Semを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 400件
The obtained silver powder is spherical silver powder whose particle size observed from images captured by SEM is 0.1-10 μm and also has fluorine present on the surface.例文帳に追加
得られた銀粉は、SEMで撮影した画像から観察される粒径が0.1〜10μmであり、かつ、表面に弗素が存在する球状銀粉である。 - 特許庁
An apparatus with a coaxial barrel of an FBI beam and an SEM includes a coaxial FIB and an electron beam allowing accurate processing by the FIB using an image formed by the electron beam.例文帳に追加
電子ビームにより形成された像を使用したFIBによる正確な処理を可能とする同軸の集束イオンビーム及び電子ビームを含むシステム。 - 特許庁
Desirably, the size of the submicron pinholes is 0.1 to 1 μm, and the number thereof is 30 pieces/(10 μm×10 μm) or more by observation with SEM.例文帳に追加
また、前記サブミクロンピンホールは、SEMによる観察で、径が0.1〜1μm、個数が30個/(10μm×10μm)以上であることが望ましい。 - 特許庁
To secure an enough deflection region W and improve the resolution of an SEM, as to a low-vacuum SEM carrying out differential exhaustion for keeping a pressure ratio of an electro-optic system 16 and a sample room 17 at a given value, fulfilling a probe current of the given value or more, and observing raw food or a sample with moisture in a low vacuum.例文帳に追加
電子光学系16と試料室17の圧力比を所定値に保つ差動排気を行い、所定値以上のプローブ電流を満たし、低真空中で生ものや湿気を帯びた試料を観察する低真空SEMにおいて、十分な偏向領域Wを確保するとともに、SEMの分解能を向上する。 - 特許庁
A composite charged particle beam device equipped with an FIB column and an SEM column is provided with an SE3 detector detecting a secondary electron (referred to herein as a third-order electron) emitted by a back scattered electron generated when a sample is irradiated with an electron beam and colliding a structure in a sample chamber.例文帳に追加
本発明では、FIBカラムとSEMカラムを備える複合荷電粒子線装置に、電子ビームを試料に照射したときに発生する後方散乱電子が試料室の構造物に衝突することによって放出される二次電子(本明細書では、三次電子という)を検出するSE3検出器を設けている。 - 特許庁
The measurement pattern is used for formation of contact and via holes over a diffusing layer and an underlay wiring layer from a photoresist, and the pattern includes a first pattern 16 as an object of length measurement by a length measurement SEM and a second pattern 17 laid apart from the first pattern 16 and used for aligning and focusing the length measurement SEM.例文帳に追加
拡散層および下層配線上にそれぞれコンタクトおよびビアをフォトレジストで形成する際の測長パターンであって、測長SEMの測長対象となる第1パターン16と、該第1パターン16と離間して設けられ、測長SEMの位置および焦点合わせに用いられる第2パターン17と、を含む。 - 特許庁
After metal plating, palladium plating or palladium-nickel plating large in the chemical adsorbing energy of a hydrogen atom is applied to the surface of a material, silver bromide is closely bonded to the plated surface of the material and formed silver is observed by SEM or the like to visualize a hydrogen discharge place or to measure the amount of hydrogen, which is discharged from the material, from the amount of silver.例文帳に追加
材料の表面に、水素原子の化学吸着エネルギーの大きい金属めっき、パラジウムめっきまたはパラジウム-ニッケルめっきを施した後、その上に臭化銀を密着させ、生成する銀をSEMなどで観察して、水素放出個所を可視化したり、その量から、材料より放出される水素量を測定する。 - 特許庁
Focus displacement is calculated from Ia and Is, a sample stage 9 is driven in the Z-axis direction by a Z-axis driving part 13 to adjust the focus and thereafter, an SEM image is taken in.例文帳に追加
I_a及びI_sよりフォーカスずれを算出し、Z軸駆動部13によって試料ステージ9をZ軸方向に駆動してフォーカスを合わせたのちSEM像を取り込む。 - 特許庁
To provide a measuring method in which a pattern of a measuring object is captured quickly within a visual field range of a length measuring SEM and in which a size of the pattern on a substrate is measured in a short time.例文帳に追加
測定対象のパターンを測長SEMの視野範囲に迅速に捉え、もって基板上のパターンの寸法を短時間に計測する測定方法を提供する。 - 特許庁
To install a micromachining function of an FIB (focused-ion beam) system and a non-destructive and excellent image forming function of an SEM (scanning electron microscope) into a single apparatus suitable for mass production of high-precision nanodevices.例文帳に追加
FIBシステムのマイクロマシニング機能と、SEMの非破壊かつ優れた像形成機能とを、高精度なナノデバイスの大量生産に適した1台の装置に組み込む。 - 特許庁
As a deflector 13 carries out deflective scanning with an electron beam 12, an image obtaining means 35 obtains a SEM image consisting of a plurality of patterns formed on a sample M.例文帳に追加
偏向器13により電子線12を偏向走査することで、試料Mに形成された複数のパターンのSEM画像が画像取得手段35により取得される。 - 特許庁
The cobalt hydroxide particles are characterized in that the primary particle in-plane average diameter is 0.05-0.7 μm when observed by SEM (scanning electron microscopy) and the particle shape is flaky.例文帳に追加
SEM観察による一次粒子面方向平均径が0.05μm〜0.7μmであり、かつ粒子形状が板状であることを特徴とする水酸化コバルト粒子。 - 特許庁
To provide a rolling device provided with a ceramic rolling body appropriate for a measuring SEM rolling device or X-ray tube rotation anode.例文帳に追加
セラミックス製の転動体を備えた転動装置において、測長SEM用転動装置やX線管回転陽極用玉軸受等として好適なものを提供する。 - 特許庁
Pattern data corresponding to a portion having a pattern formed thereon and background data corresponding to a background are detected from image data in an imaging area of an SEM(scanning electron microscope) 20.例文帳に追加
撮像領域におけるSEM20画像デ−タのうち、パターンが形成された部分に対応するパタ−ンデ−タおよび背景に対応する背景デ−タを検出する。 - 特許庁
In order to observe a worked cross section being worked by an FIB, the axis of the electron optics system of a scanning electron microscope(SEM) 40 is set vertical to the axis of the ion-optics system of an FIB device 20.例文帳に追加
FIBで加工中の加工断面を観察するために、FIB装置20のイオン光学系の軸に対しSEM40の電子光学系の軸を垂直にした。 - 特許庁
To provide a constitution method as a composite charged particle beam device capable of preparing a TEM (Transmission Electron Microscope) sample efficiently by using a gas ion beam device, an FIB (Focused Ion Beam) and a SEM (Scanning Electron Microscope).例文帳に追加
気体イオンビーム装置とFIBとSEMを用いて、効率よくTEM試料作製ができる複合荷電粒子ビーム装置としての構成方法を提供する。 - 特許庁
The control means specifies a flaw candidate pattern from the SEM image, on the basis of the flaw position data and determines whether the flaw of the flaw candidate pattern is transferred to a wafer.例文帳に追加
制御手段は、欠陥位置情報を基にSEM画像から欠陥候補パターンを特定し、欠陥候補パターンの欠陥がウエハに転写されるか否かを判定する。 - 特許庁
Besides, the similar domains and an imaging position and an imaging sphere of the SEM enabling the execution of the image restoration processing are decided by using design data.例文帳に追加
また、設計データを用いて前記類似領域および画像復元処理が実行可能となるSEMの撮像位置および撮像範囲を決定することを特徴とする。 - 特許庁
Coordinates of a specific region on a mask are extracted, and only the specific region is subjected to a defect check process carried out by a checking device by the use of charged particles such as SEM or the like.例文帳に追加
マスクの特定領域の座標を抽出し、その特定領域のみの欠陥検査を、SEM等の荷電粒子を利用した検査装置を用いて行う。 - 特許庁
The ion beam system is adapted to operate optimally in the presence of the magnetic field from the SEM objective lens, so that the objective lens is not turned off during operation of the ion beam.例文帳に追加
イオン・ビーム装置がSEM対物レンズからの磁界の存在下で最適に動作するようにされるので、対物レンズはイオン・ビームの動作中に停止しない。 - 特許庁
A dimension at the height of h1 between resist patterns to be measured is measured by the length measurement SEM, and the measured dimension is calibrated based on the correlative relationship.例文帳に追加
測定対象であるレジストパターン間の高さh1での寸法を測長SEMにより測定し、この測定した寸法を相関関係に基づいて校正する。 - 特許庁
To provide an axis alignment method, astigmatism correction method, and an SEM for implementing these methods, which can restrain an alignment or correction error attributable to conditions of a specimen.例文帳に追加
本発明は、試料側の状態に由来する調整誤差を抑制し得る軸調整,非点補正法、及びこれを実現するためのSEMの提供を目的とする。 - 特許庁
To obtain a method for inspecting efficiently by incorporating its inspection process in a manufacturing process, when a shape measuring inspection of a thin film magnetic head is performed by SEM.例文帳に追加
SEMにより薄膜磁気ヘッドの形状測定検査を行う場合において、その検査工程を製造工程中に組み込み、効率よく検査する方法を得る。 - 特許庁
With this, a deflection region W on a sample stand 14 is kept large, and a required current volume is obtained to improve the resolution of the low-vacuum SEM.例文帳に追加
これにより、試料台14上の偏向領域Wを大きく確保するとともに、所望電流量を得て、低真空SEMの分解能を向上することができる。 - 特許庁
To provide a pattern inspection apparatus that efficiently and highly accurately detects a defective pattern included in an image such as an SEM image by using a reference pattern.例文帳に追加
SEM画像等の画像中に含まれる欠陥パターンを基準パターンを利用して効率的かつ高精度に検出することを可能にするパターン検査装置を提供する。 - 特許庁
To provide a complex electron capable of obtaining accurate correspon dence between the SEM/STEM image and TEM image.例文帳に追加
本発明は複合電子顕微鏡に関し、SEM/STEM像とTEM像との対応を正確にとることができる複合電子顕微鏡を提供することを目的としている - 特許庁
The defect of wiring, that is formed by damascene method, is extracted by the pattern defect comparison inspection and SEM inspection and is identified to be a defect, that is ascertained by a process trace in advance.例文帳に追加
ダマシン法で形成された配線の欠陥をパターン欠陥比較検査およびSEM検査で抽出し、予め工程トレースによって判明した欠陥と同定する。 - 特許庁
Only a defect image part is extracted by a difference processing of an absorption current image of inspection wiring and a reference wiring pattern image, and it is overlapped with an SEM image.例文帳に追加
検査配線の吸収電流像と、基準配線パターン像との差分処理で欠陥像部分のみを抽出し、さらにこれをSEM像に重畳する。 - 特許庁
MICRO PATTERN INSPECTING METHOD AND SYSTEM, CD-SEM DEVICE MANAGING METHOD AND SYSTEM AND PROGRAM AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM例文帳に追加
微細パターン検査装置、CD−SEM装置の管理装置、微細パターン検査方法、CD−SEM装置の管理方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁
When the surface of the negative electrode 22 (negative electrode active material layer 22B) can be observed by using a SEM and a particle area per each negative electrode active material particle can be calculated by making image-processing of a SEM image, average particle areas of the plurality of negative electrode active material particles included in a designated observation area are 1-60 μm^2.例文帳に追加
SEMを用いて負極22(負極活物質層22B)の表面を観察し、SEM像を画像処理して負極活物質粒子ごとに粒子面積を算出できるようにしたとき、所定の観察エリア内に含まれる複数の負極活物質粒子の平均粒子面積は、1μm^2 以上60μm^2 以下である。 - 特許庁
In the method of setting the condition for measuring the pattern of a charged particle beam device and the device of setting the condition for measuring the pattern, a beam condition of an SEM is derived based on pattern information in and/or out of the field of view of the SEM obtained from design data of a sample on which a pattern is formed.例文帳に追加
上記目的を達成するために、以下に荷電粒子ビーム装置のパターン測定条件設定方法、及びパターン測定条件設定装置であって、パターンが形成された試料の設計データから得られるSEMの視野内、及び/又は視野外のパターン情報に基づいて、SEMのビーム条件を導出する方法、及び装置を提案する。 - 特許庁
In a method that an image is formed by utilizing a secondary electron amplification by residual gas around a sample in a low vacuum scanning electron microscope(SEM) and an absorption current, the observation with high resolution and good image quality is enabled by an electric field in which an electrode acts with the comparatively reduced number of parts and a design taking scattering of a first electron beam into consideration.例文帳に追加
低真空SEMにおける試料周辺の残留ガス分子による二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成する方式に於いて、比較的少ない部品数で電極が作用する電界や1次電子ビームの散乱を考慮した設計によって、低真空における高分解能・良好な像質での観察を可能とする。 - 特許庁
When a pattern formed through a developing step by utilizing a photoresist composition containing a thermal acid generator is reheated, acid is generated from the thermal acid generator, as a result the photoresist composition causes a crosslinking reaction under the action of the acid and pattern width slimming due to SEM beams for CD measurement in SEM after pattern formation can be prevented.例文帳に追加
熱酸発生剤(thermal acid generator)を含むフォトレジスト組成物を利用することにより、現像工程を経て形成されたパターンを再び加熱することにより熱酸発生剤から酸が発生し、これからフォトレジスト組成物が架橋反応を引き起こし、パターン形成後SEMでCD測定時にSEMビームによりパターンの幅のが減少を防ぐことができる。 - 特許庁
To provide an electron beam device that can prevent damages to the device and can make compatible low aberration, high resolution or high S/N ratio, with easiness of defect classification by obtaining a three-dimensional SEM image.例文帳に追加
デバイス損傷を防止することが可能であり、低収差、高分解能若しくは高S/N比と、立体的なSEM像を得ることによる欠陥分類の容易さと、を両立させる。 - 特許庁
As for the sealant 10, a resin adhesive is employed, wherein the PH of the solution obtained by the extraction of the adhesive in accordance with SEM standard G29-1296 after calcification is not less than 4 and not more than 10.例文帳に追加
封止剤10には、硬化後にSEMI規格G29−1296に準拠して抽出した溶液のpHが4以上10以下である樹脂接着剤が用いられる。 - 特許庁
To provide a formation device of an imaging recipe and its method capable of optimizing by teaching, a selection rule for forming automatically the imaging recipe, in a SEM device or the like.例文帳に追加
SEM装置等において、撮像レシピを自動作成するための選択ルールを教示により最適化できるようにした撮像レシピ作成装置及びその方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a wafer evaluation method and a wafer evaluation apparatus for raising accuracy of alignment to effectively analyze and evaluate the wafer in the evaluation apparatus such as SEM or AFM or the like.例文帳に追加
SEM、またはAFM等の評価装置でのアライメントの精度を高め、ウェーハの分析評価を効率的に行うことができるウェーハの評価方法および評価装置を提供。 - 特許庁
To provide a technique capable of restraining the charges generated by electron beam irradiation from accumulating in a measuring sample, in a probing device that uses an SEM (scanning electron microscope) as the observation means.例文帳に追加
SEMを観察手段として用いるプロービング装置において、電子線照射により生じる測定試料への電荷の蓄積を抑制することのできる技術を提供する。 - 特許庁
To provide a method for stabilizing, speeding up, and making a measurement method accurate, using an electron beam simulation by reflecting the device characteristics of a length-measuring SEM to the electron beam simulation.例文帳に追加
測長SEMの装置特性を電子線シミュレーションに反映させることで、電子線シミュレーションを用いた計測手法の安定化、高速化、高精度化をはかる方法を提供する。 - 特許庁
To provide a highly crystalline β-zeolite having a small average particle size by SEM and a large half-value width of X-ray crystal diffracting plane, and a method for producing the same.例文帳に追加
本発明の目的は、SEMの平均粒径が小さく、且つX線結晶回折の半値幅の大きい高結晶性のβ型ゼオライト、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁
To perform stable inspection with suppressed generation of false report when a circuit pattern is observed at a fixed point using review SEM, even if variation of the circuit pattern observed is large.例文帳に追加
レビューSEMを用いて回路パターンを定点観察する場合に、観察する回路パターンのばらつきが大きい場合でも、虚報の発生を抑えて安定した検査を行えるようにする。 - 特許庁
In a dual beam system, the FIB is then adjusted accordingly to slice and mill a new face in the subsequent slice and view iteration, and the SEM images the new face.例文帳に追加
デュアル・ビーム・システムでは、次いで、これに応じてFIBを調整して、後続のスライス・アンド・ビューの繰返しにおいて新しいフェースをスライシングし、ミリングし、SEMが、この新しいフェースを画像化する。 - 特許庁
To provide a method of controlling the cross section shape of a measuring pattern or process conditions by a length measuring SEM in an apparatus for monitoring the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加
半導体デバイスの製造プロセスをモニタする装置において、計測パターンの断面形状、あるいはプロセス条件を、測長SEMにより管理することを可能とする方法を提供する。 - 特許庁
To provide a scanning probe microscope capable of observing, evaluating and processing a nano structure by making full use of respective features of a SEM function and a SPM function.例文帳に追加
SEM機能とSPM機能のそれぞれの特徴を十分に生かしきったナノ構造体の観察、評価、加工を行うことができる走査型プローブ顕微鏡を提供する。 - 特許庁
When a sample stage is manually moved, a control device 6 stops the action of the point analysis, and starts the function of a scanning electron microscope to obtain a SEM image.例文帳に追加
手動により試料ステージの移動を行おうとする場合、制御装置6は点分析の動作を停止し、走査電子顕微鏡の機能を起動してこのときのSEM像を得る。 - 特許庁
To downsize, reduce weight, and decrease an effect of magnetic field on an electron beam in a stage device applicable to the device intended for inspection or evaluation of semiconductors such as a length measurement SEM.例文帳に追加
測長SEMのような半導体の検査や評価を目的にした装置に適用可能なステージ装置を小型化、軽量化すると同時に電子線への磁場の影響を低減する。 - 特許庁
To classify a defect detected by a SEM type appearance inspection into an electric defect (VC defect: Voltage Contrast) inside an inspection object and a surface defect.例文帳に追加
SEM式外観検査において,検出した欠陥を、検査対象内部の電気的欠陥(VC欠陥:Voltage Contrast)と表面欠陥とに分類する。 - 特許庁
To actualize a higher magnification, a higher resolution and a real-time property of an SEM image without influencing electric characteristics of an object to be inspected when measuring electric characteristics of the object to be inspected.例文帳に追加
検査対象の電気特性を測定する場合に、検査対象の電気特性に影響を与えることなく、SEM画像の高倍率化、高分解能化及びリアルタイム性を実現する。 - 特許庁
To provide a scanning electron microscope (SEM) capable of shortening a time for length measuring inspection at a deficiency analysis time by a manual work or the like, and its image display method.例文帳に追加
手作業による不具合解析時などにおける測長検査の時間短縮を図ることが可能な走査型電子顕微鏡(SEM)およびその画像表示方法を提供する。 - 特許庁
In this Al-Mg-Si aluminum alloy sheet, the number of Mg-Si compounds with the size of ≥1 μm is ≤300 pieces in the range of a visual field of 1 mm2 by SEM.例文帳に追加
Al−Mg−Si系アルミニウム合金板は、大きさが1μm以上であるMgSi系化合物がSEM観察による1mm^2の視野の範囲内に300個以下である。 - 特許庁
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