳に追加

冷凍装置の運転制御を行うコントローラ（45）に、熱源用圧縮機（21）における運転容量の上限値を、暖房運転時には第１制限値に設定し、冷房運転時には第１制限値よりも小さい第２制限値に設定する第１設定部（46b）を設ける。 - 特許庁

An n-channel FET 3 comprises: the high-concentration n-type semiconductor layers 22 forming source/drain; the high-concentration p-type semiconductor layer 33 forming a gate; a low-concentration n-type semiconductor layer 21 under the high-concentration p-type semiconductor layer 33; the first electrode layer 41; and the second electrode layers 42.例文帳に追加

ｎチャネルＦＥＴ３は、ソース／ドレインを形成する高濃度ｎ型半導体層２２と、ゲートを形成する高濃度ｐ型半導体層３３と、その下方に形成された低濃度ｎ型半導体層２１と、第１電極層４２と、第２電極層４２とを備える。 - 特許庁

Conductive paste can be cured by locally heating it by a heat light source like laser beam, therefore, the paste can be adhered to first-fourth positive electrode parts A1-A4 and first-fourth negative electrode parts B1-B4 without having affect on polarization performance of the first and second piezoelectric elements 13, 15.例文帳に追加

導電性ペーストはレーザ等の熱光源にて局所的に加熱することで、硬化できるので、第１及び第２ピエゾ素子１３，１５の分極性能に影響を及ぼすことなく第１〜第４正電極部Ａ１〜Ａ４及び第１〜第４負電極部Ｂ１〜Ｂ４に接着することができる。 - 特許庁

This reciprocating device is provided with a fixed beam 1, a first moving beam 2 reciprocatably assembled to the fixed beam 1, a second moving beam 4 reciprocatably assembled to the first moving beam 2, and a drive source comprising a linear servo motor reciprocating the first moving beam 2.例文帳に追加

固定ビーム１と、この固定ビーム１に進退移動を自在に組み付けられた第１可動ビーム２と、この第１可動ビーム２に進退移動を自在に組み付けられた第２可動ビーム４と、第１可動ビーム２を進退移動させるリニアサーボモータによってなる駆動源とを備えている。 - 特許庁