「Second source」に関連した英語例文の一覧と使い方(112ページ目) - Weblio英語例文検索

A sound source separation unit 20 extracts a desired sound frequency FA at which the desired sound is superior and an undesired sound frequency FB at which the undesired sound is superior among K frequencies for each frame from a sound signal S1 generated by the first sound collector 71 and a sound signal S2 generated by the second sound collector 72.例文帳に追加

音源分離部２０は、第１収音器７１が生成した音信号Ｓ1と第２収音器７２が生成した音信号Ｓ2とから、Ｋ個の周波数のうち目的音が優勢な目的音周波数ＦAと非目的音が優勢な非目的音周波数ＦBとフレーム毎に抽出する。 - 特許庁

In this vehicular lamp, a light guide member 5 is arranged between an outer lens 3 and reflecting surfaces 12 in a lamp chamber 8, a semiconductor type light source 6 is arranged on one side of the light guide member 5, and multiple first emitting parts 16 and second emitting parts 17 are respectively formed on the light guide member 5.例文帳に追加

この発明は、灯室８内のアウターレンズ３と反射面１２との間に導光部材５を配置し、その導光部材５の一側に半導体型光源６を配置し、その導光部材５に多数個の第１出射部１６および第２出射部１７をそれぞれ設けている。 - 特許庁

The specification part 13b specifies a component with the second multiplication value larger than the first multiplication value, among the components, and also specifies a supply source corresponding to the specified component as a request destination, with reference to a third storage part for storing supply sources that individually supply each of the components.例文帳に追加

特定部１３ｂは、複数の部品のうち、第一の乗算値よりも第二の乗算値が大きい部品を特定するとともに、複数の部品各々を供給する供給元を記憶する第三の記憶部を参照し、特定した部品に対応する供給元を要求先として特定する。 - 特許庁

The optical pickup 39 forms a recording mark RM formed with hologram by radiating an optical beam emitted from a laser diode 51 which is one light source, to the same target mark position from a first surface 200A side and a second surface 200B side of an optical disk 200.例文帳に追加

本発明の光ピックアップ３９は、一の光源であるレーザダイオード５１から出射された光ビームを光ディスク２００の第１面２００Ａ及び第２面２００Ｂ側から同一の目標マーク位置に照射することにより、ホログラムでなる記録マークＲＭを形成する。 - 特許庁

The single mode optical fiber 20 inputs seed light outputted from a seed light output end 11 of the fiber laser light source 10 to a first end 21 to guide the light, and outputs the SC light expanded in band by a nonlinear optical phenomenon occurring when guiding the seed light, from a second end 22.例文帳に追加

シングルモード光ファイバ２０は、ファイバレーザ光源１０の種光出力端１１から出力された種光を第１端２１に入力して導光し、その種光の導光の際に発現する非線形光学現象により帯域を拡大されたＳＣ光を第２端２２から出力する。 - 特許庁

When a detection value of the vibrations input from the vibration sensor 24 exceeds a prescribed threshold during a series of imaging operations performed while translationally moving the second lattice 22, a system control part 18 stops the operations of an X-ray source 11 and the imaging part 12 thereafter.例文帳に追加

システム制御部１８は、第２の格子２２を並進移動させながら行う一連の撮影動作中に、振動センサ２４から入力された振動の検出値が所定の閾値を超えた場合には、これ以降のＸ線源１１及び撮影部１２の動作を停止させる。 - 特許庁

In an orthogonal polarizing laser device 20, a single semiconductor laser 21 is made as an exciting light source, and the emitted light is dispersed into two straight polarized beams having orthogonal polarized planes by a polarized beam splitter 23A and are made incident on first and second solid-state laser mediums 26 and 27.例文帳に追加

直交偏光レーザ装置２０は、単一の半導体レーザ２１を励起光源として、この出射光を偏光ビームスプリッタ２３Ａによって、互いに直交する偏波面を有する２つの直線偏光に分光し、第１及び第２の固体レーザ媒質２６，２７に入射する。 - 特許庁

The OFDM signal receiver 100 includes an arithmetic means process processing part 1 for executing an arithmetic means process between a first symbol range in a guard interval signal and a second symbol range being a duplicate source of a first symbol range in an effective symbol signal.例文帳に追加

本発明に係るＯＦＤＭ信号受信装置１００は、ガードインターバル信号における第一のシンボル範囲と、有効シンボル信号における第一のシンボル範囲の複製元である第二のシンボル範囲との加算平均処理を実施する、加算平均処理処理部１を、備えている。 - 特許庁

The fuel injection valve is provided with a fuel flow in passage 30 communicating to a fuel supply source and the control chamber, and an opening control means which can control opening of an opening of the fuel flow in passage according to a relative position of the first needle valve and the second needle valve.例文帳に追加

燃料噴射弁は、燃料供給源及び上記制御室に連通する燃料流入通路３０と、第一ニードル弁と第二ニードル弁との相対位置に応じて該燃料流入通路の開口の開度を制御可能な開度制御手段とを更に具備する。 - 特許庁

A source electrode 32 and a drain electrode 31 of a power MOS transistor in a first region 11 of a stacked wiring 20 are each formed as a single electrode without using a plurality of minute via holes on wiring layers 23-25 upper than a second wiring layer 22 of the stacked wiring 20.例文帳に追加

積層配線２０のうち第１領域１１におけるパワーＭＯＳトランジスタのソース電極３２、ドレイン電極３１を積層配線２０の２層目の配線層２２より上層の配線層２３〜２５において、複数の微細なビアホールを用いずに１つの電極としてそれぞれ形成する。 - 特許庁

A negative electrode side terminal of the chopper control circuit 1 and a negative electrode side terminal of the oscillating and amplifying circuit 3 have electrical potentials different form each other, and a negative electrode side terminal of the second power source circuit 2 and the negative electrode side terminal of the oscillating and amplifying circuit 3 are set to a common electric potential common to each other.例文帳に追加

チョッパ制御回路１の負極側端子の電位と発振・増幅回路３の負極側端子の電位とを相異なる電位とし、第２の電源回路２の負極側端子と発振・増幅回路３の負極側端子とを共通電位にしてある。 - 特許庁

In the device 6 between game machines for a game unit, the first unit 30 where a controller 33 and a power source unit 32 for the device between game machines are placed is fixed on a holder 10 for the device between game machines and the second unit 50 where other parts are placed is detachably mounted on the holder 10.例文帳に追加

遊技台用台間機６では、台間機制御器３３と台間機電源ユニット３２が搭載された第１ユニット３０が台間機ホルダ１０に固定され、これ以外の部分が搭載された第２ユニット５０が着脱可能な状態で台間機ホルダ１０に取り付けられている。 - 特許庁

By circuit constitution like this, the node N1 of the first pumping part 220 becomes a source voltage level without a drop owing to the threshold voltage of the NMOS transistor, by using a voltage pumped by the second boosted voltage generating unit 300, when an oscillation signal is at a logical low level.例文帳に追加

このような回路構成によると、発振信号が論理低レベルのとき、第２昇圧電圧発生部３００によってポンピングされた電圧を利用して、第１ポンピング部２２０のノードＮ１は、ＮＭＯＳトランジスタのスレッショルド電圧による降下なしに電源電圧レベルになる。 - 特許庁

A trench for accommodating a gate electrode is constituted of a first trench of a cylindrical or oval cylindrical shape deeper than a depth of a diffusion layer, and a second trench portion which extends from the first trench portion, and protrudes to the side of a source-drain diffusion layer more than the first trench portion.例文帳に追加

ゲート電極を収容するトレンチを、拡散層の深さよりも深い円筒又は楕円筒形状の第１のトレンチ部分と、第１のトレンチ部分から延長し第１のトレンチ部分よりもソース・ドレイン拡散層側に突出する第２のトレンチ部分とから構成する。 - 特許庁

Between a first source line connected with the sources of first conductivity type MOSFETs constituting first and second CMOS inverter circuits constituting the static type memory cells and a first power line corresponding to it, a switch MOSFET which is turned off in a first operation mode and turned on in a second operation mode different from the first operation mode and diode-type first and second conductivity type MOSFETs are provided in parallel.例文帳に追加

上記メモリセルアレイは、複数のスタティック型メモリセルを構成する第１及び第２ＣＭＯＳインバータ回路を構成する第１導電型ＭＯＳＦＥＴのソースが接続された第１ソース線とそれに対応した第１電源線との間に、第１動作モードのときにはオフ状態にされ、上記第１動作モードとは異なる第２動作モードのときにはオン状態にされるスイッチＭＯＳＦＥＴと、ダイオード形態にされた第１導電型と第２導電型のＭＯＳＦＥＴを並列形態に設ける。 - 特許庁

The detection circuit contains a detection circuit having first and second electrodes, the first electrode is connected to the power source for heating it, the temperature controller can be connected to the detection circuit to allow the operation thereof for maintaining temperatures of the first electrode at a specified value, and the current controller can be connected to the detection circuit to allow operation thereof for maintaining currents of the second electrode at a specified level.例文帳に追加

検出回路は、第１および第２の電極を有する検知回路を含み、第１の電極は、それを加熱するための電源に接続されており、温度コントローラは、第１の電極の温度を所定の温度に維持するために検出回路に動作可能に接続することができ、電流コントローラは、第２の電極の電流を所定の大きさに維持するために検出回路に動作可能に接続することができる。 - 特許庁

The peak detection circuit comprises a first transistor, connected between a power supply potential and an output terminal, an amplifier for driving the first transistor, based on the difference between an input signal and an output signal, a second transistor connected to the first transistor, a third transistor current-mirror-connected to the second transistor, and a current source for setting a current value flowing in the third transistor.例文帳に追加

ピーク検波回路は、電源電位と出力端子の間に接続された第１のトランジスタと、入力信号と出力信号の差に基づいて、前記第１のトランジスタを駆動する増幅器と、前記第１のトランジスタに接続された第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタにカレントミラー接続された第３のトランジスタと、前記第３のトランジスタに流れる電流値を設定する電流源とを有する。 - 特許庁

A first reset signal RST1 is generated by such a manner that a first reset circuit 21 detects a VCC2V voltage to be supplied to a logic part, and a second reset signal RST2 is also generated by such a manner that a second reset circuit 22 detects a REGIN voltage being an output voltage of a rectifier circuit for rectifying a power supply voltage acquired from the external power supply source.例文帳に追加

第１リセット回路２１によって、ロジック部に供給されるＶＣＣ２Ｖを検出することによって第１リセット信号ＲＳＴ１が生成されるとともに、第２リセット回路２２によって、外部の電力供給源から取得した電源電圧を整流する整流回路の出力電圧であるＲＥＧＩＮ電圧を検出することによって第２リセット信号ＲＳＴ２が生成される。 - 特許庁

In the piezoelectric oscillator provided with a first thermostatic chamber storing a piezoelectric vibrator and an electronic oscillating component, a second thermostatic chamber for housing the first thermostatic chamber and a temperature control means for controlling temperatures of the thermostatic chamber for setting the temperature of the first thermostatic chamber lower than the temperature of the second thermostatic chamber, a heat source is arranged near the piezoelectric vibrator.例文帳に追加

圧電振動子と発振用電子部品とを収容した第１の恒温槽と、該第１の恒温槽を収容する第２の恒温槽と、各恒温槽の温度を制御する温度制御用手段と、を備え、前記第１の恒温槽の温度を前記第２の恒温槽の温度より低く設定する高安定圧電発振器において、前記圧電振動子近傍に熱源を配設したことを特徴とする高安定圧電発振器。 - 特許庁

A stapler driving method includes the first process in which first power is supplied toward a motor which is the driving source of the stapling operation, before a point of time of a specified operation spot included in a stapling operation, and after the point of time of the operation spot, second power lower than the first power is supplied toward the motor, and a second process for braking the motor after the time of the operation spot.例文帳に追加

ステープル動作に含まれた特定の動作箇所の時点より前の時点では、ステープル動作の駆動源であるモータに向けて、第１の電力を供給させ、その動作箇所の時点より後の時点では、そのモータに向けて、その第１の電力よりも低い第２の電力を供給させる第１過程と、上記動作箇所の時点の後に上記モータに対し制動を掛ける第２過程とを有する。 - 特許庁

The liquid crystal display device includes a light source, a first polarizer, a first transparent film, a liquid crystal cell having a pair of transparent substrates and a polymeric stabilized blue phase liquid crystal disposed therebetween, a second transparent film, and a second polarizer, disposed in this order, and is characterized in that one of the pair of transparent substrates is an array substrate and that no color filter layer is disposed on the other transparent substrate.例文帳に追加

光源、第１の偏光子、第１の透明フィルム、一対の透明基板とその間に配置される高分子安定化ブルー相液晶とを有する液晶セル、第２の透明フィルム、及び第２の偏光子がこの順に配置され、一対の透明基板のいずれか一方が、アレイ基板であり、且つ他方の透明基板にカラーフィルタ層が配置されていないことを特徴とする液晶表示装置である。 - 特許庁

In the organic TFT element having a first and a second transistor each including a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer connecting the electrodes to each other, cells which are formed of regions between electrodes of the first and second transistors and in a length direction of the electrodes and where organic semiconductor layers are disposed are all in the same shape and intervals between adjacent cells are all constant.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極並びに前記電極間を接続する有機半導体層を含む第１及び第２のトランジスタと、を有する有機ＴＦＴ素子において、第１及び第２のトランジスタの電極間及び電極の長手方向の領域とで形成され有機半導体層が配置されるセルは全て同一形状でありかつ隣り合うセルの間隔は全て一定であることで解決できる。 - 特許庁

The pyroelectric sensor unit comprises: a pyroelectric sensor for outputting a first level signal corresponding to detection and a second level signal corresponding to non-detection; and a control part for determining that a signal from the pyroelectric sensor is normal after a time continuously outputting the second level signal reaches a first time from the pyroelectric sensor after a power source is charged.例文帳に追加

検知に対応する第１のレベルの信号と、非検知に対応する第２のレベルの信号と、を出力可能な焦電センサと、電源が投入された後に前記焦電センサから前記第２のレベルの信号が連続して出力される時間が第１の時間に達したら、前記焦電センサからの信号を正常であると判断する制御部と、を備えたことを特徴とする焦電センサユニットを提供する。 - 特許庁

First and second photodiodes are disposed on the imaging element, where the first photodiode photographs a subject and the second photodiode detects a variation in light emitting intensity of the light source.例文帳に追加

撮像素子上に被写体の撮影を行うための第１のフォトダイオードと、光源の発光強度の変動を検出するための第２のフォトダイオードを配し、該第１のフォトダイオードと該第２のフォトダイオードの露光時間を個別に設定することで、該第１のフォトダイオードでは適正露光時間の設定を保ちつつ該第２のフォトダイオードの露光時間を光源の発光強度の変動周期を検出するときに適した値に設定することが可能となる。 - 特許庁

The inverter controller includes a rectifier circuit for converting a first AC power input from an AC power source 1 into a DC power, which includes a diode bridge 6 and a small-capacity reactor 9 connected to the AC input side or a DC input side of the diode bridge 6, and an inverter 10 for converting the DC power from the rectifier circuit into a second AC power to output the second AC power to the motor.例文帳に追加

ダイオードブリッジ６、及びダイオードブリッジ６の交流入力側又は直流出力側に接続される小容量のリアクトル９を含むと共に、交流電源１から入力された第１交流電力を直流電力に変換する整流回路と、整流回路からの直流電力を第２交流電力に変換して、第２交流電力をモータに出力するインバータ１０とを備える。 - 特許庁

In the phototherapy apparatus 1, a light source is constituted by a xenon flash tube 3, and a spectral filter 7 allows the transmission of primarily fist wavelength components with a wavelength of 280 nm-approximately 400 nm and second wavelength components with a wavelength of more than approximately 740 nm, and substantially cutting off the wavelength components between the first wavelength components and the second wavelength components, at least approximately 400 nm-740 nm.例文帳に追加

光源がキセノンフラッシュランプ３からなり、分光フィルタ７が、主として、波長約２８０ｎｍ〜約４００ｎｍの第１波長成分と、波長約７４０ｎｍ以上の第２波長成分とを透過し、これらの第１波長成分と第２波長成分との間の少なくとも約４００ｎｍ〜約７４０ｎｍの波長成分を実質的に遮断する特性を有する、光線照射治療器１。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; a first conductive type region provided in an upper layer part of the semiconductor substrate; a second conductive type source region and a second conductive type drain region that are disposed apart from each other in an upper layer part of the first conductive region; a gate insulating film provided on the semiconductor substrate; and a gate electrode provided on the gate insulating film.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上層部分に設けられた第１導電形領域と、前記第１導電形領域の上層部分に相互に離隔して配置された第２導電形のソース領域及びドレイン領域と、前記半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備える。 - 特許庁

There is provided a multi-bit nonvolatile memory device comprising a channel region formed on a semiconductor substrate, a source or a drain forming a shottky contact with the channel region, a central gate electrode formed on a part of the channel region, first and second side wall gate electrodes formed in the channel region outside the central gated electrode, and first and second storage nodes formed between the channel region and the side wall gate electrode.例文帳に追加

半導体基板に形成されたチャンネル領域、チャンネル領域とショットキーコンタクトをなしているソース及びドレイン、チャンネル領域の一部分上に形成された中央ゲート電極、中央ゲート電極の外側のチャンネル領域に形成された第１及び第２側壁ゲート電極、及びチャンネル領域と側壁ゲート電極との間に形成された第１及び第２ストレージノードを備えるマルチビット不揮発性メモリ素子。 - 特許庁

The thin film transistor (TFT) is provided with a gate electrode, a gate insulating film 3, a first semiconductor film 4 which are successively formed on a transparent insulating substrate 1, a second semiconductor film 5 formed on the first semiconductor film 4 in a separated state of planes and containing high density impurity, and a source electrode 6a and a drain electrode 6b which are formed on the separated second semiconductor film 5.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタは、透明絶縁基板１上に順次形成されたゲート電極２、ゲート絶縁膜３および第１の半導体膜４と、第１の半導体膜４上に形成され、平面的に分離された高濃度不純物を含む第２の半導体膜５と、分離された第２の半導体膜５上にそれぞれ形成されたソース電極６ａおよびドレイン電極６ｂと、を備えている。 - 特許庁

A third noise removing circuit 10 is provided on a power line 1a connecting a phase synchronizing circuit 4 and the DC power source 1 and is equipped with a first filter 10a having its resonance frequency set equal to the oscillation frequency of a reference frequency oscillator 7 and a second filter 10b which has its resonance frequency set equal to the oscillation frequency of the second VCO 3.例文帳に追加

第３の雑音除去回路１０は、位相同期回路４と直流電源１とを接続する電源ライン１ａに設けられ、共振周波数が基準周波数発振器７の発振周波数と等しくなるように設定された第１のフィルタ１０ａと、共振周波数が第２のＶＣＯ３の発振周波数と等しくなるように設定された第２のフィルタ１０ｂとを備えている。 - 特許庁

This semiconductor Brgg grating contains an optical waveguide 12, a grating structure 10 formed in the optical waveguide 12, plural first electrodes 16 arranged on the optical waveguide 12, plural second electrodes 20 electrically connected to plural first electrodes 16 through the grating structure 10 and arranged on the optical waveguide 12 and plural wiring 32 connected between plural second electrodes 20 and a source 38.例文帳に追加

光導波路１２と、光導波路内に形成された格子構造１０と、光導波路に配置された複数の第１の電極１６と、格子構造を介して複数の前記第１の電極に電気的に結合された、前記光導波路に配置された複数の第２の電極２０と、複数の前記第２の電極と電源３８との間に結合された複数の導線３２とを含む。 - 特許庁

When transmitting an electromagnetic wave to the position indicator 210, by impressing AC voltage of a predetermined frequency by electromagnetic wave transmission circuits 28a and 29a on first and second closed loop circuits formed by successively selecting a plurality of gate wires G1 to Gn and source wires S1 to Sm, offset voltage is added to the AC voltage impressed on at least one of the first and second closed loop circuits.例文帳に追加

ゲート線Ｇ１〜Ｇｎ及びソース線Ｓ１〜Ｓｍを順次複数選択して形成した第１及び第２閉ループ回路に、電磁波送信回路２８ａ，２９ａによって所定の周波数の交流電圧を印加して位置指示器２１０に対し電磁波を送信する際に、第１及び第２閉ループ回路のうちの少なくとも一方に対して印加する交流電圧にオフセット電圧を加える。 - 特許庁

With this configuration, even if a portion of relatively low impurity concentration in the second region 4b of the n^+ type source region 4 remains slightly or disappears through a damage removing step, for enhanced oxidation at the portion of high impurity concentration in the second region 4b, a region which goes through enhanced oxidation decreases because oxidation takes time at the portion of relatively low impurity concentration.例文帳に追加

これにより、ダメージ除去工程を行ったときに、ｎ^+型ソース領域４の第２領域４ｂのうち比較的低不純物濃度とされる部分が若干残るか、もしくは、この部分が消失して第２領域４ｂのうちの高不純物濃度の部分が増速酸化されても、比較的低不純物濃度とされる部分の酸化に時間が掛かるため、増速酸化される領域が少なくなるようにできる。 - 特許庁

A portable electronic equipment includes a power supply unit 80 for supplying to a non-contact IC card circuit 59 either power from a first power supply line 66 for supplying power from a battery 22 of an internal power source to the non-contact IC card circuit 59, or power from a second power supply line 77 for supplying power from a charging device 76 of an external power source to the non-contact IC card circuit 59.例文帳に追加

内部電源であるバッテリ２２からの電力を非接触式ＩＣカード用の回路５９に供給可能な第１電力供給線６６からの電力と、外部電源である充電装置７６からの電力を非接触式ＩＣカード用の回路５９に供給可能な第２電力供給線７７からの電力と、のいずれかの電力を非接触式ＩＣカード用の回路５９に供給する電力供給部８０と、を有している。 - 特許庁

Each sound heat exchanging hole 12 includes a contraction chamber 13 that is provided on the noise source 5 side and that has a first hole width, and also an expansion chamber 14 that is provided on the opposite side from the noise source 5 and that has a second hole width wider than that of the first hole width.例文帳に追加

騒音源５の近傍に設けられ、騒音源５に対向して配置された騒音低減板１１と、騒音低減板１１に形成され、音響エネルギーを熱エネルギーに変換する複数の音熱変換孔１２とを備え、各音熱変換孔１２は、騒音源５側に設けられ、第１の孔幅を有する収縮室１３と、騒音源５側の反対側に設けられ、第１の孔幅より広い第２の孔幅を有する膨張室１４とを備える。 - 特許庁

Furthermore, this display has a light source, the above diffraction gratings formed parallel in the first direction for inputting the light from the light source; an optical means for selectively extracting the diffracted light formed in one of the first and second states of the diffraction gratings; and a projector for projecting the above diffracted light extracted by the above optical means on the screen.例文帳に追加

また、光源と、上記の複数の回折格子を前記第１の方向に併設され前記光源から放射された光が入射される回折格子と、前記回折格子の前記第１及び第２の状態のいずれかにおいて生じた回折光を選択的に取り出す光学手段と、前記光学手段により取り出された前記回折光をスクリーンに投影する投影手段と、を備えたことを特徴とする表示装置が提供される。 - 特許庁

The information retrieval method comprises a first step of accessing an information source comprising a plurality of selectable fields via the online or offline, a second step of selecting and extracting a specific field establishing a retrieval condition from the information source, and a third step of grouping and displaying the contents of the extracted specific field with respect to the time of the X axis and technical classification of the Y axis.例文帳に追加

本発明による情報検索方法は、オンラインまたはオフラインを介して、複数の選択可能なフィールドで構成された情報ソースに接近する１段階と；前記情報ソースで、検索条件を満足させる特定フィールドを選別抽出する２段階と；前記抽出された特定フィールドの内容を、Ｘ軸の時間とＹ軸の技術分類を基準にグルーピングして表示する３段階とを含んで構成されることを特徴としている。 - 特許庁

The position sensor includes a radiation source for irradiating a radiation beam, a first lattice for diffracting the radiation beam in a first diffraction direction so as to diffract to at least one primary irradiation beam, and a second lattice, disposed in a light path of the primary diffraction beam, for diffracting the primary diffraction beam diffracted by the first lattice in a second diffraction direction actually vertical to the first diffraction direction.例文帳に追加

位置センサは、放射ビームを照射するように構成された放射源と、放射ビームを第１の回折方向に少なくとも１つの１次放射ビームに回折するように構成された第１の格子と、１次回折ビームの光路内に配置され、第１の格子で回折された１次回折ビームを、第１の回折方向に実質的に垂直な第２の回折方向に回折するように構成された第２の格子とを含む。 - 特許庁

Ion implantation is carried out surrounding gate electrodes 305 to 307 of transistors formed in a pixel 2 to form n^+ regions 426 and 427 functioning as a source region and a drain region, thereafter a first insulating film 35 and a second insulating film 36 functioning as a block film are formed, and a sidewall of a gate electrode having the first insulating film 35 and the second insulating film 36 partly is formed by etch-back.例文帳に追加

画素２に形成されたトランジスタのゲート電極３０５〜３０７の周辺にイオン注入を行うことでソース領域及びドレイン領域として機能するｎ^＋領域４２６、４２７を形成し、その後に、ブロック膜として機能する第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６を成膜し、エッチバックによって第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６をその一部としたゲート電極のサイドウォールを形成する。 - 特許庁

The decorative display part includes: a first printed layer which can transmit light and to which a first decoration is applied by material having bright property; a second printing layer which is disposed on the light source side of the first printed layer formed of a translucent material which lowers the transmissivity of light; and a light transmission layer capable of transmitting the light and adapted to separate the first printed layer from the second printed layer.例文帳に追加

光を透過可能で、かつ光輝性を有する材料によって第１の装飾が施された第１の印刷層と、前記第１の印刷層の光源側に配置され、かつ前記光の透過性を低下させる半透明の材料からなる第２の印刷層と、前記光を透過可能で、かつ前記第１の印刷層と前記第２の印刷層とを離間させるための光透過層と、を有して構成されている装飾表示部を備えた。 - 特許庁

The power switch assembly for the capacitive load 10 which includes a common electrode 14 and first and second discrete electrodes 16, 18, includes a node n1 connected to a voltage source Vcc for receiving power therefrom, a first switching device connected between the node n1 and ground, a second switching device connected between the node n1 and ground, and a driving circuit connected between the node and ground.例文帳に追加

共通電極１４並びに第１及び第２の個別電極１６、１８を含む容量性負荷１０のためのパワースイッチアッセンブリは、電圧源Ｖｃｃに結合されて、そこから電力を受け取るためのノードｎ１と、このノードｎ１と接地点との間に接続された第１スイッチング装置と、ノードｎ１と接地点との間に接続された第２スイッチング装置と、ノードと接地点との間に接続された駆動回路とを備えている。 - 特許庁

This memory cell is composed of two MIS elements forming specific circuit in the memory cell circuit and a capacitor in which the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the former, further the either the source or drain of the first MIS element (QW11) is made function as the gate to the second MIS element (QR11) carrying a capacitor (CS11) thereby achieving a semiconductor random access memory device which is simplified. 例文帳に追加

特定のメモリセル回路を構成する２個のMIS素子と１個の情報蓄積用キャパシタとよりなるメモリセルを、第１のMIS素子（Qｗ11）と、この上に積み重ね形成され、かつ、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとした第２のMIS素子（QＲ11）と、第２のMIS素子（QＲ11）のゲート部分に寄生する容量（Cｓ11）とで構成しているので、複雑な素子構造をなくした半導体ランダムアクセスメモリ装置を達成できる。 - 特許庁

The slope compensation circuit comprises a first slope voltage formation means forming a linear slope voltage from a constant current source, a second slope voltage formation means forming a slope voltage having an inclination of quadratic curve by integrating the proportional current of a current flowing through a switching element, and outputs a slope voltage obtained by compounding the output voltages from the first and second slope voltage formation means.例文帳に追加

本発明のスロープ補償回路は、定電流源から線形なスロープ電圧を生成する第１スロープ電圧生成手段と、スイッチング素子に流れる電流の比例電流を積分して２次曲線の傾斜を有するスロープ電圧を生成する第２スロープ電圧生成手段と、を具備し、第１スロープ電圧生成手段と第２スロープ電圧生成手段の出力電圧を合成したスロープ電圧を出力するよう構成されている。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit comprises nonvolatile memory elements (PM1, PM2) which have first electrodes, first drain electrodes, floating gate electrodes and control gate electrodes and can have different threshold voltages, and read transistor elements DM1, DM2 which have second source electrodes and second drain electrodes, use the floating gate electrodes as gate electrodes and can have different mutual conductances, according to the threshold voltages of the nonvolatile memory elements.例文帳に追加

半導体集積回路は、第１ソース電極、第１ドレイン電極、フローティングゲート電極及びコントロールゲート電極を有し、異なる閾値電圧を持つ事が可能な不揮発性記憶素子（ＰＭ１，ＰＭ２）と、第２ソース電極及び第２ドレイン電極を有し前記フローティングゲート電極をゲート電極とし前記不揮発性記憶素子が持つ閾値電圧に応じて異なる相互コンダクタンスを持つ事が可能な読み出しトランジスタ素子（Ｄｍ１，ＤＭ２）とを有する。 - 特許庁

A rectifying power source 20 has at least one auxiliary diode 30 connected to a position for applying a voltage to a smoothing capacitor 40, a first switching element 61 and a second switching element 62 sequentially connected in series and alternately turned ON, OFF, a first fly-wheel diode 71 connected in antiparallel with the element 61 and a second fly-wheel diode 72 connected in antiparallel with the element 62.例文帳に追加

整流電源２０は、電圧を平滑用コンデンサ４０へ印加する位置に接続される少なくとも一つの補助ダイオード３０を備え、順直列に接続されかつ交互にオンオフするように制御される第一スイッチング素子６１および第二スイッチング素子６２を有し、第一スイッチング素子６１と逆並列に接続される第一フライホイールダイオード７１と、第二スイッチング素子６２と逆並列に接続される第二フライホイールダイオード７２を備える。 - 特許庁